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PRACTICA 1
Laboratorio
Autores:
Carlos Márquez.
C.I:27098313
Gerardo Roye.
C.I:23950396
Profesor:
Tremante Panayotis
1.6 1.44
1.4
1.14
1.2
Corriente del diodo [mA]
0.94
1 0.84
0.8 0.64
0.6
0.4
0.2 0.02 0.05
0
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
‐0.2
Voltaje del diodo [v]
Figura 2.1 Modelo estático (1N4007) Figura 2.2 Modelo estático (1N4148)
Como ya dijimos, la escala a la hora de visualizar en el osciloscopio puede
que no haya sido la correcta pues arrojó datos prácticamente iguales para ambos
diodos, lo que no permite una correcta comparación entre ambos. El problema
radica en el orden de los decimales obtenidos, pero usando los datos del fabricante,
se puede terminar de construir el modelo dinámico a gran escala (se utilizó este
modelo porque los datos están espaciados en gran medida).
Del gráfico de la Figura 1 se puede concluir que las tensiones umbrales de
ambos diodos están alrededor de 0.6±0.1V, teniendo coherencia con los datos antes
expuestos y lo que reafirma lo conseguido con el modelo estático presentado en la
Figura 2.1 y en la Figura 2.2. Sin embargo, no poseemos datos prácticos para el
correcto trazado del modelo dinámico, por lo que usaremos los datos del fabricante.
El modelo dinámico a gran escala del diodo 1N4007 se puede observar en la figura
2.3 mientras que el del diodo 1N4148 en la Figura 2.4.
Figura 2.3 Modelo dinámico a gran escala del diodo 1N4007
a) b)
c)
Figura 3.1 a) Caída de tensión en la resistencia, b) Onda de tensión en el
diodo, c) Ambas ondas mostradas al mismo tiempo
a) b)
c)
Figura 3.2 a) Caída de tensión en la resistencia, b) Onda de tensión en el
diodo, c) Ambas ondas mostradas al mismo tiempo
Si observamos con detenimiento, las ondas presentadas por ambos diodos
se asemejan, pero lo importante aquí es observar cada tensión por separado y su
aporte al circuito. Vemos como tanto la Figura 3.2 a) como la Figura 3.1 a) nos
muestran una onda similar y que nos indica que al momento en que el diodo no
conduce, su caída presenta una variación con respecto a la onda senoidal,
comprimiendo la parte negativa y atenuándola con el tiempo antes de empezar el
siguiente ciclo. Cuando el diodo conduce, se observa que el pico de la onda, es
menor al de la onda proporcionada, lo que se deduce a que allí ocurre una caída de
la tensión suministrada.
La tensión del diodo se midió con la tierra en B, por lo que lo observado
corresponde a la menos tensión del diodo, esto último es de gran importancia para
entender las gráficas simultaneas.
En cuanto al diodo solo tenemos dos casos, cuando conduce y cuando no
conduce, como se puede detallar en las Figuras 3.1 b) y 3.2 b). Cuando conduce, la
onda permanece igual y su pico solo se reduce en magnitud a causa del umbral de
cada diodo. Cuando no conduce, se aprecia que el voltaje no es cero, por lo
contrario, marca una tensión negativa que se acerca al valor del umbral del diodo.
Comparando ambas ondas como en las Figuras 3.1 c) y 3.2 c) podemos
reafirmar lo antes dicho, y a su vez, corroborar el aporte de ambos componentes
(resistencia y diodo) a la onda suministrada al mismo tiempo. Recordemos que se
está midiendo la caída de tensión sobre la resistencia y la tensión en el diodo con
la tierra en B, es decir, la tensión está invertida con respecto a la polarización del
diodo.
