ÍNDICE

Introducción ................................................................................................................................... 2
Objetivo .............................................................................................................................................. 3
Marco teórico..................................................................................................................................... 3
Imperfecciones cristalinas ........................................................................................................... 4
Defectos puntuales....................................................................................................................... 4
Defectos lineales .......................................................................................................................... 4
Dislocaciones de tornillo .......................................................................................................... 5
Dislocación de borde o arista ................................................................................................. 5
Dislocación mixta ...................................................................................................................... 5
Defectos planares......................................................................................................................... 5
Defectos volumétricos ................................................................................................................. 6
Técnicas para analizar microestructuras y defectos ............................................................... 6
Microscopio electrónico de transmisión ................................................................................ 6
Microscopia óptica .................................................................................................................... 6
Microscopia electrónica ........................................................................................................... 7
Microscopia electrónica de barrido ........................................................................................ 7
Microscopía de barrido con sonda ......................................................................................... 7
Conclusión ......................................................................................................................................... 9
Bibliografía ....................................................................................................................................... 10
Introducción
El arreglo de los átomos o de los iones en los materiales diseñados tiene
imperfecciones o defectos. Con frecuencia, estos defectos tienen un efecto
profundo sobre las propiedades de los materiales.

Las imperfecciones o defectos en un material cristalino son de tres tipos

generales: defectos puntuales, defectos lineales (o dislocaciones) y defectos
superficiales. Estas imperfecciones sólo representan defectos en, o desviaciones,
respecto a los arreglos atómicos perfectos o ideales, en una estructura cristalina
dada. El material no se considera defectuoso desde el punto de vista de la
aplicación. En muchas aplicaciones es útil la presencia de estos defectos sin
embargo, hay unas pocas aplicaciones en donde se trata de minimizar
determinada clase de defectos. Por ejemplo, los defectos llamados dislocaciones
son útiles para aumentar la resistencia de los metales y las aleaciones; sin
embargo, en el silicio monocristalino que se utiliza para fabricar chips de
computadora, no es deseable la presencia de dislocaciones. Con frecuencia, se
puede crear de forma intencional los defectos para obtener determinado conjunto
de propiedades electrónicas, ópticas y mecánicas. Por ejemplo el hierro puro es
relativamente suave pero cuando se le agrega una pequeña cantidad de carbono
se crean defectos en el arreglo cristalino del hierro y se convierte en un acero al
carbono, que tiene una resistencia bastante mayor.

Las dislocaciones son defectos lineales, que cuando se aplica una fuerza a un
material metálico, se mueven y deforman plásticamente ese material.

2
Objetivo
Lograr clasificar los diversos tipos de imperfecciones cristalinas y entender el
papel de los defectos sobre las propiedades mecánicas y eléctricas de los
materiales cristalinos y aprender cómo se aplican las técnicas de microscopia
óptica, SEM, TERM, HRTEM, AFM y STM, para comprender más acerca de las
estructuras internas y superficiales de los materiales a diversas magnificaciones.

Marco teórico
En realidad, no existen cristales perfectos pues contienen varios tipos de defectos
que afectan a muchas de las propiedades físicas y mecánicas, que a su vez
afectan a muchas propiedades importantes de los materiales para ingeniería,
como la conformación en frío de aleaciones, la conductividad eléctrica de
semiconductores, la velocidad de migración de los átomos en aleaciones y la
corrosión de los metales.

Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican según su forma y geometría.

Los tres grupos principales son: 1) defectos puntuales o de dimensión cero, 2)
defectos de línea o de una dimensión (dislocaciones) y 3) defectos de dos
dimensiones que incluyen superficies externas y superficies de límite de grano.
Los defectos macroscópicos tridimensionales o de volumen también pueden
incluirse. Ejemplos de estos defectos, son: poros, fisuras e inclusiones.

3
Imperfecciones cristalinas

Defectos puntuales
Los defectos puntuales son interrupciones localizadas en arreglos atómicos o
iónicos que, si no fuera por ellos, serían perfectos en una estructura cristalina. Aun
cuando se les llama defectos puntuales, la alteración afecta una región donde
intervienen varios átomos o iones.

Estas imperfecciones se pueden introducir por el movimiento de los átomos o los

iones al aumentar la energía por calentamiento, durante el procesamiento del
material por introducción de impurezas o por dopado. En el caso normal, las
impurezas son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en el
procesamiento. Por ejemplo, los cristales de silicio que carecen en crisoles de
cuarzo contienen oxígeno como impureza. Por otra parte, los dopantes son
elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en
concentraciones conocidas, en lugares específicos de la microestructura,
buscando un efecto benéfico sobre las propiedades o el procesamiento. En
general, el efecto de las impurezas en las propiedades de los materiales es
nocivo, mientras que el de los dopantes es útil. El fosforo y el boro son ejemplos
de dopantes que se agregan a cristales de silicio para mejorar las propiedades
eléctricas de silicio puro.

