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TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION

Es transistor es un dispositivo semiconductor multi-unión, el cual en la mayoría


de las ocasiones esta integrados con otros elementos del circuito para obtener
ganancia en voltaje, en corriente o en potencia. Las características especiales
de estos son las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por
tanto, las altas potencias a disipar.

A este tipo de transistores también se les llama BJT (Bipolar Junction


Transistor); son dispositivos que se utilizan para circuitos de alta velocidad,
circuitos analógicos o aplicaciones de potencia que se fabrican sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio; tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP quedando formadas dos uniones NP; por esta razón se dice que en estos
dispositivos son dos los tipos de portadores de carga libre: electrones y huecos,
los que participan en los procesos de conducción eléctrica.

La zona N con elementos donantes de electrones y la zona P de aceptadores o


"lagunas", normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio,
Aluminio o Galio y donadores N al Arsénico o Fósforo. La configuración de
uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminación entre ellas. El mecanismo que representa
el comportamiento semiconductor dependerá de las contaminaciones, de la
geometría asociada, del tipo de tecnología de contaminación y del
comportamiento cuántico de la unión.

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y


concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a
conducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un
retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los
tiempos de difusión y recombinación de los portadores.

TIEMPOS DE CONMUTACION DE TRANSISTORES BIPOLARES

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son


despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia
disipada, ya que en esos instantes el producto I C x VCE va a tener un valor
apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser
mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al
aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el paso de
un estado a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de


apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros
dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el
instante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador,
hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde


que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja
al 90% de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre


mayor que el tiempo de encendido (ton).

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a


la cual puede conmutar el transistor:

OTROS PARAMETROS IMPORTANTES


Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un
terminal (ej. ICAV, corriente media por el colector).

Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (I CM) o de


drenador (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia
del dispositivo.

VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en
circuito abierto.

VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.

Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del


dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y
fuente en los FET).

Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión


prácticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y
resistencia de conducción RDSon en el FET. Este valor, junto con el de corriente
máxima, determina la potencia máxima de disipación en saturación.

Relación corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor


bipolar (ganancia estática de corriente) y g ds para el FET (transconductancia en
directa).

MODOS DE TRABAJO
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o
signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor
pueden ser:

 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la


unión emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector -
base. Esta es la región de operación normal del transistor para
amplificación.
 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la
unión emisor - base y a una polarización directa de la unión colector -
base. Esta región es usada raramente.
 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).

Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas


uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).
Transistores BJT
 Ic Corriente Máxima del Colector
 VCEO Tensión de ruptura del colector con base abierta
 Pmáx Potencia de disipación máxima
 Ifuga Corriente de Fuga
 Fcorte
 VCBO Voltaje de ruptura del colector con base abierta.
 VEBO Voltaje de ruptura del emisor con base abierta.

Regiones de Trabajo

Corte : El transistor se encuentra apagado.

Saturación: Suficiente corriente para que se active el colector.

Activa: Zona de amplificación


Potencia de disipación: Debe ser baja y es igual a la multiplicación de ic x
Vce

Tipos de Conmutación

To -> Tiempo de Retardo Es el tiempo que transcurre desde el instante que se


aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador hasta que la señal de
salida alcanza el 10 % de su valor final.

Tr -> Tiempo de Subida Es el t en que la señal tarda en evolucionar desde el


10% al 90% de su valor final.

Ts -> Tiempo de almacenamiento es el tiempo que transcurre desde que se


quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al
90% de su valor inicial.

Tf -> Tiempo de Caída Es el tiempo que emplea la señal de salida en


evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor inicial con lo cual los tiempos de
encendido y apagado quedaría

Ton = td + tr fMáx=1/ton+toff

Toff = ts + tf

Parámetros

Voltaje Máximo:

Es el voltaje máximo que se aplica entre dos terminales del transistor es decir
VCE VBE

Corriente Máxima:

Es la corriente máxima que circulara por el colector y ayuda a determinar la


disipación de potencia del transistor.

