AMPLIFICADORES OPERACIONALES.

Pérez Erik
esprezg@espe.edu.ec
Ordoñez Jonathan
Jpordonez4@espe.edu.ec

Ingeniería Automotriz, Cuarto, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

- Extensión Latacunga, Márquez de Maenza S/N Latacunga, Ecuador.
Fecha de presentación: 10/11/2016

RESUMEN: Los transistores más conocidos son Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de
los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece
porque la conducción tiene lugar gracias al resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET
desplazamiento de portadores de dos polaridades conduce entre los terminales D y S cuando la tensión
(huecos positivos y electrones negativos), y son de entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región
gran utilidad en gran número de aplicaciones, pero de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia
encuentra su impedancia de entrada bastante entre los terminales D y S crece, entrando así en la
baja. Existen unos dispositivos que eliminan este región óhmica, hasta determinado límite cuando deja
inconveniente en particular y que pertenece a la de conducir y entra en corte. [1]
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de
portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se 2. ¿QUÉ ES EL TRANSISTOR JFET?
llama transistor de efecto campo. Las ventajas que
presentan este tipo de transistor, han llevado a que
El transistor FET es un dispositivo semiconductor
ocupen un lugar importante dentro de la industria,
que controla un flujo de corriente por un canal
desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los
MOSFET de potencia son muy populares para semiconductor, aplicando un campo eléctrico
aplicaciones de baja tensión, baja potencia y perpendicular a la trayectoria de la corriente. El
conmutación resistiva en altas frecuencias, como transistor FET está compuesto de una parte de silicio
fuentes de alimentación conmutadas, motores sin tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que
electrodomésticos. están unidas entre sí.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman
Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal
PALABRAS CLAVE: bipolar, drenaje, Inversa,
es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región
potencia, puerta, ruptura, tención,
que existe entre el drenador y la fuente y que es el
camino obligado de los electrones se llama “canal”. La
corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Este tipo
1. INTRODUCCIÓN de transistor se polariza de manera diferente
al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza
Las ventajas que presentan este tipo de positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd)
transistor, han llevado a que ocupen un lugar y la compuerta o se polariza negativamente con
importante dentro de la industria, desplazando a los respecto a la fuente (-Vgg). [2]
viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de potencia son
muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja
potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias,
como fuentes de alimentación conmutadas, motores
sin escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y
electrodomésticos.
La mayoría de sistemas como lámparas, motores,
drivers de estado sólido, electrodomésticos, etc.
utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el
flujo de energía que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de
trabajo para regular la tensión de salida. Para realizar
la parte de conmutación, existen varios dispositivos
semiconductores, a continuación, se muestra una
tabla con algunos de ellos.
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al
ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada,
no necesita de corriente de polarización. La carga Figura1: Estructura MOSFET canal N
eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de Fuente: (MrElberni, 2010)
tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.

