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REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA


FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

PRACTICA 1
Laboratorio

Autores:
Carlos Márquez.
C.I:27098313
Gerardo Roye.
C.I:23950396

Profesor:
Tremante Panayotis

Caracas, mayo de 2018.


RESUMEN
El laboratorio tuvo como finalidad enseñarnos de manera práctica el
comportamiento del diodo en un circuito con corriente continua y sus características
ante una señal de entrada. Para ello se utilizó el osciloscopio como único
instrumento de medición, lo que nos permitió observar las características de cada
diodo de manera gráfica y explícita. Se midieron las tensiones tanto en los diodos
como en la resistencia y se observaron las formas de ondas en dichos componentes
cuando la tensión de entrada en el sistema se caracterizaba por ser una señal de
carácter senoidal.
PRESENTACIÓN DE RESULTADOS
Tabla 1. Datos obtenidos en los experimentos 1.2.1 y 1.2.2
Diodo Tensión [v] Corriente [mA]
1N4007 0.6±0.1 0.94
1N4148 0.5±0.1 0.95

Tabla 2. Tensiones para la curva experimental del diodo 1N4007


0.3 0.5 1 7 9 10 12 15
0 0.02 0.05 0.64 0.84 0.94 1.14 1.44
0.3±0. 0.3±0. 0.5±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0.
1 1 1 1 1 1 1 1
: , : , :

Tabla 3. Tensiones para la curva experimental del diodo 1N4007


0.3 0.5 1 7 9 10 12 15
0.00 0.02 0.05 0.64 0.84 0.94 1.14 1.44
0.3±0. 0.3±0. 0.5±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0. 0.6±0.
1 1 1 1 1 1 1 1
: , : , :

1.6 1.44
1.4
1.14
1.2
Corriente del diodo [mA]

0.94
1 0.84
0.8 0.64
0.6
0.4
0.2 0.02 0.05
0
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
‐0.2
Voltaje del diodo [v]

Figura 1. Curva experimental del diodo (1N4148 y 1N4007)


ANÁLISIS DE RESULTADOS
De acuerdo a los datos presentados en la Tabla 1, la Tabla 2 y la Tabla 3
podemos deducir que la tensión umbral de ambos diodos se encuentra en 0.6±0.1
V. Si bien pareciera que ambos diodos trabajan de igual manera, el hecho de que
los resultados sean tan parecidos puede deberse a que nuestro error a la hora de
medir tenía como mínima medida los 0.1 V y conforme a ello es que se obtuvieron
las apreciaciones, pero estudiando los datos del fabricante podemos entender que
los diodos no trabajan igual y que discrepan en las tensiones umbrales, en el diodo
1N4007 ronda los 0.68 V mientras que el diodo 1N4148 los 0.72 V. Por consiguiente,
el modelo estático de cada diodo tiene la forma que se presenta en la Figura 2.1 y
en la Figura 2.2.

Figura 2.1 Modelo estático (1N4007) Figura 2.2 Modelo estático (1N4148)
Como ya dijimos, la escala a la hora de visualizar en el osciloscopio puede
que no haya sido la correcta pues arrojó datos prácticamente iguales para ambos
diodos, lo que no permite una correcta comparación entre ambos. El problema
radica en el orden de los decimales obtenidos, pero usando los datos del fabricante,
se puede terminar de construir el modelo dinámico a gran escala (se utilizó este
modelo porque los datos están espaciados en gran medida).
Del gráfico de la Figura 1 se puede concluir que las tensiones umbrales de
ambos diodos están alrededor de 0.6±0.1V, teniendo coherencia con los datos antes
expuestos y lo que reafirma lo conseguido con el modelo estático presentado en la
Figura 2.1 y en la Figura 2.2. Sin embargo, no poseemos datos prácticos para el
correcto trazado del modelo dinámico, por lo que usaremos los datos del fabricante.
El modelo dinámico a gran escala del diodo 1N4007 se puede observar en la figura
2.3 mientras que el del diodo 1N4148 en la Figura 2.4.
Figura 2.3 Modelo dinámico a gran escala del diodo 1N4007

Figura 2.4 Modelo dinámico a gran escala del diodo 1N4148


Para el diodo 1N4007 se observaron las gráficas de la Figura 3.1 y el diodo
1N4148 nos arrojó las gráficas de la Figura 3.2.

