ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

TEMA:

CARÁCTERÍSTICAS DE LOS MOSFET DE POTENCIA

INTEGRANTES:

 Gabriela Cadena
 Paul Hinojosa
 Helen Hoffman
 Sandra Sánchez

CURSO: 6to. “E” Electrónica

FECHA: 2007-11-09

MOSFET de Potencia 0
I. TEMA: Características del MOSFET de potencia

II. OBJETIVOS:

 Conocer las características del MOSFET.

 Crear un espíritu crítico frente a los diversos problemas presentados
durante la realización del laboratorio.
 Fomentar la investigación y la experimentación en el campo de la
electrónica de potencia.

III. MARCO TEORICO:

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere

una pequeña corriente de entrada.

3.1. Características:

 La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos de conmutación son

del orden de los nanosegundos.

 Tienen problemas de descarga electrostática por lo que requieren cuidados

especiales en su manejo.

 Es muy difícil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.

 Requieren poca energía de compuerta para su funcionamiento.

 La resistencia de entrada es muy alta, de 10 9 a 1011Ω.

3.2. Desventaja:

Es su alta resistencia en sentido directo en estado activo y por consiguiente

grandes pérdidas este estado.

3.3. Aplicaciones:

 Se los aplica en convertidores de baja potencia y alta frecuencia.

 Se los utiliza con elementos TTL, por el mismo hecho de que con la inyección
de poco voltaje permiten obtener una corriente suficiente para mover ciertos
elementos como motores.

 El MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutación

en la electrónica de potencia.

MOSFET de Potencia 1
  Son excelentes como dispositivos amplificadores de compuerta para
tiristores.

 Se utilizan estos transistores en su región de saturación para elaborar

amplificadores de voltaje.

3.4. Tipos de MOSFET

3.4.1 MOSFET decrementales

FIGURA 1

Un MOSFET de tipo decremental con canal n se forma sobre un substrato

de silicio tipo p, como se ve en la Figura 1 con dos regiones de silicio n+ muy
dopado, para formar conexiones de baja resistencia. La compuerta está
aislada del canal por una capa muy delgada de óxido (SiO). Las tres
terminales son compuerta, drenaje y fuente. En el caso normal, el substrato
se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente es V GS, y puede ser
positivo o negativo.

Si VGS es negativo, alguno de los electrones en el área del canal n son

repelidos, y se crea una región de agotamiento debajo de la capa de óxido,
dando como resultado un canal efectivo más angosto y una alta resistencia
del drenaje a la fuente R DS. Si se hace que VGS sea suficientemente
negativo, el canal se decrementa hasta desaparecer, se agota, por
completo y presenta un valor muy alto de R DS, y no pasa corriente del
drenaje a la fuente I DS=0. El valor de VGS, cuando eso sucede, se llama
voltaje de estrechamiento Vp.

Si VGS se hace positivo, el canal incrementa haciéndose más ancho y

aumenta IDS, debido a la reducción de RDS.

MOSFET de Potencia 2
3.4.2 MOSFET incrementales

FIGURA 2

Este tipo de MOSFET no tiene canal físico, como se ve en la Figura 2.

Cuando la tensión de compuerta VGS es nula, la corriente entre la fuente y el
drenador es nula. Por esta razón, el MOSFET de enriquecimiento está
normalmente en corte cuando la tensión de compuerta es cero. Si V GS es
positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los
acumula en la superficie, bajo la capa de óxido. Si V GS es mayor o igual a un
valor llamado voltaje umbral o voltaje de entrada VT, se acumula una
cantidad suficiente de electrones para formar un canal n virtual, y la
corriente circula del drenaje a la fuente. Este tipo de MOSFET responden
solo a un voltaje de compuerta positivo.

Al ver estos dos tipos se nota que el MOSFET de decremento permanece

activo con cero voltaje de compuerta, mientras que un MOSFET de tipo
incremental permanece apagado con cero voltaje de compuerta, en general
los MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutación
en la electrónica de potencia.

