Đại Học Quốc Gia TP.

HCM Vietnam National University – HCMC

Trường Đại Học Bách Khoa Ho Chi Minh City University of Technology
Khoa Điện-Điện tử Faculty of Electrical and Electronics Engineering

Đề cương môn học

VẬT LÝ BÁN DẪN

(Semiconductor Physics)

Số tín chỉ 4 (3.2.7) MSMH

Số tiết Tổng: 75 LT: 45 TH: TN: 30 BTL/TL:
Môn ĐA, TT, LV
Tỉ lệ đánh giá BT: 10% TN: 20% KT: 10% BTL/TL: Thi: 60%
Hình thức đánh giá - Bài tập hoặc kiểm tra tại lớp (nhiều đợt): tự luận, 20–30 phút (mỗi đợt)
- Kiểm tra giữa kỳ: trắc nghiệm, 30 phút
- Thi: trắc nghiệm, 80 phút
Môn tiên quyết
Môn học trước
Môn song hành
CTĐT ngành Kỹ thuật Điện tử - Truyền thông
Trình độ đào tạo Đại học
Cấp độ môn học 1
Ghi chú khác

1. Mục tiêu của môn học

Cung cấp cho người học những khái niệm cơ bản về điện tử trạng thái rắn, tri thức về các quá trình
vật lý mà điều khiển chức năng DC của diode pn và các transistor, cấu tạo và nguyên tắc hoạt động
của các dụng cụ, phân tích các đặc tuyến dòng-áp của các dụng cụ bán dẫn, áp dụng các mô hình
dụng cụ, và các ứng dụng tiêu biểu.

Aims:
Provide to students the basic concepts of solid state electronics, knowledge of the physical
processes that govern the DC functioning of pn diodes and transistors, structure and operation
principle of devices, analysis of current-voltage characteristic curves of semiconductor devices,
application of device models, and typical applications.

2. Nội dung tóm tắt môn học

Nội dung môn học gồm có nguyên tắc cơ bản của vật lý bán dẫn, khảo sát hiện tượng vận chuyển
hạt dẫn trong vật liệu bán dẫn, khảo sát chuyển tiếp p-n và các loại diode, khảo sát cấu tạo và
nguyên tắc hoạt động của transistor (BJT, JFET, và MOSFET), áp dụng các mô hình dụng cụ trong
phân tích và thiết kế một số ứng dụng tiêu biểu.

1/8
 Course outline:
Nội dung môn học gồm có nguyên tắc cơ bản của vật lý bán dẫn, nghiên cứu hiện tượng vận chuyển
hạt dẫn trong vật liệu bán dẫn, nghiên cứu chuyển tiếp p-n và các loại diode, nghiên cứu cấu tạo và
nguyên tắc hoạt động của các transistor (BJT, JFET, và MOSFET), áp dụng các mô hình dụng cụ
trong phân tích và thiết kế một số ứng dụng tiêu biểu.

This subject includes fundamentals of semiconductor physics, study of carrier transport phenomena
in semiconductor material, study of p-n junction and some kinds of diode, study of struture and
operation principle of transistors (BJT, JFET, and MOSFET), application of device models for
analysis and design of typical applications.

3. Tài liệu học tập

Sách, Giáo trình chính:
[1] S.M. Sze and M.K.Lee, Semiconductor Devices: Physics and Technology 3rd Ed., John
Wiley & Sons, 2010
[2] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices 3rd Edition, John Wiley & Sons, 2007
[3] Umesh K. Mishra and Jasprit SinghH, Semiconductor Device Physics and Design, Springer
2008.

Sách tham khảo:

[4] Paul Horowitz và Winfield Hill, The art of electronics 2nd Ed., Cambridge University Press,
1994.
[5] Albert P. Malvino, Electronic Principles 6th Ed., McGraw-Hill, 1999