a) b)

c)
Figura 3.1 a) Caída de tensión en la resistencia, b) Onda de tensión en el
diodo, c) Ambas ondas mostradas al mismo tiempo
a) b)

c)
Figura 3.2 a) Caída de tensión en la resistencia, b) Onda de tensión en el
diodo, c) Ambas ondas mostradas al mismo tiempo
Si observamos con detenimiento, las ondas presentadas por ambos diodos
se asemejan, pero lo importante aquí es observar cada tensión por separado y su
aporte al circuito. Vemos como tanto la Figura 3.2 a) como la Figura 3.1 a) nos
muestran una onda similar y que nos indica que al momento en que el diodo no
conduce, su caída presenta una variación con respecto a la onda senoidal,
comprimiendo la parte negativa y atenuándola con el tiempo antes de empezar el
siguiente ciclo. Cuando el diodo conduce, se observa que el pico de la onda, es
menor al de la onda proporcionada, lo que se deduce a que allí ocurre una caída de
la tensión suministrada.
La tensión del diodo se midió con la tierra en B, por lo que lo observado
corresponde a la menos tensión del diodo, esto último es de gran importancia para
entender las gráficas simultaneas.
En cuanto al diodo solo tenemos dos casos, cuando conduce y cuando no
conduce, como se puede detallar en las Figuras 3.1 b) y 3.2 b). Cuando conduce, la
onda permanece igual y su pico solo se reduce en magnitud a causa del umbral de
cada diodo. Cuando no conduce, se aprecia que el voltaje no es cero, por lo
contrario, marca una tensión negativa que se acerca al valor del umbral del diodo.
Comparando ambas ondas como en las Figuras 3.1 c) y 3.2 c) podemos
reafirmar lo antes dicho, y a su vez, corroborar el aporte de ambos componentes
(resistencia y diodo) a la onda suministrada al mismo tiempo. Recordemos que se
está midiendo la caída de tensión sobre la resistencia y la tensión en el diodo con
la tierra en B, es decir, la tensión está invertida con respecto a la polarización del
diodo.
Al colocar el osciloscopio para trabajar con el modo X-Y, se reafirmó lo que
hemos venido diciendo hasta ahora con respecto al umbral y se consiguió una curva
característica para ambos diodos que difiere de la curva experimental ya que esta
última contiene errores de medición ocasionados por la escala utilizada, pero
coincide con datos proporcionados por el fabricante de ambos diodos, dichas
características son presentadas en la Figura 4.1 y 4.2

a) b)
Figura 4.1 a) Referencia del sistema, b) Curva característica del diodo
1N4007 (negativa)
a) b)
Figura 4.2 a) Referencia del sistema, b) Curva característica del diodo
1N4148 (negativa)

Por último, si la entrada fuese una onda triangular en vez de una senoidal, la
característica observada en el osciloscopio cambiaría si lo que observamos es la
forma de la onda en la tensión del diodo pues al ser la entrada de carácter triangular
veríamos una onda triangular con su parte negativa siendo suprimida de la imagen.
Sin embargo, si lo que buscamos de ver es la característica del diodo mediante la
función X-Y del osciloscopio, nos encontraríamos con la misma gráfica que se
presentó con una onda senoidal.
CONCLUSIÓN
La práctica nos ha proporcionado la capacidad de entender el funcionamiento del
diodo de manera práctica, observar sus características y de acuerdo con ellas hacer un
correcto uso del componente en un circuito. También nos demuestra lo importante de saber
leer las indicaciones del fabricante para manejar de manera adecuada el componente. Es
importante realzar que la correcta utilización de la escala al momento de medir
proporcionará datos más cercanos a la realidad y con menos error, lo que se reduce a una
mejor apreciación del fenómeno físico que está ocurriendo. Además, se pudo constatar la
actuación del diodo frente a una onda y su interacción con un circuito que no trabaja con
voltaje en DC, corroborando lo visto en la teoría. Por último, aprendimos una manera de
estudiar la característica de un diodo de manera práctica mediante el uso del osciloscopio
y su función X-Y.
ANEXOS
PreLaboratorio de la práctica 1

Pregunta 1.1: 