3.5. Características en estado permanente

Ganancia de Corriente: Es la relación entre la corriente de drenaje I D y la

corriente de compuerta IG suele ser del orden de 109.

Transconductancia: Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de

compuerta, define a las características de transferencia y es un parámetro muy
importante.

MOSFET de Potencia 3
 I D
gm 
VGS VDS  cons tan te

En la Figura 3 se muestran las características de transferencia del MOSFET de

canal n.

FIGURA 3: Características de transferencia de los MOSFET

FIGURA 4: Características de transferencia

La Figura 4 indica que no hay corriente de drenador hasta que V GS es mayor que
VGS(th), a partir de entonces, la corriente de drenador se incrementa rápidamente
hasta que se polariza en la región óhmica. Por tanto, en esta región, I D no puede
crecer aunque VGS crezca. Para asegurar la saturación fuerte se usa una tensión
de puerta VGS(ton) lo bastante por encima de VGS(th) como se muestra en la figura. La
parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi horizontal
corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede actuar en
cualquiera de estas dos zonas es decir puede actuar como resistencia (en la zona
activa) o como fuente de corriente (en la zona óhmica).

La Figura 5 muestra las características de salida de un MOSFET de canal n

incremental.

MOSFET de Potencia 4
 FIGURA 5

Existen 3 regiones de operación:

1. Región de Corte: Donde VGS≤VT

2. Región de Estrechamiento o Saturación: Donde VDS ≥ VGS-VT. En esta
región la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier
aumento en el valor de VDS y en esta región se utilizan los transistores para
amplificar voltaje.

3. Región Lineal: Donde VDS =VGS-VT. En esta región la corriente de drenaje I D

varía en proporción con el voltaje de drenaje a fuente, V DS. Debido a la gran
corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET se operan en
la región lineal para las acciones de conmutación.

NOTA: Se debe notar que la saturación tiene el significado opuesto al de los

transistores bipolares.

3.6. Características de conmutación:

Estas características son importantes ya que la tensión umbral es ideal para

emplearse como dispositivo de conmutación, y al funcionar de esta manera el
MOSFET de enriquecimiento a revolucionado la industria de los ordenadores.
Cuando la tensión de compuerta es mayor que la tensión umbral, el dispositivo
conduce. Esta condición de corte- conducción es fundamental en la construcción
de circuitos para ordenadores.

Las formas de onda y los tiempos de conmutación se ven en la Figura 6

MOSFET de Potencia 5
 FIGURA 6

Aquí se pueden observar los tiempos de retardo de encendido t d(on), tiempo de

subida tr, tiempo de retardo de apagado t d(off) y el tiempo de caída tf. Más adelante
se explicará cada uno de estos tiempos, se los explicará en el momento en que se
analice los tiempos del transistor que se utilizó.

IV. DISEÑO DE LA PRACTICA:

4.1. CIRCUITO INVERSOR CON CARGA PASIVA:

La figura 7 muestra un MOSFET de enriquecimiento con una carga pasiva (R D). En

este circuito, Vin (VGS) puede ser alto o bajo. Cuando V in está en bajo, el MOSFET
está en corte y Vout es igual a la tensión de alimentación V DD. Cuando Vin está en
nivel alto, el MOSFET conduce y Vout cae a un valor pequeño.

Para que esto se cumpla, el voltaje V GS debe ser igual o mayor que VT y la
corriente de saturación ID(sat) tiene que ser menor que ID(on) esto equivale a decir
que la resistencia en la zona óhmica tiene que ser mucho menor que la resistencia
pasiva de drenador.

R DS ( on )  R L

4.2. CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN:

DATOS DEL DATASHEET:

RDSon=0.9 Ω-1.2 Ω
VT=2V-4V
IDon= 6.2A max.

