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Los diodos son dispositivos electrónicos que controlan el flujo de corriente eléctrica.

Los rectificadores de diodos son, el tipo de diodo más utilizado, sin embargo, existen
otros tipos de diodos disponibles y se pueden utilizar para la iluminación, el control de
tensión o cualquier otra función electrónica específica. El diodo apropiado para
cualquier circuito dependerá en gran medida de lo que el circuito está diseñado que
haga.

Paso 1

Determina el papel que el diodo tendrá en tu circuito. Por ejemplo, si el diodo


se usará como fuente de luz, elige un diodo que emita luz; si el diodo se
utilizará para convertir energía de corriente alterna en energía de corriente
continua, elige un diodo rectificador.

Paso 2

Determina la tensión y la corriente que el diodo tendrá que soportar en el


circuito. Usa un multímetro digital para determinar estos valores en un circuito
existente mediante la medición de la tensión a la que el diodo estará conectado
en el circuito. Mide la corriente en el circuito desconectando el cable de circuito
positivo de la fuente de alimentación, la conexión de la sonda roja del
multímetro al terminal positivo de la fuente de alimentación y la conexión de la
sonda del multímetro negro al cable de circuito positivo.

Paso 3

Elige un diodo cuyo voltaje y corriente actual exceda el voltaje del circuito y los
marcadores de corriente obtenidos en el paso previo.
Experiencia Nº 1: DIODO SEMICONDUCTOR
1.- Objetivos:
 Determinar las características estáticas, dinámicas y otros parámetros importantes en los diodos
semiconductores de mayor aplicación.
 Aplicar el estudio general realizado sobre circuitos rectificadores a su diseño e implementación, como
también aplicar consideraciones teóricas y prácticas que permita ajustar y mejorar el circuito
rectificador.
2.- Informe previo:
 Características V/I de los diodos semiconductores.
 Resistencia directa e inversa de los diodos semiconductores.
 Resistencia dinámica.
 Rectificadores de media onda y onda completa.
 Circuitos recortadores serie paralelo.
 Diseño final normalizado de cada uno de los circuitos a utilizar en el laboratorio.
MARCO TEÓRICO:
Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo del campo eléctrico en el que se encuentre. El elemento semiconductor más
usado es el silicio
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
cargas libres (en este caso, negativas). Cuando el material dopante es añadido, éste aporta
sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones. El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un
cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso positivo). Cuando el material dopante es añadido, éste libera los
electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente
dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que
han perdido un electrón son conocidos como huecos.
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874, cuando se
observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, durante la Segunda Guerra
Mundial se desarrolló el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo
de germanio.
El Diodo
Un DIODO es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única
dirección Los Diodos son elementos no lineales porque no cumplen con la ley de Ohm.
Cuando se explica el funcionamiento de el diodo se hace una analogía con una válvula on /
off, porque en realidad el diodo al igual que esta válvula solo tienen dos estados, conduce o
no conduce, y no es porque presente fallas, sino que sus características de funcionamiento
son así. Es un elemento que tiene polaridad, o sea un lado negativo conocido como cátodo
y un lado positivo conocido como ánodo. Para que un diodo conduzca se debe polarizar
correctamente, esto es colocar la parte positiva con el positivo de la alimentación y la
negativa con el negativo de la fuente. Esta característica de conducción es debido a que los
diodos son componentes dopados, sus materiales de construcción se conocen como
materiales P y materiales N. Esto es porque tienen impurezas que provocan que estén
cargados negativa o positivamente. Cuando el diodo se polariza correctamente ocurre la
siguiente secuencia:
P N Secuencia de conducción del diodo.
Cuando se polariza correctamente el diodo, las cargas positivas comienzan a entrar y a
hacer presión sobre el polo positivo o capa P. En el centro del diodo se combinan los
protones y los electrones, de esta manera se convierte en una región neutra, pero al existir
una sobredosis de cargas positivas, entonces las negativas se ven en la obligación de pasar
esta zona neutra y así comenzar a combinarse, con lo cual se establece una corriente y de
esta manera un equilibrio, donde el diodo esta conduciendo. En el caso contrario, al entrar
las cargas positivas en el polo negativo o capa N, los electrones no se ven obligados a pasar
