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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE


TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRÍCULA

- ROJAS CHAVEZ CRISTHIAN JAVIER - 17190135


- VERA BRICEÑO YERSSON JHONATAN - 17190035
- MEZA JARA JUNINHO JESUS - 17190011
- GUERRA RAMOS JURGEN ANDERS - 17190099

CURSO TEMA

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES
TRANSISTOR PNP
ELECTRÓNICOS

INFORME FECHAS NOTA

FINAL
REALIZACIÓN ENTREGA

NÚMERO
04/07/18 11/07/18
6

GRUPO PROFESOR

“ L2 “ ING. LUIS PARETTO QUISPE


EXPERIMENTO Nº.6:

I. TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

II. OBJETIVOS
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las características de funcionamiento de un transistor
bipolar PNP.

III. MATERIALES Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un multímetro. (digital)

2. Un miliamperímetro. (DC)
3. Un microamperímetro(DC)
4. Un voltímetro de c.c. (Analógico)
5. Un transistor 2N3906.

6. Un osciloscopio.

7. Resistores: Re=330 ῼ, Rc=1 Kῼ, R1= 56Kῼ, R2= 22Kῼ


8. Condensadores: Cb= 0.1 uF, Cc= 0.1 Uf, Ce= 3.3 uF
9. Una fuente de c.c. variable.

10. Cables conectores (3 coaxiales ORC).

11. Tres cordones AC.


12. Un potenciómetro de 1Mῼ.
13. Una placa con zócalo de 3 terminales.
14. Tres placas con zócalo de 2 terminales.

IV. FUNDAMENTO TEÓRICO

 El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido


consistente en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en in solo cristal
semiconductor, separadas por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas por tres regiones:

. Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
. Colector, de extensión mucho mayor.

 La extensión de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su


funcionamiento normal, la unión base-emisor esta polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación
de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Descripción

Un transistor PNP típico tiene una caja de metal o de plástico de


aproximadamente el tamaño de una arveja. Los transistores de alta potencia son
más grandes como una tapa de botella. El dispositivo tiene tres cables
denominados conectores que se conectan a otras partes de un circuito. Los
conectores se llaman base, colector y emisor, y cada uno tiene una función
específica. El cuerpo del transistor puede tener un número de pieza y el logotipo
del fabricante impreso y estampado en ella, junto con las letras “E”, “B” y “C”
que identifican los terminales de emisor, base y colector.

Materiales
El transistor consta de tres cintas de silicio especialmente tratado, un elemento
que conduce la electricidad cuando se mezcla con trazos de otros elementos. Las
dos capas exteriores tienen un tratamiento que les hace preferir las cargas
eléctricas positivas. La capa interna prefiere cargas negativas. Las tres capas
juntas forman un transistor positivo-negativo-positivo, o PNP, para abreviar.

Acción

Una pequeña corriente eléctrica que fluye a los conectores emisores y a la base
del transistor controla una corriente más grande desde el emisor al colector. Un
transistor PNP gira sobre la conexión de su emisor-colector si la tensión en la
base es menor que en el emisor. Esta acción de tipo válvula permite que el
transistor controle corrientes grandes y pequeñas, un efecto amplificador en las
corrientes más pequeñas.

Usos

Un transistor PNP en un radio aumenta la señal relativamente pequeña de una


antena, lo que te permite sintonizar emisoras a muchos kilómetros de distancia.
Los transistores de los amplificadores de potencia trasmiten a los altavoces que
requieren grandes cantidades de corriente. En los circuitos de computación,
rápidamente intercambian corrientes de encendido y apagado de manera
completa.
Los transistores también generan señales estables de alta frecuencia utilizadas
en radio y televisión.

Regiones operativas del transistor

. Región activa directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = (β + 1).Ib; corriente de colector= β.Ib


Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región
de corte está en una región intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentran conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.

. Región inversa

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,


el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido
a que la mayoría de los BJT son diseñadas para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.

