1.

Definir las bandas de valencia de los materiales aislantes,

semiconductores y metales.

La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos,
es decir, aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético
de los átomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los
átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres, es decir,
aquellos que se han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente eléctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica

debe haber poca o ninguna separación entre la BC y la BV (que pueden llegar a
solaparse), de manera que los electrones puedan saltar entre las bandas.

Banda de valencia en los aislantes.

Los aislantes son materiales con una resistencia tan alta, que no es posible la
conducción eléctrica a través de ellos. Un caso extremo, de este tipo de
materiales, es el diamante En el diamante, debido a su particular estructura
cristalina, existe una barrera de energía de 6 eV entre la banda de energía
más baja 2p (llena con 2N electrones) y los restantes estados disponibles 2p
(4N estados posibles), por lo cual no se puede promover electrones de la banda
de valencia hacia la banda de conducción. Para este aislante no es posible
ganar energía por absorción de fotones (con energías menores a 6 eV).

Banda de valencia en los semiconductores.

Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su resistencia,

entre los conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas
difícilmente conducen la corriente eléctrica y más bien se comportan como
aislantes pero, al elevar su temperatura o al ser sometidos a un campo
eléctrico externo, su comportamiento cambia al de los conductores. Estos
semiconductores son conocidos como intrínsecos y, en ellos, las bandas de
conducción y valencia se encuentran separadas por una barrera de energía
(banda prohibida) más pequeña (comparada con la del diamante), de
aproximadamente 1 eV (1.1 eV para el Si y 0.7 eV para el Ge). En este tipo de
materiales, cuando se transfiere un electrón de la banda de valencia a la
banda de conducción, se crea un “hueco” que actúa como un "transportador"
de carga positiva, fenómeno que eventualmente puede crear una “corriente
positiva”.
Banda de valencia en los metales.

En este caso no existirá barrera.

 2. Analizar las características del semiconductor intrínseco

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea,

que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor

intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes
a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como
“electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de
la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el
paso de una corriente eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso

de los semiconductores el espacio correspondiente a
la banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La
energía de salto de banda (Eg) requerida por los
electrones para saltar de la banda de valencia a la
de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los
semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de
banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

3. De la tabla periódica que materiales son de este tipo para semiconductores

extrínsecos (dopados o impurificado)

Generalmente del grupo III o V de la tabla periódica que cambia drásticamente las
propiedades de conducción del material intrínseco, reduciendo enormemente la
resistividad del mismo. Se distinguen dos tipos de semiconductores extrínsecos:
tipo P y tipo N

4. Analizar la estructura interna del semiconductor; ecuación,

característica y funcionamiento
Los materiales semiconductores de uso común son el silicio, el germanio y el
arseniuro de galio. Se trata de elemento del grupo IV de la tabla periódica, o
bien de combinaciones de elementos del grupo III y V. De todos ellos, el más
empleado actualmente es el silicio, aplicaremos en ello.

ESTRUCTURA:
El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones
adecuadas pueden obtenerse en forma de estructuras mono cristalinas. En
estas los átomos se disponen según una red tipo diamante con simetría cubica,
en donde cada átomo forma enlaces covalentes con otros adyacentes. Así todos
los átomos tienen la última orbita completa con ocho electrones.

PORTADORES DE CARGA:
En los materiales conductores la circulación de corriente es posible gracias a
la existencia de electrones libres. Sin embargo, puesto que en este caso
provienen de un enlace covalente y no de una nube electrónica, el fenómeno
es más complejo, y para su explicación se introduce un nuevo portador de
carga ficticia: el hueco.
GENERACION TERMICA DE PORTADORES: EL ELECTRON Y EL
HUECO.
Si se eleva la temperatura del mono cristal del silicio por encima de 0k, parte
de la energía térmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce
dos efectos:
Aparece un electrón libre capaz de moverse a través de la red en presencia de
un campo eléctrico
En el átomo al que se asociaba el electrón aparece un defecto de carga
negativa, es decir, una carga positiva, que se denomina hueco.
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS
SEMICONDUCTORES.
Al aumentar la temperatura sobre la de ambiente (25ºC) se eleva la tasa de
pares electrón/hueco generados.
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de
potencial es:
𝑉𝑑
𝐼 = 𝐼𝑠 × (𝑒 𝑛𝑉𝑡 − 1)
Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
IS es la corriente de saturación (aproximadamente )
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura

cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de
circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:
kT
Vt =
q

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unión pn,

y q es la magnitud de la carga de un electrón (la carga elemental).

5. Describa y analice todo los tipos de diodos semiconductores y analice

su funcionamiento.

TIPOS DE DIODOS:
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL
DIODO EMISOR DE LUZ (LED´s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando
esto sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la
unión NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emite será roja,
verda, etc.

DIODO ESTABILIZADOR:
Esta formados por varios diodos en serie, cada uno e ellos produce una caída
de tensión correspondiente a su tensión umbral. Trabajan el polarización
directa y estabilizan tensiones de bajos valores similares a los diodos Zener.

DIODO TUNEL:
Los diodos túnel también se caracterizan por poseer una región delgada y
tener en su curva una región de resistencia negativa donde la corriente
disminuye a medida que aumente el voltaje. Esta ultima propiedad los hace
muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores, etc.
 DIODOS PIN:
Se emplean como resistencias variable por voltaje. Son dispositivos
desarrolados para trabajar a frecuencias muy altas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes esta limitada por su tiempo de transito.