sobre la región neutra para combinarse, sino que se combinan de su lado, aumentando dicha
zona neutra, y por lo tanto haciendo más grande la barrera a vencer, de esta forma es que
el diodo no conduce.
En el siguiente recuadro se puede apreciar la polarización directa e inversa de un diodo.
POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS
El diodo conduce con una caída
de tensión
DIRECTA de 0,6 a 0,7V.
El ánodo se conecta al positivo El valor de la resistencia interna
de la batería y el cátodo al seria muy bajo.
negativo. Se comporta como un
interruptor cerrado
El diodo no conduce y toda la
tensión de la pila cae sobre el.
Puede existir una corriente de
INVERSA fuga del orden de µA.
El ánodo se conecta al El valor de la resistencia interna
negativo y el cátodo al positivo sería muy alto
de la batería Se comporta como un
interruptor abierto.
Modelos matemáticos
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
Donde:
 I =corriente que atraviesa el diodo.
 VD =Diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS =Corriente de saturación (aproximadamente 10 − 12A)
 q =Carga del electrón cuyo valor es 1.6 * 10 − 19
 T =Temperatura absoluta de la unión
 k =Constante de Boltzmann (1,38x10 − 23J/Kº)
 n =Coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
 VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura
ambiente (300 K ó 27 ºC).
Rectificador
En electrónica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente
alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean
semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor
de mercurio. Dependiendo de las características de la alimentación en corriente alterna que
emplean, se les clasifica en monofásicos, cuando están alimentados por una fase de la red
eléctrica, o trifásicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de rectificación,
pueden ser de media onda, cuando solo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de
onda completa, donde ambos semiciclos son aprovechados.
El tipo más básico de rectificador es el rectificador monofásico de media onda, constituido
por un único diodo entre la fuente de alimentación alterna y la carga.
Curva característica del diodo
 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor
con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la
barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen
grandes variaciones de la intensidad.
 Corriente máxima (Imax).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del
diseño del mismo.
 Corriente inversa de saturación (Is).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en
la temperatura.
 Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta
corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la
corriente superficial de fugas.
 Tensión de ruptura (Vr).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de
saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o
de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco
que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se
aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden
provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es
una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores
de la tensión superiores a 6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la
zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre
la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será
grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o
menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.
Resistencia Estática del Diodo.
La resistencia estática R de un diodo se define como la relación entre la tensión y la
corriente V/I. En un punto cualquiera de la característica tensión-corriente del diodo, la
resistencia R es igual a la inversa de la pendiente de la línea que une el punto de
funcionamiento con el origen. La resistencia estática varía extraordinariamente con V e I y
no es útil su empleo como parámetro.
Resistencia Dinámica del Diodo
La resistencia dinámica, o incremental r, la cual, es importante en el funcionamiento del
diodo para pequeña señal se define como el inverso de la pendiente de la curva
característica del diodo en un punto dado, cuando el diodo esta polarizado en directo.
La resistencia dinámica no es una constante. Se obtiene diferenciando la ecuación del
diodo, invirtiendo el resultado, y calculando rd en el punto de trabajo tal como sigue:
Es importante recordar que para los siguientes experimentos se trabajara con el DIODO
“1N4007” y es de suma importancia saber las características técnicas de dicho material.

En el cuadro superior se describen las características eléctricas del diodo, y en el cuadro


inferior se detalla las dimensiones del diodo según fabricante.3.- Trabajo de laboratorio:
 Examine el diodo 1N4007. Identifique sus terminales y dibuje.