Al colocar el osciloscopio para trabajar con el modo X-Y, se reafirmó lo que
hemos venido diciendo hasta ahora con respecto al umbral y se consiguió una curva
característica para ambos diodos que difiere de la curva experimental ya que esta
última contiene errores de medición ocasionados por la escala utilizada, pero
coincide con datos proporcionados por el fabricante de ambos diodos, dichas
características son presentadas en la Figura 4.1 y 4.2
a) b)
Figura 4.1 a) Referencia del sistema, b) Curva característica del diodo
1N4007 (negativa)
a) b)
Figura 4.2 a) Referencia del sistema, b) Curva característica del diodo
1N4148 (negativa)
Por último, si la entrada fuese una onda triangular en vez de una senoidal, la
característica observada en el osciloscopio cambiaría si lo que observamos es la
forma de la onda en la tensión del diodo pues al ser la entrada de carácter triangular
veríamos una onda triangular con su parte negativa siendo suprimida de la imagen.
Sin embargo, si lo que buscamos de ver es la característica del diodo mediante la
función X-Y del osciloscopio, nos encontraríamos con la misma gráfica que se
presentó con una onda senoidal.
CONCLUSIÓN
La práctica nos ha proporcionado la capacidad de entender el funcionamiento del
diodo de manera práctica, observar sus características y de acuerdo con ellas hacer un
correcto uso del componente en un circuito. También nos demuestra lo importante de saber
leer las indicaciones del fabricante para manejar de manera adecuada el componente. Es
importante realzar que la correcta utilización de la escala al momento de medir
proporcionará datos más cercanos a la realidad y con menos error, lo que se reduce a una
mejor apreciación del fenómeno físico que está ocurriendo. Además, se pudo constatar la
actuación del diodo frente a una onda y su interacción con un circuito que no trabaja con
voltaje en DC, corroborando lo visto en la teoría. Por último, aprendimos una manera de
estudiar la característica de un diodo de manera práctica mediante el uso del osciloscopio
y su función X-Y.
ANEXOS
PreLaboratorio de la práctica 1
Pregunta 1.1:
En los anexos se muestran las hojas de los fabricantes de los diodos 1N4007 y 1N4148
de donde se extrajeron las siguientes especificaciones:
Diodo 1N4007:
Tensión umbral en polarización directa: VD=1.1 v @ ID=1 A
Esta fue extraída de la tabla “electrical characteristics at specified
ambient temperature” del manual de Texas instruments, en donde esta
denotada como Vf (Static forward voltaje). En gráficas de otros
fabricantes se puede apreciar la curva del codo donde la tensión umbral
se acerca a los 1.1 V pero la tensión a partir de donde empieza a elevarse
los valores de corriente ronda los 0.68 v (tensión de codo).
Voltaje pico en polarización inversa: Vpi=1000 v
Esta está indicada en la primera tabla del manual del fabricante Texas
Instruments llamada “absolute maximum ratings at specific ambient
temperature” en donde se denota como VRM (Peak Reverse Voltage).
Corriente máxima en polarización directa: Imax=30 A
En el manual del fabricante no se indica la potencia que disipa el
dispositivo ni la potencia máxima que soporta, pero si se indica la
máxima corriente que puede circular por este la cual se muestra como
IFSM en la primera página del manual. De aquí pudiéramos sacar el
producto de esa corriente máxima por el voltaje máximo y conseguir la
potencia máxima.
Diodo 1N4148:
Tensión umbral en polarización directa: VD= 1 v @ ID=20 mA
Esta está indicada en la tabla “Electrical Characteristics” del manual del
fabricante Fairchild como VF (Forward Voltage). La tensión de codo se
aproxima a los 0.72 v.
Voltaje pico en polarización inversa: Vpi=100 v @ ID=100 A
Esta fue extraída de la misma tabla de la anterior. Esta denotada como
VR (Breakdown Voltage).
Potencia disipada: PD=500 mW
Fue extraída de la tabla “Thermal Characterictics” del manual del
fabricante y esta denotada como PD (Power Dissipation).