En los anexos se muestran las hojas de los fabricantes de los diodos 1N4007 y 1N4148 
de donde se extrajeron las siguientes especificaciones: 

 Diodo 1N4007:
 Tensión umbral en polarización directa:  VD=1.1 v   @   ID=1 A 
Esta  fue  extraída  de  la  tabla  “electrical  characteristics  at  specified 
ambient temperature” del manual de Texas instruments, en donde esta 
denotada  como  Vf  (Static  forward  voltaje).  En  gráficas  de  otros 
fabricantes se puede apreciar la curva del codo donde la tensión umbral 
se acerca a los 1.1 V pero la tensión a partir de donde empieza a elevarse 
los valores de corriente ronda los 0.68 v (tensión de codo). 
 Voltaje pico en polarización inversa:    Vpi=1000 v 
Esta está indicada en la primera tabla del manual del fabricante Texas 
Instruments  llamada  “absolute  maximum  ratings  at  specific  ambient 
temperature” en donde se denota como VRM (Peak Reverse Voltage). 
 Corriente máxima en polarización directa:   Imax=30 A 
En  el  manual  del  fabricante  no  se  indica  la  potencia  que  disipa  el 
dispositivo  ni  la  potencia  máxima  que  soporta,  pero  si  se  indica  la 
máxima corriente que puede circular por este la cual se muestra como 
IFSM  en  la  primera  página  del  manual.  De  aquí  pudiéramos  sacar  el 
producto de esa corriente máxima por el voltaje máximo y conseguir la 
potencia máxima. 
 Diodo 1N4148:
 Tensión umbral en polarización directa:  VD= 1 v      @   ID=20 mA 
Esta está indicada en la tabla “Electrical Characteristics” del manual del 
fabricante Fairchild como VF (Forward Voltage). La tensión de codo se 
aproxima a los 0.72 v. 
 Voltaje pico en polarización inversa:    Vpi=100 v  @   ID=100 A 
Esta fue extraída de la misma tabla de la anterior. Esta denotada como 
VR (Breakdown Voltage). 
 Potencia disipada:        PD=500 mW 
Fue  extraída  de  la  tabla  “Thermal  Characterictics”  del  manual  del 
fabricante y esta denotada como PD (Power Dissipation). 
Pregunta 1.3: 

  Para obtener la curva característica del diodo se deben probar varias tensiones con la 
fuente variable del circuito de tal manera que se pueda obtener varios pares ordenados y así 
graficar la característica del diodo. A medida que se aumenta la tensión en la fuente, la corriente 
del circuito debería aumentar de manera exponencial, por lo cual las variaciones en la fuente dc 
deben  hacerse  de  manera  minuciosa  para  así  poder  apreciar  con  más  claridad  los  puntos 
importantes de la característica del diodo (el codo). Los puntos muy alejados del codo no son 
tan importantes como aquellos cercanos a este, por los que los primeros puntos a evaluar deben 
ser aquellos que estén cerca del valor umbral de la tensión para así conseguir el momento en 
que empieza a conducir o deja de hacerlo. En resumen, el procedimiento es sencillo y consiste 
de variar las tensiones a la que se ve sometido el diodo; solo se debe tener una fuente variable 
para dar con los valores importantes de acuerdo a sus capacidades y características. 

Pregunta 1.4: 

Diodo 1N4007  Diodo 1N4148 
El valor máximo de la fuente será de 5 voltios  La fuente a la que se verá sometido el diodo 
pues  valores  más  allá  no  me  permitirían  puede  tomar  valores  máximos  iguales  a  los 
apreciar con detalle la zona umbral. También  del caso del diodo 1N4007. 
se  podría  colocar  la  tensión  de  10  voltios 
como máximo voltaje y hacer el circuito del 
inciso 1.2. 
Se utilizarán incrementos variables, pues hay  De  igual  manera  se  utilizarán  incrementos 
zonas donde los incrementos deben ser más  variables.  Cerca  del  codo  intervalos  más 
pequeños  (zona  del  codo)  y  otras  donde  chicos  y  alejándonos  de  él,  valores  más 
pueden  ser  más  grandes  con  el  fin  de  espaciados entre sí. 
presentar la curva del diodo de manera mas 
rápida. 
Voltajes (en voltios):  Voltajes (en voltios): 
0.6‐0.7‐0.9‐1‐1.1‐1.2‐1.6‐2.4‐4‐5  0.6‐0.7‐0.8‐1‐1.1‐1.2‐1.6‐2.4‐4‐5 
 
