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LECCIÓN 4
LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Horus Estéfano Díaz
e-mail: horus.diaz@unah.hn
3 OBJETIVOS
1
Lección 3: Las Características del Transistor Bipolar
.
2
Lección 3: Las Características del Transistor Bipolar
.
IB (μA) 10 20 40 80 100
IB(μA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 VCE(V)
0.5 1.73 3.51 8.89 15.3 18.6
VCE(v) 0.04 0.05 0.05 0.05 0.04 0.04 0.04 0.03 0.03 0.03 1 1.74 3.52 8.73 15.4 19.8
2 1.74 3.57 8.82 15.6 20.2
Ic(mA) 0.02119 0.02117 0.02117 0.02117 0.02119 0.02119 0.02119 0.02119 0.02119 0.02119
4 1.75 3.61 8.89 15.9 20.5
β= 0.002119 0.00106 0.00071 0.00053 0.000042 0.000035 0.00003 0.000026 0.000024 0.000021 6 1.79 3.66 9.16 16.2 21.2
8 1.81 3.7 9.33 16.5 21.8
10 1.83 3.74 9.5 16.8 22.6
La corriente del colector (Ic) en función de VCE e IB
Tabla 3. 8 CONCLUSIONES
PS-1(v) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ic(mA) 1.61 2 2.02 2.03 2.05 2.06 2.07 2.08 2.1 2.1
La región es útil para la electrónica
Fuente de corriente analógica especialmente útil para
amplificación de señal y las regiones de
corte y saturación, para la electrónica
digital representado el estado lógico alto
y bajo especialmente
El transistor bipolar permite controlar el
paso de la corriente través de sus
terminales
La corriente IB y el parámetro de control
para modificar la corriente de salida de
una fuente de corriente.
BIBLIOGRAFÍA
Tabla 4.