Ketiga terminal transistor tersebut dikenal dengan Emitor ,Basis,

Kolektor.Emitor merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping

sangat tinggi.Bahan kolektor diberi doping dengan tingkat yang
sedang.Sedangkan basis adalah bahan dengan dengan doping yang sangat
rendah.Perlu diingat bahwa semakin rendah tingkat doping suatu bahan, maka
semakin kecil konduktivitasnya.Hal ini karena jumlah pembawa mayoritasnya
(elektron untuk bahan N;dan hole untuk bahan P) adalah sedikit.

2.2 Aliran Arus Listrik pada Transistor PNP dan NPN

Pada transistor baik untuk tipe NPN atau PNP anak panah selalu ditempat
emitor artinya anak panah menunjuk arus listrik konvensional dimana arahnya
berlawanan denga arah arus electron
Transistor PNP: Arus listrik yang besar akan mengalir dari emitter ke collector.Apabila ada arus
kecil yang mengalir dari emitter ke base.

Transistor NPN: Arus listrik yang besar akan mengalir dari collector ke emitter,apabila ada arus
kecil yang mengalir dari base ke emitter.Dalam hal ini transistor mirip dengan
amplifier,ang mengontrol jumlah arus dari collector ke emitter oleh arus yang
mengalir dari base.Transistor juga mirip dengan fungsi sakelar.Transistor akan
bekerja pada posisi ON,yaitu arus akan mengalir dari collector ke emitter apabila
arus kecil mengalir dari base.Sedangkan transistor akan berada pada posisi
OFF,apabila tidak ada arus yang mengalir dari base.

2.3 Prinsip Kerja dari Transistor

A. Cara kerja Transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor,(BJT atau transistor bipolar) dan (FET), yang masing-masing bekerja
secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi
utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang,
untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone,dan ketebalan lapisan ini
dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus
utama tersebut.
FET(juga dinamakan transistor unipolar)hanya menggunakan satu jenis
pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus
listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di
kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis
memotong arah arus listrik utama).Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat
dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan
kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan
yang lebih lanjut.
Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka
semua arus akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada
persambungan dioda, maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada
persambungan basis dan kolektor (JC) terdapat daerah pengosongan.Tegangan
penghalang pada masing-masing persambungan dapat dilihat pada gambar
dibawah ini.

Gambar 3.2 Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP
(bila NPN maka semua polaritasnya adalah sebaliknya).

Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara

kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena
potensial ini berlawanan dengan muatan pembawa pada masing-masing bahan
tipe P dan N, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak akan mengalir. Sehingga
pada saat transistor tidak diberi tegangan bias, maka arus tidak akan mengalir.
Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan bias maju
(emitor positip dan basis negatip) serta antara terminal basis dan kolektor diberi
bias mundur (basis positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut
mendapat bias aktif (lihat gambar).

Gambar3.3 Transistor dengan tegangan bias aktif

Setelah transistor diberi tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan

pada persambungan emitor-basis menjadi semakin sempit karena mendapatkan
bias maju. Sedangkan daerah pengosongan pada persambungan basis-kolektor
menjadi semakin melebar karena mendapat bias mundur.
 Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda
sama sekali bila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun
sebenarnya struktur transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun
berbalikan,
yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).

Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda
emitorbasis yang mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis
dengan cukup besar. Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur
praktis tidak mengalirkan arus. Dengan demikian terminal emitor dan basis akan
mengalir arus yang besar dan terminal kolektor tidak mengalirkan arus.Namun
yang terjadi pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua hal,
yaitu: ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang
sangat rendah. Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata
lain jumlah pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah
sedikit dibanding dengan pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole).
Sehingga jumlah hole yang berdifusi ke basis sangat sedikit dan sebagian besar
tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini terdapat tegangan negatip yang
relatif besar.

Gambar 3.4 Diagram potensial pada transistor dengan bias aktif

Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan
mengurangi potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada
emitor akan mudah untuk berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas
basis yang rendah dan tipisnya basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan
tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh adanya beda potensial
pada basiskolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias mundur
VCB.

Dengan demikian arus dari emitor (IE) sebagian kecil dilewatkan ke basis
(IB) dan sebagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum
Kirchhoff maka diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:

IE = IC + IB
 Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka
dalam praktek umumnya dibuat IE ≅ IC. Disamping ketiga macam arus tersebut
yang pada dasarnya adalah disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di
dalam transistor sebenarnya masih terdapat aliran arus lagi yang relatif sangat
kecil yakni yang disebabkan oleh pembawa minor-itas. Arus ini sering disebut
dengan arus bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka).