Voltaje de Saturación:

Es en el cual la caída de voltaje prácticamente constante está dado entre el


colector y emisor este valor determinará la potencia máxima de disipación en
saturación.

Relación entre corriente de salida y control de entrada.

hfe = β = Ic/IB Nos da la ganancia de corriente entre el colector y la base, los


transistores de potencia hfe = β = 10 a 50 para incrementar el β se debe
emplear una configuración Darlington

Ruptura Secundaria: Es un fenómeno destructivo que depende de la energía


que se genera por la combinación de voltaje, corriente y tiempo por un sobre
calentamiento térmico localizado.

Áreas de trabajo de los Transistores


Log Ic
Límite de Corriente

50 A a b Límite de Potencia

15 A
c
Límite de Ruptura
Secundario
0.01 d Límite de Voltaje
e
5V 15 V 300 V
Limitación de Potencia:
Fallas por asuntos térmicos relacionado entre V CE e IC.

Característica de Transferencia
EXPERIMENTO 1

Diseño del circuito

El diseño del circuito esta basado para la obtención de la gráfica de voltaje


colector-emisor (Vce) en función de la corriente de base. Se ha escogido una
de las configuraciones más simples del transistor BJT de potencia para
implementarla, la configuración emisor común.
El objetivo de este circuito es ir controlando la corriente de base por medio de
la resistencia Rb (Figura 1) para ir cambiando la corriente de colector mediante
la ganancia de corriente del transistor   Ic
Ib . De este modo aseguramos
cuanta corriente ha de pasar por colector y cuanta corriente cae sobre la carga
RC.

El transistor escogido es un BJT de potencia PNP TIP31C ya que alcanza un


máximo de corriente colector de 3A (para realizar las mediciones con
elementos al alcance de la prueba con fuentes de energía) y un máximo de
corriente impulsos hasta 5A. También se decidió usar este transistor para
realizar el EXPERIMENTO 2 ya que el tiempo de conmutación es bajo en
comparación con los demás transistores de potencia (para características
importantes del transistor TIP31C ver especificaciones técnicas).

El diagrama del circuito de prueba:

Figura 1

Para calcular los valores de Rc e Rb se realizan las siguientes mallas básicas


en el transistor:

Figura 2

En el circuito equivalente se tomará valores de voltajes Vbe y Vce en


saturación como fuentes de voltaje constantes (datos tomados del datasheet)
por lo que la figura final esquemática del circuito para realizar mallas será:
Figura 3

La resistencia Rbt será variable para tener un valor variante en Ib desde un


valor máximo hasta un mínimo representado por la resistencia en serie Rsegur.
Como se necesita calcular el valor de las resistencias para llegar a saturación
desde la región de corte se tienen de datos:

Icsat = 3A
Vcc = 12V
 = 10 se toma por el dataste a la corriente máxima de 3A.

Desarrollando la malla 1 se tiene:


Icsat 3
Ib    0 .3 A
 10

Vcc  Vbe sat 12  1.8


Rsegur   ; donde: Vbe sat  1.5V por datasheet
Ibsat 0.3

 Rsegur  33.6

y desarrollando la malla 2 y trabajando para valores de saturación:

Vcc  Vbe sat 12  4


Rc   ; Vbe  4V por datasheet
Ic sat 3

Rc  2.4

Luego de calcular el valor de resistencias, es mejor usar varias en serie o en


paralelo para que disipen a energía. Se tiene el siguiente circuito
implementado:
El elemento para tener datos reales y confiables de corriente que se usará para
Rb será un potenciómetro variable de precisión de 20KΩ, y se usará una
resistencia en serie de 33.6Ω junto a él para cuando esta llegue a 0 se
encuentre en un valor aproximado de 33.6.

Ya que el transistor deberá soportar una corriente máxima de colector de 3A


aproximadamente, disipará mucho calor, por lo que se le ha colocado un
disipador de calor al mismo para que su funcionamiento a corrientes altas sea
óptimo.