4. Hiểu biết,kỹ năng, thái độ cần đạt được sau khi học môn học

STT Chuẩn đầu ra môn học CDIO

L.O.1 Nhận biết các dụng cụ bán dẫn và công nghệ. 2.1
L.O.1.1 – Nhận biết các khối xây dựng cơ bản để chế tạo dụng cụ bán dẫn. 2.1.1
L.O.1.2 – Tóm tắt các khuynh hướng công nghệ bán dẫn. 2.1.1
L.O.2 Nhận biết vật liệu rắn. 2.1
L.O.2.1 – Phân loại vật liệu rắn theo điện trở suất (hoặc điện dẫn suất). 2.1.1
L.O.2.2 – Phân loại vật liệu rắn theo cấu trúc. 2.1.1
L.O.2.3 – Phân loại vật liệu rắn theo liên kết. 2.1.1
L.O.2.4 – Phân loại vật liệu rắn theo khe năng lượng. 2.1.1
L.O.2.5 – Tính chỉ số Miller của cấu trúc tinh thể. 2.1.3
L.O.3 Ứng dụng lý thuyết dải năng lượng để giải thích sự dẫn điện của bán dẫn. 2.1
L.O.3.1 – Phân tích giản đồ năng lượng của bán dẫn nội tại. 2.1.1
L.O.3.2 – Phân tích giản đồ năng lượng của bán dẫn nội tại (loại N và P). 2.1.1
L.O.3.3 – Tính nồng độ hạt dẫn nội tại và nồng độ hạt dẫn ngoại lai ở cân
bằng nhiệt. 2.1.3
L.O.4 Giải thích các hiện tượng vận chuyển hạt dẫn. 2.1
L.O.4.1 – Giải thích sự trôi hạt dẫn và tính vận tốc trôi. 2.1.1, 2.13
L.O.4.2 – Giải thích sự khuếch tán hạt dẫn. 2.1.1
L.O.4.3 – Giải thích các quá trình sinh và tái hợp. 2.1.1
L.O.4.4 – Áp dụng quan hệ Einstein để tìm hệ số khuếch tán hoặc độ linh 2.1.3
2/8
 động của hạt dẫn.
L.O.4.5 – Giải thích phương trình liên tục.
L.O.5 Phân tích chuyển tiếp p-n. 2.1
L.O.5.1 – Giải thích các bước chế tạo cơ bản. 2.1.1
L.O.5.2 – Giải thích sự tạo thành miền nghèo. 2.1.1
L.O.5.3 – Tính một số tham số của miền nghèo khi không có và khi có 2.1.3
phân cực.
L.O.5.4 – Phân tích đặc tuyến dòng-áp (I-V). 2.1.1
L.O.5.5 – Phân tích điện tích chứa và ứng xử quá độ. 2.1.1
L.O.5.6 – Phân tích đánh thủng chuyển tiếp p-n. 2.1.1
L.O.5.7 – Giải thích chuyển tiếp dị thể. 2.1.1
L.O.5.8 – Giải thích một số diode bán dẫn khác
L.O.6 Nhận diện cấu tạo của transistor. 2.1
L.O.6.1 – Nhận diện cấu tạo của BJT. 2.1.1
L.O.6.2 – Nhận diện cấu tạo của JFET. 2.1.1
L.O.6.3 – Nhận diện cấu tạo của MOSFET. 2.1.1
L.O.7 Giải thích nguyên tắc hoạt động của transistor. 2.1
L.O.7.1 – Giải thích nguyên tắc hoạt động của BJT. 2.1.1+3
L.O.7.2 – Giải thích nguyên tắc hoạt động của JFET. 2.1.1+3
L.O.7.3 – Giải thích nguyên tắc hoạt động của tụ MOS. 2.1.1+3
L.O.7.4 – Giải thích nguyên tắc hoạt động của MOSFET. 2.1.1+3
L.O.8 Phân tích đặc tuyến I-V của transistor. 2.1, 2,2
L.O.8.1 – Phân tích đặc tuyến I-V của BJT. 2.1.1.2.2.1
L.O.8.2 – Phân tích đặc tuyến I-V của JFET. 2.1.1.2.2.1
L.O.8.3 – Phân tích đặc tuyến I-V của MOSFET. 2.1.1.2.2.1
L.O.9 Áp dụng các mô hình tín hiệu lớn cho hoạt động DC của dụng cụ bán dẫn. 2.1, 2.2.1
L.O.9.1 – Tính điểm làm việc DC của diode. 2.1.13, 5
L.O.9.2 – Tính điểm làm việc DC của BJT. 2.1.13, 5
L.O.9.3 – Tính điểm làm việc DC của JFET. 2.1.13, 5
L.O.9.4 – Tính điểm làm việc DC của MOSFET. 2.1.13, 5
L.O.10 Áp dụng các mô hình tín hiệu nhỏ cho hoạt động AC của dụng cụ bán dẫn 2.1
(mô hình T và mô hình  với transistor).
L.O.10.1 – Tính các tham số tín hiệu nhỏ của diode. 2.1.13, 5
L.O.10.2 – Tính các tham số tín hiệu nhỏ của BJT. 2.1.13, 5
L.O.10.3 – Tính các tham số tín hiệu nhỏ của JFET. 2.1.13, 5
L.O.10.4 – Tính các tham số tín hiệu nhỏ của MOSFET. 2.1.13, 5
L.O.11 Áp dụng dụng cụ bán dẫn cho một số ứng dụng tiêu biểu. 4.4
L.O.11.1 – Áp dụng diode làm khóa điện tử. 4.4.3
L.O.11.2 – Áp dụng “Zener diode” cho mạch ổn áp. 4.4.3
L.O.11.3 – Áp dụng BJT/JFET/MOSFET làm khóa điện tử. 4.4.3
L.O.11.4 – Áp dụng BJT/JFET/MOSFET làm nguồn dòng 4.4.3
L.O.11.5 – Áp dụng JFET/MOSFET làm điện trở được điều khiển bằng áp. 4.4.3

