UNIVERSITATEA TEHNICĂ “GHEORGHE ASCAHI”

Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia

Informației, Iași

REFERAT MEMS
Temă: Materiale pentru fabricarea MEMS-urilor: siliciu cu
germaniu policristalin (poli Si-Ge) - caracteristici/ proprietăţi/ valenţe/
mod de utilizare la fabricarea MEMS-urilor.

Student: Irimia Andreea

Grupa: 55RD

Anul de studii: 2017-2018

1
 1. Generalități

MEMS= Micro Electro Mechanical Systems

Sunt sisteme integrate de dimensiuni mici (milimetrii→micrometrii) alcătuite din

elemente electrice și mecanice.

MEMS-urile sunt clasificate în trei categorii:

1. Traductori ce sunt dispozitive care transformă un semnal în energie

electrică și invers.

Ex: Traductoare de tensiune, de curent, de presiune, de temperatură, de nivel,

inductivi, traductori pentru aparatura medicală.

2. Senzorii ce sunt dispozitive ce preiau informația dintr-un anumit mediu,

măsurând o anumită mărime fizică caracteristică.

Ex: Senzorii de temperatură, umiditate, nivel apă, fum şi gaz, tensiune şi

intensitate curent, mişcare şi poziţie, flux de aer, proximitate (inductivi).

3. Actuatorii ce sunt dispozitive ce realizează conversia unui semnal electric

sau termic în lucru mecanic.

Ex: Actuator deschidere portbagaj, actuator închidere centralizată cu 2 fire

(pt. rezervorul auto).

MEMS-urile au aplicații larg răspândite în diverse domenii cum ar fi:

-domeniul medical ( un dispozitiv MEMS poate fi implantat în corpul
uman; dispozitivele chirurgicale realizate cu ajutorul MEMS-urilor oferă
flexibilitatea și acuratețea necesară pentru a realiza operații complexe);
-domeniul automotive (sisteme airbag, sisteme de securitate ale
vehiculelor, detecția în cazul răsturnării, închidere automată a mașinii);
- giroscop;
-microfon;
-în accelerometre ( declanșarea airbagurilor, telefoane smart, jocuri video cu
detector de mișcare).

2
 2. Materiale pentru fabricarea MEMS-urilor.

MEMS-urile sunt fabricate utilizând tehnica de realizare a circuitelor integrate

combinată cu micro-prelucrări ale materialelor utilizate şi a suportului. În timp ce
circuitele integrate sunt proiectate astfel încât să utilizeze proprietăţile electrice ale
siliciului, la proiectarea MEMS-urilor sunt exploatate atât proprietăţile electrice cât
şi cele mecanice ale acestui material semiconductor şi ale altor materiale.

În prezent, majoritatea dispozitivelor MEMS sunt realizate pe plachete de siliciu

prin microprelucrare în volum, microprelucrare de suprafaţă şi procese LIGA
(Lithographie, Galvanoformung, Abformung). În ultimii ani, au fost dezvoltate
procese de microfabricare tridimensională, prin care sunt asamblate straturi
obţinute din materiale de tipuri diferite, pentru obţinerea unor dispozitive MEMS

3
din domenii cu aplicaţii specifice (de exemplu: dispozitive biomedicale) şi
microactuatoare cu randament ridicat. Întrucât fabricarea microstructurilor MEMS
depinde în general de utilizarea materialelor structurale, de sacrificiu şi de
modelare, pe un substrat obişnuit, este necesară evidenţierea aspectelor şi
problemelor legate de proprietăţile de selectivitate şi de aderare ale microstructurii,
precum şi alte proprietăţi importante în procesul de proiectare. Materialele utilizate
pentru fabricarea MEMS-urilor sunt de două tipuri:

-de substrat;

-de depunere.

Cel mai important material utilizat ca substrat este siliciul (materialul cel mai
utilizat ca semiconductor), este un cristal covalent, cu o structură tip diamant, cu
rețea cristalină cubică.

Siliciul are următoarele avantaje:

- este larg răspândit în fabricaţia circuitelor integrate;

- este bine studiat şi cu proprietăţi electrice controlabile;

- este economic de obţinut în formă cristalină;

- are proprietăţi mecanice foarte bune (sub formă de cristal este elastic ca
oţelul şi mai uşor decât aluminiul).

