7.

Dado IDSS =12 m A y │VP│= 6V trace una probable distribución de las curvas características
para el JFET (similar a la figura 5.10)

VGS=0v
ID=IDSS=12m A
VGS=VP=-6
ID=0m A

VGS =-1v
ID=8.33m A

VGS =-2v
ID=5.33m A

VGS =-3v
ID=3m A

VGS =-4v
ID=1.33m A

VGS =-5v
ID=0.33m A

8. En general, comente sobre la polaridad de los distintos voltajes y la dirección de las

corrientes para un JFET de canal-n contra uno de canal-p.

Inicialmente el electrodo de puerta esta polarizado al potencial de tierra, esto es VG=0, y que
aumentamos lentamente desde cero la tensión aplicada al drenador, VD, manteniendo el
surtidor a una tensión fija de cero voltios, esto es VS=0 (Potencial de Tierra). Para pequeños
valores de VD, la corriente que circula entre el surtidor y el drenador, ID debe ser pequeña,
esta corriente es debida al movimiento de electrones desde la fuente al drenador a través del
canal, en esta situación se considera que el canal está completamente abierto, comportándose
del mismo modo que una resistencia. Así pues la variación de ID en función de VD en el rango
de tensiones bajas será prácticamente de tipo ideal. Cuando el tipo n está sometido a un
potencial positivo respecto a los contactos de puerta ( polarizados a una tensión VG=0 ) por lo
que la unión p+ -n de los contactos de puerta queda polarizada en inverso y la consecuencia de
esta polarización inversa, la corriente que circula a través de los contactos de puerta deben ser
extremadamente baja.
La corriente de la compuerta IG=0, hay que tener siempre presente que la corriente de drenaje
ID y la corriente de fuente IS son iguales esto es ID=IS, tanto para transistores de canal n como
para los de canal p.
  Caracteristicas de Transferencia

9. Dada las caracteristicas de la fig. 5.51:

a) Dibuje las caracteristicas de transferencia directamente sobre las

caracteristicas de drenaje.
b) Mediante el uso de la fig 5.51 para establecer los valores de IDSS y VP
Dibuje las caracteristicas de transferencia utilizando la ecuación de
Shockley.

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − )
𝑉𝑃
𝑜𝑣
10𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − )
(−6𝑣)

10𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
 VGS=VP= -6V
c) Compare las características de los incisos (a) y (b). ¿Existen diferencias
importantes entre ellas?