Вы находитесь на странице: 1из 5

Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Informe Final Laboratorio Nº3:


ESTUDIO DEL OSCILADOR GUNN
Freddy Berrospi, César Rojas
Ingeniería de Telecomunicaciones, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima-Perú

fberrospia@gmail.com
rasecs.2010@gmail.com

Resumen—En el presente informe se tratará El diodo Gunn se utiliza principalmente


con la teoría del diodo GUNN usado en la en frecuencias de microondas y superiores. Su
construcción del oscilador. uso más común es en los osciladores, pero
también se utilizan en los amplificadores para
Keywords—Oscilador Gunn, Diodo Pin, amplificar las señales de microondas.
En estudios recientes se han estado
Frecuencia de corte y resonancia.
comparando el uso de diodos gunn GaN y diodos
gunn basados en GaAs. Los resultados muestran
I. INTRODUCCIÓN que el diodo gunn GaN tiene un gran potencial
para la generación de señales milimétricas.
La generación de frecuencias para el Los diodos Gunn suelen fabricarse de
rango de microondas se puede realizar de varias arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
maneras, siendo las más comunes el uso del GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden
Klystron, Magnetrón, sobre todo en aplicaciones alcanzar los 3 Terahertz.
de grandes potencias, para otros fines lo más
común es el uso de dispositivos de estado sólido
como los transistores de efecto de campo de
AsGa y diodos Gunn, sobre todo por su tamaño
pequeño y bajo consumo.
En el presente trabajo, se explicará
acerca de los principios y el funcionamiento del
oscilador Gunn, el mismo que se basa en el
diodo Gunn, y por ende en el efecto que lleva el
mismo nombre.
Se ha propuesto una serie de objetivos
para la realización de esta experiencia los cuales
se mencionan a continuación:
Fig. Diodo Gunn 3A7056.
 Determinación de la curva del diodo
Gunn. A partir de este efecto es posible obtener
 Hallar las frecuencias de corte y una oscilación donde la frecuencia es
resonancia. determinada parcialmente por las propiedades de
la capa o zona intermedia del diodo, pero también
puede ser ajustada exteriormente. Los diodos
II. ESTADO DEL ARTE
Gunn son usados para construir osciladores en el
rango de las frecuencias comprendidos entre los
10 Gigahertz y las frecuencias aún más altas. Este
El efecto Gunn fue descurbierto por el
diodo se usa en combinación con circuitos
brtánico J.B. Gunn en 1963. Este efecto es eficaz
resonantes con guías de ondas cavidades
para la generación de oscilaciones en el rango de
coaxiales y resonadores YIG (monocristal de
las microondas en los materiales
granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus
semiconductores. Gunn observó esta
siglas en inglés) y la sintonización es realizada
característica en el Arseniuro de Galio (Ga As) y
mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso
el Fósfore de Indio (InP).

pág. 1
Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

de resonadores YIG en los cuales los ajustes son


eléctricos.

III. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
1.- Armar el circuito según el gráfico 3.1

2.- Con tensiones de 0 a 10 entregados al diodo


Gunn, halle la corriente en mA y complete la
tabla 3.1.

Datos obtenidos en una prueba anterior:


Imagen del circuito ya implementado:
V(DC) I(mA)
0.0 0
0.5 50
1.0 75
1.5 110
2.0 130
2.5 150
3.0 150
3.5 155
4.0 145
4.5 140
Detalle de la fuente de alimentación del diodo 5.0 140
Gunn: 5.5 140
6.0 130
6.5 130
7.0 125
7.5 120
8.0 115
8.5 115
9.0 110
9.5 110

3.- Medir a y b de la guía de ondas con un


vernier.

Detalle del osciloscopio utilizado:

a = 2.29 cm
b= 1.01 cm

4.- Medir la profundidad de la guía de onda d.

pág. 2
Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

5.- Hallar la frecuencia de resonancia


(utilizando el frecuencímetro) para los valores Debido al comportamiento experimental y la
diferentes del valor de frecuencia de cavidad teoría previa acerca de este dispositivo (diodo
resonante Gunn y completar la tabla 3.2. Gunn) podemos decir que dicho diodo posee
regiones de dopaje con alta concentración
electrónica (Tipo N).

2.- Hallar la potencia DC(Vdc x Idc) con los


valores indicados en la tabla 3.1. y graficarlos.

Potencia vs. Tensión:

Corriente vs. Potencia.

Item Frecuencia Valor de Valores del


del profundidad frecuencímetro
resonador (d)
d1 d2 fL fC fH
1 8.5 GHz 4,39 5,15 8,553 8,556 8,564
2 9 GHz 4,05 4,81 9,064 9,077 9,091
3 9.5 GHz 3,78 4,54 9,602 9,605 9,610
4 10 GHz 3,56 4,32 10,051 10,068 10,079
5 10.5 GHz 3,39 4,15 10,583 10,594 10,605

