Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera)
Practica I: Fundamento de Transistores BJT,
JFET, y MOSFET
José Luis García, 20131005102 y Daniel Meza, 20121008619

Resumen—En este informe vamos a analizar el
comportamiento de distintos tipos de transistores, para esto
primero que nada vamos a aprender a identificar cada una de las
terminales de dichos transistores y así conocer su tipo y poder
usarlo de la forma correcta y no dañarlos, luego de forma virtual
vamos a someterlos a distintas situaciones y sacar graficas que nos
van a ayudar a poder tener una idea de cuál es su comportamiento
en dichos parámetros.
Palabras Clave—Barrido DC, curva característica, ganancia,
transistor.
I. INTRODUCIÓN
E n esta práctica aprenderemos sobre lo que son unos de los
componentes de mayor uso en la electrónica que son los
transistores el principio de la electrónica moderna y en la
actualidad es ampliamente utilizado en una gran cantidad de
circuitos electrónicos también está el multisim que es una gran
herramienta y es conveniente que todo aficionado o experto en
la electrónica tenga a su alcance un instrumento como este que
le permita enterarse de forma rápida y clara cómo funcionan
cada uno de los componentes.
II. OBJETIVOS
1) Comprender el funcionamiento de los transistores.
2) Determinar los parámetros principales de los transistores.
3) Familiarizarse con las herramientas de análisis de
Multisim.
4) Entender el funcionamiento de los transistores BJT, JFET,
MOSFET mediante análisis en multisim y NI-ELVIS.
5) Mediante la simulación en Multisim, familiarizarnos con el
funcionamiento básico de los transistores alimentados por
corriente DC y AC.
Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH
1
III. MARCO TEÓRICO
A. Construcción básica de los Transistores
Los transistores BJT (Transistor Bipolar de Juntura), JFET
(Transistor de Efecto de Campo de Unión) y MOSFET
(Metaloxide-semiconductor Field-effect transistor) son
construidos principalmente con bases puras de silicio. Cada una
de las bases son combinadas con “impurezas” o materiales
intrínsecos para proporcionarle el funcionamiento
característico y su tipo NPN y PNP para los BJT y Canal N/P
para los FET. Estas impurezas son llamadas material de tipo P
(Galio) y material de tipo N (Arsénico) los cuales proporcionan
“huecos” y electrones respectivamente a las bases de silicio.
Estos huecos y electrones reaccionan y se mueven dependiendo
de la magnitud de diferentes voltajes aplicados en las terminales
conectadas a las bases de los transistores. Así, podemos realizar
mediciones para determinar el estado del transistor, el tipo, sus
terminales, parámetros y características.
B. Pruebas de Diodos.
Las pruebas de diodos es un método para determinar las
terminales de transistores. Consiste en utilizar un multímetro y
medir continuidad entre dos terminales. Al haber continuidad,
se dice que la terminal positiva está conectada a un material de
tipo P y la terminal negativa está conectada a un material tipo
N.
C. EL BJT
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de
bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Uno de los parámetros más importantes para este transistor
es la ganancia. Para que opere en la región de activa, el diodo
Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera)
base emisor tiene que estar polarizado en forma directa y el
diodo base colector tendrá que estar polarizado en forma
inversa; cuando el transistor bipolar se prepara para que opere
en la región activa, se cumple que la corriente que ingrese por
la base IB va a controlar la cantidad de corriente que circulará
por el colector IC, este control es en forma lineal, se cumple una
relación matemática a la cual se le llama ganancia del transistor
y se le simboliza con β.
𝐼𝐶
β= (1)
𝐼𝐵
Con las pruebas de diodos se puede determinar el tipo del
transistor y una de las terminales: la base. Para determinar las
otras terminales es necesario medir la resistividad que existe
entre la base y las otras terminales conectando siempre la punta
positiva del tester en la base si esta es de material tipo P o la