Un defecto puntual implica en general a uno o un par de átomos o iones y, en

consecuencia, es distinto de los defectos extendidos, como dislocaciones, límites
de grano, etc. Un ‘‘punto ’’ importante acerca de los defectos es que, aunque se
presentan en uno o dos sitios, su presencia es ‘‘sentida’’ en distancias mucho
mayores en el material cristalino.

Una intersticidad (o defecto puntual autointerstical) se crea cuando un átomo

idéntico a los puntos normales de red está en una posición intersticial. Es más
probable encontrar estos defectos en una estructura cristalinas que tiene bajo
factor de empaquetamiento.

Defectos lineales
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera
sería perfecto. Se suelen introducir en el cristal durante la solidificación del
material o cuando el material se deforma permanentemente. Aunque en todos los
materiales, incluyendo cerámicos y polímeros, hay dislocaciones, son
especialmente útiles para explicar la deformación y el endurecimiento de los
materiales metálicos. Se puede identificar tres clases de dislocaciones: de tornillo,
de borde o mixta.

4
Dislocaciones de tornillo
La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal
perfecto y, a continuación, torciendo ese cristal una distancia atómica.

Dislocación de borde o arista

Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal
perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de
átomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocación de
borde.

Dislocación mixta
Las dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y de tornillo, con una
región de transición entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers queda igual
para todas las porciones de la dislocación mixta.1

Defectos planares
Los defectos planares incluyen superficies externas, límites de grano, maclas,
bordes de ángulo cerrado, bordes de ángulo abierto, torsiones y fallas de
apilamiento. La superficie libre o externa de cualquier material es el tipo más
común de defecto planar. Las superficies externas se consideran defectos debido
a que los átomos de la superficie están enlazados a otros átomos sólo por un lado.
Por consiguiente, los átomos de la superficie tienen un menor número de vecinos.
Como resultado de ello, estos átomos tienen un mayor estado de energía en
comparación con los átomos situados dentro del cristal, con un número óptimo de
vecinos. La mayor energía asociada con los átomos de la superficie de un material
hace a la superficie susceptible a la erosión y a reaccionar con elementos del
ambiente. Este punto ilustra con mayor claridad la importancia de los defectos en
el desempeño de los materiales. Los límites de grano son los defectos de la
superficie en los materiales policristalinos que separan a los granos (cristales) de
diferentes orientaciones. En los metales, los límites de grano se originan durante
la solidificación, cuando los cristales formados desde diferentes núcleos crecen
simultáneamente juntándose unos con otros . La forma de los límites de grano
está determinada por la restricción impuesta por el crecimiento de los granos
vecinos. se presentan esquemáticamente las superficies de los límites de grano de
una estructura de grano aproximadamente equiaxial.

El límite de grano es una región estrecha entre dos granos de entre dos y cinco
diámetros atómicos de ancho, y es una región de átomos no alineados entre dos
granos adyacentes. El ordenamiento atómico en los límites de grano es menor que
en los granos debido a esta falta de orden. Los límites de grano tienen también

1
(Askeland & Phulé, 2010)
5
algunos átomos en posiciones pensionadas, lo que provoca un aumento de
energía en la región del límite de grano.

Defectos volumétricos
Los defectos volumétricos o tridimensionales se forman cuando un grupo de
átomos o de defectos puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o
poro. De manera inversa, un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse
para formar un precipitado tridimensional. El tamaño de un defecto volumétrico
puede variar desde unos cuantos nanómetros hasta centímetros o, en ocasiones,
puede ser mayor. Los defectos tienen un efecto o influencia considerable en el
comportamiento y desempeño de un material. Finalmente, el concepto de un
defecto tridimensional o volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro
de un material policristalino. 2

En todos los materiales sólidos existen defectos muy grandes como: poros,
grietas, inclusiones extrañas y otras fases. Normalmente se introducen durante las
etapas de procesado y fabricación.3

Técnicas para analizar microestructuras y defectos

Microscopio electrónico de transmisión

Se usa el microscopio electrónico de transmisión (TEM, por sus siglas en inglés),
para observar las dislocaciones. En una imagen normal TEM con aumentos muy
grandes, las dislocaciones aparecen como líneas oscuras. Cuando hay miles de
dislocaciones que se mueven sobre la superficie de un cristal, producen las líneas
visibles llamadas líneas de deslizamiento. A un grupo de líneas de deslizamiento
se le llama banda de deslizamiento.