STT Course learning outcomes CDIO

L.O.1 Identify semiconductor devices and technologies. 2.1
L.O.1.1 – Identify building blocks for making semiconductor devices. 2.1.1
3/8
 L.O.1.2 – Summarize semiconductor technology trends. 2.1.1
L.O.2 Identify solid materials 2.1
L.O.2.1 – Classify of solid materials by resistivities (or conductivities). 2.1.1
L.O.2.2 – Classify of solid materials by structure. 2.1.1
L.O.2.3 – Classify of solid materials by bonding. 2.1.1
L.O.2.4 – Classify of solid materials by energy bandgap. 2.1.1
L.O.2.5 – Calculate Miller index of crystal structure. 2.1.3
L.O.3 Apply the energy band theory for explanation of semiconductor 2.1
conductivity
L.O.3.1 – Analyze the energy diagram of intrinsic semiconductor. 2.1.1
L.O.3.2 – Analyze the energy diagram of extrinsic semiconductor (N type 2.1.1
and P type).
L.O.3.3 – Calculate intrinsic carrier concentration and extrinsic 2.1.3
concentrations in thermal equilibrium
L.O.4 Explain carrier transport phenomena 2.1
L.O.4.1 – Explain carrier drift and calculate drift velocity. 2.1.1, 2.13
L.O.4.2 – Explain carrier diffusion. 2.1.1, 2.13
L.O.4.3 – Explain generation and recombination processes. 2.1.1
L.O.4.4 – Apply the Einstein relation for finding carrierdiffusion 2.1.3
coefficient or carrier mobility.
L.O.4.5 – Explain the continuity equation
L.O.5 Analyze p-n junction 2.1
L.O.5.1 – Explain basic fabrication steps. 2.1.1
L.O.5.2 – Explain formation of depletion region. 2.1.1
L.O.5.3 – Calculate some parameters of depletion region without/with bias. 2.1.3
L.O.5.4 – Analyze current-volatage (I-V) characteristics. 2.1.1
L.O.5.5 – Analyze storage charge and transient behavior. 2.1.1
L.O.5.6 – Analyze p-n junction breakdown 2.1.1
L.O.5.7 – Explain heterojunction 2.1.1
L.O.5.8 – Explain semiconductor diode types 2.1.1
L.O.6 Identify structure of a transistor 2.1
L.O.6.1 – Identify structure of a BJT. 2.1.1
L.O.6.2 – Identify structure of a JFET. 2.1.1
L.O.6.3 – Identify structure of a MOSFET. 2.1.1
L.O.7 Explain operation principle of a transistor 2.1
L.O.7.1 – Explain operation principle of a BJT. 2.1.1+3
L.O.7.2 – Explain operation principle of a JFET. 2.1.1+3
L.O.7.3 – Explain operation principle of a MOS capacitor. 2.1.1+3
L.O.7.4 – Explain operation principle of a MOSFET. 2.1.1+3
L.O.8 Analyze I-V characteristics of a transistor 2.1, 2,2
L.O.8.1 – Analyze I-V characteristics of a BJT. 2.1.1.2.2.1
L.O.8.2 – Analyze I-V characteristics of a JFET. 2.1.1.2.2.1
L.O.8.3 – Analyze I-V characteristics of a MOSFET. 2.1.1.2.2.1
L.O.9 Apply large signal models for DC operation of semiconductor 2.1, 2.2.1
devices.
L.O.9.1 – Calculate DC operating point of a p-n diode. 2.1.13, 5
L.O.9.2 – Calculate DC operating point of a BJT. 2.1.13, 5