IV. PREGUNTAS 3.- Hallar la frecuencia de corte (fc).


1.- Trazar la gráfica V(tension) vs I(corriente)
usando los datos de la table 3.1. Según la gráfica Frecuencia de corte:
y lo explicado en clase que tipo de Dopado
presente el diodo Gunn. Es la mínima frecuencia de operación que posee
una guía de onda. Las frecuencias por debajo de

pág. 3
Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

la frecuencia de corte no serán propagadas por


la guía de onda. Entonces, usando nuestros calculamos la
impedancia de guía:
𝑐 𝑚 2 𝑛 2 377
𝑓𝑐𝑚𝑛 = √( ) + ( ) 𝑍𝑔 =
2 𝑎 𝑏 2
√1 − (6.57894736)
9
La frecuencia de Operación f=9GHz
377
𝑍𝑔 = = 552.47507379 Ω
0.6823837271
Como sabemos los valores de a= 0.0229 m y
b=0.0101 m y además para la frecuencia de
corte tenemos que los valores de m y n son 1 y 0 𝑙𝑢𝑒𝑔𝑜
respectivamente. → 𝑍𝑔 = 552.47507379 Ω

Por lo tanto teóricamente tenemos que la 6.- Indicar según tabla comercial, y según las
frecuencia de corte según la ecuación 1 es la mediciones de los lados a y b de la guía el tipo
siguiente: de guía de onda que se trabaja.

Según hemos observado en el laboratorio, la


2 2
3 × 108 1 0 sección transversal de la guía de onda usada en el
𝑓𝑐10 = √( ) +( )
2 0.0229 0.0101 laboratorio tiene forma rectangular, razón por la
cual se podrían clasificar la guía de onda como
una de tipo rectangular.
𝑓𝑐10 = 6.55022 𝐺𝐻𝑧
Las guías de onda rectangulares son las formas
Finalmente obtenemos que la frecuencia de más comunes de guías de onda. La energía
corte teórica obtenida tiene un valor mucho electromagnética se propaga a través del espacio
menor que la frecuencia de operación (f=9 GHz) libre como ondas electromagnéticas
lo cual evidentemente trae como consecuencia transversales (TEM) con un campo magnético,
una propagación de la señal a través de la guía un campo eléctrico, y una dirección de
de onda. propagación que son mutuamente
perpendiculares. Una onda no puede viajar
4.- Hallar la frecuencia de resonancia de la directamente hacia abajo de una guía de onda sin
cavidad con los valores medidos (a, b y d). reflejarse a los lados, porque el campo eléctrico
tendría que existir junto a una pared conductiva.
La frecuencia de resonancia para una cavidad Si eso sucediera, el campo eléctrico haría un
rectangular esta dada por la siguiente función: corto circuito por las paredes en sí.
𝑐 𝑚 2 𝑛 2 𝑙 2
𝑓𝑐𝑚,𝑛,𝑙 = √( ) + ( ) + ( ) Para propagar una onda TEM exitosamente a
2 𝑎 𝑏 𝑑
través de una guía de onda, la onda debe
propagarse a lo largo de la guía en forma de
Para la frecuencia de 9GHz tenemos: zigzag, con el campo eléctrico máximo en el
centro de la guía y cero en la superficie de las
2 2 2
3 × 108 1 0 2 paredes.
𝑓𝑐102 = √( ) +( ) +( )
2 0,0229 0,0101 0,0405

𝑓𝑐104 = 8,38691 𝐺𝐻𝑧

5.- Hallar la impedancia de la guía de onda.

Por definición la guía de onda se calcula de la


siguiente manera:

377
𝑍𝑔 =
2
√1 − (𝑓𝑐 )
𝑓

pág. 4
Universidad Nacional de Ingeniería – Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

 Los parámetros fundamentales que


determinan la oscilación, son; el voltaje
aplicado al cristal, la longitud del
semiconductor GaAs, y la frecuencia de
oscilación de la cavidad resonante.
 Se impide la oscilación superior a la
frecuencia deseada debido a que la
cavidad es muy pequeña para
conducirlas, y de frecuencias inferiores
debido a que el diodo es muy lento para
generarlas.

VI. REFERENCIAS

[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Snell
[2] Elementos de Electromagnetismo, 3ra Edicion –
Matthw N.O. Sadiku
[3] Fundamentos del Electromagnetismo para Ingeniería-
David K. Cheng.
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Cavidad_resonante
[5] Microwave engineering/David M. Pozar.—4th ed.

V. CONCLUSIONES
 El descubrimiento del efecto Gunn, en
materiales como el GaAs, permite la
generación de microondas, mediante el
concepto de resistencia diferencial
negativa para un rango de frecuencias
comprendidos entre 5 y 140GHz.
Le energía que los electrones deben
ganar para pasar de un valle a otro es
aproximadamente de 0.36eV, esto les
permite moverse de un valle a otro y
generar así dominios Gunn, y por tanto
corrientes de oscilación de las
microondas.
 La corriente de oscilación generada por
los electrones es amplificada, hasta
llegar a un estado e la energía dentro de
la NDR sea igual a la disipada por la
resistencia, esto se puede entender
mediante el concepto de resistencia
negativa.
 No existe el concepto de resistencia
negativa, debido a que la resistencia
estática es siempre positiva, lo que
existe es la resistencia diferencial
negativa.
 El fundamento básico para un oscilador
Gunn es un circuito RLC, el mismo que
es modelado mediante el uso de una
cavidad resonante.

pág. 5