Microscopia óptica

Es una técnica que se usa para revelar las propiedades microestructurales, como
límites e grano, donde se requiere un aumento aproximado menor que 2000.el
proceso de preparar una muestra de metal y observar su microestructura se llama
metalografía. Se corta, lija y pule una muestra hasta que tenga un acabado de
espejo. A continuación, la superficie se expone al ataque químico, y los límites de
grano se atacan en forma más intensa que el resto del grano. La luz de un
microscopio óptico se refleja o se dispersa en la superficie de la muestra,
dependiendo de la forma en la que esté atacada la superficie. Cuando es mucha la
luz que se dispersa en entidades donde el ataque es más profundo, como los
límites del grano, esas entidades parecen negras. En las muestras cerámicas se

2
(Smith. & Hashemi, 2006)
3
(Callister, 2012)
6
usa con frecuencia una técnica llamada ataque térmico para observar los límites
de grano. Implica pulir y calentar durante corto tiempo un cerámico a temperaturas
inferiores a la de sintetización.

Una forma de especificar el tamaño de grano es con el número de tamaño de

grano ASTM. La cantidad de granos por pulgada cuadrada se determina con una
fotografía del metal, tomada con 100x de aumento. La cantidad N de grano por
pulgada cuadrada se sustituye en la ecuación

N=2n-1

Un número ASTM grande indica muchos granos, o un tamaño pequeño de

partícula, y se correlaciona con mayores resistencias en los metales.4

Microscopia electrónica
El límite máximo de aumentos con un microscopio óptico es de aproximadamente
2000x. En consecuencia, algunos elementos estructurales son muy finos o
pequeños para su observación mediante el microscopio óptico. En esta
circunstancia puede ser útil microscopio electrónico, que es capaz de conseguir
aumentos muy superiores.

La imagen de la estructura investigada se genera utilizando haces de electrones

en lugar de radiación lumínica. Fundamentalmente opera a través de unas lentes
electromagnéticas que enfocan el haz de electrones y forman la imagen; por lo
demás, la geometría delos compuestos de este microscopio es igual a la del
microscopio óptico.

Microscopia electrónica de barrido

El microscopio electrónico de barrido (SEM) es una herramienta de investigación
más reciente extremadamente útil. La superficie de la probeta examinada se barre
con un haz de electrones y el haz reflejado de electrones se recoge y se muestra a
la misma velocidad de barrido en tubo de rayos catódicos.

Esta técnica permite aumentar de10x a 50x, con gran profundidad decampo.

Microscopía de barrido con sonda

El microscopio de barrido con sonsa (SPM), del cual hay distintas versiones,
difiere de los microscopios ópticos y electrónicos.

Alguna de las cualidades que diferencian al SPM de otras técnicas son:

4
(Askeland & Phulé, 2010)
7
Es posible el examen en la escala de nanómetros siempre que sean posibles
aumentos tan altos como 109x; se pueden obtener resoluciones mucho mejores
que con otras técnicas microscópicas.

Se generan imágenes tridimensionales aumentadas que suministran información

topográfica acerca de aspectos de interés.

Algunos SPM pueden ser operados en diferentes ambientes; de modo que una
probeta determinada puede ser examinada en sus ambientes más adecuados. 5

5
(Callister, 2012)
8
Conclusión
Los defectos cristalinos se presentan en todos los materiales cristalinos reales,
incluso a nivel de tamaño iónico y atómico. Las vacantes o posiciones atómicas
vacías en metales pueden explicarse en términos de la agitación térmica de los
átomos y se consideran defectos de red de equilibrio. Las dislocaciones (defectos
de línea) tienen lugares en metales cristalinos y se originan en gran número en los
procesos de solidificación. Las dislocaciones no son defectos de equilibrio y
aumentan la energía interna del metal. Las dislocaciones pueden observarse en
las imágenes del microscopio electrónico de transmisión. Los límites de grano son
defectos de la superficie en metales originados por diferentes orientaciones de
cristales contiguos durante la solidificación. Otros importantes tipos de defectos
que afectan a las propiedades de los materiales, son las maclas, las fronteras de
ángulo pequeño, las fronteras de ángulo grande, las fallas de apilamiento y los
precipitados.

Los especialistas en ciencia e ingeniería de los materiales emplean instrumentos

de alta tecnología para conocer la estructura interna (incluso estructuras
defectuosas), el comportamiento y las fallas de los materiales. Instrumentos como
metalógrafos, SEM, TEM (HRTEM) y SPM permiten el análisis de los materiales
en el intervalo macro a nano. Sin tales instrumentos la comprensión de la
conducta de los materiales sería imposible.

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Bibliografía
Askeland, D. R., & Phulé, P. P. (2010). Ciencia e ingeniería de los materiales.
México, DF: CENGAGE Learning.

(2012). introducción a la ciencia e ingenieria de los materiales. En W. D. Callister.

Limusa Wiley.

(2006). Fundamentos de la ciencia e ingeniería de los materiales. En W. F. Smith.,

& J. Hashemi. México, D.F: McGraw-Hill.

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