UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERUÚ

FACULTAD DE INGENIERIÚA ELEÚ CTRICA Y ELECTROÚ NICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTROÚ NICA

INFORME DE PRACTICA DEL LABORATORIO CIRCUITOS ELECTROÚ NICOS

TITULO DE LA PRACTICA: AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON BJT

ING. DAVID HUARAC ROJAS

HUANCAYO
2018
PRÁCTICA No. 8 AMPLIFICADOR DE VOLTAJE CON BJT

1. DATOS GENERALES:
 FACULTAD DE ING. ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

NOMBRE: (estudiante(s) CODIGO(S): (de

estudiante(s)
Rodriguez Cristobal Christian Jharol 2014100345A
Meneses Velito Rolando 2014200376L

GRUPO No.: 2

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

17/06/2018 25/06/2018

2. OBJETIVO(S):
2.1. GENERAL:

 Realizar los cálculos teóricos, simular y realizar el montaje del circuito.

 Determinar y graficar las características de ganancia de voltaje de la configuración dada.

2.2. ESPECÍFÍCOS:

 Selección adecuada del punto de operación en la región activa a partir de las hojas de
datos del fabricante para el desarrollo de un amplificador de CA a señal pequeña.
 Diseño del punto de operación para lograr la amplificación propuesta.
 Simulación del punto de operación, así como de la amplificación para una señal senoidal
y múltiples frecuencias (análisis en cd y CA en multisim).
 Medición experimental del punto de operación y de la amplificación para el circuito
propuesto.
 Comparación entre el punto de operación calculado, simulado y experimental.

3. METODOLOGÍA:
Partiendo de las hojas de datos del bjt 2n2222, que los alumnos seleccionen un
punto de operación en la región activa para diseñar dos circuitos de polarización:
a) fija.
b) estabilizada por divisor de voltaje.

Que confirmen de forma cuantitativa que el circuito de polarización por divisor de voltaje
y estabilizado por emisor es más estable con respecto al circuito de polarización fija.
Los alumnos elaborarán una tabla en donde se indicará el punto de operación propuesto, a
continuación, se comparará con los resultados obtenidos por simulación y con el circuito

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armado. Las mediciones del punto de operación en el circuito armado se deberán

de realizar para dos transistores diferentes de la misma matrícula.
Los cálculos se deberán de presentar en Word. Con los resultados obtenidos deberán de
concluir cuál es el circuito más estable. Esta actividad se realizará en dos clases. La
primera clase mostrarán el diseño de ambos circuitos y su simulación. La segunda clase
los alumnos medirán el punto de operación para cada circuito con dos transistores
diferentes de la misma forma.
.
4. EQUIPOS Y MATERIALES:
MATERIAL

 2 transistores BJT (2N2222 o equivalente)

 5 resistencias (68k, 12k, 2.2k, 1.2k)
 2 capacitores 5uF/16V
 1 capacitor 10uF/16V

EQUIPO

 1 multímetro Digital
 1 software de Simulación Electrónica
 1 Fuente de Voltaje de DC
 1 generador de Señal
 1 osciloscopio de doble trazo
 3 puntas para osciloscopio BNC-Caiman

5. MARCO TEORICO:
Transistor de unión bipolar:

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica, aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

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Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.
Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Region
activa, región de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en
región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de una señal (Corriente
o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es
muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el
voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN).
Mientras que la región de corte indica que el transistor prácticamente esta apagado, es
decir Ib = Ic = Ie =0A. Por último, un transistor de unión bipolar está saturado cuando
Ic=Ie=Imax; En este caso la magnitud de la corriente depende de la tensión de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos.

En particular para un transistor que funcione como amplificador de una señal -Trabajando
en modo activo-, hay ciertas ecuaciones que modelan su funcionamiento: IC= βiB , Ic=
αIE, α =β/(β+1). Ellas confirman lo dicho anteriormente, puesto que β en magnitud es
relativamente grande y α un valor cercano a la unidad. Podemos analizar que sucede si
introducimos a la entrada una señal AC, para ello se introduce un parámetro esencial que
se denomina transconductancia (gm). La cual en esencia es la pendiente de una
aproximación lineal del comportamiento exponencial del transistor.

