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Cuanto m�s alejado est� un electr�n del n�cleo, mayor es su estado de energ�a y
cualquier
electr�n que haya abandonado a su �tomo padre tiene un estado de energ�a mayor que
todo
electr�n que permanezca en la estructura at�mica.
Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza
que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el ars�nico
y el f�sforo. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen
como �tomos donadores.
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con
�tomos de impureza
que tienen tres electrones de valencia.Las impurezas difundidas con tres electrones
de valencia se llaman �tomos aceptores.
DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarizaci�n aplicada (V=0 V)
Esta regi�n de iones positivos y negativos revelados se llama regi�n de
�empobrecimiento�,
debido a la disminuci�n de portadores libres en la regi�n.
Regi�n Zener
El m�ximo potencial de polarizaci�n en inversa que se puede aplicar antes de entrar
a la
regi�n Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de
reversa
pico (denotado como valor PRV).
Efectos de la temperatura
En la regi�n de polarizaci�n en directa las caracter�sticas de un diodo de silicio
se desplazan
a la izquierda a raz�n de 2.5 mV por grado cent�grado de incremento de temperatura.
NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operaci�n de un diodo se mueve de una regi�n a otra, su
resistencia
tambi�n cambia debido a la forma no lineal de la curva de caracter�sticas.
Resistencia de CD o est�tica
Rd=(Vd/Id) En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a trav�s de
un diodo, menor ser�
el nivel de resistencia de cd.
1b.-Resistencia de CA o din�mica
En general, por consiguiente, cuanto m�s bajo est� el punto de operaci�n (menor
corriente
o menor voltaje), m�s alta es la resistencia de ca.
1c.-Resistencia de ca promedio
Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto m�s bajo sea el nivel de las
corrientes
utilizadas para determinar la resistencia promedio, m�s alto ser� el nivel de
resistencia.
PD m�x= VD* ID
1d.-DIODOS ZENER
La caracter�stica cae casi verticalmente con un potencial de polarizaci�n en
inversa denotado V
. El hecho de que la curva caiga y se aleje del eje horizontal en vez de elevarse y
alejarse en la regi�n de V
positivo, revela que la corriente en la regi�n Zener tiene una direcci�n opuesta a
la de un diodo
polarizado en directa.
1g.-PIV (PRV)
La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico )] del
diodo es de primordial
importancia en el dise�o de sistemas de rectificaci�n. Recuerde que no se debe
exceder el
valor nominal de voltaje en la regi�n de polarizaci�n en inversa o el diodo entrar�
a la regi�n
de avalancha Zener. El valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media
onda se determina
con la figura 2.52, la cual muestra el diodo polarizado en inversa de la figura
2.44 con un
voltaje m�ximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff, es obvio que el
valor nominal
de PIV del diodo debe ser igual a o exceder el valor pico del voltaje aplicado.
RECORTADORES
Los recortadores son redes que emplean diodos para �recortar� una parte de una
se�al de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada.
SUJETADORES
Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que
desplaza
una forma de onda a un nivel de cd diferente sin cambiar la apariencia de la se�al
aplicada.