. Región de corte:

Un transistor está en corte cuando corriente de colector = corriente de emisor


= 0, (Ic = Ie = 0).

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje


de alimentación del circuito (como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib = 0).

De forma simplificada se puede decir que la unión CE se comporta como un


circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

. Región de saturación:

Un transistor está saturado cuando corriente de colector = corriente de


emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = Imax).

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación


del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre
el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral Vce saturación.

V. PROCEDIMIENTO
 determinamos los valores teóricos para las tablas 2, 3 y 5.
Para ello , armamos el siguiente circuito.
DATOS:
 𝑹𝒆 = 𝟑𝟑𝟎 𝛀
 𝑹𝒄 = 𝟏 𝑲𝛀
 𝑹𝟏 = 𝟓𝟔 𝑲𝛀 (TABLA 2)
 𝑹𝟏 = 𝟔𝟖 𝑲𝛀 (TABLA 3)  El transistor TIP 32C está
 𝑹𝟐 = 𝟐𝟐 𝑲𝛀 hecho de SILICIO y es PNP,
 𝑽𝒄𝒄 = −𝟏𝟐 𝒗. entonces su VBE (activa) y
su “β” es respectivamente:

VBE=0.6V β=175

TABLA 2
(R1 = 56K Ω)
 Hallando el Rb:  Hallando Ic: ( Ic = Ib×β)
𝐑𝟏×𝐑𝟐
Rb = 𝐑𝟏+𝐑𝟐 Ic = (-53.9296uA)(175)
𝟓𝟔𝐊×𝟐𝟐𝐊 Ic = -9.4376mA
Rb = (𝟓𝟔+𝟐𝟐)𝐊
Rb = 15.794k Ω  Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
 Hallando el V: VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
V= VCE = -12 –(-
𝐑𝟏+𝐑𝟐
𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐) 9.4376mA)(1000+330)
V= (𝟓𝟔+𝟐𝟐)𝒌 VCE = 0.552 v
V = -3.3846 v
 Hallando VE:
 Hallando Ib: VBE = VB - VE……. (VB = V)
𝐕−𝐕
Ib=𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
𝐁𝐄
VE = V - VBE
−𝟑.𝟑𝟖𝟒−(𝟎.𝟔) VE = - 3.3846 – (0.6)
Ib=𝟏𝟓.𝟕𝟗𝟒×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎
VE = -3.9846 v
Ib = -53.9296uA

TABLA 3
(R1 = 68K Ω)
 Hallando el Rb: V=
𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
𝐑𝟏×𝐑𝟐 𝐑𝟏+𝐑𝟐
Rb = 𝐑𝟏++𝐑𝟐 𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐)
V=
𝟔𝟖𝐊×𝟐𝟐𝐊 (𝟔𝟖+𝟐𝟐)𝒌
Rb = (𝟔𝟖+𝟐𝟐)𝐊 V = - 2.934 v
Rb = 16.623k Ω
 Hallando Ib:
 Hallando el V: 𝐕−𝐕
Ib=𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
𝐁𝐄
−𝟐.𝟗𝟑𝟒−(𝟎.𝟔)
Ib=𝟏𝟔.𝟔𝟐𝟑×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎 VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
VCE = -12 – (-
Ib =-47.3073uA
2.6321x10-3)(1000+330)
VCE = -0.9892v
 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-47.3073uA)(175)
 Hallando VE:
Ic = -8.2787mA
VBE = VB - VE……. (VB = V)
VE = V - VBE
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
VE = - 2.934 – (0.6)
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
VE =-3.534v