Finalmente la resistencia Rc será realizada por 2 resistencias de potencia en


paralelo, dos de 3.6Ω en paralelo resultando en una resistencia de 1.8 Ω. La
potencia de disipación máxima de estas resistencias será de 16.2 Watt.
Para tomar los datos de la practica se tiene:
Luego de acabar de realizar la gráfica anterior con datos teóricos, se hará un
circuito equivalente con un foco de 12 V a 35W.
Antes de hacer esto se puede comprobar mandando a Pos 1 y a Pos 2 para
Rb=0, ya que la corriente de colector es máxima Ic pero no puede subir más
Ic
inclusive subiendo el valor de Ib (ya que se sabe que   ). En la tabla de
Ib
resultados se ilustra este problema no una toma sencilla de l valor de Vce, Ic e
Ib para Rb=0 (potenciómetro mínimo).
Para un efecto visual con el halógeno se tiene:

Al poner la carga del foco, estamos reduciendo el valor de la carga, haciendo


que la resistencia disminuya. Se puede observar que en la región de saturación
la halógeno se enciende de modo claro indicando el paso máximo de corriente.

Materiales:

 1 galleta de protoboard
 2 voltímetros DC
 2 amperímetros DC
 1 potenciómetro de precisión de 20KΩ
 1 resistencia de potencia de 15Ω 5W
 1 resistencia de potencia de 4.7Ω 10W
 3 resistencias de potencia 3.6 Ω 5W
 1 transistor de potencia TIP31C
 1 fuente DC 12V de potencia
 1 halógeno de 12V DC a 35W
 Cables de conexión.
EXPERIMENTO 1

Valores Obtenidos:

Con el circuito explicado y con las debidas restricciones se encontró valores


para obtener la gráfica IB vs VCE que nos permita verificar las zonas de trabajo
del transistor.
Se tomo datos del voltaje base-emisor, con el fin de obtener la gráfica IB vs
VBE y poder observar las zonas de corte, amplificación y saturación.

Datos obtenidos:

CORTE
AMPLIFICACIÓN
SATURACIÓN

IB VCE VBE IC RB
(mA) (V) (V) (A) (KOhms)
1 0 12 0 0 23
2 0,55 11,52 0,54 0,06 20,83636364
3 0,6 11,48 0,65 0,07 18,91666667
4 0,67 11,44 0,65 0,08 16,94029851
5 0,72 11,41 0,66 0,08 15,75
6 0,75 11,38 0,66 0,09 15,12
7 0,82 11,43 0,65 0,1 13,84146341
8 0,86 11,29 0,67 0,11 13,1744186
9 0,91 11,26 0,68 0,12 12,43956044
10 0,96 11,23 0,69 0,13 11,78125
11 1,01 11,19 0,69 0,14 11,1980198
12 1,1 11,11 0,68 0,15 10,29090909
13 1,2 11,01 0,7 0,17 9,416666667
14 1,31 10,86 0,7 0,19 8,625954198
15 1,39 10,8 0,7 0,21 8,129496403
16 1,55 10,68 0,7 0,24 7,290322581
17 1,72 10,5 0,7 0,28 6,569767442
18 1,94 10,25 0,71 0,32 5,819587629
19 2,12 10,1 0,72 0,36 5,320754717
20 2,45 9,85 0,73 0,42 4,6
21 2,92 9,52 0,74 0,51 3,856164384
22 3,64 8,97 0,74 0,66 3,093406593
23 4,6 8,4 0,74 0,81 2,447826087
24 5,8 7,75 0,76 0,98 1,937931034
25 6,73 7,3 0,76 1,1 1,67013373
26 7,7 6,9 0,78 1,2 1,457142857
27 10,08 6,16 0,78 1,4 1,113095238
28 18,14 4,7 0,81 1,84 0,616868798
29 21,8 4,2 0,86 1,97 0,511009174
30 27,2 3,71 0,94 2,1 0,406617647
31 52 2,77 1,15 2,41 0,208653846
32 67,7 2,17 1,2 2,58 0,159527326
33 82 1,61 1,226 2,7 0,131390244
34 101 1,33 1,33 2,8 0,105643564
35 161 0,97 1,34 2,9 0,065962733
36 170 0,91 1,34 2,93 0,062529412
37 209 0,8 1,35 2,94 0,050956938
38 224 0,77 1,35 2,95 0,047544643
39 236 0,76 1,35 2,96 0,045127119
40 280 0,74 1,36 2,95 0,037964286
41 282 0,73 1,37 2,96 0,037730496
42 286 0,69 1,37 2,97 0,037167832
43 287 0,68 1,38 3 0,037108014

