ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Nombre: Ortiz Esteban P. Gr:2 Fecha: 15/07/2018

Características técnicas del transistor 2N3904

Su equivalente en el manual ECG es el ECG 123 AP

ECG Descriptio Collecto Collecto Base Max Max Fre Curren Package
TYP n and r to r to to collecto device q t Gain CAS Fig
E aplication base emitter emitte r Diss mH hFE E No
Volts Volts r Volts current PD z
BVCBO BVCEO BVEBO Ic [A] watts ft
ECG NPN-Si 75 40 6 6 .500 300 200typ T0- T1
123 AF/RF Tamb=2 92 6
AP Amp,Driv 5 °C
er

Datos técnicos de transistors que manejen una potencia de disipación de 5 [W]

ECG Descripti Collect Collect Base Max Max Fre Curre Package
TYPE on and or to or to to collect devic q nt CAS Fig
aplication base emitter emitt or e mH Gain E No
Volts Volts er current Diss z hFE
BVCBO BVCEO Volts Ic [A] PD ft
BVEBO watts
ECG NPN-Si RF 75 40 5 1 5 150 200 T0- T45
295 Output min min 126
Driver
ECG311 NPN Si 55 30 3,5 4 5 800 25 TO- T6
VHF/UHF min min 39
Osc Amp
Driver
ECG NPN Si Rf 60 30 2.5 1-5 5 -- -- To- T6
329 Amp peak 39
Po 3-5 W
min
27 MHz
ECG361 NPN Si RF 36 16 4 4 5 -- 20min TO T7
407-512 39E
MHz 2W C
ECG362 NPN Si RF 36 16 4 4 5 -- 20 RF- T52
407-512 min 28S
MHz 2W
 ECG487 NPN SiRF 36 18 4 -400 5 400 20 TO- T8
mutiplier min min 39A
Ampl
136-174
Mhz
ECG251 NPN Si Hi 30 20 3 -5 5 2 100ty TO T45
0 Frec Ghz p 126 -4
Video out M

Bibliografía

Manual ECG ELECTRONICS ,1993