20/6/2018 Transistor - Wikipedia, la enciclopedia libre

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1 ​
  El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
Transistor
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como
radios,  televisores,  reproductores  de  audio  y  video,  relojes  de  cuarzo,  computadoras,  lámparas  fluorescentes,  tomógrafos,  teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice
Historia
Funcionamiento
Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Transistor de unión bipolar
Transistor de efecto de campo
Fototransistor
Transistores y electrónica de potencia
Construcción
Material semiconductor El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia
El transistor bipolar como amplificador que es capaz de manejar
Emisor común
Tipo Semiconductor
Diseño de una etapa en configuración emisor común
Invención John Bardeen, Walter Houser
Base común
Colector común
Brattain y William Bradford
Shockley (1947)
El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
Símbolo electrónico
Véase también
Referencias
Bibliografía
Enlaces externos

Historia Terminales Emisor, base y colector

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El físico austro­húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19252 ​
  una patente para lo que él denominó "un método y un
aparato  para  controlar  corrientes  eléctricas"  y  que  se  considera  el  antecesor  de  los  actuales  transistores de efecto campo,  ya  que  estaba
destinado  a  ser  un  reemplazo  de  estado  sólido  del  triodo.  Lilienfeld  también  solicitó  patentes  en  los  Estados  Unidos  en  los  años  19263 ​
 y
1928.4 5​​
  Sin  embargo,  Lilienfeld  no  publicó  ningún  artículo  de  investigación  sobre  sus  dispositivos  ni  sus  patentes  citan  algún  ejemplo
específico  de  un  prototipo  de  trabajo.  Debido  a  que  la  producción  de  materiales  semiconductores  de  alta  calidad  no  estaba  disponible  por
entonces,  las  ideas  de  Lilienfeld  sobre  amplificadores  de  estado  sólido  no  encontraron  un  uso  práctico  en  los  años  1920  y  1930,  aunque  un
dispositivo de este tipo ya se había construido.6 ​

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña7 ​
 un dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes
Robert  Pohl  y  Rudolf  Hilsch  efectuaron  experimentos  en  la  Universidad  de  Göttingen,  con  cristales  de  bromuro  de  potasio,  usando  tres
electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.8 ​
Mientras tanto,
la  experimentación  en  los  Laboratorios  Bell  con  rectificadores  a  base  de  óxido  de  cobre  y  las  explicaciones  sobre  rectificadores  a  base  de
semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible
lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío.8 ​
Réplica del primer transistor en actividad, que
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los
hoy pertenece a la empresa Lucent
Laboratorios Bell9 ​
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran aplicados a un cristal de
Technologies
germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada.10 ​
  El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.11 ​
 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar
basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell
desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de
contacto  de  punto,  cuya  primera  patente  solicitaron  los  dos  primeros  nombrados,  el  17  de  junio  de  1946,12 ​
a  la  cual  siguieron  otras  patentes  acerca  de  aplicaciones  de  este  dispositivo.13 14
​ 15
​​  En
reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento
del efecto transistor".16 ​

En  1948,  el  transistor  de  contacto  fue  inventado  independientemente  por  los  físicos  alemanes  Herbert  Mataré  y  Heinrich  Welker,  mientras  trabajaban  en  la  Compagnie  des  Freins  et  Signaux,  una
subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo
de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial.  Usando  este  conocimiento,  él  comenzó  a  investigar  el  fenómeno  de  la  "interferencia"  que  había  observado  en  los  rectificadores  de  germanio
durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado
anteriormente  en  diciembre  de  1947.  Al  darse  cuenta  de  que  los  científicos  de  Laboratorios  Bell  ya  habían  inventado  el  transistor  antes  que  ellos,  la  empresa  se  apresuró  a  poner  en  producción  su

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dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.17 ​
El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión18 ​
  y el 24 de agosto de 1951
solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,19 ​
  tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e
Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,20 ​
cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.21 ​
  Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney
Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.22 ​

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953,23 ​
capaz de
operar con señales de hasta 60 MHz.24 ​
 Para fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de
ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.25 ​
El primer receptor de
radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa
época.26 ​
27 ​

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum.28 ​
El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una
patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores.29 ​
 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo
del  experto  Gordon  Teal  quien  había  trabajado  previamente  en  los  Laboratorios  Bell  en  el  crecimiento  de  cristales  de  alta  pureza.30 ​
  El  primer  transistor  MOSFET  fue  construido  por  el  coreano­
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.31 32
​​

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector
que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,33 ​
a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.34 ​