DATOS IMPUESTOS:
VGS=7V
VDD=12V

MOSFET de Potencia 6
CONDICIÓN:
Para la conmutación se cumple que: VDS≤VGS-VT

FIGURA 7

CÁLCULOS:

V DS  VGS  VT

V DS  7  4
V DS  3V

R DSon
V DS  * V DD
R DSon  R L
0.9
* 12V  3V
0.9  R L
R L  2.7

R L  2.7, para trabajar en el límite de la región lineal

Por lo tanto tomaremos un valor mayor, de una resistencia comercial, por ejemplo :
R L  10
Esta resistencia por más que tenga un error de 20% cumple con la condición
necesaria para que el circuito pertenezca a la región lineal, si se calcula su menor
valor se tiene:
R L min  R L  20% R L
R L min  10  20%10
R L min  8  2.7
Si se hubiese tomado un valor de resistencia inferior a 3.37Ω y con una tolerancia
de 20% se corre el riesgo de que la resistencia en realidad tenga un valor inferior a
2.7Ω y por lo tanto no entrar a la región lineal.
Por lo tanto eligiendo la resistencia de 10 Ω nos aseguramos pertenecer a la
región lineal.
Tiempo de retraso en la activación (tdon):

MOSFET de Potencia 7
Es el tiempo requerido para cargar la resistencia de entrada al nivel de entrada
umbral. Se mide desde el 10% del voltaje de entrada V GS hasta el 90% del voltaje
de salida VDS. 13ns – 20ns

Tiempo de elevación (tr):

Es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel umbral hasta el 90% del

voltaje completo de la compuerta requerido para excitar el transistor a la región
lineal. 18ns – 27ns

Tiempo de retraso en la activación (tdoff):

Es el tiempo requerido para descargar la capacitancia de entrada desde el voltaje

de sobreexcitación de la compuerta hasta la región de estrechamiento. Se mide
desde el 90% del voltaje de entrada V GS hasta el 10% del voltaje de salida V DS.
55ns a 83ns

Tiempo de caída o abatimiento (tf):

Es el tiempo requerido para descargar la capacitancia de entrada desde el 10% la

región de estrechamiento hasta el 90% del voltaje umbral y se desactiva el
transistor. 20ns – 30ns.

MOSFET de Potencia 8
4.3. CURVA DE TRANSFERENCIA:

DATOS DEL DATASHEET

RDSon=0.9 Ω-1.2 Ω
VT=2V-4V
IDon= 6.2A max.

DATOS IMPUESTOS:
VGS=Variable por lo menos entre 4.1V asegurándonos que pase el V T y 8V.
VDD=12V

CONDICIÓN:
Para la curva de transferencia se cumple que: VDS=VGS-VT
CÁLCULOS:
V DS  VG S  VT

Para VGS  4.1V

V DS  4.1  4
V DS  0.1V

Para VGS  8V
V DS  8  4
V DS  4V

RDSon
VDS  *VDD
RDSon  RL

Para VGS  4.1V

0.9
*12V  0.1V
0.9  RL
RL  107 .1

Para VGS  8V
0 .9
*12V  4V
0 . 9  RL
RL  1.8
Por lo ta nto R L debe estar entre 1.8 y 107.1
Basados en las resistencias disponibles comercialmente y tomando en cuenta
que debe ser un valor bajo para poder visualizar de una mejor manera la curva total
escogimos R L  4.7

Además la resistencia de 4.7Ω satisface la condición por mas de que tenga un

error de 20% (error de resistencias de potencia), porque su valor mínimo sería de:
¨
R L min  R L  20% R L
R L min  4.7  20% * 4.7
R L min  3.76
1.8  R L min  107.1

MOSFET de Potencia 9
4.4. CARACTERISTICAS DE SATURACIÓN:

DATOS DEL DATASHEET:

RDSon=0.9 Ω-1.2 Ω
VT=2V-4V
IDon= 6.2A max.