4/8
 L.O.9.3 – Calculate DC operating point of a JFET. 2.1.13, 5
L.O.9.4 – Calculate DC operating point of a MOSFET. 2.1.13, 5
L.O.10 Apply small signal models for AC operation of semiconductor devices (T 2.1
model and  model with transistors).
L.O.10.1 – Calculate small signal parameters of a p-n diode. 2.1.13, 5
L.O.10.2 – Calculate small signal parameters of a BJT. 2.1.13, 5
L.O.10.3 – Calculate small signal parameters of a JFET. 2.1.13, 5
L.O.10.4 – Calculate small signal parameters of a MOSFET. 2.1.13, 5
L.O.11 Apply semiconductor devices for typical applications. 4.4
L.O.11.1 – Apply pn diode for electronic switch. 4.4.3
L.O.11.2 – Apply Zener diode for voltage regulator. 4.4.3
L.O.11.3 – Apply BJT/JFET/MOSFET for electronic switch. 4.4.3
L.O.11.4 – Apply BJT/JFET/MOSFET for current source. 4.4.3
L.O.11.5 – Apply JFET/MOSFET for voltage-controlled resistor. 4.4.3

5. Hướng dẫn cách học - chi tiết cách đánh giá môn học
Tài liệu được đưa lên BKEL hàng tuần. Sinh viên tải về, in ra và mang theo khi lên lớp học. Điểm
tổng kết môn học được đánh giá xuyên suốt quá trình học.
 Bài tập: 10%
 Thí nghiệm: 20%
 Kiểm tra: 10%
 Thi: 60%

Điều kiện dự thi:

6. Dự kiến danh sách Cán bộ tham gia giảng dạy

1. Hồ Trung Mỹ
2. Trần Hoàng Quân
3. Phan Võ Kim Anh
4. Hoàng Trang
5. Trần Hoàng Linh

7. Nội dung chi tiết

Tuần / Nội dung Chuẩn đầu ra Hoạt động Hoạt động
Chương chi tiết dạy và học đánh giá
1+2 Chương 1: Giới thiệu L.O.1.1 – Nhận biết các khối  Thầy/Cô:
1.1. Dụng cụ bán dẫn xây dựng cơ bản để chế tạo - Giới thiệu lướt qua đề cương
1.2. Công nghệ bán dẫn dụng cụ bán dẫn. môn học
L.O.1.2 – Tóm tắt các khuynh - Trình bày slide bài giảng
Chương 2: Dải năng hướng công nghệ bán dẫn.
lượng và nồng độ hạt L.O.2 – Nhận biết vật liệu rắn. Về nhà:
dẫn ở cân bằng nhiệt L.O.3 –Ứng dụng lý thuyết dải - Tải slide lên BKEL
2.1. Vật liệu bán dẫn năng lượng để giải thích sự dẫn - Cung cấp các tài liệu tham
2.2. Cấu trúc tinh thể cơ điện của bán dẫn. khảo
bản
2.3. Liên kết hóa trị  Sinh viên:
2.4. Dải năng lượng - Xem lại bài giảng
2.5. Nồng độ hạt dẫn nội - In ra các slide thiết yếu