TABLA 5
(PARA P1 = 100K Ω Y R1 = 56K Ω)
 Hallando Ib:
 Hallando el Rb: Ib=
𝐕−𝐕𝐁𝐄
(𝐑𝟏+𝐏𝟏)×𝐑𝟐 𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
Rb = −𝟏.𝟒𝟖𝟑−(𝟎.𝟔)
𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐 Ib=𝟏𝟗.𝟐𝟖𝟎𝟖×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎
𝟏𝟓𝟔𝐊×𝟐𝟐𝐊
Rb = (𝟓𝟔+𝟏𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝐊
Ib =- 26.9257µA
Rb = 19.2808k Ω  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-70.5843µ)(175)
 Hallando el V: Ic = -4.712mA
𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
V=  Hallando VCE: (Ic = Ie)
𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐) Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
V= (𝟓𝟔+𝟏𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝒌 VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
V = -1.483 v VCE = -12 – (-
1.4116×𝟏𝟎 )(1000+330)
−𝟑

VCE = -5.73304 v

(PARA P1 = 250K Ω Y R1 = 56K Ω)


V = -0.8048 v
 Hallando el Rb:  Hallando Ib:
(𝐑𝟏+𝐏𝟏)×𝐑𝟐 𝐕−𝐕
Rb = Ib=𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
𝐁𝐄
𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
𝟑𝟎𝟔𝐊×𝟐𝟐𝐊 −𝟎.𝟖𝟎𝟒𝟖−(𝟎.𝟔)
Rb = (𝟓𝟔+𝟐𝟓𝟎+𝟐𝟐)𝐊 Ib=𝟐𝟎.𝟓𝟐𝟒×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎
Rb = 20.524k Ω Ib = -17.871µA

 Hallando el V:  Hallando Ic:..( Ic =


𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
V= Ib×β)
𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐) Ic = (-17.871µA)(175)
V= (𝟓𝟔+𝟐𝟓𝟎+𝟐𝟐)𝒌 Ic = -3.1275mA
VCE = -12 – (-
 Hallando VCE: (Ic = Ie) 3.1275x𝟏𝟎 )(1000+330)
−𝟑

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re VCE = -7.8404v


VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

(PARA P1 = 500K Ω Y R1 = 56K Ω)


𝐕−𝐕
Ib=𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
𝐁𝐄

 Hallando el Rb: −𝟎.𝟒𝟓𝟔𝟕−(𝟎.𝟔)


(𝐑𝟏+𝐏𝟏)×𝐑𝟐 Ib=
Rb = 𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
𝟐𝟏.𝟏𝟔𝟐×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎
𝟓𝟓𝟔𝐊×𝟐𝟐𝐊 Ib =- 13.335 µA
Rb = (𝟓𝟔+𝟓𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝐊
Rb = 21.162k Ω  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-13.335 µ)(175)
 Hallando el V: Ic = -2.3336 mA
𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
V = 𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐)  Hallando VCE: (Ic = Ie)
V = (𝟓𝟔+𝟓𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝒌
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
V = -0.4567 v VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
VCE = -12 – (-
 Hallando Ib: 2.3336𝟏𝟎 )(1000+330)
−𝟑

VCE = -8.8962 v

(PARA P1 = 1M Ω Y R1 = 56K Ω)

 Hallando Rb: −𝟎.𝟐𝟒𝟓−(𝟎.𝟔)


Ib=𝟐𝟏.𝟓𝟓𝟏×𝟏𝟎𝟑 +(𝟏𝟕𝟓+𝟏)𝟑𝟑𝟎
(𝐑𝟏+𝐏𝟏)×𝐑𝟐
Rb = 𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐
Ib = -10.6114µA
𝟏𝟎𝟓𝟔𝐊×𝟐𝟐𝐊
Rb = (𝟓𝟔+𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝐊
 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-10.6114µA)(175)
Rb = 21.551k Ω
Ic =- 1.857 mA
 Hallando el V:
𝐑𝟐×𝐕𝐜𝐜
V = 𝐑𝟏+𝐏𝟏+𝐑𝟐  Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
𝟐𝟐𝐤×(−𝟏𝟐)
V= VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
(𝟓𝟔+𝟏𝟎𝟎𝟎+𝟐𝟐)𝒌

