Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
EL OSCILADOR DE COLPITTS (PREVIO Nº4)

Nylene Ruth Mamani Mamani, ruth8611@gmail.com

John Omar MarinRamirez, twdjohn@gmail.com
Joel Constantino Saavedra Peña, nominando-00@hotmail.com
Jorge Luis Cordova Romero, jluiscoro@hotmail.com

Figura 1. Resumen de las características eléctricas del dispositivo 2N5485.

CUESTIONARIO: Procedimiento Experimental:

1. ¿Cuáles fueron los valores, El procedimiento utilizado es siguiente:

determinados para el FET, de a) Determinación de IDSS.-
Vp e IDSS? (Verificar y
comparar con los datos del
fabricante).
I DSS
Datos del Fabricante:
El modelo del JET usado es
2N5485

De la figura 1. Tenemos los

parámetros relevantes en esta
experiencia son:  VGS
4mA  I DSS  10mA 
 4V  V p  0.5V
Figura 2. Circuito para determinar IDSS
experimentalmente.

Laboratorio de Electronica III EE443N - 1 -

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Síntesis del procedimiento:

2. Presentar las tablas obtenidas
i. Cortocircuito entre compuerta y en el laboratorio y con ellos
fase: VGS = 0. graficar Gm(x)/gm vs. –V1/Vp y
ii. Aumentar VDD desde cero a además In/Ip vs. –V1/Vp.
valores positivos, cuidando de no Comparar sus resultados con
sobrepasar el voltaje de ruptura los gráficos del Clarke & Hess y
determinar las desviaciones
V(BR)GSS, hasta que ID alcance su
entre los valores teóricos y
nivel de saturación, esto es IDSS. experimentales
Resultados:
Presentación de Resultados:
I DSS  7mA
Tabla 1. Valores con el tanque
b) Determinación de Vp.- sintonizado a fo=455KHz

V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 0.15 0.20

V0 (mV) 24 26.4 25.2 24 24.8 16 20
VD (DC) (V) 8.76 7.41 10.9 11.23 11.4 9.72 9.73
V1 (V) 0.6 1.2 1.8 2.4 3 0.36 0.42

Gráficas:
I DSS  0
El circuito utilizado en la presente
experiencia de laboratorio es:

 VGS


Figura 3. Circuito para determinar IDSS

experimentalmente.

Síntesis del procedimiento:

i. Alimentar el circuito con VDD La corriente del JFET es:
= 15V. i D  I 0  I1 cos t  I 2 cos 2t
ii. Variar Vgg_var desde cero a Donde los coeficientes están
valores negativos hasta que determinados por las ecuaciones del
el voltaje del multímetro se Anexo A.
haga cero (Vmeter = 0), esto
es IDSS = 0. La señal de entrada en el FET es:
vGS  Vb  V1 cos t
Resultados: Donde Vb es la
V p  VGS I D 0
 2.4V componente DC. En este caso se diseñó
el circuito para CB se cargue al valor pico
Comparación de resultados: de v1, entonces: Vb = V1.

Valor Además:
Valor
Parámetro Teórico
Experimental
Mín. Máx.
IDSS (mA) 4 10 7
Vp (V) -4 -0.5 -2.4

Laboratorio de Electronica III EE443N -2-

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

La corriente de carga iL se 30
relaciona con la corriente iD de la
siguiente manera: 25
iD
iL  20
n2
Luego el voltaje de salida es: 15
i
v0  RL  iL  RL  D2 10
n … ()
Donde: 5
iD  I 0  I1 cos 0 t  I 2 cos 20 t
0
0.15 0.25 0.5 0.75 1 1.25
Gráfica 1: In/Ip vs. –V1/Vp
Figura 06. Gráfica I1/Ip xRL/n2vs. –V1/Vp.
i. En el primer cuadro los datos
están sintonizados a 0, luego:
iD 0
 I 1 cos 0 t Gráfica 2: Gm(x)/gm vs. –V1/Vp
Transconductancia promedio de
Reemplazando en (): gran señal:
I1
Gm 
V1
Transconductancia de pequeña señal:
En valores picos: 2 I DSS
g m0 
RL I DSS  I1   Vp
vˆ0   
0
n2 I  Entonces la relación:
 p 
Despejamos la relación
I 1 Ip
:
I1 I1 I1
Gm V1 V Ip
  1 
g m0 2 I DSS 2I p  V1 
 
2
 I1  n vˆ0 0 Vp 2
   Vp  V 
I  R I  p 
 p  L DSS
… (i) Dando forma a la ecuación anterior, ésta
queda como:
I1
Ahora, teniendo en cuenta los datos de la Ip
Gm
bobina roja n = 3.2 y los datos  … ()
experimentales, usamos la ecuación g m0  V1 
2  
anterior para hacer las gráficas I1/Ip vs. –  V 
V1/Vp e I2/Ip vs. –V1/Vp Las gráficas se  p 

muestra a continuación. Para usar los datos

experimentales sintonizados a 0,
utilizamos la relación I 1 I p 
de la 
ecuación (i):
2
 I1  n vˆ0 0
 
I  R I
 p  L DSS

Laboratorio de Electronica III EE443N -3-

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Reemplazando lo anterior en la ecuación  Se diseñó el circuito para que CB

(): se cargue al valor pico de v1,
entonces: Vb = V1. Por lo que
n 2 vˆ0 no fue necesario utilizar una
0 fuente externa de voltaje para Vb.
2
Gm R I n vˆ0
0
 L DSS   Se utilizó el n-JFET 2N5458 ,
g m0  V   V 
2  1  2 RL I DSS   1  porque cumple con las
 V   V  características necesarias para la
 p   p 
presente experiencia de
laboratorio, como el trabajar con
Finalmente: frecuencias VHF ( de 30 MHz a
300MHz ), potencia total del
n 2 vˆ0 dispositivo de 360mW a 25°C, alta
Gm 0
 transconductancia y baja
g m0  V  capacitancia de transferencia
2 RL I DSS   1  inversa.
 V 
 p 
 Se tuvieron problemas durante la
Ahora, teniendo en cuenta los experiencia al usar primero un
datos de la bobina roja n = 3.2 y los datos JFET que no era el especificado y
al parecer no cumplia con las
experimentales, usamos la ecuación
especificaciones de diseño
anterior para hacer la gráfica Gm(x)/gm0
vs. –V1/Vp. La gráfica se muestra a  Se tuvieron inconvenientes al
continuación. duplicar la frecuencia
fundamental.

EXPERIMENTAL
150

100

50

0
0.15 0.25 0.5 0.75 1 1.25

Figura 08. Gráfica Gm/gmo vs. –V1/Vp.

4. Observaciones y Conclusiones.

 Los parámetros obtenidos del

JFET de canal n en el laboratorio
se encuentran dentro del rango
dado por el fabricante. El error
con respecto a los experimentales
es aceptable, teniendo en cuenta
todos los factores que afectan las
mediciones, tales como el equipo,
cables, ruido, corrientes y
capacidades parásitas, etc.

Laboratorio de Electronica III EE443N -4-