3.2 Conecte el circuito de la figura 1.1 y determine las características directas del diodo
semiconductor (complete la tabla 1.1).
Vcc
(V) Vr (v) I (mA) Vd (v) V instrumento
5 4.3 4.28 0.65 0.1
7.16 6.48 6.39 0.67 0.1
9.1 8.34 8.3 0.68 0.1
12 11.3 11.3 0.69 0.1
15 14.2 14.3 0.7 0.1
20 19.2 19.5 0.7 0.1
25 24.1 24.6 0.7 0.1
30 29.1 29.9 0.7 0.1
Tabla 1.1
Figura 1.1
Para realizar el circuito y completar la tabla 1.1 se utilizaron los siguientes elementos:
- Una resistencia de 10KΩ
- Una fuente de poder regulable Vcc.
- Un diodo 1N4007
Y los siguientes instrumentos:
- Dos voltímetros y un amperímetro.
La característica que pudimos notar al hacer la conexión directa del diodo es que comienza
a conducir con aproximadamente 0,65 (V), luego, al ir aumentando el voltaje, el diodo llega
a tener una caída de tensión de 0,7 (V) la que se mantiene al seguir aumentando el voltaje.
3.3 Conecte el circuito de la figura 1.2 y determine las características inversas del diodo
semiconductor (complete la tabla 1.2).
Vcc
(V) Vr (v) Vd (v) I (mA)
5 0 5 0
7 0 7 0
9 0 9 0
12 0 12 0
15 0 15 0
20 0 20 0
25 0 25 0
30 0 30 0
Figura 1.2
Para realizar el circuito y completar la tabla 1.1 se utilizaron los siguientes elementos:
- Una resistencia de 10KΩ
- Una fuente de poder regulable Vcc.
- Un diodo 1N4007
Y los siguientes instrumentos:
- un voltímetro y un amperímetro.
Al realizar este circuito comprobamos que el diodo al ser conectado de manera inversa se
comporta como un interruptor abierto, por lo que no circula una corriente.3.4 Con los valores
obtenidos en los puntos 3.2 y 3.3 grafique I = f (VD) y determine:
 Resistencia directa del diodo semiconductor
b) Resistencia inversa del diodo semiconductor

3.5 Conecte el circuito de la figura 1.3 y determine las características dinámicas del diodo
semiconductor. (Complete la tabla 1.3).
Figura 1.3
En la figura 1.3 se puede ver el diodo en funcionamiento con una fuente alterna la cual nos
permite apreciar que al de igual forma que en una fuente continua comienza a conducir entre
los 0.6 y 0.7 volt, cuando el diodo se conecta de forma directa de ánodo a cátodo este
suprimirá la señal negativa de la fuente alterna. La señal suprimida se vera en 0 volt.
De forma análoga cuando el diodo se conecta de forma indirecta de cátodo a ánodo este
suprimirá la señal positiva de la fuente alterna. la señal suprimida se vera en 0 volt .

Para comenzar a calcular las corrientes del circuito se tiene como dato el voltaje máximo de
la entrada el cual es: V max = 16.16 [V] , otro dato importante es la resistencia total del
circuito (la resistencia directa del diodo se despreciara ya que no es mayor a un Ohm por lo
tanto no incluirá en nuestros cálculos) la resistencia total del circuito es de R=1010 [Ω]
3.6 Conecte el circuito de la figura 1.4 y determine:
 Curva de regulación
 Resistencia efectiva del circuito.
 Resistencia efectiva del diodo.
Figura 1.4
Vo,m Vo,dc Io,dc
R (V) (v) (mA)
50Ω 16.9 5.4 101.22
200Ω 16.9 5.4 26.10
500Ω 16.9 5.4 10.50
1KΩ 16.9 5.4 5.28
3KΩ 16.9 5.4 1.78
10KΩ 16.9 5.4 0.52

En el circuito anterior se probaron distintas resistencias para un mismo voltaje de entrada.


