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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Apellidos y Nombres: Nº de Matrícula:

Flores Mendoza Edson Diego 15190112

Curso: Tema:

LABORATORIO
TRANSISTOR BIPOLAR NPN
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Informe: Fechas: Nota:

previo Realización: Entrega:

Número:
17 de junio 17 de junio
7

Grupo:10 Profesor:

Número: Horario:

viernes Ing. Luis Paretto Quispe


10
2pm a 4pm
TRANSISTOR BIPOLAR NPN

El símbolo de un transistor de unión bipolar NPN.NPN es uno de los dos tipos de transistores
bipolares, en el que las letras "N" y "P" se refieren a la mayoría de portadores de carga dentro de
las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares se utilizan hoy son
NPN, debido a de movilidad de electrones es superior a agujero de la movilidad en los
semiconductores, permitiendo que las corrientes de mayor y más rápida operación. Transistores
NPN consisten de una capa de P -dopados (semiconductores dela "base") entre dos capas N-
dopada. Una pequeña corriente de entrada de la base en el modo de emisor común es amplificada
en la salida del colector. En otros términos, un transistor NPN es "el" cuando se tira de su base de
Alto en relación con el emisor. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección de la corriente convencional el flujo cuando el dispositivo está en
modo de avance activo.

3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento. (Valores teóricos Tablas
2, 3 y 5)

DATOS:

 𝑅𝑒 = 220 Ω
 𝑅𝑐 = 1 𝐾Ω
 𝑅1 = 56 𝐾Ω (TABLA 2)

 𝑅1 = 68 𝐾Ω (TABLA 3)
 𝑅2 = 22 𝐾Ω
 𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣.
De los manuales tenemos para el transistor 2SC784(NPN-Si):

*Por ser de Silicio: 𝑉𝐵𝐸 = 0.6 𝑣 𝛽 = 30

Hallando el punto Q:

TABLA 2.
Valores(R1=56KΩ) Ic (mA) Ib (μA) Β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Teóricos 3.671𝑚𝐴 122.382µ𝐴 30 7.521𝑣 0,2 v 0.835𝑣

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 3.385𝑣
𝑅1 +𝑅2 56𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 56𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 15.795𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 56𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 3.385−0.2
 𝐼𝑏 = = = 122.382µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 15.795𝑘+(30+1)330
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 122.382µ × 30 = 3.671𝑚𝐴
 𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (122.382µ + 3.671𝑚)220 = 0.835𝑣
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {3.671𝑚(1000 + 220)} = 7.521𝑣

TABLA 3
Valores(R1=68KΩ) Ic (mA) Ib (μA) β Vce (v.) Vbe (v.) Ve (v.)
Teóricos 3.498𝑚𝐴 116.586µ𝐴 30 7.732𝑣 0,2 0.793𝑣

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 2.933𝑣
𝑅1 +𝑅2 68𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 68𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 16.622𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 68𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 2.933−0.2
 𝐼𝑏 = = = 116.586µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 16,622𝑘+(30+1)220
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 116.586µ × 30 = 3.498𝑚𝐴
 𝑉𝑒 = (𝐼𝑏 + 𝐼𝐶 )𝑅𝑒 = (116.586µ + 3.498𝑚𝐴)220 = 0.793𝑣
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {3.498𝑚(1000 + 220)} = 7.732𝑣
TABLA Nº05
P1 100kΩ 250kΩ 500kΩ 1MΩ
Ic(mA) 1.475𝑚𝐴 0.664𝑚𝐴 0.275𝑚𝐴 0.0476𝑚𝐴
Ib(µA) 49.155µ𝐴 22.125µ𝐴 9.184µ𝐴 1.586µ𝐴
Vce 10.201𝑣 11.189𝑣 11.665𝑣 11.942𝑣

 Para P=100 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 100𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 1.483𝑣
𝑅1′ +𝑅2 156𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 156𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 19.281𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 156𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 1.483−0.2
 𝐼𝑏 = = = 49.155µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 19.281𝑘+{(30+1)220}
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 49.155µ × 30 = 1.475𝑚𝐴
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − 1.475𝑚(1000 + 220) = 10.201𝑣

 Para P=250 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 250𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟑𝟎𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 0.805𝑣
𝑅1′ +𝑅2 306𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 306𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 20.524𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 306𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 0.805−0.2
 𝐼𝑏 = = = 22.125µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 20.524𝑘+{(30+1)220}
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 22.125µ × 30 = 0.664𝑚𝐴
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {0.664𝑚(1000 + 220)} = 11.189𝑣
 Para P=500 kΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 500𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟓𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 0.457𝑣
𝑅1′ +𝑅2 556𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 556𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 21.163𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 556𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 0.457−0.2
 𝐼𝑏 = = = 9.184µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 21.163𝑘+(30+1)220
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 9.184µ × 30 = 0.275𝑚𝐴
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − {0.275𝑚(1000 + 220)} = 11.665𝑣

 Para P= 1MΩ:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia equivalente:

𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 1000𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟎𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑉𝑐𝑐 ×𝑅2 12×22𝑘


 𝑣= = = 0.245𝑣
𝑅1′ +𝑅2 1056𝑘+22𝑘
𝑅1 ×𝑅2 1056𝑘×22𝑘
 𝑅𝑏 = = = 21.551𝑘Ω
𝑅1 +𝑅2 1056𝑘+22𝑘
𝑉−𝑉𝐵𝐸 0.245−0.2
 𝐼𝑏 = = = 1.586µ𝐴
𝑅𝑏 +(𝛽+1)𝑅𝑒 21.551𝑘+(30+1)220
 𝐼𝑐 = 𝐼𝑏 × 𝛽 = 7.773µ × 110 = 0.0476𝑚𝐴
 𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑐 + 𝑅𝑒 ) = 12 − 0.0476𝑚(1000 + 220) = 11.942𝑣