DATOS IMPUESTOS:
Asegurándonos que pase el VT, tomamos:
1er caso VGS=4.45V
2do caso VGS=6V
VDD=5V

CONDICIÓN:
Para la saturación se cumple que: VDS≥VGS-VT
CÁLCULOS:
V DS  VGS  VT

1er caso :V DS  4.45  4

V DS  0.45V
2 do caso :V DS  6  4
V DS  2V

MOSFET de Potencia 10
 R DSon
V DS  * V DD
R DSon  R L
0. 9
1er caso : * 5V  0.45V
0. 9  R L
R L  9. 1 
0.9
2do caso : * 5V  2V
0. 9  R L
R L  1.35

Para comprobar que esto se cumple var iaremos R L entre 15 y 0.25

V. CIRCUITOS IMPLEMENTADOS:

5.1. CARACTERISTICAS DE CONMUTACIÓN:

MOSFET de Potencia 11
 XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R1

XFG1 10 
V1
12 V
Q1

IRFBC40

GRAFICAS DEL OSCILOSCOPIO:

Tiempo de retraso en la activación (tdon): 13ns – 20ns

MOSFET de Potencia 12
Tiempo de elevación (tr): 18ns – 27ns

Tiempo de retraso en la activación (tdoff): 55ns a 83ns

MOSFET de Potencia 13
Tiempo de caída o abatimiento (tf): 20ns – 30ns.

COMPARACIONES DE LA TEORIA CON LA PRÁCTICA

MOSFET de Potencia 14
Como podemos observar los tiempos de conmutación son demasiado pequeños y
a pesar que teóricamente nos dan determinados valores, en la práctica son muy
difíciles de tomar por lo tanto son aproximaciones.
Debido a la onda irregular que se presenta el momento de tomar los tiempos de
retraso en la activación fueron muy complicados de determinar.

5.2. CURVA DE TRANSFERENCIA

Se implementa el mismo circuito que para las características de saturación pero

con la diferencia de que en este se varía el voltaje de compuerta V GS y se
mantiene constante RD.

VGS(V) IDS(A)
3,51 0
3,56 0,01
3,74 0,02
3,92 0,06
4,11 0,19
4,46 1
4,9 1,68
5,48 1,68
7,24 1,68
8 1.68

MOSFET de Potencia 15
GRAFICA DEL OSCILOSCOPIO:

COMPARACIONES DE LA TEORIA CON LA PRÁCTICA

A pesar de que nos habíamos impuesto variar V Gs entre 4.1V y 8V, en la práctica
nos dimos cuenta que el V T práctico es de 3.56, por lo tanto la tabla la realizamos
empezando con este valor; y también nos dimos cuenta que a partir de 4.9V la I DS
comienza a mantenerse constante por lo que no era necesario llegar hasta 8V sin
embargo se completo la tabla hasta este valor.

MOSFET de Potencia 16
5.3. CARACTERISTICAS DE SATURACION:

Para obtener estas característicos se implemento un circuito como el que se

muestra en la figura, en el que se mantuvo constante V GS=4.45V y se varió el valor
de RD de modo que al disminuir la resistencia aumenta la corriente I D pero a
medida que se acerca a V T la corriente tiende a estabilizarse para valores altos de
VDS

R1
U2
- +
0.000 A Key = A
50%
15 
DC 1e-009
Q1

+ U1 V2
0.000 V DC 10M 5V
IRFBC40 -

V1
4.5 V

VGS=4.45V
VDS(V) IDS(A) R(Ω)
0 0
0,37 0,31 15
0,4 0,33 14
0,43 0,35 13
0,48 0,37 12
0,53 0,4 11
0,6 0,43 10
0,69 0,46 9
0,86 0,5 8
1,11 0,53 7
1,5 0,56 6
2 0,57 5
2,55 0,58 4
3,04 0,59 3
3,54 0,6 2
3,9 0,61 1
4,16 0,61 0,5
4,42 0,61 0,33
4,6 0,61 0,25
La siguiente prueba se hizo con el mismo circuito pero manteniendo V GS=6