de esta forma se obtuvo la curva de regulación del diodo.
Conclusión.
Del siguiente informe se puede concluir lo siguiente:
1-En esta experiencia se ha corroborado de manera práctica las aplicaciones teóricas que
se explicaron del diodo. Como por ejemplo la polarización directa e inversa:
a)-Polarización directa con fuente CC este se comporta como un hilo conductor con una
resistencia despreciable.
b) - Polarización indirecta con fuente CC este se comporta como “Switch Abierto” el que
tiene una alta resistencia, por lo tanto no circula corriente.
c) - Polarización directa con fuente CA este se comporta como un hilo conductor en la parte
positiva de la señal alterna y como un circuito abierto en la señal negativa.
d) - Polarización indirecta con fuente CA este se comporta como un circuito abierto en la
parte positiva de la señal alterna y como un hilo conductor en la señal negativa.
De esta manera se puede discriminar las señales de corriente alterna eligiendo trabajar con
la parte negativa o positiva de la señal.
-Otra característica es que comienza a conducir voltaje a los 0.6 volt de acuerdo con la
mayoría de los fabricantes el diodo debería comenzara conducir a los 0.65 a 0.7 volt pero
como no todo es perfectos estos tienen un rango de un 20% ya que van perdiendo sus
propiedades con el tiempo.
-El diodo proporciona una gran herramienta para transformar CA en CC y es su principal
función, aunque para usos industriales el diodo ya no se utilizada en los circuitos de
rectificación.
Bibliografía.
 -Apuntes de Cátedra de Electrónica.
 -HTTP://electronred.iespana.es/diodo.htm “tipos de diodos” y “rectificadores”
 -HTTP://www.ate.uniones.es “Electrónica y automatismo Universidad de Oviedo”
 -HTTP://www.wikipedia.org/diodo “el diodo”
 -Conocimientos pertinentes.
Universidad Tecnológica Metropolitana
Laboratorio Electrónica
1
1N4733A -
Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41, 5 %,
2 Pines, 200 °C

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Fabricante:
ON SEMICONDUCTOR
No. Parte Fabricante:
1N4733A
No. Parte Newark
38C7680
Rango de productos
1N47xxA Series
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto
El 1N4733A es un Diodo Zener Diode de uso general adecuado para diferentes aplicaciones. La banda de color indica la
terminal del cátodo.
 Corriente de prueba de 49mA
 Corriente de fuga inversa máxima de 10µA a 1V

Aplicaciones
Industrial

Información del producto


Tensión Zener Vz Típ.:

5.1V
Disipación de Potencia Pd:

1W
Estilo de la Carcasa del Diodo:

DO-41
Tolerancia Zener ±:

5%
Núm. de Contactos:

2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:

200°C
Tipo de Empaquetado:

Individual
Rango de Producto:

1N47xxA Series
Norma de Cualificación Automotriz:

1N4740A -
Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 10 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2
Pines, 200 °C

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ON SEMICONDUCTOR
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1N4740A
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El 1N4740A es un Diodo Zener de uso general y apropiado para diferentes aplicaciones. La banda de color indica la
terminal del cátodo.
 Corriente de prueba de 25mA
 Corriente de fuga inversa máxima de 10µA a 7.6V

Aplicaciones
Industrial

Información del producto


Tensión Zener Vz Típ.:

10V
Disipación de Potencia Pd:

1W
Estilo de la Carcasa del Diodo:

DO-41
Tolerancia Zener ±:

5%
Núm. de Contactos:

2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:

200°C
Tipo de Empaquetado:

Individual
Rango de Producto:

1N47xxA Series
DIODOS ZENER

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TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N762A 0.25 5.8 10 DO-7 A

