UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL

PERÚ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA

INFORME DE PRACTICA DEL LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

TITULO DE LA PRACTICA: FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULADAS

Practica: N°4

Catedrático: Ing. David Huarac Rojas

Integrantes:

 Castro Oroña Daniel Eduardo

 Quispe Untiveros Victor Jhon
 Veliz Yalle Waldir Brayan

Grupo: N° 04

HUANCAYO

2018
 PRACTICAS N° 5 TRANSISTORES BJT

1. Objetivos

a. Generales

i. Identificar al transistor como un dispositivo semiconductor,

cuyo funcionamiento depende del tipo de configuración de

polarización en que se conecte.

b. Específicos

i. Identificar las terminales del transistor bipolar (Emisor,

Colector y Base).

ii. Analizar el funcionamiento del transistor en configuración

base común.

iii. Trabajar el transistor bipolar NPN y PNP como conmutador

con niveles lógicos.

2. Materiales

a. Osciloscopio con puntas de medición.

b. Generador de funciones.

c. Fuente regulada, y Multímetro digital.

d. Resistencias de varios valores 100 150 220 a 1/2 W.

e. Un transistor BD 237.

f. Un transistor BD 238.

g. Un transistor BC 547

h. Un potenciómetro de 2.5 K Ω.
3. Procedimiento

a. Experimento 1

i. Con el multímetro identifique las terminales y el tipo de

transistor de los solicitados en la práctica,

posteriormente dibuje cada terminal como lo muestra.

Usa un multímetro, (batería, resistor y LED) para verificar

por conducción cada par de terminales. Coloca un

multímetro digital en la posición diodo test o un multímetro

analógico en el rango de baja resistencia. Prueba cada par

de terminales en ambos sentidos (seis en total):

* La juntura base-emisor (BE) debería comportarse como un

diodo y conducir sólo en un sentido.

* La juntura base-colector (BC) debería comportarse como

un diodo y conducir sólo en un sentido.

* Entre colector-emisor (CE) no debería conducir en ningún

sentido.
b. Experimento 2

R1(kΩ) IE(mA) IC(mA)

0 839.27 32.58
0.5 1.68 0.66
1.0 0.86 0.34
1.5 0.58 0.23
2.0 0.44 0.18
2.5 0.36 0.14

1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

IE(mA) IC(mA) Columna1

c. Experimento 3

d. Experimento 4

IB IC IE VCB VBE VCE

53.1uA 8.71mA 8.7mA 2.6V 675mV 3.29

De acuerdo al transistor que uno utilice para sus trabajos se

considera ciertos rangos de ganancia y parámetros que limitan el

margen de trabajo para este caso consideramos una beta de 150

lo cual nos permite obtener las resistencias Rc=1kΩ y Rb=100kΩ

 e. Experimento 5

4. Cuestionario