1
 3. RANSISTOR MOSFET?
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-
Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de
campo que utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción. Son dispositivos más
importantes que los JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se construyen con la
tecnología MOS. [3]
Figura2: Estructura MOSFET canal N
Fuente: (García, Electrónica Practica Aplicada, 2012)
4. POLARIZACIÓN JFET
La polarización del JFET se realiza mediante
tensión continua y consiste en prepararlo para que, en
un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a través del
JFET circule una cantidad de corriente ID por el
drenaje, y a su vez se obtenga una tensión entre el
drenaje y la fuente VDS para esa cantidad de corriente
ID, a esto se le llama obtener el punto de operación o
punto Q. La corriente ID va depender de la tensión
compuerta fuente VGS que exista en la malla de
entrada, la VDS dependerá de la malla de salida del
circuito, para ver esto será de utilidad la gráfica de
entrada y la de salida del JFET.
Anteriormente se ha visto que el JFET tiene un
corriente drenaje fuente de saturación IDSS, la cual
indica cual es la corriente máxima que podrá circular
entre el drenaje y la fuente, entonces la corriente ID al
cual se polarizará el transistor solo podrá tener valores
comprendidos entre 0mA y IDSS. [4]
5. POLARIZACIÓN MOSFET
Los circuitos de polarización típicos para
MOSFET enriquecido, son similares al circuito de
polarización utilizados para JFET. La principal
diferencia entre ambos es el hecho de que el MOSFET
de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n
y valor negativo de VGS para el canal p. Para tener un
valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de
VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto
polarización. Por lo tanto, hablamos de recorte de
realimentación y circuito divisor de tensión para
mejorar el tipo MOSFET. [5]
2
6. FUNCIONAMIENTO JFET
JFET es un dispositivo mediante el cual se
puede controlar el paso de una cierta cantidad de
corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea
principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los
de canal p, se comentará para el caso de JFET de
canal n, lo que se comente para el de canal n, es
similar para el de canal p, la diferencia será el sentido
de las corrientes y las tensiones sobre el JFET;
constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres de
drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el
JFET es controlar la cantidad de corriente que circula
entre el drenaje y la fuente, esa corriente se controla
mediante la tensión que exista entre la compuerta y la
fuente. [6]
Figura3: Transistor JFET canal N (a) y canal P
(B)
Fuente: (García, Electrónica Practica Aplicada,
2012)
7. FUNCIONAMIENTO MOSFET
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato
de material semiconductor dopado en el que, mediante
técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas
de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual
se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por
una capa de conductor.
Un transistor mosfet conduce corriente eléctrica entre
dos patillas cuando aplicamos tensión en la otra patilla
(una tercera patilla). Es un interruptor que se activa
por tensión. Así de sencillo. [7]
8. JFET COMO INTERRUTOR
8.1 INTERRUTOR EN PARALELO
Un JFET trabajando como un interruptor paralelo.
El JFET entra en conducción y en corte dependiendo
de si VGS es alta o baja. Cuando Vgs es alta (0 V), el
JFET funciona en la zona óhmica. Cuando Vgs es
baja, el JFET está en corte.
Para un funcionamiento normal, la tensión de entrada
debe ser pequeña, generalmente menor de 100 mV.
Una señal pequeña nos asegura que el JFET
permanece en la zona óhmica cuando se alcanzan los
picos positivos para esta señal. Asimismo, RD es
mucho mayor que RDs, para asegurarnos una
saturación. [8]
8.2 INTERRUPTOR SERIE
Un JFET trabajando como un interruptor serie
cuando Vgs es cero, el interruptor está cerrado y el
JFET equivale a una resistencia RDs. En este caso, la
salida es aproximadamente igual a la entrada. Cuando
Vgs es igual o más negativa que Vgs(off), el JFET está
abierto y vin es aproximadamente cero.
La razón conexion-desconexion de un interruptor se
define como la tensión máxima de salida dividida entre
la tensión mínima de salida, la mejor elección cuando
se requiere un valor alto para la razón conexion-
desconexion es utilizar el interruptor serie, debido a
que tiene un valor mucho mayor que el interruptor
paralelo. [9]
9. JFET COMO AMPLIFICADOR
Se verá el uso del transistor JFET en circuitos de
amplificación, se hace el estudio para un transistor