44 659 0,75 1,5 2,96 0,015933232


45 1200 0,7 1,53 2,87 0,008725

Gráficas Obtenidas:
Como la variante manipulada en el circuito para variar la corriente es la
resistencia de base, se calcula la resistencia de base por la malla interna
analizada en el circuito, al tener los datos necesarios como IB, Vcc y VBE, con
esta ecuación se puede conocer aproximadamente la resistencia RB para cada
punto.

RB
(KOhms)
23
20,83636364
18,91666667
16,94029851
15,75
15,12
13,84146341
13,1744186
12,43956044
11,78125
11,1980198
10,29090909
9,416666667
8,625954198
8,129496403
7,290322581
6,569767442
5,819587629
5,320754717
4,6
3,856164384
3,093406593
2,447826087
1,937931034
1,67013373
1,457142857
1,113095238
0,616868798
0,511009174
0,406617647
0,208653846
0,159527326
0,131390244
0,105643564
0,06621118
0,062705882
0,050956938
0,047544643
0,045127119
0,038
0,037695035
0,037167832
0,037003484

La siguiente gráfica indica las áreas de operación seguras del transistor.


El voltaje VCE llega a 12 V aproximadamente (voltaje aplicado), se puede llevar
al máximo voltaje que soporte el transistor y obtener la gráfica logarítmica de
trabajo a limite del transistor como indica el datasheet.

Además se comprobó que al llegar a la saturación la corriente de colector


IC no sube más que su corriente de saturación , asi se inyecte más
corriente en la base, esto lo podemos verificar con las siguientes
mediciones en saturación:
IB VCE VBE IC RB
44 659 0,75 1,5 2,96 0,015933232
45 1200 0,7 1,53 2,87 0,008725

Se puede aumentar la corriente en el colector, añadiendo una carga en paralelo


que obligue a que conduzca corriente por el colector como una luz.

Comparación Practica vs Hoja Técnica

 Valores Limites de EXPERIMENTO 1

CORTE
AMPLIFICACIÓN
SATURACIÓN

Nº IB VCE VBE IC Resistencia RB


4 0,67 11,44 0,65 0,08 16,94029851
31 52 2,77 1,15 2,41 0,208653846
43 287 0,68 1,38 3 0,037003484

 Areas de operación seguras del transistor

Se puede observar la tendencia de los valores prácticos y de las gráficas hacia


lo teórico que es lo que la hoja técnica. La variación es que las condiciones que
se tiene en el circuito no son las ideales, o se puede obviar ciertos parámetros
en la practica de este circuito como temperatura ambiente, temperatura del
transistor (además se uso un disipador de calor) modificando el hfe
característico del transistor no siendo constante en los puntos.

Experiencias Conclusiones y Recomendaciones


Para obtener la gráfica de las regiones de práctica del transistor se debe
inyectar corriente continua al colector y la base haciendo que este se polarice y
entre en las diferentes regiones de trabajo dependiendo de la corriente a usar.

Se sabe que este transistor BJT trabaja en función de la corriente, para esto
nuestro circuito tiene una resistencia variable lo que cambia la corriente. Es
importante por esto realizar un diseño apropiado teniendo en cuenta como
parámetros la corriente que se tiene de alimentación máxima, es decir la
corriente que brinda la misma.