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de
colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor,
tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos  posteriores  al  transistor  descrito,  el  transistor  bipolar  (transistores  FET,  MOSFET,  JFET,  CMOS,  VMOS,  etc.)  no  utiliza  la  corriente  que  se  inyecta  en  el  terminal  de  base para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este
modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores
interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual
Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre­óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve»
en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de Distintos encapsulados de transistores.
banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como
el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N­P­N o P­N­P, dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones,
como el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos
aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión. Diagrama de Transistor NPN

Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre  sí,  se  producirá  una  puerta.  A  uno  de  estos  contactos  le  llamaremos  surtidor  y  al  otro  drenador.  Aplicando  tensión  positiva  entre  el  drenador  y  el  surtidor  y  conectando  la  puerta  al  surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el
canal.

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 2/8
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El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal­Óxido­Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor
por una capa de óxido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
­Símbolo del transistor JFET, en el
que se indican: drenador, surtidor y
Transistores y electrónica de potencia compuerta

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de
tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta
potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción

Material semiconductor
Los  primeros  transistores  bipolares  de  unión  se  fabricaron  con
Características del material semiconductor
germanio  (Ge).  Los  transistores  de  Silicio  (Si)  actualmente
predominan,  pero  ciertas  versiones  avanzadas  de  microondas  y  de Tensión directa Movilidad de electrones Movilidad de huecos Máxima
Material
de la unión temperatura de unión
alto  rendimiento  ahora  emplean  el  compuesto  semiconductor  de semiconductor m2/(V∙s) @ 25 °C m2/(V∙s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C
arseniuro de galio  (GaAs)  y  la  aleación  semiconductora  de  silicio­
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento
(Ge y Si) se describe como elemental. Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Los  parámetros  en  bruto  de  los  materiales  semiconductores  más
Al­Si 0.3 — — 150 a 200
comunes  utilizados  para  fabricar  transistores  se  dan  en  la  tabla
adjunta;  estos  parámetros  variarán  con  el  aumento  de  la
temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor­base de un transistor bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La corriente aumenta de
manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa
para  una  corriente  dada  disminuye  con  el  aumento  de  la  temperatura.  Para  una  unión  de  silicio  típica,  el  cambio  es  de  –2.1  mV/°C.35 ​
  En  algunos  circuitos  deben  usarse  elementos  compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de impurezas en el canal. Algunas
impurezas, llamadas dopantes, se introducen deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material semiconductor con un campo
eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar más rápido. La tabla indica que el germanio es un
material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y arseniuro de galio:

1.  Su temperatura máxima es limitada.
2.  Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3.  No puede soportar altas tensiones.
4.  Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n­p­n dado tiende a ser más rápido que un transistor
equivalente p­n­p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET
de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio­aluminio
(AlGaAs)­arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera GaAs­metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en
los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan una movilidad de los
electrones aún mayor y se están desarrollando para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el transistor puede
dañarse.

Los datos de la fila Al­Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal­semiconductor de alta velocidad (de aluminio­silicio), conocidos comúnmente como diodos Schottky. Esto está incluido en
la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricación. Este diodo puede
ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers­Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto
quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 3/8
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Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β
varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor común, base común y colector común.

Emisor común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de
entrada como para la de salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para lograr la estabilización de la etapa ante
las  variaciones  de  la  señal,  se  dispone  de  una  resistencia  de  emisor,  (RE)  y  para  frecuencias  bajas,  la  impedancia  de  salida  se  aproxima  a  RC.  La
ganancia de tensión se expresa:

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de entrada.

Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la siguiente forma:

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada 
 y que el valor de la ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:
Emisor común.
.

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º respecto a la de
entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

La corriente de entrada,  , si   puede expresarse como sigue:

Suponiendo que  , podemos escribir:

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 4/8
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Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda como:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común
Recta de carga

Esta  recta  se  traza  sobre  las  curvas  características  de  un  transistor  que  proporciona  el  fabricante.  Los  puntos  para  el  trazado  de  la  misma  son: 
 y la tensión de la fuente de alimentación 

En  los  extremos  de  la  misma,  se  observan  las  zonas  de  corte  y  de  saturación,  que  tienen  utilidad  cuando  el  transistor  actúa  como  interruptor.
Conmutará entre ambos estados de acuerdo a la polarización de la base.