-are coeficienti piezorezistivi foarte inalti fata de cei ai traductoarelor

tensometrice metalice ceea ce il face primul material din categoria celor utilizate
la fabricarea MEMS-urilor.
4
 -are un punct de topire la 1400°C, care inseamna aproape de doua ori mai
mult decat cel al aluminiului. Acest punct de topire inalt face ca siliciul sa fie stabil
din punct de vedere dimensional chiar si la temperaturi foarte ridicate.

Siliciul utilizat în construcţia MEMS-urilor se prezintă sub trei forme:

1. Cristalin→ de înaltă puritate se fabrică sub formă de plăcuţe circulare cu

diametre de 100, 150, 200, 300 mm şi cu diferite grosimi, poate fi
corodat anizotrop.
Siliciu sub formă cristalină are următoarele caracteristici fizice:
- limita de curgere = 7x10 9 N/m^ 2
- modulul de elasticitate E = 1.6 x 10 11 N/m^ 2
-densitatea = 2,33 g/cm^ 3
-temperatura de topire = 1410 ^0 C.

Siliciu monocristalin (Si)- În construcţia MEMS-urilor, siliciul

monocristalin are funcţii cheie fiind unul dintre cele mai versatile materiale
combinînd anizotropia cu bune caracteristici mecanice. Avînd un modul al
lui Young de 190Gpa, siliciul monocristalin se compară din punct de vedere
mecanic cu oţelul care are un modul al lui Young de 210GPa. Proprietăţile
mecanice favorabile au făcut siliciul monocristalin utilizabil ca material
pentru membrane, lamele şi alte structuri. Siliciul monocristalin este utilizat
în primul rînd la fabricarea structurilor mecanice.

2. Amorf→ are o structură neregulată şi conţine numeroase defecte.

Împreună cu siliciul policristalin se poate depune în straturi subţiri de
până la 5 micrometri. Siliciul amorf (poros) este produs la temperatura
camerei prin gravare electrochimica a Si in acid hidrofluoric (HF).

Nitrura de Si (Si3N4) este utilizată in MEMS-uri ca material pentru izolatii

electrice, pasivarea suprafetelor, suprafete de mascare si ca material mecanic. Doua
metode de depunere sunt cunoscute pentru depunerea straturilor subţiri de nitrura
de Si: LPCVD si respectiv PECVD. Utilizarea procedeului PECVD (plasma-
enhanced chemical vapor deposition) la depunerea straturilor subţiri la MEMS-uri
este limitat de continutul crescut in fluorohidrati dar este un procedeu in urma
caruia se obtin straturi subţiri de siliciu cu proprieteti atractive pentru incapsulare.

5
 3. Policristalin →Pentru MEMS- uri şi circuite integrate (IC) filmele
din siliciu policristatlin sunt depuse utilizând un proces cunoscut
ca depunere chimică de vapori la presiune joasă (LPCVD = low-
presure chemical vapor depositon). Procesul are loc într-un interval
de temperatură cuprins între 580°C şi 650° şi o presiune de 100
pînă la 400 mtorr.Pentru un proces tipic LPCVD ,temperatura de
tranziţie de la starea amorfă la cea cristalină este de 570°C, cu
depunerea stratului amorf în jurul temperaturii de tranziţie. La
600°C, grăunţii cristalini sunt mici şi egali pe când la 625°C
grăunţii sunt mari şi alungiţi. Rezistivitatea siliciului policristalin
poate fi modificată prin saturare şi se practică, în general, la
filmele subţiri folosind fosforul ca saturant la saturarea
componentelor MEMS din siliciu policristalin, deoarece acesta are
o mare viteză de difuzie. Difuzibilitatea în filmele subţiri este de
1×10 ^12 cm^ 2 /s.

Alte materiale care se utilizează ca substrat în construcţia MEMS-urilor sunt:

-metale (Cu, Al, Au, Ni, Ti), compusi metalici (TiN, ZnO) sau aliaje ( TiNi);
-materiale ceramice ( alumina);
-polimeri.
Aceste materiale se depun sub formă de straturi pe plăcuţele utilizate ca substrat.
Grosimea acestor straturi poate varia de la câţiva nanometri la câţiva micrometri.

6
 3. Siliciu cu germaniu policristalin (poli Si-Ge)

Materiale bazate pe germaniu

Ca si siliciu, germaniu este un material utilizat la realizarea materialelor

semiconductoare iar studii recente îl considera materialul ideal pentru realizarea
tranzistoarelor şi semiconductoarelor. Exista un interes crescut pentru utilizarea Ge
la realizarea MEMS-urilor datorita temperaturii scăzute de depunere a materialului
pe suprafetele realizate.