Una experiencia importante es no llegar a la zona de saturación para hacer


trabajar al máximo al transistor ya que su límite de corriente de colector en
saturación aproximadamente es 3A. La resistencia de colector es la que
soporta esta corriente por lo que debe ser de vatiaje alto mayor a 10W.

Se recomienda hacer trabajar al transistor en la zona de saturación por cortos


intervalos de tiempo para no sobrepasar la temperatura de operación del
mismo o incurrir a dañar a este.

Se comprobó que al llegar a la saturación la corriente de colector IC no sube


más que su corriente de saturación , asi se inyecte más corriente en la base.

EXPERIMENTO 2

Teniendo como objetivo la comprobación de las propiedades de los tiempos de


conmutación dados en el transistor de potencia, se plantea la entrada de una
señal sinusoidal rectificada en media onda, a un circuito de conmutación
realizado con el transistor TIP31C.

Circuito de conmutación con transistor BJT

Con un diseño de polarización fija con emisor común:


Si se pretende hacer funcionar al transistor como interruptor, se debe
considerar su corriente de saturación, que llevará a la conducción entre el
colector y el emisor:
I C sat
I B sat 

Tomando en cuenta las características del transistor usado, el TIP31C, se
tendría:
3
I B sat   42.8 mA
70

Esta corriente es la que proveerá la fuente generadora de señales de control,


que, por lo general, dan corrientes muy bajas, en unidades de mA, y, hay dos
consecuencias inmediatas del diseño:

 Al exigir más corriente de la que puede dar al generador de funciones,


esta puede averiarse.
 Esta corriente de base no será suficiente en el transistor para lograr la
saturación, lo que impedirá la conmutación.

CONCLUSIÓN
En los transistores de potencia, el valor de la ganancia de corriente (  ) es,
por lo general, baja, teóricamente 10< <50; por lo que, para incrementar
esta ganancia de corriente dados los requerimientos, especialmente el de
conmutación, se usa una conexión de tipo DARLINGTON.

Por esto, para aumentar la relación de la corriente de la base con la del


colector, es decir, la ganancia de corriente de entrada / salida, se planteará una
conexión DARLINGTON en este experimento, entre el transistor de potencia y
uno de propósito general para mejorar la ganancia en corriente.
Adicionalmente, se añade una polarización de divisor de voltaje, que logra más
estabilidad de la corriente a ingresarse en la base del transistor y es muy usada
con esta conexión:

Con el análisis:
Vp  Icsat * Rc  VCE sat (1)

Y teniendo como datos los valores a usarse:

Ic sat = 3 A (TIP 31 C)
Vp=12 V
VCE sat = 1.2 V

Se nota que, de (1), para trabajar en la saturación se requiere:

Rc <= 3.6 Ω
Para garantizar la saturación

Por la disponibilidad comercial, se fija:

Rc = 2.35 (a)

Del circuito planteado, la parte de entrada se puede analizar con uno


equivalente:
Tal y como se plantea en la teoría de la conexión de tipo DARLINGTON.
Con esto, se tienen las ecuaciones:

Vth  I B Rth  V BE (2)


Donde:
R 2 Vc
Vth 
R1  R 2
R1R 2
Rth 
R1  R 2

Se requiere trabajar en saturación, por lo que se restringe:


I C sat
I B sat 
 1 2

Esto hace, finalmente, exigir menos corriente a la fuente en Vin.

Junto a esto, una impedancia de entrada alta para R1 se asume: R1 = 1 K, y


dado que para nuestros transistores:

1 = 120 (2N3904)
2 = 70(TIP31C)

En (2):
R 2 Vc I sat R1R 2
 C  0.7 V BE sat (TIP 31C )
R1  R 2  1 2 R1  R 2
R 2 12 3 1000 R 2
  0.7  1.8
1000  R 2 120 * 70 1000  R 2
De donde:
R2 = 273.44 

Lo que produce el circuito:


Por la naturaleza del circuito de potencia, se tienen en cuenta las siguientes
características para los elementos:

 CONCLUSIÓN.- En Rc habrá una gran potencia de disipación, al


estar confinada a un valor bajo para la conducción máxima de
corriente, que en este caso es superior a las trabajadas para
pequeña señal, por lo que debe ser una resistencia capaz de
soportar alta potencia.

