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I. OBJETIVOS:
En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores (R1 y R2).
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base
del transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la base.
El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada en la
familia de curvas del transistor.
Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran. Hay dos casos extremos:
Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que significa que Vce es
prácticamente 0 voltios y….
Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que significa que Vce es prácticamente
igual a Vcc. Ver la figura.
- Ganancia de Voltaje:
−𝑉𝑜
La ganancia de tensión es: 𝐴𝑣 = , donde Vo se encuentra entre los rangos de 8-9 veces
𝑉𝑖
mayor a Vi. El emisor común tiene un desfasamiento entre las tensiones de base y
colector. Esto es, conforme la señal de entrada aumenta de valor, la señal de salida
disminuye.
III. INFORME PREVIO
El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de híbrido.
La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a
la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.
La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a. permite
la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje (Av), ganancia
de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).
Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera este
aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.
NOTA: los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son
componentes de un circuito equivalente de pequeña señal que se describirá en breve. Los
parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan parámetros “h” debido a la
palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla de variables “V e
I” en cada ecuación, ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de medición para los
parámetros h.
Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que relacionan
estas variables son los parámetros híbridos, h.
Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:
V BE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1
iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2
El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables.
Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =
Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con salida
en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie.
La unión de los dos circuitos (Figura 4) se hace tomando en cuenta que iE = iC + iB y en c.c.
se tiene IE = IC + IB = (β + 1)I B . El valor de β medido en c.c es aproximado al valor de hfe
el cual es un parámetro híbrido medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que ahora i E = (hfe +
1)iB.
Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un modelo
híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.
El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este hecho
anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura 4.
En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero hoe≈0 y una admitancia nula
es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido simplificado
no aparece hoe.
Punto de trabajo
Colector Común:
b) Hallar los valores de IB, IC, IE, VB, VE, VC y VCE. Anotar en la tabla 1.
Descripción Teórico
IB 1.20 μA
IC 0.24 mA
IE 0.24 mA
VB 0.94V
VE 0.24 V
VC 12.6 V
VCE 11.66 V
Tabla 1. Mediciones Teóricas