Siliciul cu germaniu policristalin

A apărut ca un material atractiv ca și structură pentru dispozitivele
MEMS din moment ce îndeplinește proprietățile mecanice dorite la
temperaturi mai joase în comparație cu siliciu policristalin. În funcție de
concentrația de germaniu și de temperatura de depunere, temperatura de
tranziție de la amorf la cristalin poate fi redusă până la 450 de grade, sau

7
chiar mai scăzută, în comparație cu 580 de grade C necesară pentru siliciu
policristalin în tehnica de depunere a vaporilor la presiune joasă.
La fel ca și Ge policristalin, SiGe policristalin este un material care poate fi
depus la temperaturi mai scăzute ca cele ale siliciului. Procedeul de depunere
se face prin metodele LPCVD, APCVD si RTCVD (rapid thermal CVD)
utilizind ca gaze precursoare Si H4 si GeH4. Temperatura de depunere este
cuprinsă în intervalul 450°C pentru LPCVD și 625°C RTCVD. În general,
temperatura de depunere depinde de concentrația Ge in filmul respectiv, cu
cât concentrația Ge este mai crescută cu atât temperatura de depunere este
mai scazută. Ca și polisiliciul, poli-SiGe poate fi saturat cu bor și fosfor
pentru modificarea conductivității. In situ suprasaturarea cu bor poate fi
realizata la temperaturi mai mici de 450°C ceea ce demonstrează că
temperatura de depunere a fimelor conductive saturate cu bor poate fi redusă
la 400°C daca conținutul de Ge este menținut la o concentrație de 70%.
Pentru filmele îmbogățite cu Ge se folosește un strat fin de polisiliciu sau
uneori SiO2. Ca și majoritatea materialelor compuse, variația compoziției
filmelor poate schimba proprietățile fizice ale materialului. De exemplu
gravarea Poli-SiGe pe H2O2 la concentrații ale Ge de peste 70% face ca
proprietăți cum sunt microstructura, tensiunile remanente, conductivitatea
filmului și gradientul tensiunilor remanente să depindă în mod direct de
concentrația Ge in materialul dat. În ce privește tensiunea remanenta in situ
s-au produs filme saturate cu bor al caror tensiune remanenta este mai mica
de 10MPa. La realizarea MEMS-urilor, Poli SiGe este utilizat la realizarea
starturilor de acoperire ale componentelor MEMS avind ca strat de sacrificiu
Ge policristalin. Un avantaj al acestei tehnici este acela ca stratul de
acoperire este depus direct pe structura de interes ceea ce reduce aparitia
capacitatilor parazite si rezistentei de contact caracteristice.

Aceste procedee se bazează pe formarea unor straturi solide direct

prin reacții chimice într-un mediu gazos sau într-un mediu lichid.
Straturile astfel formate ( cu grosimi de cativa nanometri pănă la 0,1
mm) pot constitui elemente solide în structurile MEMS sau pot fi
depozitate pe substrat de siliciu.

8
Placutele care realizeaza substratul sunt introduse intr-un
reactor care este alimentat cu mai multe gaze. Principiul de
baza consta in dezvoltarea de reactii chimice intre gazele
introduse si condensarea produselor de reactie pe suprafetele

placutelor din reactor.

Se utilizeaza tehnologia CVD pentru MEMS: - Low

Pressure CVD

(LPCVD) Metoda LPCVD produce straturi uniforme dar

necesita temperaturi ridicate, de peste 600^o C, iar viteza
de depunere este relativ mică.

- Atmospheric Pressure CVD ( APCVD)

Depunerea poate avea loc la presiune atmosferică

(şi atunci se numeşte APCVD), la presiune scăzută
(metoda LPCVD), sau în plasmă catalizatoare
(metoda PECVD), cu varianta în palsmă de înaltă
densitate (metoda HDP-CVD). Metodele APCVD
şi LPCVD operează la temperaturi şi mai ridicate
(400º– 800ºC). La metodele PECVD şi HDP-CVD,
temperatura substratului este tipic în jur de 300ºC.

9
 BIBLIOGRAFIE

1. D. Ionescu, Note de curs
2. D. Ionescu, Îndrumar de laborator

3. https://en.wikipedia.org
4. https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon-germanium
5. http://www.slideshare.net/mohith753/mems-27091845?qid=6ce7dca1-
1915-4285-ab0b-1e34e43d865a&v=&b=&from_search=2
6. http://www.encyclopedia.com/science‐and‐technology

10