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448

Small Signal Diode


Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Value Units


VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second 1.0 A
Pulse Width = 1.0 microsecond 4.0 A
Tstg Storage Temperature Range -65 to +200 °C
TJ Operating Junction Temperature 175 °C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics
Symbol Characteristic Max Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
PD Power Dissipation 500 mW
RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 °C/W

2002 Fairchild Semiconductor Corporation 1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448, Rev. B
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
(continued)

Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units


VR Breakdown Voltage IR = 100 µA 100 V
IR = 5.0 µA 75 V
VF Forward Voltage 1N914B/4448 IF = 5.0 mA 620 720 mV
1N916B IF = 5.0 mA 630 730 mV
1N914/916/4148 IF = 10 mA 1.0 V
1N914A/916A IF = 20 mA 1.0 V
1N916B IF = 20 mA 1.0 V
1N914B/4448 IF = 100 mA 1.0 V
IR Reverse Current VR = 20 V 25 nA
VR = 20 V, TA = 150°C 50 µA
VR = 75 V 5.0 µA
CT Total Capacitance
1N916A/B/4448 VR = 0, f = 1.0 MHz 2.0 pF
1N914A/B/4148 VR = 0, f = 1.0 MHz 4.0 pF
trr Reverse Recovery Time IF = 10 mA, VR = 6.0 V (60mA), 4.0 ns
Irr = 1.0 mA, RL = 100Ω

Typical Characteristics
160 120
o
Ta=25 C T a= 25 C
o

100
Reverse Current, IR [nA]

150
Reverse Voltage, VR [V]

80
140

60

130
40

120 20

0
110 10 20 30 50 70 100
1 2 3 5 10 20 30 50 100 R everse V oltage, V R [V]
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
Reverse Current, IR [uA] double for every ten (10) Degree C increase in Temperature

Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
BV - 1.0 to 100 uA IR - 10 to 100 V

550 750
o o
Ta= 25 C Ta= 25 C
500 700
Forward Voltage, VR [mV]

Forward Voltage, VF [mV]

450 650

400 600

350 550

300 500

250 450
1 2 3 5 10 20 30 50 100 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
Forward Current, IF [uA] Forward Current, I F [m A]
Figure 3. Forward Voltage vs Forward Current Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1 to 100 uA VF - 0.1 to 10 mA
1N/FDLL 914/A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
(continued)

Typical Characteristics (continued)

1.6 900
o
Ta= 25 C
Typical
800

Forward Voltage, V F [mV]


o
Forward Voltage, VF [mV]

1.4 Ta= -40 C


700

1.2 o
Ta= 25 C
600

1.0 500 Ta= +65 C


o

400
0.8

300

0.6 0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 10


10 20 30 50 100 200 300 500 800
Forward Current, IF [mA] Forward Current, IF [mA]
Figure 5. Forward Voltage vs Forward Current Figure 6. Forward Voltage
VF - 10 to 800 mA vs Ambient Temperature
VF - 0.01 - 20 mA (-40 to +65 Deg C)

0.90 4.0
o o
TA = 25 C
Reverse Recovery Time, t rr [ns]

Ta = 25 C
3.5
Total Capacitance (pF)

0.85 3.0

2.5

2.0
0.80

1.5

1.0
0.75 10 20 30 40 50 60
0 2 4 6 8 10 12 14
Reverse Recovery Current, Irr [mA]
REVERSE VOLTAGE (V) IF = 10mA - IRR = 1.0 mA - Rloop = 100 Ohms
Figure 7. Total Capacitance Figure 8. Reverse Recovery Time vs
Reverse Recovery Current

500 500
Power Dissipation, PD [mW]

400 400
DO-35
Current (mA)

300 300

IF( SOT-23
AV ) - A VE
200 R AG 200
E RE
C TIFIE
D CU
R RE
NT -
100 mA
100

0
0 50 100 150 0
0 50 100 150 200
o
Ambient Temperature ( C) o
Temperature [ C]
Figure 9. Average Rectified Current (IF(AV)) Figure 10. Power Derating Curve
versus Ambient Temperature (TA)
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