FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES Y MATEMÁTICAS

ESCUELA PROFESIONAL DE QUÍMICA

CURSO ESTADO SOLIDO

TEMA : SÍNTESIS POR EL MÉTODO CVT(CHEMICAL VAPOR TRANSPORT) Y CVD(CHEMICAL VAPOR

DEPOSITION)

EXPOSITOR: LAURA SEGUNDO

 FUNDAMENTOS DEL MÉTODO CVD

 LA DEPOSICIÓN QUÍMICA DE VAPOR ES UN PROCESO DE RECUBRIMIENTO CON PLASMA

QUE SE PUEDE REALIZAR USANDO UN SISTEMAS DE PLASMA A BAJA PRESIÓN.
 LA DEPOSICIÓN QUÍMICA DE VAPOR (CVD, POR SUS SIGLAS EN INGLÉS) PERMITE DEPOSITAR CAPAS
EXTREMADAMENTE DELGADAS SOBRE UNA SUPERFICIE. ESTO SE LOGRA CALENTÁNDOLA SUPERFICIE A UNA
TEMPERATURA ELEVADA ANTES DE CANALIZAR UN MONÓMERO EN LA CÁMARA.
 EL MONÓMERO DEJA UN RECUBRIMIENTO SOBRE CUALQUIER MATERIAL QUE EL
FABRICANTE DESEE EMPLEAR. LA CVD SE EMPLEA EN EL CAMPO DE LOS SEMICONDUCTORES PARA APLICAR
PELÍCULAS O RECUBRIMIENTOS MUY DELGADOS SOBRE
SUPERFICIES. GENERALMENTE LAS SUPERFICIES SON RECUBIERTAS CON CAPAS DE CARBONO,
SILICIO, NANOTUBOS DE CARBONO, CARBURO DE SILICIO O NITRURO DE SILICIO. LA CVD TAMBIÉN SE PUEDE
EMPLEAR EN LA PRODUCCIÓN DE DIAMANTES SINTÉTICOS.
 ASPECTOS BASICOS DE LA REACCION DE CVD

• REACCIÓN DE UNO O VARIOS COMPUESTOS EN FORMA DE GAS O VAPOR PARA DAR UN

PRODUCTO SÓLIDO (RECUBRIMIENTO).DOS TIPOS DE REACCIÓN:

• 1/ HOMOGÉNEA: FASE GAS ---- POLVO CERÁMICO

• 2/ HETEROGÉNEA: SUPERFICIE ---- RECUBRIMIENTO
ASPECTOS GENERALES
Técnica de síntesis de materiales en capa
delgada mediante reacción química en fase
vapor, partiendo de gases o líquidos
precursores

Permite depositar una gran variedad de

materiales, fundamentalmente metales y
compuestos metálicos.

Posibilidad de controlar la composición de

materiales.

Recubrimiento uniforme y "conforme" (piezas

en 3D) en una gran variedad de sustratos

presión atmosférica ECV (APCVD) -
procesos de CVD a presión
atmosférica.
POR PRESION DE FUNCIONAMIENTO
CVD de baja presión (LPCVD) -.
procesos CVD a presiones
subatmosféricas1 presiones reducidas
tienden a reducir reacciones no
deseados en fase gaseosa y mejorar
la uniformidad de la película sobre la
oblea. Los procesos CVD más
modernos son bien LPCVD o UHVCVD.
PROCESOS
Ultra vacío, CVD (UHVCVD) - los
procesos CVD a una presión muy baja,
por lo general por debajo de 10-6 Pa
(~ 10-8 torr ). Tenga en cuenta que en
otros campos, la división inferior entre
el alto y ultra alto vacío, es a menudo
10-7 Pa.
por las características físicas de vapo
Aerosol CVD asistida (AACVD) - Un
procedimiento de CVD en la que los
precursores son transportados al
sustrato por medio de un aerosol
líquido/gas, que puede ser generado
por ultrasonido Esta técnica es
adecuada para su uso con precursores
no volátiles.
inyección directa de líquido CVD
(DLICVD) - Un procedimiento de CVD
en la que los precursores se encuentran
en forma líquida (líquido o sólido
disuelto en un disolvente conveniente).
Las soluciones líquidas se inyectan en
la cámara de vaporización mediante
inyectores (por lo general inyectores
de automóviles)
 Procesos
Rápido CVD
térmico (RTCVD) -
Remoto mejorada procesos de CVD
Mejorada por que utilizan
plasma CVD por plasma CVD lámparas de
(PECVD) - procesos CVD de alambre (RPECVD) - Similar Híbrido físico- calefacción u otros
que utilizan CVD caliente (HWCVD) a PECVD excepto deposición de métodos para
de plasma. para - también conocida Deposición de que el sustrato vapor químico calentar
mejorar la tasa de como CVD vapor mediante (oblea) no está (HPCVD) - procesos rápidamente el
Métodos con reacción química catalizador (Cat- procesos químicos directamente en la de deposición de sustrato de la Deposición de
Plasma (véase Microondas CVD) o CVD de organometálicos región de ECV de capa vapor que Vapor de epitaxia vapor asistida por
también el asistida por plasma de los precursores2 (MOCVD) - descarga de Atómica ( ALCVD ) oblea. Calentar eyección
procesamiento filamento caliente involucran tanto la sólo el sustrato en en fase (VPE)
procesamiento de CVD (MPCVD (HFCVD). Utiliza un procesos CVD plasma. La - Depósitos descomposición lugar de las electroestática
plasma ): PECVD permite la basado en separación de la (ESAVD)
deposición a filamento caliente química del gas paredes de gas o
para descomponer precursores oblea de la región precursor como la cámara ayuda a
temperaturas más organometálicos. del plasma permite
bajas, lo cual es a químicamente los vaporización de reducir las
procesar menores una fuente sólida. reacciones en fase
menudo crítico en gases primarios.3 temperaturas hasta
la fabricación de la temperatura de gas no
semiconductores ambiente. deseadas que
pueden conducir a
la formación de
partículas.
VISUALIZACIÓN DE LOS EQUIPOS QUE SE UTILIZAN