MOSFET de Potencia 17
 R1
U2
- +
0.000 A Key = A
50%
15 
DC 1e-009
Q1

+ U1 V2
0.000 V DC 10M 5V
IRFBC40 -

V1
6V

VGS=6V
VDS(V) IDS(A) R(Ω)
0,00 0
0,287 0,31 15
0,305 0,33 14
0,327 0,35 13
0,353 0,38 12
0,38 0,41 11
0,414 0,44 10
0,451 0,48 9
0,503 0,53 8
0,568 0,59 7
0,652 0,67 6
0,763 0,77 5
0,91 0,9 4
1,168 1,1 3
1,58 1,38 2
2,38 2 1
2,8 2,3 0,5
3 2,47 0,33
3,34 2,6 0,25
3,48 2,7 0,2

MOSFET de Potencia 18
COMPARACIONES DE LA TEORIA CON LA PRÁCTICA

Según los datos obtenidos teóricamente, el circuito entra en saturación en el

primer caso: cuando RL=9.1Ω y en el segundo caso cuando R L=1.35Ω sin
embargo en la práctica observamos que esto no se cumple, por lo que el V T
práctico es de 3.51, y volviendo a hacer los cálculos con este nuevo valor
obtenemos que:

PRIMER CASO:
VDS  VGS  VT

VDS  4.45  3.51

VDS  0.94V

RDSon
VDS  * VDD
RDSon  RL
0.9
* 5V  0.94V
0.9  RL
RL  3.88 

SEGUNDO CASO:

MOSFET de Potencia 19
VDS  VGS  VT

VDS  6  3.51
VDS  2.49V

RDSon
VDS  * VDD
RDSon  RL
0.9
* 5V  2.49V
0.9  RL
RL  0.91

Lo cual es más lógico como podemos observar en las tablas anteriores.

CONCLUSIONES

 El MOSFET es un transistor que permite el control de la corriente a partir de

un voltaje aplicado a la compuerta.

 Tiene características similares al BJT pero con su región lineal y de

saturación opuestas.

 Tiene tiempos de conmutación muy bajos beneficiosos para ciertas

aplicaciones.

 Al trabajar con bajas resistencias de R D se pueden producir cambios

significativos en la corriente ID los cuales deben ser tomados en cuenta para
no dañar el MOSFET.

 El MOSFET es un elemento muy sensible a cambios electrostáticos y

cortos circuitos.

 Si VGS no supera el voltaje umbral V T el transistor no conduce, esto es ideal

para a partir de TTL controlar cargas.

 A medida que VGS tiende a VT la corriente ID para voltajes altos de V DS tiende

a estabilizarse.

 En la curva de transferencia ID(sat) depende del valor de la fuente de VD.

MOSFET de Potencia 20
  Al obtener en los cálculos rangos entre los cuales deben estar los valores
de las resistencias, debemos tomar en cuenta la disponibilidad de las
resistencias comerciales.

VI. RECOMENDACIONES Y EXPERIENCIAS

 No manipular el MOSFET ya que es un elemento sensible a la estática.

 No llevar el transistor a los límites de funcionamiento ya que es probable

que se dañe el dispositivo.

 Utilizar un foco como carga no es lo más óptimo para realizar las medidas
ya que este tiene un comportamiento no lineal. La utilización de este es
aconsejable para ver de forma didáctica los resultados.

 Se realizó un circuito en base a datos teóricos máximos, esto provocó que

la corriente que fluía por el transistor sobrepase los límites de corriente
máxima lo que causo el daño del transistor.

 Es recomendable utilizar un porcentaje de los valores máximos para

garantizar la durabilidad de los elementos y evitar su daño.

 Al trabajar con tanta potencia, es recomendable utilizar un circuito protector

a la entrada del circuito, de modo que los aparatos que se conecten a éste
no sufran daños en caso de altas corrientes.

VII. BIBLIOGRAFÍA

 MALVINO, Paul, “Principios de Electrónica”, Pag. 503-526.

 RASHID,Muhammad, “Circuitos, dispositivos y aplicaciones” ,Pag 280-287

MOSFET de Potencia 21