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Electrónica Analógica

Electrónica Analógica
1 Materiales semiconductores
1.1 Aspectos históricos de la electrónica.
1.2 Definición de electricidad y electrónica.
1.3 Materiales semiconductores.
1.4 Modelo atómico
1.5 Bandas de energía
1.6 Enlaces químicos
1.7 Materiales N y P
2 Diodos y sus aplicaciones en fuentes lineales
2.1 Estructura y funcionamiento
2.2 Modelo real e ideal
2.3 Tipos de diodos
2.3.1 Parámetros y Características eléctricas de los diodos de propósito general.
2.4 Aplicaciones
2.4.1 Rectificadores
2.4.2 Multiplicadores de voltaje
2.4.3 Recortadores y fijadores
2.4.4 Compuertas con diodos
2.5 Filtrado y regulación
2.5.1 Filtros para fuentes de poder
2.5.2 El diodo Zener como regulador de voltaje.
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2.5.3 Reguladores integrados: fijos y variables
2.5.4 Diseño y simulación con software de Fuentes de poder lineal.
2.5.5 Construcción de una fuente de poder de regulación fija, variable y simétrica en
circuito impreso.
3 Transistor bipolar de Juntura (BJT) y transistor de efecto de campo FET
3.1 Estructura y funcionamiento
3.2 Configuraciones básicas
3.2.1 Emisor Común
3.2.2 Base común
3.2.3 Colector común.
3.3 Circuitos de polarización
3.4 Recta de carga
3.5 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
3.6 Simulación e implementación de circuito básico para encontrar la recta de carga del
transistor.
3.7 El transistor de efecto de campo (FET)
3.8 Construcción interna y polarización
3.9 Circuitos de polarización
3.10 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
3.11 Simulación e implementación de circuitos básicos con FET.
3.12 Diseño e implementación de un puente H con transistores BJT para el control de
inversión de giro de un motor de CD.
3.13 Optoaisladores con Salida a transistor y a Darlington
3.14 aplicación de circuitos utilizando transistores y optoacopladores.
4 Amplificadores operacionales.
4.1 El amplificador operacional ideal
4.2 Esquema interno
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4.3 Parámetros y características eléctricas.
4.3.1. Relación de rechazo en modo común (CMRR).
4.3.2 Tensión de OFFSET
4.3.3. Corrientes de polarización
4.3.4 Tierra virtual.
4.4. Circuitos básicos.
4.4.1. Inversor,.
4.4.2 No inversor.
4.4.3. Comparador.
4.4.4. Sumador.
4.4.5 Restador.
4.4.6 Integrador y diferenciador
4.5. Circuitos convertidores.
4.5.1 De voltaje a corriente.
4.5.2 De corriente a voltaje.
4.5.3 De voltaje a frecuencia.
4.5.4 De frecuencia a voltaje.
4.6. Aplicaciones de circuitos operacionales
4.6.1. Comprobación de las leyes básicas de un Amplificador operacional.
4.6.2 Control de velocidad de u motor de CD con amplificador operacional.
4.6.3 Circuito temporizador con Amplificador

Fuentes de información
1. Boylestad, R.L, y Nashelsky L. (2009), Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, 10ª edición, México, Ed. Pearson.
Electrónica Analógica
2. Comer D. y Comer D. (2005) Diseño de Sistemas Electrónicos, México D.F., Ed. Limusa-
Wiley
3. Coughlin R.F, y Driscoll F.F., (1999) Amplificadores Operacionales y circuitos integrados
lineales, 5ª edición. México, Ed. Pearson.
4. Edminister J. y nahvi, (2005), Circuitos Eléctricos y Electrónicos, 4ª Edición, México, Ed.
McGraw Hill
5. Franco, S., (2004) Diseño con Amplificadores Operacionales, 4ª Edición, México, Ed.
McGraw Hill.
6. Maciel S. J. (2011), Fuentes de alimentación, 1ª Edición, México, Ed. Noriega Editores.
7. Maloney T. J. (1997), Electrónica industrial moderno, 3ª edición, México, Ed. Pearson.
8. Malvino A. y Bates D. (2007), Principios de electrónica, 7ª Edición, México, Ed. Mcgraw
Hill.
9. Pleite, G.J., (2009), Electrónica Analógica para Ingenieros, España, Ed. McGraw-Hill
Interamericana de España.
10. Selva N.R. (2008), Dispositivos Electrónicos, 2ª Edición, Argentina, Ed. Nueva Librería.