https://youtu.be/lFl7PlFu9E8
 EJEMPLOS DE APLICACIÓN
Deposición química aplicada al
grafeno
- Recubrimientos de oxinitruros de silicio
- Infiltración química en fase gaseosa
- Diamantes
 MUESTRA VARIOS MATERIALES
DEPOSITADO POR CVD; SILICIO POLICRISTALINO,
TUNGSTENO (W), SIO2
Y SI3
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL MÉTODO
FUNDAMENTO DEL CVT
CVT

Por este método se obtuvieron cristales El transporte de vapor químico (CVT),

solos de dicalcogenuros de metal de una técnica popularizada por
transición (TMD) y péptidos.
Schäfer, es un proceso donde una
fase condensada, típicamente un
sólido se volatiliza en presencia de un
reactivo gaseoso (agente de
transporte) y se deposita en otro
lugar en forma de cristales

El transporte se rige por dos procesos:

convección y difusión. Aunque se
pueden obtener cristales más grandes
aumentando las velocidades de
transporte que favorecen la Los agentes de transporte típicos
convección incluyen halógenos y compuestos de
halógeno.

La configuración consiste en un horno de 2 zonas (fuente T 2 y

sumidero T 1 ), el reactivo y el agente de transporte se sellan en
una ampolla. Los diversos parámetros que deben optimizarse
para una CVT exitosa son la temperatura de crecimiento, la
dirección de transporte, la velocidad del transporte de masa, la
elección del agente de transporte y la energía libre de la
reacción.
El transporte de vapor químico representa la técnica estándar para producir
dicalcogenuros de metal de transición a granel (TMDC). Los materiales de partida
para el crecimiento del cristal (metal de transición de alta pureza T y calcógeno X ) se
rellenan con composición estequiométrica usando un ligero exceso de calcógeno en una
ampolla de cuarzo junto con un agente de transporte (en este caso yodo J ). La ampolla
se introduce en un horno con un gradiente de temperatura T y T-  T (ver Fig. 1).
 VENTAJAS

• Aunque la técnica cvt es muy útil para el crecimiento de gran tamaño monocristales estratificados,
los cristales cultivados mediante esta técnica generalmente incorporar una pequeña cantidad del
agente de transporte durante el crecimiento proceso, que puede permanecer como una impureza
activa. esto afecta la temperatura y propiedades eléctricas de los cristales crecidos en un grado
considerable. en algunos casos, por ejemplo zrse2 cultivado usando i2, el agente de transporte
permanece fuertemente adsorbido en la superficie o incorporado entre las capas y se vuelve
difícil eliminarlo por completo
• MIENTRAS QUE EN CVD LOS SÓLIDOS SE FORMAN A PARTIR DE COMPUESTOS GASEOSOS, EN
CVT UNO O VARIOS SÓLIDOS INTERACCIONAN CON UN COMPUESTO VOLÁTIL,
DEPOSITÁNDOSE UN PRODUCTO SÓLIDO EN UNA ZONA DISTINTA DEL APARATO. EL
PROCEDIMIENTO SE UTILIZA TANTO PARA PREPARAR COMPUESTOS COMO PARA CRECER
CRISTALES A PARTIR DE POLVOS O CRISTALES MENOS PUROS. EJEMPLO: PREPARACIÓN DE
MAGNETITA FE3O
 EJEMPLOS DE APLICACIÓN

La técnica CVT ha sido

ampliamente utilizada para
la síntesis,
purificación y crecimiento de
una gran cantidad de
cristales. La aplicación de
CVT a MX2
la síntesis de hyperbranched
epitaxialmente FeSi nanocables vía
transporte químico de vapor utilizando
FeSi2 como el material de origen y I 2
como el transporte agente
 COMPARACIÓN DE LOS MÉTODOS

DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR (C V D)

Se preparan cristales a partir de vapores. Consiste en mezclar
materiales de partida volátiles a una temperatura adecuada
y cristalizar el sólido.
Ejemplo: Preparación de Niobiato de Litio LiNbO3

TRANSPORTE QUIMICO DE VAPOR (C V T)

Mientras que en C V D los sólidos se forman a partir de
compuestos gaseosos, en C V T uno o varios sólidos
interaccionan con un compuesto volátil, depositándose un
producto sólido en una zona distinta del aparato. El
procedimiento se utiliza tanto para preparar compuestos
como para crecer cristales a partir de polvos o cristales menos
puros.
Ejemplo: Preparación de Magnetita Fe3O4
 BIBLIOGRAFÍA
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• RECUBRIMIENTOS DEPOSITADOS POR CVD-FBR PARA PROTECCIÓN A ALTA TEMPERATURA COATINGS
DEPOSITED BY CVD-FBR FOR PROTECTION AT HIGH TEMPERATURE JOSE LUDDEY MARULANDA-AREVALO

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