UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA.

LABORATORIO ANALOGICA

Practica 5: Análisis de característica de un diodo a Silicio.

1. OBJETIVOS.

1.1. Objetivo General:

1.2. Objetivo específico:

2. METODO: Demostración del docente en la utilización y manejo de los dispositivos de práctica

3. EQUIPO Y MATERIALES.
4. MARCO TEORICO.
5. PROCEDIMIENTO.

5.1 Análisis de característica.

5.1.1.- Consultar los manuales y transcribir las características más importantes de los diodos 1N4007, 1N4148.
.- Valores Nominales máximos.
.- Características eléctricas.

5.1.2.- Utilizando el multímetro identifique los terminales de cada tipo de diodo disponible y de paso compruebe
que están en buen estado, determinando el voltaje umbral.

Polarización 1N4007 1N4148

Directa 0.677
Inversa. 0

5.1.3.- Aplique calor al diodo (Aplastar fuertemente con dos dedos la parte plástica) y observe el nuevo valor que
muestra el multímetro

Polarización 1N4007 1N4148

Directa 0.708
Inversa. 0

5.1.4.- Realizar el circuito de la fig.1 y llenar la siguiente tabla de valores mediante lecturas de VR, VD(VA-K) con
el multímetro digital, para el diodo 1N4007.
R
+ VD
1k A
Vdc 1N4007

K
_

Fig. 1

Calcular Corriente
Vdc VR (V) VD(VA-K) Diodo Resistencia estática
ID = VR/R RD = VD/ID
-5,00 0 5.6
-4,00 0 3.9
-3,00 0 3
-2,00 0 2
-1,00 0 1
0,00 0 0
0.25 0.26 0.26
0.5 0,51 0.51
0.75 0.75 0.64
1,00 0.36 0,74
1.25 0.51 0,74
1.5 0,724 0.774
2,00 1.22 0.81
2.5 1.67 0.83
3,00 2.13 0.84
3.5 2.64 0,86
4,00 3.12 0,86
5,00 4,10 0,88
6,00 5.08 0.91
8,00 7.08 0,91
10,00 9,06 0.93

5.1.5.- Trace las respectivas curvas de ID = f (VD), ID = f (VR), con los datos obtenidos en la tabla anterior y
saque sus conclusiones.

5.1.6.- Modificar el circuito según fig. 2 y obtenga a través del osciloscopio la característica de ID = f (VD). Utilizar
un transformador de 110Vac/12Vac y osciloscopio en modo XY, invertir en el osciloscopio la señal de Ch1, Menú
inversión On.

Fig 2.

5.1.7.- Volver a la fig 1, aplicar del generador de funciones Vac = 10 Vp-p onda senoidal. Observar y tomar nota
de la forma de onda de Vi (Ch1) y VD (Ch2) VA-K diodo, para las frecuencias de f = 50 Hz y 400Hz, verifique que
no existe retardos entre ingreso y salida cuando se trabaja a bajas frecuencias.

5.1.8.- Aplique frecuencias f = 20KHz luego 100KHz. Observar las formas de onda y determinar cuánto vale el
retardo de recuperación inversa de cada diodo por separado, verifique que al aumentar la frecuencia se hace más
notorio. Determinar para cada diodo, más o menos a que frecuencia ya no responde.

5.2 Análisis en tensión dc: Tipo serie, paralelo, OR.

 D1 D2 D3 D1 D4 D1
A B C A B
+ + + 15Vcc
R2 D2
D2
Vi =+10Vcc R1 Vo Vi =+10Vcc R1 Vo + 5Vcc
10 k 1k D3 1k
R1 Vo
1k
_ _ _

5.2.1.- Para cada circuito por separado, calcular los voltajes en cada nodo y sus respectivas corrientes.
5.2.2.- Aplicar Vi=10Vdc, medir con el multímetro los voltajes en cada nodo con respecto a tierra, con estos
valores, determinar las corrientes y comparar con los valores calculados y simulados.

6. SIMULACIONES.

7. ANEXOS.

7. CONCLUSIONES.

8. BIBLIOGRAFÍA.

Att:

Ing. Luis Abad C.