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República de Panamá

Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica


Ingeniería Electromecánica
Grupo: 1IE133

Laboratorio
Fundamentos de Electrónica
Tema:
MOSFET
Cód.: 3608
Hora: 5061

Profesora: Katherine Cupeiro

Estudiantes: C.I. P
Danixa Odilia González 8-926-2113
María del Carmen Cedeño 8-929-2479

I SEMESTRE, 2018
MOSFET
1. Curva característica Vgs VS Id

Vgs Id
-0.252 0
0.048 1.77636E-13 Vgs -vs-I d
0.348 0
0.3
0.648 1.77636E-13
0.948 1.77636E-13 0.25
CORRIENTE DE DRENAJE

1.248 0
0.2
1.548 3.55271E-13
1.848 0 0.15
2.148 0.001103 0.1
2.448 0.010103
2.748 0.028148 0.05
3.048 0.055222 0
3.348 0.091309 -1 0 1 2 3 4 5
3.648 0.136393 VOLTAJE VGS (VOLTS)
3.948 0.190456
4.248 0.253484
Experimento Número 2:

Vgs = 2.448 V Vgs = 2.748 V Vgs = 3.048 V Vgs = 3.348 V


Vds Id Vds Id Vds Id Vds Id
0.2 0.006803 0.2 0.01223 0.2 0.017296 0.2 0.022036
0.4 0.009923 0.4 0.021147 0.4 0.031598 0.4 0.041357
0.6 0.010103 0.6 0.026528 0.6 0.042721 0.6 0.057806
0.8 0.010103 0.8 0.028148 0.8 0.050459 0.8 0.071212
1 0.010103 1 0.028148 1 0.054584 1 0.081382
1.2 0.010103 1.2 0.028148 1.2 0.055222 1.2 0.088107
1.5 0.010103 1.5 0.028148 1.5 0.055222 1.5 0.091309
1.8 0.010103 1.8 0.028148 1.8 0.055222 1.8 0.091309
2.1 0.010103 2.1 0.028148 2.1 0.055222 2.1 0.091309
2.4 0.010103 2.4 0.028148 2.4 0.055222 2.4 0.091309
3 0.010103 3 0.028148 3 0.055222 3 0.091309
3.5 0.010103 3.5 0.028148 3.5 0.055222 3.5 0.091309
4 0.010103 4 0.028148 4 0.055222 4 0.091309
4.5 0.010103 4.5 0.028148 4.5 0.055222 4.5 0.091309
5 0.010103 5 0.028148 5 0.055222 5 0.091309
Basándonos en la guía de colores de la tabla anterior:

Id-VS-Vgs
0.1

0.09

0.08

0.07

0.06
Series1
0.05
A

Series2
0.04
Series3
0.03
Series4
0.02

0.01

0
0 1 2 3 4 5 6
Volts

Conclusiones:
Danixa González:
1.
2.

María Cedeño
1- Los MOSFET, fueron el reemplazo de los BJT en los circuitos integrados de
los electrodomésticos hoy en día usados. Los transistores bipolares o BJT,
tienen la característica de depender de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la
más evidente, el efecto avalancha. Estas desventajas, llevó a la sustitución de
los BJT por transistores más avanzados como los son los MOSFET. Son muy
populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas,
motores sin escobillas y aplicaciones como robótica y electrodomésticos. El
MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),
drenaje (D, Drain), compuerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el
sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

2- En ambos circuitos, se observa que el MOSFET es capaz de trabajar a muy


bajas señales. Ambos, están polarizados por la configuración llamada
“Polarización fija” con el MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET). En el
primer circuito, al variar el voltaje entre la compuerta y el sustrato, notamos que
a medida que aumentaba el voltaje, la corriente de compuerta también
aumentaba. Lo mismo sucedió con el segundo circuito, al mantener un voltaje
fijo de Vds y variando la Vgs, mientras más grande la Vgs, mayor era la
corriente del drenaje. Comparando el comportamiento del MOSFET con el del
BJT notamos que los FET son capaces de manejar corrientes mucho más
grandes que los BJT.