Electrónica General!

Tema!
ETAPAS AMPLIFICADORAS!
BASICAS!
1. En Fuente Común
2. En Drenador Común o Seguidor de Fuente
3. En Puerta Común
4. Etapas de Ganancia Cascodo
5. En Emisor Común
6. En Colector Común o Seguidor de Emisor
MARZO 2013!
Antonio Jesús Torralba Silgado 1 de 24
 1. EN FUENTE COMÚN
ð  Típica etapa de amplificador de tensión

gm1vin vout
M3 M2 +
vin + vgs1 r2 =
v IN vOUT rds1 || rds2
M1
I BIAS

ð  Con carga activa se puede conseguir alta

ganancia con baja tensión de alimentación
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 Propiedades
ð  Ganancia de tensión. Típico : -10 a -100
Av = − gm1r2 = − gm1 (rds1 || rds 2 )
ð  Resistencia de salida. Típico 10KOhm
rout = rds1 || rds2
ð  Nota:
Es posible aumentar considerablemente rout
y Av cascodando ambos transistores, M1 y M2.
Cascodar uno sólo no es suficiente.

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 Ejemplo 1: A. Fuente Común
ð  Datos: W L = 100 µm 1.6 µm I BIAS = 100µA
µ nCox' = 90 µA V 2 µ pCox' = 30 µA V 2
rds− n (Ω) = 8000 L µm I D (mA)
rds − p (Ω ) = 12000 L µm I D (mA)
ð  Se pide: Determinar la ganancia de tensión
ð  Solución: g m1 = 2µ nCox' (W L ) 1I BIAS = 1.06 mA V
8000 L µm 8000 × 1.6 12000 L µm 12000 × 1.6
rds1 = = = 128 KΩ rds 2 = = = 192 KΩ
I D (mA) 0.1 I D (mA) 0.1

Av = − g m1 ( rds1 || rds 2 ) = −81.4

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 2. EN DRENADOR COMÚN o
SEGUIDOR DE FUENTE
ð  Típica etapa buffer de tensión

I BIAS
gm1vgs1 − gmb1vs1
v IN M1 +
vin + vgs1 rds1
vOUT
M3 v s1 vout
+
M2 rds2

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 Propiedades
ð  Aplicando ecuaciones:
[
vout = gm1 (vin − vout ) − gmb1vout − vout rds1 rds2 ]
Ø despejando,
[ ]
vout 1 + ( gm1 + gmb1 + gds1 ) rds2 = gm1rds2 vin
ð  de donde, la Ganancia de Tensión es:
vout gm1
Av = = <≈ 1
vin gm1 + gmb1 + gds1 + gds 2
ð  y la Resistencia de Salida es pequeña
rout = 1 ≈ 1
(g m1 + gmb1 + gds1 + gds 2 ) (g m1 + gmb1 )
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 Ejemplo 2: Seguidor de Tensión
ð  Datos: Los mismos que en el Ejemplo 1 más
γ n = 0.5 V 0.5
ð  Se pide: Determinar la ganancia de tensión

ð  Solución: g m1 = 1.06 mA V rds1 = rds 2 = 128 KΩ

Ø Para calcular gmb1 se necesita VSB , que depende de la
entrada. Asumiremos VSB≈2 V
γ g m1
g mb1 = = 0.15 g m = 0.16 mA V
2 VSB + | 2φ F |
g m1
Av = = 0.86
g m1 + g mb1 + g ds1 + g ds 2

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 Buffer Mejorado
ð  Mejora la ganancia de tensión
v IN y la resistencia de salida, pero
I BIAS
+ M1 empeora la respuesta dinámica
y puede oscilar, requiriendo
vOUT compensación en ese caso.
M3 M2 ð  Ganancia de Tensión
gm1 A A
Av = ≈
gm1 (1 + A) + gmb1 + gds1 + gds 2 1 + A
ð  Resistencia de Salida
1 1
rout = ≈
gm1 (1 + A) + gmb1 + gds1 + gds 2 gm1 (1 + A)
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 3. EN PUERTA COMÚN
ð  Se
usa por su baja impedancia de entrada o
como amplificador de corriente
gm1vgs1 − gmb1vs1 vout
M3 M2 +
vgs1 rds1
vOUT
v s1 RL
I BIAS VBIAS M1 RS RS
+ +
+
vs vs
v IN
ð  En la figura, RL = rds2
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 Ganancia de Tensión
ð  Aplicando ecuaciones en los nodos
(GL + g ds1 )vout − g ds1vs1 − (g m1 + g mb1 )vs1 = 0 (1)
(GS + g ds1 ) vs1 − GS vS − g ds1vout + (g m1 + g mb1 )vs1 = 0 (2)

Ø Despejando vs1 en (1), y sustituyendo en (2)

vout GS gm1 + gmb1 + gds1

Av = =
vs gm1 + gmb1 + gds1 GL + gds1
GS +
1 + gds1 GL

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 Algunas precisiones
GS gm1 r
Av ! = in gm ( rds1 || RL )
gm1 GL + gds1 rin + RS
GS +
1+ gds1 GL
El primer término es debido al divisor de tensión
que hay en la entrada (más adelante
comprobaremos el valor de rin).
Ø Por ello, si RS es muy pequeña, Av → gm1(RL||rds1)
y, dependiendo del valor de RL , Av puede llegar a
tener un valor elevado.
Ø Si, por el contrario, RS es grande, entonces Av→ 0
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 Resistencias de entrada y Salida
ð  Resistencia de Entrada vista en la fuente de M1:
1 ⎛ g ds1 ⎞
rin = ⎜⎜1 + ⎟⎟
g m1 + g mb1 + g ds1 ⎝ GL ⎠
Ø que es aproximadamente 2/gm1 si la carga es un espejo
simple, pero puede ser muy grande si la carga es
elevada, por ejemplo un espejo cascodo
ð  Resistencia de Salida:
rout = rds1 + RS !"1+ ( gm1 + gmb1 ) rds1 #$ % RS ( gm1rds1 )
Ø A esto se le llama efecto cascodo. La resistencia que
hay en la fuente se multiplica por la ganancia del
transistor y puede llegar a ser muy elevada
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 4. ETAPAS GANANCIA CASCODO
ð  Etapas amplificadores de muy alta ganancia