punta negativa si la base es tipo N. En la construcción del
transistor, el emisor está dopado con mayor cantidad de
impurezas tipo N que el colector lo que indica que en el emisor
existe una menor conductividad (mayor resistencia) que el
colector. La resistencia más alta obtenida entre las dos
mediciones indica que la terminal desconocida es el emisor del
transistor y, por lo tanto, la otra terminal es el colector.
D. EL JFET.
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal
que es capaz de controlar la corriente entre las otras dos. Estos
basan su funcionamiento en la polarización de un campo
eléctrico producido por un terminal de puerta y el canal de
conducción de manera que mientras más negativa sea la tensión
en la puerta, menor ser ‘a la corriente por el canal. La ecuación
de Schokley define su funcionamiento:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (2)
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
Para determinar el estado del transistor, es necesario medir la
resistividad del canal que existe entre las terminales drenador y
fuente. Normalmente, esta resistencia debe ser un valor bajo.
Además, se debe medir la resistencia de la fuente-compuerta en
polarización directa. El valor de resistencia es bajo. Al medir en
polarización inversa, el canal se cierra y la resistencia debe ser
muy elevada.
E. El MOSFET tipo Enriquecimiento.
El MOSFET presenta ciertas ventajas sobre el JFET, una de
ellas es que desde su construcción física existe un aislamiento
de la compuerta y el canal, lo que provee una mayor impedancia
de entrada. A diferencia del JFET, el canal entre el drenador y
la fuente inicialmente no está construido. Es necesario aplicar
en la compuerta un voltaje positivo igual o mayor al voltaje de
ruptura VGS(Th) para que se forme el canal. Entre mayor es el
voltaje en la compuerta, mayor es la corriente a través del canal.
Este comportamiento lo define la ecuación de transferencia:
Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH
2
𝐼𝐷 = k(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) )2 (3)
Donde k es la constante de construcción. Es posible
determinar el estado del MOSFET midiendo la resistencia del
canal entre la fuente y el drenado cuando el MOSFET está
apagado. Esta resistencia debe ser baja. Cuando se le suministra
un voltaje positivo en la compuerta, se crea el canal entre
drenador y fuente y la resistencia del canal se reduce
considerablemente.
Para la constante k, relacionada con su construcción usamos
la siguiente ecuación:
𝐼𝐷𝑆(𝑜𝑛)
k= ( 4)
(𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) )2
IV. MATERIALES Y EQUIPO
1) Texas Instruments ELVIS.
2) Transistores: 2N2222, 2N5485, BS170.
3) Puentes
4) Computadora
5) Programa Multisim.
V. PROCEDIMIENTO
A) Transistores BJT.
1. Conecte adecuadamente un transistor BJT en el
protoboard.
2. Mediante el uso del multímetro, haga mediciones de
continuidad entre dos patas del transistor BJT.
Cuando exista continuidad entre dos terminales,
entonces la terminal conectada a la punta positiva
del tester es tipo P y la terminal conectada a la punta
negativa del tester es tipo N. Con la punta positiva
en la terminal identificada de tipo P, conecte la punta
negativa a la otra terminal restante. Al existir
continuidad, el tipo de transistor es NPN y la punta
positiva del tester está conectada a la base (tipo P).
Si no existe continuidad en esta segunda prueba,
mantenga conectada la punta positiva en la terminal
restante y conecte la punta negativa a la terminal tipo
N determinada anteriormente. Al existir continuidad,
el transistor es PNP y la punta negativa del tester esté
conectada a la base del transistor (Tipo N). Si no se
cumplen las condiciones anteriores, el transistor está
dañado. ¿Qué tipo de transistor es, NPN o PNP?
Respuesta: Nuestro transistor es un NPN.
3. Para identificar las terminales colector y emisor
se debe medir la resistencia (en polarizacion
directa) que hay entre las dos uniones (base-emisor
y base-colector). La resistencia mayor indica el
emisor y la resistencia menor el colector.
Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera) 3

6. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de

Tipo N Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VCE y haga que varíe de 0 a
12V con incrementos de 1V. Para Source 2, elija a la
fuente VB y haga que varíe de 0 a 5V con incrementos
de 1V. Cada incremento de VB es una nueva curva
característica debido a que IB varía. Grafique las
características del transistor BJT en la Fig. 4.
Tipo P

Tipo N

Fig. 1. Captura tomada de la guía utilizando CamScanner.

4. En Multisim, construya el circuito y tome captura

de pantalla.

Fig. 4. β sin modificar.

Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value - Edit

Model . Modifique el valor parámetro a BF= 1000 y guarde el
valor haciendo clic en Change Component. Repita el paso
anterior y grafique las características del transistor BJT en la
Fig. 5.

Fig. 2. Captura tomada para el circuito del paso 4.

5. Mida las corrientes de base y de colector. Calcule

la ganancia de corriente (β)

Fig. 5. β=1000 modificado.

B) Estado del JFET y Parámetros Principales

1. Coloque el JFET en el protoboard

adecuadamente.

Fig. 3. Corriente de base y colector respectivamente.

2. Busque en el datasheet el diagrama de las
terminales del JFET y mida la resistencia del canal
Con la ecuación (1), encontramos el valor de β: entre el drenador y la fuente. Valores altos indican
un mal funcionamiento del JFET.
578.087𝑚𝐴
β= = 140.14 3. Construya el circuito de la Fig. 6 . en un
4.125𝑚𝐴
protoboard.

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera)
Fig. 6. Captura de la imagen del circuito tomado de la guía utilizando
CamScanner.
4. Varíe el voltaje VDS desde 0 con incrementos
pequeños y mida la corriente de drenador ID como
lo indica la Tabla 1. Cuando los incrementos de ID
comiencen a ser pequeños, VDS = VGS(off) e ID =
IDSS.
TABLA I. PARAMETROS DEL JFET.
VDS (V) ID (mA)
0 0.97
0.5 1.21
1 1.44
2 1.62
3 1.74
De la tabla I, podemos darnos cuenta que:
VGS(off)= -2V y que el IDSS=1.62mA.
5. Construya en Multisim el circuito de la figura 6.
Fig. 7. Captura del circuito de la figura 6.
6. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en
DC) de Multisim, en la ventana Analisys
Parameters , elija como Source 1 la fuente
VDS y haga que v a r í e de 0 a 12V con
incrementos de 1V. Para Source 2, elija a la
fuente VGS y haga que v a r í e de -3V a 0V
Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH
4
con incrementos de 0.5V. En la ventana
Output haga doble clic en I(VDS) y haga clic
en run. Si la curva resulta invertida, añada la
expresión -I(VDS) en DC Sweep > Output
> Add expresión y elimine I(VDS). Cada
incremento de VGS es una nueva curva
característica debido a que VGS varíe de
acuerdo a la ecuación Schokley. Grafique las
características del transistor JFET en la Fig.
8.
Fig. 8. VGS(off) e IDSS sin modificar.
7. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de
Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VGS y haga que varíe de -
3V a 0V con incrementos de 0.5V. Quite el
checkmark de la casilla de Source 2 para
deshabilitar la variación de la fuente VDS (Debe ser
15V en el circuito). En la ventana Output haga
doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva
resulta invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC
Sweep > Output > Add expresion y elimine I(VDS).
El comportamiento de esta curva se rige de acuerdo
a la ecuación de Schokley. Gráfique la curva de
transferencia del JFET en la Fig. 9.
Fig. 9. VGS(off) e IDSS sin modificar.
8. Haga doble clic el transistor y entre a la opción
Value > Edit Model. Modifique los valores de los
parámetros VTO = 3 y LAMBDA = 5E-002
(variable directamente relacionada con IDSS).
Guarde estos valores haciendo clic en Change
Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera) 5

Component. Repita los pasos 2 y 3 y grafique las C) Transistor MOSFET tipo enriquecimiento.
características del transistor BJT en la Fig. 10 y la
curva de transferencia en la Fig. 11. ¿Cuál es el 1. Coloque el MOSFET en el protoboard
efecto en la gráfica de este cambio? adecuadamente.

2. Construya el circuito de la Fig. 12 en un

protoboard.

Fig. 10. VGS(off) e IDSS modificados.

Fig. 12. Captura de la imagen del circuito tomado de la guía utilizando

CamScanner.

3. Varié el voltaje VGS desde 0 y mida la corriente de

drenador como lo indica la Tabla III. Cuando ID
comienza a aumentar drásticamente VGS = VGS(th) .

TABLA III. PARAMETROS MOSFET

VGS (V) ID (mA)
0 0.07
0.5 0.07
1 0.08
1.3 0.085
Fig.11. VGS(off) e IDSS modificados. 1.6 0.09
1.8 0.51
Respuesta: De las figuras podemos a preciar que
cuando modificamos el VGS(off) e IDSS la corriente Por lo que concluimos que VGS(th) es de 1.7V
aumenta con una pendiente mas pronunciada y
además llega a valores mas altos, aproximadamente 4. En Multisim, construya el circuito de la Fig. 1 2 .
a 16mA mientras que sin modificar solo llegaba a
9mA, y en la grafica de Schokley empieza a
aumentar en valores anteriores de voltaje, en los
que todavía era constante cuando no estaba
modificado.

9. De las Fig. 8 , 9, 1 0 y 1 1 , identifique los valores

de VGS(of f ) e IDSS y complete la Tabla 3.2.
Para los parametros sin modificar, compare
estos valores con los datos proporcionados del
datasheet. ¿Existe similitud?

TABLA II. COMPARACION.

Parámetros sin modificar Parámetros modificados
VGS(off) IDSS VGS(off) IDSS
-2V 6mA -2.6 17mA
Fig. 13. Simulación del circuito de la figura 12.