V = -0.245 v VCE = -12 – (-


1.857×𝟏𝟎−𝟑 )(1000+330)
 Hallando Ib:
𝐕−𝐕𝐁𝐄 VCE = -9.5301v
Ib=𝐑𝐛+(𝛃+𝟏)𝐑𝐞
1. verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro.
Llenar la tabla.
Tabla Nº1
Resistencia Directa(Ω) Inversa(Ω)
Base-Emisor 810 >60M
Base-Colector 806 >60M
Colector-Emisor >60M >60M

2. Armar el siguiente circuito:

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base


(Ib). Obtener el β(P1=0Ω).
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-
emisor (Vbe), y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los
datos en la tabla 3(por ajuste de P1).
e) Aumentar las resistencias de P1 a 100K, 250K, 500K y 1m.
observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el
voltaje Vce. Llenar la tabla 5.
3. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp. 1KHz. Onda senoidal.
Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar los valores en la
tabla 4.
Tabla Nº.2 (Q1)
Valores(R1=56K Ω) Ic(mA) Ib(µA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)
Teóricos -9.4376 -53.9296 174.4 0.552 0.6 -3.9846
Medidos 6.6 40 165.64 -3.72 -0.62 2.077

Tabla Nº.3(Q2)

Valores(R1=68K Ω) Ic(mA) Ib(µA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)


Teóricos -8.2787 -47.3073 174.9 -0.9892 0.6 -3.534
Medidos 5.4 32.6 165.6441 -5.088 -0.611 1.726

Tabla Nº.4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(V.PP) Av Vo(sin Ce) Av(sin


Ce)
2(Q1)
3(Q2) 850mV 9V 10.588V 2.9V 2.824V

Tabla Nº.5

P1 100Ω 250 Ω 500 Ω 1M Ω


Ic(mA) 1.98 0.57 0 0.
Ib(µA) 10.1 3.2 0 0
Vce(v) -9.500 -11.38 -12.07 -12.10
(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)
VI. CUESTIONARIO FINAL
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación
operativa con el ohmímetro.
Haciendo las mediciones respectivas se determinó los siguientes
datos de la tabla de resistencia entre la base, el colector y el emisor
verifica que se cumple con las especificaciones del transistor dado.

Tabla1
Resistencia Directa(Ω) Inversa(Ω)
Base-Emisor 810 >60M
Base-Colector 806 >60M
Colector-emisor >60M >60M

-Como se puede notar en polarización directa, la resistencia entre colector-


emisor es demasiada grande. Y en polarización inversa, en cualquiera de
las combinaciones, la resistencia es alta.

Tabla2
Valores(R1=56kΩ) Ic(mA) Ib(µA) ß Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
Medidos 6.6 40 165 -3.72 -0.62 2.077

Tabla3
Valores(R11=68kΩ) Ic(mA) Ib(µA) ß Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
Medidos 5.4 32.6 165.6441 -5.088 -0.611 1.726

Tabla5
P1 100kΩ 250kΩ 500kΩ 1MΩ
Ic(mA) 1.98 0.57 0 0.
Ib(µA) 10.1 3.2 0 0
Vce(v.) -9.500 -11.38 -12.07 -12.10
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs. Vce del circuito
del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas
2; 3 y 5
Ic

GRÁFICA Ic vs Vce
14

12

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7
Vce

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las


tablas 2 y 3?
Se encuentra en la región activa de trabajo ya que el colector esta
polarizado inversamente y el emisor directamente.

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a


120kΩ?
Se movería hacia abajo en comparación a la recta de carga.
es decir: para R =120kΩ

Hallando el Rb: V=
22k×(−12)
(120+22)𝑘
R1×R2
Rb = V = - 1.8591 v
R1+R2
120K×22K
Rb =  Hallando Ib:
(120+22)K
V−V
Rb =18.5915 k Ω Ib=Rb+(β+1)Re
BE

 Hallando el V: −1.8591−(0.6)
Ib=18.5915×103 +(175+1)330
R2×Vcc
V= R1+R2 Ib = -32.0731 uA
 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β) VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

Ic = (-32.0731 uA)(175) VCE = -12 – (-


5.6128×10 )(1000+330)
−3
Ic =-5.6128 mA
VCE = -4.5349v
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
Q(4.5349;5.6128)
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

GRÁFICA Ic vs Vce
14
12.1
12.07
11.38
12
9.5
10

8
Ic

6 5.088
3.72
4

0
0 1 2 3 4 5 6 7
Vce

 Como podemos notar el punto Q sale de la recta de carga.