I BIAS I BIAS1
vOUT M2
VCAS v IN VCAS
M1
M2
v IN
M1 vOUT
I BIAS
Telescópica Plegada

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 Comparando las dos Versiones
ð  En ambos casos, si queremos una ganancia elevada,
IBIAS debe ser un espejo de elevada resistencia de
salida, por ejemplo, cascodo.
ð  Ventajas de la configuración plegada
Ø Los niveles dc a la entrada y salida son similares
Ø Puede trabajar con menor tensión alimentación.
ð  Inconvenientes:
Ø Necesita otra fuente de polarización
Ø Menor producto GBW: a igual tamaño del trans.
pMOS (igual C parásita), éste tiene menor gm.
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 Ventajas de las Etapas Cascodo
ð  Se consiguen elevadas ganancias por su elevada
resistencia de salida. (La resistencia de carga debe ser
también elevada, normalmente una capacidad).
ð  La tensión en el drenador de M1 se mantiene aprox.
cte., minimizando el efecto de modulación de canal,
muy importante en las tecnologías modernas.
ð  Estas propiedades se consiguen sin degradar la
velocidad, como veremos a continuación para una
carga capacitiva

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 Comparación de GBW
2
I BIAS I BIAS 1 ⎛ gm ⎞
vOUT vOUT ⎜ ⎟
VCAS 2 ⎝ gds ⎠ Cascodo
M2
gm Normal
v IN v IN
CL CL 2 gds
M1 M1

2 gds2 2gds g m
NORMAL CASCODO
gm C L CL CL
gm
ð  Tienen el mismo GBW =
CL
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 Amplifi. Cascodo Telescópico
ð  Resistencia de Salida: (Típica 1 Mohm)
Ø Del espejo cascodo sabemos que la rout en el
drenador de M2 es aprox. rds2 gm2 rds1. Supuesto
que la polarización también es cascodo,

rout ≈ rds2 gm2 rds1 2

ð  Ganancia de Tensión: (Típica 1000)
2
gm1 gm2 rds1rds2 1 ⎛ gm ⎞
Av ≈ gm1rout ≈ ≈ ⎜ ⎟
2 2 ⎝ gds ⎠
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 5. EN EMISOR COMÚN
ð  Típica etapa de amplificador de tensión
RS gm1vbe1 vout
RL vs +
+
vbe1 rπ 1 r2 =
RS vOUT ro1 || RL
Q1
+
vs ð  Las principales diferencias con la
etapa en fuente común son:
Ø  el mayor valor de gm y
Ø  la resistencia de entrada finita

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 Propiedades
ð  Resistencia
de salida rout = ro1
ð  Ganancia de Tensión:
− gm1 (ro1 || RL )
Av =
1 + RS rπ 1
ð  Sila carga es un espejo, entonces RL = ro2
ð  Podemos aumentar la resistencia de salida y la
ganancia cascodando amplificador y carga

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 5. EN COLECTOR COMÚN o
SEGUIDOR DE EMISOR
ð  Buffer de Tensión

RS
RS ib gm1vbe1
Q1 +
+
vs + vbe1 rπ 1 ro1
vOUT vs
RL RL vout

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 Ganancia de Tensión
⎛ 1 1 ⎞
ð  Nodo vout : vout ⎜ + ( )
⎟ − 1 + gm1rπ 1 ib = 0
⎝ ro1 RL ⎠
( )
Ø como vs = vout + ib Rs + rπ 1 , despejando

1
Av = ≈1
RS + rπ 1 ⎛ 1 1 ⎞
1+ ⎜ + ⎟
1 + gm1rπ 1 ⎝ ro1 RL ⎠

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 Resistencia de salida
ð  Anulamosla fuente de entrada, hacemos RL infinito y
ponemos la fuente v
RS i b
gm1vbe1
+
vbe1 rπ 1 ro1

vs +
i v
ð  Operando

v 1 RS + r! 1 RS + r! 1
rout = = ! =
i 1 1+ gm1r! 1 1+ gm1r! 1 1+ "
+
ro1 RS + r! 1 muy pequeña
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 Bibliografía
[1] D.A.Johns, K.Martin. Analog Integrated Circuit Design.
John Wiley & Sons. New York: 1997.

[2] P.R.Gray, R.G.Meyer. Analysis and Design of Analog

Integrated Circuits, 3rd. ed. John Wiley & Sons. New York:
1993.
[3] K.R.Laker, W.M.C.Sansen. Design of Analog Integrated
Circuits ans Systems. McGraw-ill. New York: 1994.

[4] HP.R.Gray, R.G.Meyer. Analysis and Design of Analog

Integrated Circuits, 3rd. ed. John Wiley & Sons. New York:
1993.

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