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera) 6

5. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de VTO = 3 y KP = 2 (variable directamente relacionada

Multisim, en la ventana Analysis Parameters , elija con la constante de construcción). Guarde estos
como Source 1 la fuente VDS y haga que varíe de 0 valores haciendo clic en Change Component. Repita
a 12V con incrementos de 1V. Para Source 2, elija a los pasos 5 y 6, grafique las características del
la fuente VGS y haga que varíe de 0V a 6V con MOSFET en la Fig. 16 y la curva de transferencia en
incrementos de 0.5V. En la ventana Output haga la Fig. 17
doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva
sale invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC
Sweep > Output > Add expresion y elimine I(VDS).
Cada incremento de VGS es una nueva curva
característica debido a que VGS varía de acuerdo a la
ecuación de transferencia (3). Grafique las
características del transistor MOSFET en la Fig. 14.

Fig. 16. VGS(th) y k modificados.

Fig. 14. VGS(th) y k sin modificar.

6. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de

Multisim, en la ventana Analysis Parameters , elija
como Source 1 la fuente VGS y haga que varíe de 0V
a 10V con incrementos de 0.5V. Quite el checkmark
de la casilla de Source 2 para deshabilitar la fuente
(en el circuito VDS debe ser 12V). En la ventana
Output haga doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Fig. 17. VGS(th) y k modificados.
Si la curva sale invertida, añada la expresión -I(VDS)
en DC Sweep > Output > Add expresion y elimine 8. De las Fig. 14, 15, 16 y 17 identifique el valor de
I(VDS). El comportamiento de esta curva se rige de VGS(th) y calcule la constante de construcción k
acuerdo a la ecuación de transferencia (3). Grafique (utilizar ecuación 5) y complete la Tabla 4.3. Para los
la curva de transferencia del MOSFET en la Fig. 15. parámetros sin modificar, compare VGS(th) con el
rango valores proporcionados en el datasheet. ¿Esta
VGS(th) dentro del rango?

TABLA IV. PARAMETROS MOSFET (MULTISIM)

Parámetros sin modificar Parámetros modificados
VGS(th) (V) 𝐴 VGS(th) (V) 𝐴
K( ) K( )
𝑉2 𝑉2
2 0.038 3 0.133

Dada la ecuación (4), podemos calcular k:

Sin modificar:
620𝑚𝐴
𝑘= = 0.038
(6𝑉 − 2𝑉)2
Modificado:
1.2𝐴
Fig. 15. VGS(th) y k sin modificar. 𝑘= = 0.133
(6𝑉 − 3𝑉)2
7. Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value
> Edit Model. Modifique los valores de los parámetros

