Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería

Mecánica y Eléctrica
Unidad Zacatenco
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

5to Semestre
Materia:
Dispositivos

Profesora:
Arévalo González Elizabeth

Practica No 7:
Caracterización del transistor BJT en CD

Grupo:
5CV1

Alumnos:
Aguilar Gómez David 2016300014
Romero Barco Jorge 2016302163

Fecha de elaboración:
22 de Mayo del 2018
Objetivo:

Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones

haciendo uso de graficas mediante el análisis y la interpretación de las mediciones

Lista de materiales

 Protoboard
 1 Resistencia de 1 KΩ
 1 Resistencia de 100 Ω
 1 Resistencia de 100 KΩ
 Transistor BC547A NPN
 Puntas caimán – caimán
 Fuente de alimentación variac
 Multímetro digital

Tabla de datos del transistor BC547A

Región de Operación VCE VBE VCB IB IC
Corte 13.97 V 0.6 V 13.9 V 55µA 10 mA
Activa Directa 5V 0.58 V 4.48 V 162µA 29.16 mA
Saturación 0.2 v 0.53 V 0.17 V 280µA 50 mA

Desarrollo

1 Caracterización de los transistores bipolares de silicio o bien de germanio con

señal de cd

1.1 Armar el circuito como se indica en la figura y realiza las medidas como se
indica en la tabla y registrarla en la tabla para distintos voltajes de la fuente de
alimentación v1 que debe variar entre 0v y 12v con in Vcc de 15V