5/8
 tại - Tự đọc thêm các thí dụ về:
2.6. Các chất donor và • Chỉ số Miller của cấu trúc
acceptor. tinh thể
2.7. Nồng độ hạt dẫn • Giản đồ dải năng lượng của
trong bán dẫn loại N và P. các chất rắn
• Giản đồ dải năng lượng của
bán dẫn thuần và bán dẫn N, P
• Tính nồng độ hạt dẫn
3 Chương 3: Hiện tượng L.O.4.1 – Giải thích sự trôi hạt  Thầy/Cô: BT/KT tại lớp
vận chuyển hạt dẫn dẫn và tính vận tốc trôi. - Trình bày slide bài giảng về Chương 2
3.1. Sự trôi hạt dẫn L.O.4.2 – Giải thích sự khuếch - Tải slide lên BKEL (2.5 đến 2.7)
3.2. Sự khuếch tán hạt dẫn tán hạt dẫn.
3.3. Các quá trình sinh và L.O.4.3 – Giải thích các quá  Sinh viên:
tái hợp trình sinh và tái hợp. - Xem lại bài giảng
3.4. Phương trình liên tục L.O.4.4 – Áp dụng quan hệ - In ra các slide thiết yếu
Einstein để tìm hệ số khuếch - Tự đọc thêm các thí dụ về:
tán hoặc độ linh động của hạt • Tính vận tốc trôi, đô khuếch
dẫn. tán
L.O.4.5 – Giải thích phương • Quan hệ Einstein
trình liên tục.
4+5+6 Chương 4: Chuyển tiếp L.O.5.1 – Giải thích các bước  Thầy/Cô: BT/KT tại lớp
P-N chế tạo cơ bản. - Trình bày slide bài giảng về Chương 3
4.1.Các bước chế tạo cơ L.O.5.2 – Giải thích sự tạo - Tải slide lên BKEL
bản thành miền nghèo.
4.2.Các điều kiện cân L.O.5.3 – Tính một số tham số  Sinh viên:
bằng nhiệt của miền nghèo khi không có - Xem lại bài giảng
4.3.Miền nghèo và khi có phân cực. - In ra các slide thiết yếu
4.4.Điện dung miền nghèo L.O.5.4 – Phân tích đặc tuyến - Tự đọc thêm các thí dụ về:
4.5.Đặc tuyến dòng-áp dòng-áp (I-V). • Tính bề rộng miền nghèo,
4.6.Các mô hình của diode L.O.5.5 – Phân tích điện tích điện trường nội, thế nội với
bán dẫn chứa và ứng xử quá độ. chuyển tiếp PN chưa phân cực.
4.7.Điện tích chứa và quá L.O.5.6 – Phân tích đánh thủng • Điện dung miền nghèo.
trình quá độ chuyển tiếp p-n. • Dòng điện diode trong phân
4.8.Đánh thủng chuyển L.O.5.7 – Giải thích chuyển cực thuận
tiếp tiếp dị thể. • Dùng mô hình diode trong
4.9.Chuyển tiếp dị thể L.O.5.8 – Giải thích một số phân tích mạch
(heterojunction) diode bán dẫn khác • Dùng diode làm khóa điện tử.
4.10. Các loại diode bán L.O.9.1 – Tính điểm làm việc • Ổn áp dùng diode Zener.
dẫn: diode chỉnh lưu, DC của diode.
diode ổn áp (Zener), diode L.O.10.1 – Tính các tham số tín
biến dung (varicap), diode hiệu nhỏ của diode.
phát quang (LED), diode L.O.11.1 – Áp dụng diode làm
thu quang (photodiode), khóa điện tử.
diode Schottky, diode L.O.11.2 – Áp dụng “Zener
đường hầm (tunnel), diode diode” cho mạch ổn áp.
ổn dòng.
4.11.Giới thiệu các ứng
dụng của diode bán dẫn
7+8+9 Chương 5: Transistor L.O.6.1 – Nhận diện cấu tạo  Thầy/Cô: BT/KT tại lớp
lưỡng cực (BJT) và các của BJT. - Trình bày slide bài giảng về Chương 4
dụng cụ liên quan L.O.7.1 – Giải thích nguyên tắc - Tải slide lên BKEL
5.1.Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động của BJT.
hoạt động của BJT L.O.8.1 – Phân tích đặc tuyến  Sinh viên:
5.2.Đặc tính tĩnh của BJT I-V của BJT. - Xem lại bài giảng
5.3.Các tham số hiệu năng L.O.9.1 – Tính điểm làm việc - In ra các slide thiết yếu
của dụng cụ DC của diode. - Tự đọc thêm các thí dụ về:
5.4.Các hiệu ứng thứ cấp L.O.10.2 – Tính các tham số tín • Tính hệ số vận chuyển miền

6/8
 5.5.Các đặc tuyến của BJT hiệu nhỏ của BJT. nền, hiệu suất phát.
5.6.Đáp ứng tần số và L.O.11.3 – Áp dụng BJT làm • Độ lợi dòng CB và CE.
hoạt động chuyển mạch khóa điện tử. • Nhận biết các chế độ hoạt
của BJT L.O.11.4 – Áp dụng BJT làm động của BJT.
5.7.Các mô hình của BJT: nguồn dòng • Áp dụng các phương trình
mô hình tín hiệu lớn và dòng điện BJT trong phân tích
mô hình tín hiệu nhỏ. và thiết kế mạch.
5.8.Các loại BJT khác: • BJT làm khóa điện tử.
Darlington, PET • Mô hình tín hiệu lớn của BJT
(Polysilicon Emitter • Mô hình tín hiệu nhỏ của
Transistor), HBT BJT. Các tham số H.
(Heterojunction BJT), và • Tìm điểm tĩnh Q của BJT
BJT quang trong hoạt động DC.
(phototransistor)
5.9.Thyristor và các dụng
cụ công suất liên quan
5.10.Giới thiệu các ứng
dụng
10+11+12 Chương 6: Transistor L.O.6.2 – Nhận diện cấu tạo  Thầy/Cô: BT/KT tại lớp
hiệu ứng trường chuyển của JFET. - Trình bày slide bài giảng về Chương 5+6
tiếp (JFET) L.O.7.2 – Giải thích nguyên tắc - Tải slide lên BKEL
6.1.Giới thiệu hoạt động của JFET.
6.2.JFET và MESFET: L.O.8.2 – Phân tích đặc tuyến  Sinh viên:
điều khiển điện tích I-V của JFET. - Xem lại bài giảng
6.3.Đặc tuyến dòng-áp L.O.9.3 – Tính điểm làm việc - In ra các slide thiết yếu
6.4.Mô hình tín hiệu nhỏ DC của JFET. - Tự đọc thêm các thí dụ về:
của JFET L.O.10.3 – Tính các tham số tín • Nhận biết các chế độ hoạt
6.5.MODFET hiệu nhỏ của JFET. động của JFET.
6.6.Giới thiệu các ứng L.O.11.3 – Áp dụng • Áp dụng các phương trình
dụng của JFET BJT/JFET/MOSFET làm khóa dòng điện ID trong phân tích
điện tử. và thiết kế mạch.
L.O.11.4 – Áp dụng JFET làm • Mô hình tín hiệu nhỏ của
nguồn dòng JFET.
L.O.11.5 – Áp dụng JFET làm • Tìm điểm tĩnh Q của JFET
điện trở được điều khiển bằng trong hoạt động DC.
áp. • JFET làm điện trở chỉnh được
bằng áp
• JFET làm nguồn dòng
13+14+15 Chương 7: MOSFET L.O.6.3 – Nhận diện cấu tạo  Thầy/Cô: BT/KT tại lớp
7.1.Tụ điện MOS của MOSFET. - Trình bày slide bài giảng về Chương 6+7
7.2.Cấu tạo và nguyên tắc L.O.7.3 – Giải thích nguyên tắc - Tải slide lên BKEL
hoạt động của MOSFET hoạt động của tụ MOS.
7.3.Các mô hình của L.O.7.4 – Giải thích nguyên tắc  Sinh viên:
MOSFET hoạt động của MOSFET. - Xem lại bài giảng
7.4.CMOS và BiCMOS L.O.8.3 – Phân tích đặc tuyến - In ra các slide thiết yếu
7.5.Cấu trúc bộ nhớ MOS I-V của MOSFET. - Tự đọc thêm các thí dụ về:
7.6.MOSFET công suất L.O.9.4 – Tính điểm làm việc • Nhận biết các chế độ hoạt
7.7.Giới thiệu các ứng DC của MOSFET. động của tụ MOS.
dụng của MOSFET L.O.10.4 – Tính các tham số tín • Nhận biết các chế độ hoạt
hiệu nhỏ của MOSFET. động của MOSFET.
L.O.11.3 – Áp dụng MOSFET • Áp dụng các phương trình
làm khóa điện tử. dòng điện ID trong phân tích
L.O.11.4 – Áp dụng MOSFET và thiết kế mạch.
làm nguồn dòng • Mô hình tín hiệu nhỏ của
L.O.11.5 – Áp dụng MOSFET MOSFET.
làm điện trở được điều khiển • Mô hình tín hiệu lớn của
bằng áp. MOSFET.

7/8
 • Tìm điểm tĩnh Q của
MOSFET trong hoạt động DC.
• MOSFET làm điện trở chỉnh
được bằng áp
• MOSFET làm nguồn dòng
(gương dòng điện)

8. Thông tin liên hệ

Bộ môn/Khoa phụ trách Khoa Điện-ĐT– Bộ môn Điện Tử

Văn phòng 201B3
Điện thoại 3865-5353
Giảng viên phụ trách Hồ Trung Mỹ
Email myht@hcmut.edu.vn hoặc myhtgm@gmail.com

Tp.Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2014

TRƯỞNG KHOA CHỦ NHIỆM BỘ MÔN CB PHỤ TRÁCH LẬP ĐỀ CƯƠNG

8/8