Namun dalam berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan. Seperti
halnya pada dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias mundur
mengalir arus bocor Is karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam
trannsistor dimana persambungan kolektor-basis yang diberi bias mundur VCB
akan mengalir arus bocor (ICBO). Arus bocor ini sangat peka terhadap
temperatur, yakni akan naik dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10 OC.

Diagram aliran arus IE, IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat dilihat
pada gambar 3.5. Dari gambar tersebut terlihat bahwa arus kolektor merupakan
penjumlahan dari arus pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC
= ICmayoritas+ ICBOminoritas.

Gambar 3.5. Diagram aliran arus dalam transistor

B. Azaz Kerja Transistor

1. Akan mengalir arus pada terminal kolektor dan emiter (Ic) apabila ada arus yang
mengalir pada terminal basis emiter (IB). dalam keadaan ini transmiter “on”
2. Perbandingan antara Ic dan IB disebut sebagai “Bandingan hantaran maju”
(Forward current ratio) disebut HFE

HFE disebut juga sebagai ‘penguatan’ transistor atau “ ” atau .

· Untuk Ic dan IB searah ditulis HFE
· Untuk Ic dan IB searah ditulis HFE
3. Pada transistor daya: hFE = + 25 kali
4. Untuk penguatan frekwensi tinggi hFE = 100 kali

Parameter Transistor
Parameter transistor tidaklah sama meskipun dalam dalam tipe yang sama
sekalipun
1. Tapi dalam prakteknya, parameter dianggap sama (konstan)

2. Konduktansi (daya hantar) ma/V ( miliampere per volt)

Dimana:
Ie : Arus sinyal ac antar kolektor – emiter
Vbe : tegangan sinyal ac antara basis – emitter

3. Dalam rangkaian penguat untuk sinyal kecil, berlaku penguatan tegangan

sebagai berikut;

A = Gm x RL
Dimana RL = Rc / RBb

Parameter lainnya
1. Impedansi masukan (impedansi input)

dimana Vb = tegangan sinyal yang masuk ke basis

ib = arus sinyal pada basis

2. Impedansi keluaran (impedansi output)

a. tanpa isyarat (sinyal) di basis

Ve = tegangan sinyal di kolektor

ic = arus sinyal di kolektor

b. Dengan adanya sinyal di basis

Ic = arus kolektor

2.4 Transistor Sebagai Penguat Arus

 sebagai penguat:
• Transistor bekerja pada mode aktif.
• Transistor berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh
tegangan (VCCS).
• Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan perubahan
pada arus collector, Ic.
• Transistor dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
• Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus collector ke sebuah
resistansi, RC.
• Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias, dan sinyal
akan ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang akan diperkuat harus
dijaga tetap kecil.

Dengan arus IB yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor IC yang besar.
Jika arus basis IB kita anggap sebagai input dan arus kolektor IC sebagai output,
maka transistor dapat kita anggap sebagai penguat arus atau sering kita sebut
penguat arus (current amplimeter) HFe.

Karena arus IC lebih besar dari arus keluaran IB jadi penguatan arus / HFE dapat
didefenisikan sebagai perbandingan antara arus keluaran IC dan arus masukan IB

Rumus = karena

Kegunaan lain transistor

1. Saklar elektronik
Gambar transistor ini dapat dianalisa sebagai saklar berikut:

dari gambar analogi saklar tersebut, bila basis diberi sinyal maka saklar akan
terdorong sehingga akan menutup, dengan demikian arus akan mengalir dari C ke
E bila dalam rangkaian digambarkan sebagai berikut:
 Keterangan VR = resistor variable

.. = Lampu pijar

tegangan positif akan masuk ke transistor yaotu ke kolektor melalui R1 dan ke

basis melalui R2 dan VR (resistor variable) R3 berfungsi sebagai umpan negatif
agar arus mesuk ke basis. Bila VBE telah tercapai, maka transistor akan di ‘on”
sebagai saklar, sehingga arus akan mengalir dari kolektor ke emiter dan lampu
akan menyala.

2. Penguat Sinyal
Penguatan sinyal pada transistor “bila kaki kolektor dan emiter
diberi tegangan dan basis diberi sinyal input maka transistro akan
‘on’ sehingga arus mengalir dari C ke E. sinyal basis akan
diperkuat oleh arus tersebut yang dapat dideteksi melalui output
pada C dan E.

ICB0 : arus bocor pada transistor yang mengalir dari kolektro kemudian ke basis,
lalu ke netral
Basis : Kaki transistor untuk memasukkan input sinyal yang akan diperkuat
Keadaan jenuh : Suatu keadaan dimana apabila sinyal input diperbesar maka sinyal output
tidak akan naik lagi.