Fig 1. Circuito de prueba

Mediciones

Vl VBE(v) IB (µA) VCE(v) IC(mA) VCB(v) VE(v) IE(mA) Β

0V - - 15 V - - - - -

1V 0.59 V 3.4 µA 14.17 0.56 mA 13.8 V 0.06 V 0.6 mA 164.70

V

2V 0.62 V 11.7 13.02 1.72 mA 11.29 V 0.17 V 1.7 mA 147.34

µA V

3V 0.645 V 21.5 11.32 3.25 mA 10.35 V 0.32 V 3.2 mA 151.16

µA V

4V 0.67 V 29.56 9.16 V 4.63 mA 9.39 V 0.49 V 4.9 mA 156.63

µA

5V 0.678 V 44.2 8.22 V 5.93 mA 7.45 V 0.60 V 6 mA 134.16

µA

6V 0.678 V 47.25 6.8 V 7.28 mA 5.96 V 0.75 V 7.5 mA 154.07

µA

7V 0.679 V 54.8 5.96 V 8.41 mA 6.63 V 0.86 V 8.5 mA 153.46

µA

8V 0.68 V 63.14 4.26 V 9.53 mA 3.72 V 1.09 V 9.7 mA 150.93

µA

9V 0.681 V 71.1 3.04 V 10.6 mA 3.6 V 1.19 V 10.8 149.08

µA mA

10V 0.685 V 80.8 1.92 V 11.61 2.16 V 1.31 V 11.9 143.68

µA mA mA

11V 0.689 V 88.9 0.756 12.4 mA 0.48 V 1.36 V 13 mA 139.48

µA V

12V 0.7 V 99.6 0.315 13.11 0.35 V 1.39 V 13.5 164.70

µA V mA mA
Valores Teóricos

Vl VBE (v) IB (µA) VCE (v) IC (mA) VCB(v) VE(v) IE(mA) Β

0V 0.7 V -5.93 µA 15.95 V 1.06 mA 15.25 V 0.105 V 1.05 mA 180

1V 0.7 V 2.54 µA 14.58 V 0.45 mA 13.88 V -0.04 V 0.457 180

mA

2V 0.7 V 11.01 µA 13.21 V 1.98 mA 12.51 V -0.19 V 1.97 mA 180

3V 0.7 V 19.47 µA 11.84 V 3..5 mA 11.14 V -0.34 V 3.48 mA 180

4V 0.7 V 27.97 µA 10.46 V 5.03 mA 9.76 V -0.50 V 5.004 180

mA

5V 0.7 V 36.41 µA 9.09 V 6.56 mA 8.39 V -0.65 V 6.51 mA 180

6V 0.7 V 44.87 µA 7.72 V 8.08 mA 7.02 V -0.80 V 8.03 mA 180

7V 0.7 V 53.34 µA 6.35 V 9.60 mA 5.65 V -0.95 V 9.55 mA 180

8V 0.7 V 61.81 µA 4.97 V 11.12 mA 4.27 V -1.10 V 11.06 180

mA

9V 0.7 V 70.28 µA 3.60 V 12.65 mA 2.90 V -1.25 V 12.58 180

mA

10V 0.7 V 78.74 µA 2.23 V 14.17 mA 1.53 V -1.40 V 14.09 180

mA

11V 0.7 V 87.21 µA 0.860 V 15.70 mA 0.16 V -1.56 V 15.61 180

mA

12V 0.7 V 95.68 µA -0.512 V 17.22 mA -1.21 V -1.71 V 17.12 180

mA
1.1.1 Graficar en papel milimétrico la relación de I B vs VBE que corresponde a la
señal de entrada del transistor bipolar, así como los diferentes valores de I C y de
VCE que corresponde a la gráfica de salida (I C vs VCE) del transistor bipolar para
diferentes valores de I B; para cada variación del voltaje de entrada, según los
valores registrados en la tabla anterior, para el transistores de Silicio o bien para el
transistor de Germanio.

1.1.2 Trazar la recta de carga en las gráficas de entrada y salida del transistor, y
obtener el punto de operación en ambos casos.

1.1.3 Reportar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.

1.1.4 Anotar las observaciones y conclusiones generales.

Observaciones: conforme se iba subiendo el voltaje de entrada, el voltaje de

colector emisor y el de base emisor iban bajando mientras que las corrientes iban
subiendo. El voltaje de la unión base emisor se mantenía constante y la beta sufria
algunas variaciones.

CONCLUSIONES

En esta práctica pudimos ver el comportamiento del transistor bipolar cuando se le

aplica un determinado voltaje en la malla de entrada además se obtuvieron varias
graficas correspondientes a los diferentes puntos de operación y estas iban
variando dependiendo de las condiciones a las cuales se presentaban logrando
obtener las gráficas de entrada voltajes y corrientes requeridas para completar la
tabla de mediciones

Referencias
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm

https://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npn-pnp/

https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/
TRANSISTOR BJT

El transistor de unión bipolar (también conocido por sus siglas BJT) se trata de un
dispositivo electrónico sólido, formado por 2 uniones PN próximas entre ellas que
permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Se le llama
bipolar porque la conducción es debida al desplazamiento de portadores de 2
polaridades (huecos: positivos; electrones: negativos). Este tipo de dispositivo es
utilizado para un gran número de aplicaciones, principalmente en electrónica
analógica y digital a pesar de tener una gran limitación debido a su impedancia de
entrada muy baja.

Su composición está basada en 2 uniones PN en un cristal semiconductor,

separados por una fina franja, delimitando dentro del mismo 3 regiones:

Principal funcionamiento

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la

unión base-colector en inversa.6 Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector

CURVAS CARACTERÍSTICAS

Entendemos por curvas características de un transistor la representación gráfica

de las relaciones entre sus corrientes y tensiones.

Las curvas características son representaciones gráficas de 3 variables. En los

ejes X e Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de
los valores de la tercera variable

En función de qué tres variables se elijan para representar una curva característica
se consideran curvas de entrada o salida
Punto de operación

El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características

eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las
señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte
de energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes
de alimentación o fuentes de polarización.

Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar

las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en
la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser
convertida en potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en
continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se
suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

En transistor del circuito de la figura 1.8.a está polarizado con dos resistencias y
una fuente de tensión en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces

se puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y
asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V. El cálculo de las tensiones e
intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q
viene definido por las siguientes ecuaciones:

1.4 Representación del punto de trabajo con la recta en carga estática

En la figura 1.8.b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo

Q del transistor, especificado a través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de
carga estática: si Q se encuentra en el límite superior de la recta
el transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y en los puntos
intermedios en la región lineal.
Esta recta se obtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la IC con la
VCE que, representada en las curvas características del transistor de la figura
1.8.b, corresponde a una recta.

La tercera ecuación de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al

circuito de polarización, de forma que

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor
se selecciona dos puntos: a) VCE = 0, entonces IC = VCC / RC; b) IC=0, entonces
VCE = VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 1.8.b y representan
los cortes de la recta de carga estática con los de coordenadas.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor

es seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica es situarle en la
mitad de la recta de carga estática para que la corriente de colector sea la mitad
de su valor máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica.

Evidentemente esta es una condición de diseño que asegurará el máximo margen

del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin
embargo, hay muchas otras condiciones de operación del transistor que exige un
desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación del punto
Q estará definida por las diferentes restricciones.