Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT120N16SOF

Key Parameters
VDRM / VRRM 1600 V
ITAVM 120 A (TC=85 °C)
ITSM 2250
3570AA(TC=55°C)
VT0 0,9 V
rT 3,35 mΩ
RthJC 0,19 K/W
Base plate 20 mm
Weight 75 g

For type designation please refer to actual

short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
 Löt-Löt Technologie  Solder-Solder Technology
 Industrie-Standard-Gehäuse  Industrial standard package
 Elektrisch isolierte Bodenplatte  Electrically insulated base plate

Typische Anwendungen Typical Applications

 Sanftanlasser  Soft starter
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for drives applications
 Leistungssteller  Power controllers
 Gleichrichter für UPS  Rectifiers for UPS
 Batterieladegleichrichter  Battery chargers
 Statische Umschalter  Static switches

content of customer DMX code DMX code DMX code

digit digit quantity
type designation 1..18 18
serial number 19..23 5
internal production order number 24..31 8 TT TD
material number 32..41 10
date code (YY/WW) 42..45 4
add on for date code 46 1
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT120N16SOF
TT120N16SOF TT120N16SOFB01
TD120N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1600 V

non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 190 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 119 A
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tP = 10ms ITSM 2250 A
surge current
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tP = 10ms I²t 25313 A²s
I²t-value
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 60747-6 (diT/dt)cr 140 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = 25°C iT = 300 A vT max. 1,75 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,9 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max. 3,35 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 100 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12V IGD max. 4 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 2 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 250 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω IL max. 600 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 20 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 60747-6 tgd max. 1 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT120N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
Thermische Eigenschaften 5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 200 µs

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV

insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1sec 3,6 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC max. 0,100 K/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,200 K/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,095 K/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,190 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,11 K/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,22 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 130 °C

maximum junction temperature

Mechanische Eigenschaften
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 °C

Lagertemperatur Tstg -40...+125 °C

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Innere Isolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Al2O3
internal insulation Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M2 3 Nm
terminal connection torque
Steueranschlüsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 75 g
weight
Kriechstrecke mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance
file-No. E 83336

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d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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TT120N16SOF

1 2 3 1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4 6 7 5 4

TT TT...B01 TD
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/W] 0,0724 0,07 0,047

τn [s] 0,198 0,031 0,0009

n max


–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC  R thn 1 - e n
n=1

Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin

Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

ΔZth Θ rec
0,06002 0,11199 0,16077 0,25145 0,45442
[K/W]

ΔZth Θ sin
0,00453 0,02005 0,04754 0,11481 0,31446
[K/W]

Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin

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Diagramme
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0,22
0,20
0,18
0,16
0,14
Z(th)JC [K/W]

0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001 0,01 t [s] 0,1 1 10

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

100

10 c

b
vG [V]

a
-40
C
Tvj =
+25
C
Tvj =
+130
C

1
Tvj =

0,1
10 100 1000 iG [mA] 10000 100000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 50W/8ms b - 100W/0,5ms c - 150W/0,1ms

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350

300
PTAV [W]

DC

250 180
rec

180
sin
120
rec
200 60
rec
90
rec

150 Q = 30
rec

100

50
Gehäusetemperatur bei Rechteck

0
0 50 100 150 200
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

140

120

100
T C [°C]

80

60

180
sin
40
QQ= =30

30
rec
rec 60
rec 90
rec 120
rec 180
rec DC

20
0 25 50 75 100 125 150 175 200
ITAVM [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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1500
P tot [W]

RthCA [K/W] B2 ID
0,10 +
0,12 R-Last
R-load
0,15
~
0,20 L-Last
1000 L-load
0,25 -
0,30

0,40

500 0,60
0,80
1,00 1,00
1,00

2,00 2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300
T A [°C] I D [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2000
R thCA [K/W] B6 ID
P tot [W]

0,10 3~
1500 0,12
0,15 -
0,20
0,25
0,30
1000
0,40
0,50
0,60 ,

0,80
500 1,00
1,50
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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R thCA K/W] W 1C
P tot [W]

~
800 IRMS

0,08
0,10
0,12
~
600 0,15

0,20
0,25
0,30
400
0,40
0,50
0,60
200 0,80
1,00

2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300
TA [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2500
W 3C
R thCA [K/W] ~ ~ ~
P tot [W]

IRMS
0,08
0,10
2000 0,12
~ ~ ~
0,15

0,20
1500
0,25
0,30

0,40
1000
0,50
0,60
0,80
500 1,00

2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300
T A [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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10000
Qr [µAs]

iTM =
1000 500A
200A
100A

50A
20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

1.500

a
IT(OV)M [A]

TA = 35
C
1.000

500

b TA = 45
C
0
0,01 0,1 1
t [s]

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling

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