1N4371A 0.4 2.7 20 DO-7 A

1N4372A 0.4 3 20 DO-7 A

1N746A 0.4 3.3 20 DO-35 B

1N747A 0.4 3.6 20 DO-35 B

1N748A 0.4 3.9 20 DO-35 B

1N749A 0.4 4.3 20 DO-35 B

1N750A 0.4 4.7 20 DO-35 B

1N751A 0.4 5.1 20 DO-35 B

1N752A 0.4 5.6 20 DO-35 B

1N753A 0.4 6.2 20 DO-35 B

1N754A 0.4 6.8 20 DO-35 B

1N755A 0.4 7.5 20 DO-35 B

1N756A 0.4 8.2 20 DO-35 B

1N757A 0.4 9.1 20 DO-35 B

1N758A 0.4 10 20 DO-35 B

1N962B 0.4 11 11.5 DO-35 B

1N759A 0.4 12 20 DO-35 B

1N965B 0.4 15 8.5 DO-35 B

1N966B 0.4 16 7.8 DO-35 B


TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N967B 0.4 18 7 DO-35 B

1N968B 0.4 20 6.2 DO-35 B

1N969B 0.4 22 5.6 DO-35 B

1N970B 0.4 24 5.2 DO-35 B

1N971B 0.4 27 4.6 DO-35 B

1N972B 0.4 30 4.2 DO-35 B

1N973B 0.4 33 3.8 DO-35 B

1N4728A 1 3.3 76 DO-41 A

1N4729A 1 3.6 69 DO-41 A

1N4730A 1 3.9 64 DO-41 A

1N4731A 1 4.3 58 DO-41 A

1N4732A 1 4.7 53 DO-41 A

1N4733A 1 5.1 49 DO-41 A

1N4734A 1 5.6 45 DO-41 A

1N4735A 1 6.2 41 DO-41 A

1N4736A 1 6.8 37 DO-41 A

1N4737A 1 7.5 34 DO-41 A

1N4738A 1 8.2 31 DO-41 A

1N4739A 1 9.1 28 DO-41 A

1N4740A 1 10 25 DO-41 A

1N4741A 1 11 23 DO-41 A

1N4742A 1 12 21 DO-41 A

1N4743A 1 13 19 DO-41 A

1N4744A 1 15 17 DO-41 A

1N4745A 1 16 15.5 DO-41 A

1N4746A 1 18 14 DO-41 A

1N4747A 1 20 12.5 DO-41 A

1N4748A 1 22 11.5 DO-41 A

1N4749A 1 24 11 DO-41 A

1N4750A 1 27 9.5 DO-41 A

1N4751A 1 30 8.5 DO-41 A

1N4752A 1 33 7.5 DO-41 A

1N4753A 1 36 7 DO-41 A

1N4754A 1 39 6.5 DO-41 A

1N4755A 1 43 6 DO-41 A

1N4756A 1 47 5.5 DO-41 A

1N4757A 1 51 5 DO-41 A

1N4758A 1 56 4.5 DO-41 A


TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N4759A 1 62 4 DO-41 A

1N4760A 1 68 3.7 DO-41 A

1N4761A 1 75 3.3 DO-41 A

1N4762A 1 82 3 DO-41 A

1N4763A 1 91 2.8 DO-41 A

1N4764A 1 100 2.5 DO-41 A

1EZ110 1 110 2.3 DO-41 A

1EZ150 1 150 1.7 DO-41 A

1EZ180 1 180 1.4 DO-41 A

1EZ200 1 200 1.2 DO-41 A

1N5333 5 3.3 380 AXIAL A

1N5334 5 3.6 350 AXIAL A

1N5335 5 3.9 320 AXIAL A

1N5336 5 4.3 290 AXIAL A

1N5337 5 4.7 260 AXIAL A

1N5338 5 5.1 240 AXIAL A

1N5339 5 5.6 220 AXIAL A

1N5340 5 6 200 AXIAL A

1N5341 5 6.2 200 AXIAL A

1N5342 5 6.8 175 AXIAL A

1N5343 5 7.5 175 AXIAL A

1N5344 5 8.2 150 AXIAL A

1N5346 5 9.1 150 AXIAL A

1N5347 5 10 125 AXIAL A

1N5348 5 11 125 AXIAL A

1N5349 5 12 100 AXIAL A

1N5350 5 13 100 AXIAL A

1N5352 5 15 75 AXIAL A

1N5353 5 16 75 AXIAL A

1N5355 5 18 65 AXIAL A

1N5357 5 20 65 AXIAL A

1N5358 5 22 50 AXIAL A

1N5359 5 24 50 AXIAL A

1N5361 5 27 50 AXIAL A

1N5362 5 28 50 AXIAL A

1N5363 5 30 40 AXIAL A

1N5364 5 33 40 AXIAL A

1N5365 5 36 30 AXIAL A
TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N5366 5 39 30 AXIAL A

