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Rolando Duitama

Nestor cardenas

Modelado del transistor

El análisis a pequeña señal consiste en usar un modelo del BJT basado en una red dedos puertas, el cual es
reemplazado en la configuración amplificadora, para así determinarla ganancia, resistencia de entrada y salida del
sistema. En este documento primero se definen los parámetros h, se muestra el modelo del BJT a pequeña señal
para finalmente plantear un ejemplo de análisis

Será necesario ver cómo se comporta el bjt en alterna para poder utilizarlo en circuitos de amplificación, en lo que
sigue se hará uso del transistor bipolar npn polarizado en divisor de tensión, ya que este tipo de polarización es la
más estable en comparación con los otros tipos de polarización que se han visto.

El análisis en continua es la que corresponde a la preparación del circuito de polarización con el cual se ha obtenido
el punto de operación del bjt en la zona activa. Para el análisis de el bjt en alterna es necesario que ya se cuente con
un circuito previamente polarizado en continua, si no le llega una señal alterna al circuito el punto de operación no se
verá afectado, la señal alterna no tiene que afectar de otra forma al circuito.

Para Efecto de análisis de pequeña señal de ca senoidal, las redes que involucran transistores BJT se deben
modelar de acuerdo a las siguientes reglas:

1. Hacer todas las fuentes de cd iguales a cero y reemplazarlas por un corto circuito equivalente.
2. Reemplazar todos los capacitores por un corto circuito equivalente.
3. Obtener un equivalente de todos los resistores en paralelo.
4. Redibujar la red de una forma más lógica y convenient

MODELO H

La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la teoría de cuadripolos o
redes de dos puertos. La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en corriente alterna
permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av),ganancia de corriente (Ai),
impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo
circuital por sí solo no considera este aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.

Los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son componentes de un circuito equivalente
de pequeña señal que se describirá en breve. Los parámetros que relacionan las cuatro variables se denomina
parámetros “h” debido a la palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V eI”
en cada ecuación,oasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los parámetros h

VBE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1


iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2
Fig 2 modelo h

A continuación se resumen las ecuaciones aproximadas que definen los parámetros híbridos para cada una de las
configuraciones estudiadas.

EL MODELO re DEL TRANSISTOR BJT

Uno de los modelos para análisis de transistores de pequeña señal es el conocido como modelo re, el cual utiliza un
diodo y una fuente de corriente controlada para emular el comportamiento de un transistor en la región de interés.

Si redibujamos las características del colector para tener una β constante, todas las características en la sección de
salida pueden ser remplazadas por una fuente controlada cuya magnitud es β veces la corriente de base .

fig 3 circuito equivalente bjt

Aislamos los circuitos de entrada y salida y quedan vinculados solo por la fuente controlada.

Esta es una mejor manera para trabajar con circuitos pero es inconveniente para calcular la impedancia .
Fig 4 modelado re ecuaciones usadas para el modelo re teniendo en cuenta que 𝑟𝑒 = 26𝑚𝑉

fig 5 circuito equivalente mejorado bjt

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS MODELOS RE Y H

MODELO VENTAJA DESVENTAJA


RE 1. En este modelo la fuente de 1. La resistencia re reduce la
corriente relaciona la gananca de voltaje.
corriente del terminal de 2. el modelo re tiene
entrada con el de salida. la desventaja de no tomar en
2. El modelo re utiliza un diodo cuenta el nivel de
y una fuente de corriente impedancia de salida del
controlada para emular el dispositivo ni el efecto de
comportamiento de un retroali
transistor en la región de
interés
H 1. Este modelo es para señales Para el modelo híbrido de un
de baja frecuencia. transistor cualquiera se definen los
2. Sus configuraciones son parámetros en un punto de
igueles operación que puede o no
reflejar las condiciones de operación
reales del circuito amplificador

Hice una pequeña consulta para saber qué modelo es el más usado, y la mayoría concuerda con el modelo h ya que
su modelo siempre se asemeja una red de dos puertos en todas sus configuraciones, mientras que en el re hay que
tener más cuidado en la hora de analizarlo, pero todo depende de la forma en que uno lo analice y le parezca mas
fácil.
BIBLIOGRAFIA

1. Electrónica. Teoría de circuitos.


BOYLESTAD Nashelsky. Quinta edición. Prentice Hall. México 1994.
2. Electrónica integrada. Circuitos y Sistemas Analógicos y Digitales.
J.MILLMAN. C.HALKIAS. De. Hispano -Europea. Barcelona 1986.