Pregunta 1.3:
Para obtener la curva característica del diodo se deben probar varias tensiones con la
fuente variable del circuito de tal manera que se pueda obtener varios pares ordenados y así
graficar la característica del diodo. A medida que se aumenta la tensión en la fuente, la corriente
del circuito debería aumentar de manera exponencial, por lo cual las variaciones en la fuente dc
deben hacerse de manera minuciosa para así poder apreciar con más claridad los puntos
importantes de la característica del diodo (el codo). Los puntos muy alejados del codo no son
tan importantes como aquellos cercanos a este, por los que los primeros puntos a evaluar deben
ser aquellos que estén cerca del valor umbral de la tensión para así conseguir el momento en
que empieza a conducir o deja de hacerlo. En resumen, el procedimiento es sencillo y consiste
de variar las tensiones a la que se ve sometido el diodo; solo se debe tener una fuente variable
para dar con los valores importantes de acuerdo a sus capacidades y características.
Pregunta 1.4:
Diodo 1N4007 Diodo 1N4148
El valor máximo de la fuente será de 5 voltios La fuente a la que se verá sometido el diodo
pues valores más allá no me permitirían puede tomar valores máximos iguales a los
apreciar con detalle la zona umbral. También del caso del diodo 1N4007.
se podría colocar la tensión de 10 voltios
como máximo voltaje y hacer el circuito del
inciso 1.2.
Se utilizarán incrementos variables, pues hay De igual manera se utilizarán incrementos
zonas donde los incrementos deben ser más variables. Cerca del codo intervalos más
pequeños (zona del codo) y otras donde chicos y alejándonos de él, valores más
pueden ser más grandes con el fin de espaciados entre sí.
presentar la curva del diodo de manera mas
rápida.
Voltajes (en voltios): Voltajes (en voltios):
0.6‐0.7‐0.9‐1‐1.1‐1.2‐1.6‐2.4‐4‐5 0.6‐0.7‐0.8‐1‐1.1‐1.2‐1.6‐2.4‐4‐5
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol Characteristic Max Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
PD Power Dissipation 500 mW
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 °C/W
2002 Fairchild Semiconductor Corporation 1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448, Rev. B
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
(continued)
Typical Characteristics
160 120
o
Ta=25 C T a= 25 C
o
100
Reverse Current, IR [nA]
150
Reverse Voltage, VR [V]
80
140
60
130
40
120 20
0
110 10 20 30 50 70 100
1 2 3 5 10 20 30 50 100 R everse V oltage, V R [V]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
Reverse Current, IR [uA] double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
BV - 1.0 to 100 uA IR - 10 to 100 V
550 750
o o
Ta= 25 C Ta= 25 C
500 700
Forward Voltage, VR [mV]
450 650
400 600
350 550
300 500
250 450
1 2 3 5 10 20 30 50 100 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
Forward Current, IF [uA] Forward Current, I F [m A]
Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1 to 100 uA VF - 0.1 to 10 mA
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
(continued)
1.6 900
o
Ta= 25 C
Typical
800
1.2 o
Ta= 25 C
600
400
0.8
300
0.90 4.0
o o
TA = 25 C
Reverse Recovery Time, t rr [ns]
Ta = 25 C
3.5
Total Capacitance (pF)
0.85 3.0
2.5
2.0
0.80
1.5
1.0
0.75 10 20 30 40 50 60
0 2 4 6 8 10 12 14
Reverse Recovery Current, Irr [mA]
REVERSE VOLTAGE (V) IF = 10mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms
Figure 7. Total Capacitance Figure 8. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current
500 500
Power Dissipation, PD [mW]
400 400
DO-35
Current (mA)
300 300
IF( SOT-23
AV ) - A VE
200 R AG 200
E RE
C TIFIE
D CU
R RE
NT -
100 mA
100
0
0 50 100 150 0
0 50 100 150 200
o
Ambient Temperature ( C) o
Temperature [ C]
Figure 9. Average Rectified Current (IF(AV)) Figure 10. Power Derating Curve
versus Ambient Temperature (TA)
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Rev. H5