Karakteristik Transfer Transistor

Transistor merupakan alat dengan tiga terminal seperti yang diperlihatkan
oleh simbol sirkuit pada gambar. Setelah bahan semikonduktor diolah,
terbentuklah bahan semikonduktor jenis p dan n
Walapun proses pembuatannya sangat banyak, pada dasarnya transistor
merupakan tiga lapis gabungan kedua jenis bahan tadi, yaitu PNP dan NPN.
Prinsip kerja kedua tipe ini sama, perbedaan hanyalah keberadaannya dalam
kondisi pancaran DC.

Gambar sirkuit untuk simbol transistor (a) PNP, (b) NPN

 Kurva ini menyajikan hubungan antar arus masukan disatu sisi dan arus
serta tegangan keluaran di sisi lain. Parameter yang sangat penting bagi transistor
adalah penguat arus DC yang dikenal sebagai oenguat arus statis hfe. Ini adalah
penguatan transistor pada keadaan stasioner, yaitu tanpa sinyal masukan, tidak
mempunyai satuan (karena suatu perbandingan.

Transistor NPN kolektor dan emiter merupakan bahan semikonduktor

jenis p. transistor bekerja dalam satu arah, yaitu dari kolektor menuju emitter,
karena kedua terminal tersebut terbuat dari bahan yang sama. Pada dasarnya
transistor dapat dianggap sebagai suatu piranti yang beroperasi karena adanya
arus. Kalau alat mengalir kedalam basis dan melewati sambungan basis
emitter,suatu suplay positif pada kolektor akan menyebabkan arus mengalir antara
kolektor dan emitter. Dua hal yang harus diperhatikan pada arus kolektor ini
adalah: a. untuk arus basis nol, arus kolektor turun sampai pada tingkat arus
kebocoran, yaitu kurang dari 1 mikro ampere dalam kondisi normal (untuk
transistor dengan bahan dasar silikon). B untuk arus basis tertentu, arus kolektor
yang mengalir akan jauh lebih besar daripada arus basis itu. Arus kolektor
tersebut dicapai dengan Ic = hfe x Ib. 3.Transistor sebagai saklar cara termudah
untuk menggunakan sebuah transistor adalah sebuah saklar, artinya bahwa kita
mengoperasikan transistor pada salah satu saturasi atau titik sumbat, tetapi tidak di
tempat-tempat sepanjang garis beban. Jika sebuah transistor berada dalam
keadaan saturasi, transistor tersebut seperti sebuah saklar yang tertutup dari
kolektor ke emiter. Jika transistor tersumbat (cutoff), transistor seperti sebuah
saklar yang terbuka.

Gambar karakteristik keluaran yang menghubungkan arus IC dengan tegangan

Vceuntuk harga arus IB tertentu.

2.5 Penguat dalam Keadaan Diam

Ketika pada rangkaian penguat belum diberi sinyal masukan AC,maka
rangkaian penguat disebut berada dalam keadaan diam.Supaya bekerja maka
transistor harus dipanjar dengan tegangan DC.

Cara transistor dalam keadaan diam adalah

1. Matikan sinyal generator untuk sementara.
2. Hidupkan catu dayadaya, minimumkan bias control (p otensiometer 10 k).Baca
harga,VCE dan IC Petakan sebagai titik pada kertas graf karakteristik transistor.
Titik tersebut adalah salah satu titik garis beban.
3. Atur potensiometer 10 k sehingga arus basis sebesar 10 A. Catat harga
VCE dan Ic Harga-harga ini adalah harga titik kerja.
4. Petakan karakteristik Ic/VCE transistor.
5. Variasikan arus basis menjadi 5 A dan 15 A Untuk masing-masing harga
arus basis petakan nilai yang diperoleh. Semua titik-titik ini harus terletak pada
garis lurus (garis beban)
6. Atur arus basis menjadi 10 A kembali.Hidupkan sinyal generator dan atur
untuk menghasilkan sinyal 1 Vp-p pada 1kHz.Gunakan osiloskop untuk mengamati
bentuk gclombang input dari sinyal generator dan bentuk gelombang output pada
kolektor transistor gambarkan kedua bentuk gelombang tersebut.

7. Atur potesiometer ke posisi minimum dan gambarkan bentuk gelombang output.

8. Kemudian atur ke posisi maksimum dan catat pula bentuk gelombang output.

BAB IV
PENUTUP

3.1 Kesimpulan
Dari pembahasan diatas,secara jelas kita dapat mengetahui bahwa
transistor adalah komponen yang sangat diperlukan dari sebuah perangkat
elektronika sedangkan elektronika sendiri tidak dapat dipisahkan dri kehidupan
sehari-hari.

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,sebagai,

sirkuit, pemutus, penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal.

3.2 Saran
Sebagai sebagai calon mahasiswa teknik,khususnya teknik komputer,kita
harus menguasai dan mengetahui penggunaan transistor serta berbagai prinsip
kerjanya,agar kita bisa menerapkannya dalam kehidupan sehari-hari.