La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio extendido es el de adoptar  , si el circuito no posee 
. De contar con   como es el caso del circuito a considerar, el valor de   se medirá desde el colector a masa.
Recta de carga de un transistor en
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una señal.
configuración de emisor común
Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de 

Datos: 

Esta aproximación se admite porque 

Amplificador de emisor común

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de voltaje   y  , debe ser mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en una relación 10:1

 utilizando el valor de   obtenido anteriormente

   

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor  , se calcula tomando el valor del voltaje térmico en la misma, y está dado por: 

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa; 

No se toma en cuenta   ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para la señal por medio de  , que en el esquema se muestra como  ; entonces, la impedancia de salida  , toma el valor de 

 si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga  ,   se determina por   considerando que   tiene el valor  , 

Al considerar la , la ganancia de tensión se ve modificada: 

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por 

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: 

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia   en las frecuencias de señales empleadas.

Base común

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 5/8
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La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia solo de tensión.
La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como resultado que la ganancia
aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.
En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de
señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
Antes  de  la  aparición  del  transistor,  eran  usadas  las  válvulas  termoiónicas.  Las  válvulas  tienen  características  eléctricas  similares  a  la  de  los
transistores de efecto campo  (FET):  la  corriente  que  los  atraviesa  depende  de  la  tensión  en  el  terminal  llamado  rejilla.  Las  razones  por  las  que  el
transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:
Base común
Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son peligrosas para el ser humano.
Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso
importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a
causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para
establecer la conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una
salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de considerar
es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas,
la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
Los  transistores  trabajan  con  impedancias  bajas,  o  sea  con  tensiones  reducidas  y  corrientes  altas;  mientras  que  las  válvulas
presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial y se contó con la promesa de las empresas
fabricantes de que su costo continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas Colector común
y consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000 válvulas, de las cuales algunas se
quemaban cada día, necesitando una logística y una organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas
termoiónicas  en  equipos  de  radio  de  gama  alta,  como  Collins  y  Drake;  luego  el  transistor  desplazó  a  la  válvula  de  los  transmisores  pero  no  del  todo  en  los  amplificadores  de  radiofrecuencia.  Otros
fabricantes  de  instrumentos  eléctricos  musicales  como  Fender,  siguieron  utilizando  válvulas  en  sus  amplificadores  de  audio  para  guitarras  eléctricas.  Las  razones  de  la  supervivencia  de  las  válvulas
termoiónicas son varias:

Falta  de  linealidad:  El  transistor  no  tiene  las  características  de  linealidad  a  alta  potencia  de  la  válvula  termoiónica,  por  lo  que  no  pudo  reemplazarla  en  los  amplificadores  de
transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios años después.[cita requerida]
Generación  de  señales  armónicas:  Las  señales  armónicas  introducidas  por  la  falta  de  linealidad  de  las  válvulas  resultan  agradables  al  oído  humano,  como  demuestra  la
psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
Sensibilidad  a  explosiones  nucleares:  El  transistor  es  muy  sensible  a  los  efectos  electromagnéticos  de  las  explosiones  nucleares,  por  lo  que  se  siguieron  utilizando  válvulas
termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de fabricación soviética.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a través de los
años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar.

Véase también
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleación
Transistor de película delgada
Transistor de unión bipolar
Transistor IGBT
Transistor uniunión
Válvula termoiónica
Datasheet

Referencias
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&pg=PA46&dq=transistor++dispositivo+electr%C3%B3nico++se%C3%B1al&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwjc_LehrvPZAhUBNhQKHbcoDww4ChDoAQgzMAI#v=onepage&q=transist
or%20%20dispositivo%20electr%C3%B3nico%20%20se%C3%B1al&f=false). Editorial Vértice. ISBN 9788499312934. Consultado el 17 de marzo de 2018.

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Enlaces externos
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 Wikcionario tiene definiciones y otra información sobre transistor.

Transistores Vs. Válvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad (http://web.archive.org/web/http://hifi.suite101.net/article.cfm/amplificadores­transistorizados­vs­amplificadore
s­valvulares/),  Oscar  Bonello,  fundador  de  la  compañía  Solidyne  y  miembro  de  Audio  Engineering  Society  (AES),  propone  una  interpretación  posible  sobre  la  rivalidad  entre
entusiastas de una u otra tecnología.
Como funcionan realmente los transistores (http://otro­geek­mas.blogspot.com/2008/08/como­funcionan­realmente­los.html) Versión original en Inglés (http://www.amasci.com/ama
teur/transis.html)
Símbolos de transistores (http://www.simbologia­electronica.com/simbolos_electronicos/simbolos_transistores.htm)

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 7/8
20/6/2018 Transistor - Wikipedia, la enciclopedia libre

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