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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA EE443M

INFORME PREVIO
CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BJT

I. Breve reseña del transistor

Descripción básica
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales, construido
mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N. La relación entre Tensión y Corriente del
puerto de salida (colector-emisor) varía según la intensidad de corriente que circula por el puerto
de entrada (base-emisor). Hay dos clases de transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se
refiere al tipo de material semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-Emisor
respectivamente.

Condiciones de operación

Para obtener condiciones normales de operación las junturas deben estar polarizadas

 base-emisor con polarización directa (en un NPN, Vbase > Vemisor)


 base-colector con polarización inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector)

Además (por ley de Kirchoff de corrientes) se verifica que: Ie = Ib + Ic

En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operación

Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente


la relación: Ic = hFE. Ib

(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcción del transistor.)
Aunque en la práctica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce, para esta región se puede
pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada de la corriente Ib. [Zona Lineal]

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Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ib


aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE. Ib La tensión Vce permanece prácticamente
constante en un valor llamado Vsat, para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor,
el transistor trabaja “como una llave cerrada”. [Zona No lineal]

Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0. Lo que equivale a decir que
no hay conducción entre colector y emisor. En esta región se puede pensar que: entre colector y
emisor, el transistor trabaja “como una llave abierta”. [Zona No lineal]

Características ideal V-I

Configuración de Emisor Común.

La configuración de transistor más común, se muestra en la figura 3.13 para los transistores pnp
y npn. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es “común” o
relaciona las terminales tanto de entrada como de salida; para este caso, será común tanto a la
terminal de base como a la de colector. Se tienen 2 conjuntos de características, uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de colector-emisor, según
figura 1. En la región activa de un amplificador de emisor común, la unión base-emisor se
encuentra en polarización directa, mientras que la unión colector-base se encuentra en
polarización inversa.

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Fig.1 Características de un transistor en configuración emisor común

La región de corte se define como la región por debajo de 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸𝑂. Esta región también debe
evitarse si se busca que la señal de salida tenga una distorsión mínima.

II. Responda las preguntas

1.-Los valores nominales máximos son valores límites de las condiciones de___________ y de
___________ que no se deben rebasar.

2.-El símbolo VCEO representa el voltaje de___________ a ___________, si el ___________ está

abierto.

3.-Las tres características de temperatura que se deben considerar al utilizar un transistor son:

a)TC , temperatura___________;

b)TA , temperatura___________, y

c)TJ , temperatura___________.

4.-La corriente de corte del colector ___________ se especifica para determinado VCB cuando el

emisor está abierto.

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5.-La relación de transferencia de corriente directa estática de un transistor con la configuración


de CE se simboliza por ___________ y representa ___________ ___________de un transistor.

6.-La ___________ de un transistor es la medida de la capacidad de la base para controlar la


corriente del colector.

7.-La ganancia en corriente de un transistor con la configuración CE se puede obtener mediante


la familia de ___________ ___________de características.

8.-En la gráfica de Ic vs Vce típica del transistor, para una VCE mayor a  1 V e I B  0.1 m A ,

___________ es de hecho independiente de VCB .

9.-En las curvas Ic vs Vce tipica, cuando VCB  4 V e I B  ___________ m A, I C  40mA.

10.-En el circuito mostrado, ¿cual es la finalidad de cada potenciómetro?

III. Detalle aplicaciones del transistor para baja, media, alta y ultra alta frecuencia

Algunas aplicaciones de los transistores


La electrónica de señal, o más bien conocido como pequeña señal, es aquél entorno
electrónico que trata señales de baja potencia, relacionado tanto con el espectro de baja
frecuencia como con el de frecuencias medias y altas. Estamos hablando de circuitos de
recepción de audio, de recepción de radio, de adaptadores de líneas de transmisión, etc.
Los transistores se utilizan especialmente en tres campos:
 En amplificación, ya sea de tensión o corriente. En estos casos el transistor opera en
la zona lineal de trabajo. El concepto de amplificación viene impuesto por las
condiciones eléctricas de numerosos dispositivos electrónicos.
 En el tratamiento de la señal. Para este tipo de aplicaciones el transistor puede operar
tanto en la zona lineal como en la zona no lineal, todo depende del tipo de aplicación
que se desee implementar. Estamos hablando de dispositivos como los generadores
de corriente, los multiplicadores de dos señales, etc.
 Como elementos adaptadores y aisladores entre etapas distintas de un circuito
eléctrico. Se puede emplear el transistor para aislar dos etapas de un determinado
dispositivo y eliminar problemas que pudieran aparecer.
 Por último, podemos generalizar que los transistores sin pequeños dispositivos
empleados en todo tipo de circuitos, ya sea relacionados con la electrónica digital o
analógica, ya que forman el alma mater de los actuales microprocesadores y demás
elementos digitales.
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)

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 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas,


control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)
 Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica digital como la tecnología
TTL o BICMOS. · Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores
y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

2N2222Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede


amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede
tratar potencias bajas (no mayores de medio vatio). Puede trabajar a frecuencias
medianamente altas.

2N2219 con una frecuencia de transición de 300 MHz, por lo cual puede ser usado en
transmisores y amplificadores para HF, VHF y una cierta parte de UHF (300 MHz) con una
potencia de salida de 1 a 2 watts, sabiendo que la máxima potencia que puede llevar a
cabo es de 3 watts. Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el 2N2907.
También existe otro transistor que es de similares características, el cual es el 2N3053,
pero su potencia es de 1w y es sólo para aplicaciones entre 50 y 100 MHz.

Aplicaciones: Un transistor bjt en configuración base común se usa en aplicaciones VHF


(very high frequency) y UHF (ultra high frequency), ya que presenta una respuesta
excelente a altas frecuencias, esto debido a que no se ve afectado por el efecto Miller, ya
que presenta una baja realimentación de la salida a la entrada. Ademas en la
configuración compuesta cascode se usa un base común precedido de un emisor común,
para tener los beneficios de la alta impedancia del emisor común, y la buena respuesta en
frecuencia del base común

Aplicaciones de los fototransistores. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas,


lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con
fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando
forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados
conjuntamente con un LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la
interrupción del haz de luz por un objeto

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radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,


lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos,
reproductores mp3, celulares, etc.
Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados
comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores
en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún
caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la


electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores
niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia.

El transistor frente a la válvula termoiónica Antes de la aparición del transistor los ingenieros
utilizaban elementos activos llamados válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen características
eléctricas similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los
atraviesa depende de la tensión en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las
que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias: · Las válvulas termoiónicas
necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, tensiones que son letales
para el ser humano. · Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente
poco útiles para el uso con baterías. · Probablemente, uno de los problemas más importantes
es el peso. El chasis necesario para alojar las válvulas, los transformadores requeridos para
suministrar la 5 5 alta tensión, todo ello sumaba un peso importante, que iba desde algunos
kilos a algunas decenas de kilos. · El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es
muy corto comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado. · Además las
válvulas termoiónicas tardan

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