5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4:


En el caso de la tabla 4 solo se trabajó con la tabla 3 (Q2) y se obtuvieron los
siguientes resultados:

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo (Sin Av(sin Ce)


Ce)
3(Q2) 850 mv 9v 10.588v 2.4v 2.824v

Es evidente que al comparar el Vo con y sin Ce manteniendo el mismo Vi = 850mv


se concluye que existe una gran diferencia de amplificación entre el circuito antes
y después de quitar el capacitor.
La amplificación con Ce es:
𝑉𝑜 9𝑣
𝐴𝑣(𝑐𝑜𝑛 𝐶𝑒) = 𝐺𝑐𝑜𝑛 = = = 10.5882
𝑉𝑖 850𝑚𝑣
Y sin Ce:
𝑉𝑜 2.4𝑣
𝐴𝑣(sin 𝐶𝑒) = 𝐺𝑠𝑖𝑛 = = = 2.8235
𝑉𝑖 850𝑚𝑣

Guanacia en amplificación con Ce con respecto a la ganancia sin Ce:


𝐺𝑐𝑜𝑛 10.5882
𝐺𝑐𝑜𝑚𝑝𝑎𝑟𝑎𝑡𝑖𝑣𝑎 = = = 3.75 𝑣𝑒𝑐𝑒𝑠
𝐺𝑠𝑖𝑛 2.8235

Es evidente la gran diferencia en amplificación la 𝐺𝑐𝑜𝑛 es 3.75 veces mayor que


la 𝐺𝑠𝑖𝑛 , esto no sucede solo en el valor de Vo sino que también en Av.

VII. CONCLUSIONES
6. Exponer conclusiones acerca del experimento:
 Se comprobó el funcionamiento experimental de los transistores NPN en
laboratorio, y se comprobó que los modelos matemáticos bajo los cuales
el transistor opera son válidos con muy pequeñas diferencias.
 Se reconoció la ganancia de corriente (β) del transistor TIP32C mediante
la comparación entre las corrientes de base y de colector, así como
también se reconoció el comportamiento de un transistor en CC. Para Vb
demasiado bajos (Cuando la resistencia 2 de base es muy grande) el
transistor entra en zona de corte y actúa como un circuito abierto (Ic = 0,
Vce=Vcc y Ib = 0).
 Se aprendió el método estático para reconocer los pines de un transistor
(colector, emisor, base), la base es el pin que marca baja resistencia
cuando se le polariza con los otros 2 pines, además de acuerdo a la
polarización de la base se reconoce si es PNP o NPN, si la base al polarizar
negativo tiene una resistencia baja al medir la resistencia entra Base-
Emisor y Base Colector, entonces significa que es un componente PNP y
si sucede lo mismo, pero al polarizar Positivo entonces es NPN.
 Se observó el funcionamiento del Transistor como amplificador en CA y de
cómo afecta el poner o no un condensador en paralelo a la resistencia de
Emisor, en general cuando el circuito cuenta con este condensador la
amplificación es mucho mayor en la experiencia observo una ganancia 3.5
veces mayor que cuando se quita el condensador.
VIII. BIBLIOGRAFÍA
. https://techlandia.com/definicion-transistor-pnp-info_247918/

. https://unicrom.com/transistor-bipolar-o-bjt-npn-pnp/

.https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipo
lar#PNP

. Electrónica. Teoría de circuitos. Boylestad - Nashelsky. ISBN 968-880-347-2

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