UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS

ESPE-LATACUNGA
Nombre: Luis Alberto Visarrea Lima Semestre: Sexto
Asignatura: Electrónica de Potencia Carrera: Ingeniería Electrónica
Fecha: 18-05.2018 Tema: IGBT

Un IGBT: a) símbolo,
b) características de i-v, c)
características idealizadas.

tiene una puerta de alta impedancia

que sólo requiere una pequeña
cantidad de energía para conmutar
el dispositivo
TRANSISTORES
BIPOLARES DE PUERTA
AISLADA (IGBT)

tiene un voltaje de estado

se pueden diseñar para activo pequeño (por ejemplo,
bloquear tensiones negativas, Venc es de 2 a 3 V en un
como lo indican sus dispositivo de 1 000 V).
características de
conmutación idealizadas