1N5367 5 43 30 AXIAL A

1N5368 5 47 25 AXIAL A

1N5369 5 51 25 AXIAL A

1N5370 5 56 20 AXIAL A

1N5371 5 60 20 AXIAL A

1N5372 5 62 20 AXIAL A

1N5373 5 68 20 AXIAL A

1N5374 5 75 20 AXIAL A

1N5375 5 82 15 AXIAL A

1N5376 5 87 15 AXIAL A

1N5377 5 91 15 AXIAL A

1N5378 5 100 12 AXIAL A

1N5379 5 110 12 AXIAL A

1N5380 5 120 10 AXIAL A

1N5381 5 130 10 AXIAL A

1N5383 5 150 8 AXIAL A

1N5384 5 160 8 AXIAL A

1N5386 5 180 5 AXIAL A

1N5388 5 200 5 AXIAL A

1N3993A* 10 3.9 640 DO-4 C

1N3993RA 10 3.9 640 DO-4 C

1N3994A* 10 4.3 580 DO-4 C

1N3995A* 10 4.7 530 DO-4 C

1N3996A* 10 5.1 490 DO-4 C

1N3997A* 10 5.6 445 DO-4 C

1N3997RA 10 5.6 445 DO-4 C

1N3998RA 10 6.2 405 DO-4 C

1N2970B 10 6.8 370 DO-4 C

1N2970RB 10 6.8 0.37 DO-4 C

1N2971B 10 7.5 335 DO-4 C

1N2971RB* 10 7.5 335 DO-4 C

1N2972B 10 8.2 305 DO-4 C

1N2972RB* 10 8.2 305 DO-4 C

1N2973B 10 9.1 275 DO-4 C

1N2973RB* 10 9.1 275 DO-4 C

1N2974B 10 10 250 DO-4 C

1N2974RB* 10 10 250 DO-4 C


TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N2975B 10 11 230 DO-4 C

1N2975RB* 10 11 230 DO-4 C

1N2976B 10 12 210 DO-4 C

1N2976RB* 10 12 210 DO-4 C

1N2977B 10 13 190 DO-4 C

1N2977RB* 10 13 190 DO-4 C

1N2978B 10 14 180 DO-4 C

1N2978RB* 10 14 180 DO-4 C

1N2979B 10 15 170 DO-4 C

1N2979RB* 10 15 170 DO-4 C

1N2980B 10 16 155 DO-4 C

1N2980RB* 10 16 155 DO-4 C

1N2981B 10 17 145 DO-4 C

1N2981RB* 10 17 145 DO-4 C

1N2982B 10 18 140 DO-4 C

1N2982RB* 10 18 140 DO-4 C

1N2984B 10 20 125 DO-4 C

1N2984RB* 10 20 125 DO-4 C

1N2985B 10 22 115 DO-4 C

1N2985RB* 10 22 115 DO-4 C

1N2986B 10 24 105 DO-4 C

1N2986RB* 10 24 105 DO-4 C

1N2988B 10 27 95 DO-4 C

1N2988RB* 10 27 95 DO-4 C

1N2989B 10 30 85 DO-4 C

1N2989RB* 10 30 85 DO-4 C

1N2990B 10 33 85 DO-4 C

1N2990RB* 10 33 85 DO-4 C

1N2991B 10 36 70 DO-4 C

1N2991RB* 10 36 70 DO-4 C

1N2992B 10 39 65 DO-4 C

1N2992RB* 10 39 65 DO-4 C

1N2993B 10 43 60 DO-4 C

1N2993RB* 10 43 60 DO-4 C

1N2994B 10 45 55 DO-4 C

1N2994RB* 10 45 55 DO-4 C

1N2995B 10 47 55 DO-4 C

1N2995RB* 10 47 55 DO-4 C
TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N2996B 10 50 50 DO-4 C