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

 Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera) 7

VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS la terminal 3 es tipo P, por lo que tendría que ser la base el
En la práctica pudimos identificar las terminales de los material tipo N la cual es la terminal 1.
transistores BJT, de forma correcta ya que como dice en la
teoría logramos identifican entre cuales terminales había 3) ¿Qué sucede con ID cuando se le suministra un VGS
continuidad, una vez identificando la base, solo teníamos que positivo a un JFET de canal N? ¿Y con el JFET de
saber con cuál de las otras dos terminales había más resistencia, canal P suministrándole un VGS negativo? Explique.
y esa sería la terminal de emisor ya que se dopa con mayores
impurezas y por lógica la terminal restante seria colector. Es cuando la tensión de puerta que produce el corte en el
transistor JFET la corriente de drenador es la corriente
En el JFET identificamos el VGS(off) que como sabemos es la máxima que circula por el transistor, al aumentar VDS,
curva donde la diferencia de corriente en drenador aumenta cuando la polarización de la puerta es VSG= 0V.
poco aunque aumentemos el voltaje. Y para el MOSFET
identificamos el VGS(th), que en esencia es el mismo proceso, 4) ¿Qué son los JFET simétricos? ¿Todos son simétricos?
aumentamos el voltaje de compuerta pero la corriente ya no
aumenta tanto. Significa que son dispositivos bidireccionales, no hay
distinción entre los terminales de drenaje y fuente, salvo
En relación a las simulaciones notamos como en todas ellas
por el sentido de circulación de corriente. Se toma como
cuando teníamos los parámetros modificados nos daban curvas
convención que la corriente es positiva cuando circula de
muy parecidas en cuanto a su forma, lo que variaba en todas era
drenaje a fuente. Si todos ellos lo son.
el punto en el que empezaban a variar y donde la pendiente se
iba haciendo cero, y esto es obvio porque las ecuaciones son del
mismo orden solo aumentamos constantes de esas ecuaciones, 5) ¿Por qué en los datasheet de los transistores (y
lo que hace que las pendientes suban más de lo que subían sin componentes electrónicos en general) proveen un rango
modificar. mı́nimo- maximo de valores de sus parametros con
ciertas condiciones? ¿Tomarı́a usted un valor aleatorio
VII. CUESTIONARIO de este rango o harı́a las mediciones
correspondientes? Explique.
Esta sección es opcional y dependerá de lo que el instructor
desee evaluar en la práctica del laboratorio.
Como se sabe cualquier transistor o componente electrónico
Todas las preguntas del cuestionario deben ir tener el
tiene su función específica por eso en los datashet siempre
siguiente formato:
variaran sus parámetros y antes de escoger algún valor al azar
es recomendable medir los que es corriente y voltaje para así
1) ¿ Cuál es el objetivo principal o para que sirve el DC
tener seguro el componente electrónico y no dañarlo.
Sweep (barrido en DC) de Multisim como análisis de
circuitos?
6) En los datasheet se especifica un IDSS tanto en los
El análisis DC Sweep, permite hacer barridos de valores de
JFET como en los MOSFET. ¿Por qué en el
diferentes características, como, barridos de tensión (V) o de
JFET es del orden de miliamperios y en el MOSFET
corriente (I) de fuentes independientes, con la utilidad de dar al
es del orden de microamperios (mucho menor que en
usuario una amplia visión de cómo se comporta un componente
el JFET)? Explique
si hacemos variar los parámetros de los que depende, y que asi
puede tomar decisiones de como o donde utilizar dicho En un mosfet de potencia es un dispositivo controlado
componente. por voltaje, y sólo requiere una pequeña corriente de
entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los
2) Usted realiza pruebas de diodos en un transistor BJT tiempos de conmutación son del orden de nanosegundos.
para determinar su estado y tipo y obtiene los resultados Los MOSFET no tienen problemas de fenómenos de
mostrados en la Tabla 5.1. Las puntas positiva y negativa segunda avalancha como los BJT pero sí los de descarga
son del tester y se conectan a las 3 terminales del BJT. electrostática además de que son difícil de proteger en
¿Cual es el estado y tipo del transistor? Mencione el tipo condiciones de falla por cortocircuito.
de cada una de las terminales (tipo N o tipo P).
VIII. CONCLUSIONES
Prue Punta positiva Punta Negativa Resultado Los transistores BJT son dispositivos los cuales no
ba 1 Terminal 2 Terminal 1 Continuidad necesariamente el base se encuentra en la terminal de en medio,
2 Terminal 2 Terminal 3 No hay continuidad por eso es importante realizar las pruebas de continuidad, tal
1 Terminal 3 Terminal 1 Continuidad como se relata en el informe ya que si damos por hecho que
porque hay continuidad de terminal 1 a 2 va a haber también de
Tabla 5.1: Pruebas de diodos en un BJT con un tester 2 a 3, podríamos dañar el transistor al conectarlo al circuito.

Significa que la terminal 1 es tipo N, la terminal 2 es tipo P,

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de electrónica II – Instructor: (Miguel Rivera) 8

Al ser los JFET dispositivos simétricos podríamos conectar

el drenador y fuente como queramos, ya que al ser
bidireccionales no va a ser distinto el resultado al que queremos,
pero de forma convencional lo mejor será que usemos como
debe de ser.

En este caso, cuando alteramos los valores de los transistores

para ver cómo cambian las curvas, estas en realidad fueron
similares porque nosotros solo alteramos constantes y el orden
de las ecuaciones que rigen esas cuervas seguía siendo el
mismo.

IX. BIBLIOGRAFÍA

[1] Ing. María Isabel SCHIAVON «TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO, » 1997. [En línea]. Available:
https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Transistore
sdeEfectoDeCampo.pdf. [Último acceso: 16 6 2018]..
[2] Rubén Darío Cárdenas Espinosa, « Diseño electrónico
análogo,» Miercoles, 6 de Julio de 2016. [En línea].
Available: http://www.monografias.com/trabajos-
pdf2/diseno-electronico-analogo/diseno-electronico-
analogo3.shtml [Último acceso: 17 6 2018].
[3] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica : Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos, Iztapalapa: Pearson
Prentice Hall.
[4] D. L. Schilling y C. Belove, Circuitos Electronicos
discretos e integrados, Mexico: McGRAW-HILL, 1993.

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH