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UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS


FÍSICAS Y FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA:

CIRCUITOS ELECTRONICOS I

TEMA:
POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

INTEGRANTES:

SEMESTRE:

AREQUIPA – 2017
POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Materiales:

 Multímetro
 Fuente de alimentación DC
 Protoboard
 Transistores: BC548, BC558
 Resistencias variadas
 Potenciómetro de 500K
 Cables de conexión

Procedimiento:

Figura 1

Rc calculada para la máxima excursión simétrica

RC (calculado) = 876.64 Ω

RC (utilizado) = 1k Ω

Vcc Vce Ve Vb Vc Vre Vrc Vrb Ic Ie Ib


Valor 15v 7.5v 0.77v 1.5v 6.68v 0.7v 6.68v 0.034v 7.62mA 7.66mA 38µA
Teórico
Valor 15v 6.63v 0.81v 1.46v 7.31v 0.77v 7.69v 1.47v 7.69mA 7.6mA 26µA
Practico

Figura 2

Calculandolo teóricamente, el punto Q se encuentra en una zona de Saturacion, como se


muestra en la siguiente gráfica:
Vcc Vce Ve Vb Vc Vre Vrc Vrb Ic Ie Ib
Valor 10v -176v 0v 0.7v -176v 0v 186v 9.3v 186mA 187mA 930µA
Teórico
Valor 10v 43mv 80mv 0.82v 0.15v 0v 9.72v 9.12v 9.8mA 10.7mA 910µA
Practico

En la siguiente tabla los valores calculados se encuentran fuera de los límites de la recta Ic -
Vce asegurando que el transistor se encuentra en saturación, como se pudo apreciar en los
valores medidos en la práctica.

Máxima excursión simétrica:

Variamos la resistencia en base a 372k Ω

Vcc Vce Ve Vb Vc Vre Vrc Vrb Ic Ie Ib


Valor 10v 4.04v 0v 0,72 5.96v 0v 5.96v 9.28v 5.98mA 6mA 24.9µA
Teórico
Valor 10v 5v 0v 0.7 5v 0v 5v 9.3v 5mA 5.02mA 25µA
Practico

Figura 3

Rb calculado para ICQ=2mA

RB (calculado) = 428k Ω

RB (utilizado) = 420k Ω

Vcc Vce Ve Vb Vc Vre Vrc Vrb Ic Ie Ib


Valor 9v 4.98v 0v 0.7v 4.02v 0v 4.02v 4.28v 2mA 2.01mA 10µA
Teórico
Valor 9v 4.43v 0v 0.65v 4.41v 0v 4.57v 3.7v 2.32mA 3.33mA 7µA
Practico

Podemos apreciar que los valores varian en un rango de + - 0.60v y 1.5mA ya que el valor de
RB varia por 8 Ω ya que usamos un valor aproximado.
Figura 4

Vcc Vce Ve Vb Vc Vre Vrc Vrb Ic Ie Ib


Valor 25v -15.72v 4.3v 5v 0.856 4.3v 14.52 5v 14.52mA 0.85mA 4.73µA
Teórico
Valor 25v 42mv 5.78v 6.59v 5.82 5.78v 19.15 6.6 19.35mA 26.5mA 7.22µA
Practico

Punto Q:

Ic max = 25mA
Conclusiones:

- Concluimos que un transistor BJT tiene varios puntos de trabajo, en el que


desempeñan diferentes funciones como amplificación, swich abierto o cerrado, etc.
- Los valores calculados no son exactos debido a que no existen resistencias con valores
específicos, se pudo trabajar con valores estándar y aproximaciones gracias a un
potenciómetro.
- Cuando a un amplificador se le aplica más y más señal de entrada, la salida también va
aumentando hasta llegar a un punto en que empieza a "recortar". En muchos casos es
ventajoso lograr que comiencen a recortar ambos semiciclos simultáneamente,
simétricamente, y no uno antes que el otro, porque así se logra la máxima excursión
posible. Al variar la resistencia del circuito variamos el "punto de trabajo"
(combinación de tensión y corriente en el transistor). Cada vez que la onda de salida
llega a recortar uno de los picos, en uno de ellos el transistor llegó a la saturación, y en
el otro se cortó.