1N2996RB* 10 50 50 DO-4 C

1N2997B 10 51 50 DO-4 C

1N2997RB* 10 51 50 DO-4 C

1N2998B 10 52 50 DO-4 C

1N2998RB* 10 52 50 DO-4 C

1N2999B 10 56 45 DO-4 C

1N2999RB* 10 56 45 DO-4 C

1N3000B 10 62 40 DO-4 C

1N3000RB* 10 62 40 DO-4 C

1N3001B 10 68 37 DO-4 C

1N3001RB* 10 68 37 DO-4 C

1N3002B 10 75 33 DO-4 C

1N3002RB* 10 75 33 DO-4 C

1N3003B 10 82 30 DO-4 C

1N3003RB* 10 82 30 DO-4 C

1N3004B 10 91 28 DO-4 C

1N3004RB* 10 91 28 DO-4 C

1N3005B 10 100 25 DO-4 C

1N3005RB* 10 100 25 DO-4 C

1N3006B 10 105 25 DO-4 C

1N3006RB* 10 105 25 DO-4 C

1N3007B 10 110 23 DO-4 C

1N3007RB* 10 110 23 DO-4 C

1N3009B 10 130 19 DO-4 C

1N3009RB* 10 130 19 DO-4 C

1N3011B 10 150 17 DO-4 C

1N3011RB* 10 150 17 DO-4 C

1N3013B 10 175 14 DO-4 C

1N3013RB* 10 175 14 DO-4 C

1N3014B 10 180 14 DO-4 C

1N3014RB* 10 180 14 DO-4 C

1N3015B 10 200 12 DO-4 C

1N3015RB* 10 200 12 DO-4 C

1N3305 50 6.8 1850 DO-5 D

1N3306 50 7.5 1700 DO-5 D

1N3307 50 8.2 1500 DO-5 D

1N3308 50 9.1 1370 DO-5 D


TENSION
Potencia Izt
Código Vz Encapsulado Figura
(W) (mA)
(V)

1N3309 50 10 1200 DO-5 D

1N3310 50 11 1100 DO-5 D

1N3311 50 12 1000 DO-5 D

1N3312 50 13 960 DO-5 D

1N3314 50 15 830 DO-5 D

1N3315 50 16 780 DO-5 D

1N3317 50 18 700 DO-5 D

1N3318 50 19 660 DO-5 D

1N3319 50 20 630 DO-5 D

1N3320 50 22 570 DO-5 D

1N3321 50 24 520 DO-5 D

1N3323 50 27 460 DO-5 D

1N3324 50 30 420 DO-5 D

1N3325 50 33 380 DO-5 D

1N3326 50 36 350 DO-5 D

1N3327 50 39 320 DO-5 D

1N3328 50 43 290 DO-5 D

1N3330 50 47 270 DO-5 D

1N3332 50 51 245 DO-5 D

1N3334 50 56 220 DO-5 D

1N3335 50 62 200 DO-5 D

1N3336 50 68 180 DO-5 D

1N3337 50 75 170 DO-5 D

1N3339 50 91 140 DO-5 D

1N3340 50 100 120 DO-5 D

1N3342 50 110 110 DO-5 D

1N3344 50 130 95 DO-5 D

1N3346 50 150 85 DO-5 D

1N3347 50 160 80 DO-5 D

1N3348 50 175 70 DO-5 D

1N3350 50 200 65 DO-5 D

1N4557 50 3.9 3200 TO-3 E

1N4559 50 4.7 2650 TO-3 E

1N4560 50 5.1 2450 TO-3 E

1N4561 50 5.6 2250 TO-3 E


http://mexico.newark.com/fairchild-semiconductor/1n4759/zener-diode-1w-10v-do-
41/dp/18C8956