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Introducción a los
transistores bipolares
Construcción de transistores
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado “tipo N” y el otro “tipo P”. El
primero constituye el cátodo, mientras que el segundo el
ánodo. Así, el diodo está polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial más positivo que el
material tipo N:
VD
+A C
P N
+
ID + R
Símbolo del diodo
Construcción de transistores
B BASE
C B BASE
C
B B
Símbolo del transistor
E E
Polarización de los transistores
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarización directa a la unión o juntura Emisor-Base y una
polarización inversa a la juntura Base-Colector:
E P N P C E N P N C
Polarización Polarización
Directa B Inversa B
+ + + +
Transistor PNP Transistor NPN
Polarización de los transistores
E C
P N P
IE IC
VEE B VCC I E I B IC
IB
+ +
Polarización del transistor
Esta es la configuración más típica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemático para un Tr. NPN:
B C
IC
IB E I
E
IB IC [mA]
VCE =1V
[A] IB =90A I =70A
REGIÓN DE SATURACIÓN
VCE =10V B
IB =50A
80 8
VCE =20V ZONA DE IB =30A
60 6
OPERACIÓN
COMO AMPLIF. IB =10A
40 Características 4 LINEAL
de base Características
20 2
de colector IB =0A
0 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8
VBE [V]
0 5 10
REGIÓN DE CORTE
15 20
VCE [V]
Ganancia estática
RE
EC VCE I C ( RC RE )
El transistor como conmutador
Límites de operación
Para cada transistor, IC [mA] Transistor como
existe una zona de conmutador
operación, dentro de IB =90A
IB =70A
la cual debe trabajar, ICmáx
IB =50A
para que exhiba una
REGIÓN DE SATURACIÓN
8 IB =30A
distorsión mínima.
ZONA DE
En la siguiente 6
RECHAZO
característica se IB =10A
muestra un aspecto de PCmáx
4 ZONA DE
lo indicado: TRABAJO
2 COMO AMPLIFICADOR VCEmáx
ICEO IB =0A
0
0 5 10 15 20 VCE [V]
VCEsat REGIÓN DE CORTE
Límites de operación