JFET de canal n, en esta ocasión el circuito a utilizar
se polariza por divisor de tensión ya que es el más
estable en comparación con los demás tipos de
polarización del JFET, la ganancia en tensión que se
logra con un transistor JFET es pequeña con respecto
a lo que se puede ganar en un circuito de
amplificación de un transistor BJT, lo que si se logra
con un circuito de amplificación hecho con un JFET,
es la obtención de corriente analógica a través del
drenador, a partir de una pequeña de señal de tensión
analógica vgs, que en la figura correspondería a
fuente analógica vi. [10]
10. MOSFET COMO INTERRUPTOR
El MOSFET como interruptor se emplea
frecuentemente en electrónica digital, para transmitir o
no, los estados lógicos a través de un circuito. Existe,
sin embargo, una pequeña dificultad: cuando el
MOSFET tipo N actúa como cortocircuito es capaz de
transmitir las tensiones bajas; sin embargo, las
tensiones altas se ven disminuidas en una cantidad
igual al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en
ésta ha de ser VH (VH > VT). Al transmitir VH, el
terminal de la izquierda actúa como Drenador, ya que
está a una tensión más alta, y el de la derecha como
Fuente. A medida que la tensión en el terminal de
Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la
Fuente, VGS, disminuye. Todo esto ocurre hasta que
la tensión de la Fuente alcanza el valor VH-VT,
momento en que VGS iguala la tensión umbral y el
transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensión VL el terminal de la
izquierda actúa como Fuente y el de la derecha como
Drenador. La tensión entre la Puerta y la Fuente
permanece en todo momento constante, a igual a VH-
VL (valor que debe ser superior a la tensión umbral),
por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL. [11]
3
Figura4: MOFET como interruptor
Fuente: (Ecuared, 2011)
11. MOSFET COMO AMPLIFICADOR
Si se combina este aumento de impedancia con
la resistencia serie que se coloca en la compuerta
para evitar auto-oscilaciones, se puede por ejemplo
hacer que cada uno de los mosfet presente una
impedancia de 50 Ohms a la red de entrada. No es
necesario que sea un valor determinado, pero los
transformadores tipo líneas de transmisión multiplican
por valores enteros, como 4 a 1, 9 a 1, etc. Como
ejemplo, 4 mosfet cuya impedancia sea de 50 Ohms
puestos en paralelo y a través de un transformador 1 a
4, se verán nuevamente como 50 Ohms, por lo que
tendremos adaptada la entrada para nuestro
transceptor.
Aumentar la impedancia que presenta cada compuerta
a la red de entrada. El efecto sobre la entrada equivale
a colocar una resistencia en serie con la compuerta,
que es igual a la del drenaje multiplicado por la
ganancia del mosfet. [12]
12. CONCLUCIONES
Un MOSFET es un transistor de efecto de campo
por medio de un semiconductor óxido que se usa
como dieléctrico. De otra forma, es un transistor
(conduce o no conduce la corriente) en el que se
utiliza un campo eléctrico para controlar su conducción
y que su dieléctrico es un metal de óxido.
Es posible analizar un amplificador como un
sistema con entrada única y salida única, por esta
razón respecto a las tres configuraciones de
amplificación usuales es posible concluir que la
aplicación de una sobre la otra depende
exclusivamente del problema a tratar.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos
que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También
tendremos que conocer una serie de valores máximos
de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo.
En los MOSFET de acumulación a partir de un
cierto valor umbral de UGS (intensidad en la puerta) se
forma el canal y puede circular la corriente de
drenador.
 13. RECOMENDACIONES
Se recomienda utilizar el respectivo datasheet de
los FET para verificar sus características.

Se recomienda calcular con el IDSS y el Vp real,

para que los cálculos sean más exactos.

Aplicando una onda cuadrada en los terminales

UGS (intensidad en la puerta) se puede conseguir que
el JFET actúe como un interruptor.

14. REFERENCIAS

[1],[2], Díaz, A. (19 de noviembre de 2013). Electrónica

Unicrom. Obtenido de
http://unicrom.com/transistor-mosfet/
[3],[4], Ecuared. (26 de abril de 2011). Obtenido de
https://www.ecured.cu/Transistor_MOSFET
[5],[6],[7] García, V. (15 de noviembre de 2012).
Electrónica Practica Aplicada. Obtenido de
http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-
transistor-mosfet
[8],[9],[10] (5 de mayo de 2010). Obtenido de
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-
jfet/conociendo-el-jfet/
[11],[12], MrElberni. (24 de marzo de 2014). Obtenido
de http://mrelbernitutoriales.com/transistor-
jfet/conociendo-el-jfet/pruebas-con-el-
jfet/curva-de-transferencia-del-
jfet/polarizacion-del-jfet/