Tipos de Transistor de Unión Bipolar

 NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

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La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y

apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.

Transistor NPN

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en continua

es desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.

1º Paso:

Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:

Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA

2º Paso:

Ic = β.Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA

3º Paso:

Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4 V

En este gráfico se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc indicando el 6 mA en la

recta de la Intensidad, y Vce indicando la Tensión necesaria para polarizar al transistor.

6. PROCEDIMIENTO:
Circuito a desarrollar:
V1
V1
10V
10V
+V
+V

68k
68k 2.2K
2.2K
5uF
5uF
+
+ VV oo
5uF
5uF
Q1
Q1
+
+ NPN
NPN
V2
V2
-50m/50mV
-50m/50mV
++

1.2K 10uF
10uF
12k
12k 1.2K
80kHz
80kHz

Resultados del laboratorio:

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1. Calcule la Av Ai, Zi y Zo:

Av -10.32*1000
Ai -35.03
Zi 30.06KΩ
Zo 2.082KΩ

2. Mida con el osciloscopio Av y anótela.

3. Dibuje la señal de entrada y la señal de salida

Desarrollo teórico:

El circuito Emisor Común se muestra en la figura 1 y el equivalente de AC en la figura 2.

FIGURA 1

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PEQUEÑA SEÑAL

FIGURA 2

Desarrollo de corriente continua:

V cc
V CEQ = =5V
2
I CQ
β= =160
V BQ
I E Q =I CQ + I B Q =130 mA

¿ 10.2 KΩ =RB

¿ 1.5V

1. GANANCIA DE VOLTAJE

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Av=Vo/Vi
Vo=−Rc . Ic
Vi=Ie .re´
26 mV
r e' = =0.2 Ω
Ic
De donde se deduce que:
Av =−Rc /re´ ¿−11000

El signo negativo indica que la señal de entrada y de salida están desfasadas 180º, y el signo
proviene del sentido de Ic que crea una polaridad contraria a la convencional en Rc.

2. IMPEDANCIA DE ENTRADA

Zi=RB // Zib

Zib=Vb /Ib ,comoVb=Ie .re´

Zib=β .re´
z i=31.8999 KΩ

en lo anterior se asumió que Ic=Ie y que por lo tanto Ie/Ib=

3. IMPEDANCIA DE SALIDA

Zo=Rc¿ 2.2 KΩ

4. GANANCIA DE CORRIENTE

Ai=Io / Ii ¿−130mA
Io=−Ic
Ic=β. Ib
Ib=RB. Ii/( RB+Zib)

Por divisor de corriente y de lo anterior es fácil deducir que:

Ai=−β . RB/( RB+β . re ´¿)38.4

DESARROLLO SIMULADO:

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TENSION PICO-PICO DEL CANAL 1

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TENSION PICO-PICO DEL CANAL 2

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
 Con estos resultados de parte teórica como de parte práctica se puede dar como
correcta la forma teórica o mejor se pude comprobar esta por medio de la práctica.
Como se puede observar en los resultados están dan precisos o se encuentran dentro
del margen de error.
 Se comprueba que la ayuda del simulador es efectiva ya que gracias a este se puede
saber de forma rápido los resultados y así poder comparar la forma teórica con la
práctica.
 Comprensión y mejor manejo de implementos de laboratorio con los cuales se
comprobó y se miró de qué forma fue que estas ecuaciones resultaron o dieron
resultado a respuestas positivas.

8. BIBLIOGRAFÍA:
 es.wikipedia.org/wiki/Transistor
 http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL%20TRANSISTOR.htm
 http://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdf
 Electronica teoría de los circuitos y dispositivos electrónicos de Rober L. Boylestad

ANEXOS

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Rth del circuito en DC

Señal de entrada y salida vista en el osciloscopio

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Valor de Zo

Corriente Ib

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