Como se usan dos resistencias de carga en paralelo de 4.7  , por lo


que cada una debe disipar al menos:

Mínimo de potencia: P=(IC sat/2)2 RC = (1.5)2*4.7= 10.58 W


 El transistor de potencia siempre debe ser adaptado con un disipador
térmico adecuado para el encapsulado.

 EL capacitor de acople de entrada es de un valor alto para bloquear


adecuadamente el voltaje de DC, en el orden de los uF.

Señal de entrada
Se escoge una señal de control Vin como la onda sinusoidal rectificada, dada
por el circuito:

Esta señal se escoge para poder apreciar las propiedades de conmutación


adecuadamente, como las expuestas en la teoría. Requiere un circuito de
rectificación de media onda:
Se escoge una resistencia de bajo valor para disminuir la impedancia de
entrada al circuito de conmutación.

Con lo que se obtiene el circuito final, con el generador de onda sinusoidal


inicial y el osciloscopio de medición:

Donde se medirá la entrada al transistor de potencia en su base y su salida


como su voltaje entre colector y emisor.
Implementación
Aquí se pueden apreciar las características de la curva de tiempos de
conmutación; para este transistor:

Con un poco más de ampliación:


CONCLUSIÓN:
En un circuito de conmutación, la salida que se produce en el corte no es
una fijada perfectamente en cero, sino que baja hasta el voltaje de
saturación de las características propias del transistor, V CE sat .

En el caso del transistor usado, teóricamente este es de 1.2 V; y en la


simulación, de:
En la implementación real del circuito, se obtuvieron los resultados gráficos:
Se aprecia que la onda de entrada no es la sinusoidal esperada de la teoría,
sino que tiene una forma distorsionada, esto se debe al acople de impedancias
del circuito rectificador de entrada al de conmutación.

Esto podría solucionarse con varios esquemas, como un acople de


impedancias por transformador, pero para el resultado del experimento esto es
innecesario, puesto que no interesa la forma de onda sino los tiempos de
conmutación.

CONCLUSIÓN:
En un circuito de conmutación, la entrada puede producir una impedancia
de carga que produzca distorsión; si esto es indeseable, se requiere un
acople de impedancias apropiado.

Las mediciones de la práctica resultan:

Tiempo de retardo (tD) = 34 s.


Tiempo de subida (tR) = 262 s.

Tiempo de encendido (ton) = tD + tR = 296 s.

Tiempo de almacenamiento (tS) = 100 s.


Tiempo de caída (tF) = 148 s.
Tiempo de apagado (toff) = tS + tF = 248 s.

Esto brinda la frecuencia máxima de operación:

1 1
f máx    1.838 KHz.
t on  t off (296  248) x10  6

Nos sugiere su máxima frecuencia de operación, pasada la cual sucederá que


el transistor funcionará de una manera inadecuada; para este experimento, no
alcanza a apagarse y se mantiene en saturación todo el tiempo, consumiendo
una gran corriente de la fuente, al alcanzar el orden de los MHz, como se
puede apreciar en el experimento realizado.

A 657.9 Hz.

A 13.16 KHz.

A 235.8 KHz.

A 900 KHz.

A 58.82 MHz.

CONCLUSIÓN:
En un circuito de conmutación de potencia, trabajar a frecuencias
superiores a las recomendadas por sus características, causa un mal
funcionamiento de la conmutación, llegando a producir disipaciones de
potencia muy altas y descontroladas.

BIBLIOGRAFIA:
 RASHID H. Muhammad, ELECTRONICA DE POTENCIA, Prentice Hall
Hispanoameria, S.A.

 http://electronica.ugr.es/~amroldan/modulos/enlaces/dispo_potencia/transis.htm

 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

 http://www.depeca.uah.es/docencia/ING-ECA/tec-disp/tema3.pdf