Planeación curso:
Curso de verano materia electrónica analógica del 2 de julio al 26 de julio del 2018
Horas semana 4-2-6
6x16= 96 horas
Temas a vistos diarios: 63/19= 3.33 promedio de 4 temas diarios

1 Materiales semiconductores
1.1 Aspectos históricos de la electrónica.
En la actualidad los sistemas son increíbles más pequeños, las velocidades de operación
actuales son en verdad extraordinarias y cada día aparecen nuevos artefactos que hacen
que nos preguntemos hacia donde nos está llevando la tecnología. No obstante , si nos
detenemos un momento para considerar que La mayoría de los de todos los dispositivos
en uso fueron inventados hace décadas y que las técnicas de diseño que aparecen en
libros que datan de la década de 1930 se siguen utilizando, nos damos cuenta que la
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mayor parte de lo que vemos es en principio una mejora continua de las técnicas de
construcción, las características generales y las técnicas de aplicación, en vez del
desarrollo de elementos nuevos y básicamente diseños nuevos.
Los cambios más importantes se han presentado en la comprensión de cómo funcionan
estos dispositivos y de su amplia gama de capacidades y en los métodos mejorados para
enseñar los fundamentos asociados con ellos.
La miniaturización que ha ocurrido en años recientes hace que nos preguntemos hasta
donde llegaran sus límites. Sistemas complejos ahora aparecen en obleas miles de veces
más pequeños que el elemento único de redes primitivas. Jack Kilby desarrolló el primer
circuito integrado (CI) (un oscilador de desplazamiento de fase) mientras trabajaba en
Texas Instruments en 1958 hoy en día, el procesador cuádruple Inter-Core Extreme 2
cuenta con 410 millones de transistores en cada chip de doble núcleo. Obviamente,
hemos llegado a un punto donde el propósito principal del contenedor es el de servir
como un medio de manejar el dispositivo o sistema y proporcionar un mecanismo de
conexión al resto de la red. La miniaturización adicional parece estar limitada por tres
factores: la calidad del material semiconductor, la técnica de diseño de redes y los límites
del equipo de fabricación y procesamiento.

Jack Kilby desarrollo el primer circuito integrado en el año 1958. Nacido: Jefferson
City. Missouri en 1923 maestro en ciencias de la universidad de Wisconsin.
Pregunta 1:---------------------------------------------------------------------------
1.2 Definición de electricidad y electrónica.
Definición de electricidad
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*Forma de energía que produce efectos luminosos, mecánicos, caloríficos, químicos, etc.,
y que se debe a la separación o movimiento de los electrones que forman los átomos.

Antiguamente se consideraba que la electricidad era un fluido; la electricidad no se


manifiesta igualmente en todos los cuerpos: la que se produce frotando un pedazo de
resina tiene efectos contrarios a los de la que se produce frotando una barra de vidrio

(Se aplica para altas potencias)

Definición de electrónica
Parte de la física que estudia los cambios y los movimientos de los electrones libres y la
acción de las fuerzas electromagnéticas y los utiliza en aparatos que reciben y transmiten
información.
(Se aplica para bajas potencias)

Pregunta: 2-----------------------------------------------------------------
1.3 Materiales semiconductores.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante.
En general los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases; de un solo
cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio y el silicio
tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuesto como el arsénico de
galio, el sulfuro de cadmio, el nitruro de galio y el fosforo de galio y arsénico se componen
de dos o más materiales semiconductores de diferente estructura atómica.
Los tres semiconductores más frecuentes utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos son: Germanio, Silicio,(galio-arsénico)GaAs.
Dentro de los semiconductores tenemos a los diodos y transistores.

*Video de materiales conductor y aislante con una pila de 9volts, y un motor de cd de 9v


https://www.youtube.com/watch?v=J9RbGCgCcKM
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1.4.-Modelo atómico

Modelo atómico Niels Bohr sabía que las principales objeciones al modelo atómico de
Rutherford eran que, de acuerdo a las leyes electromagnéticas de Maxwell, los electrones
irradiarían su energía en forma de ondas electromagnéticas y, por lo tanto, describirían
órbitas espirales que los irían acercando al núcleo hasta chocar contra él. Por lo cual, no
había ninguna esperanza de que los átomos de Rutherford se mantuvieran estables ni que
produjeran las nítidas líneas espectrales observadas en los espectroscopios.

Tomando como punto de partida el modelo de Rutherford, Niels Bohr trató de incorporar
en él la teoría de “cuantos de energía” desarrollada por Max Planck y el efecto
fotoeléctrico observado por Albert Einstein.

En 1913, Bohr postuló la idea de que el átomo es un pequeño sistema solar con un
pequeño núcleo en el centro y una nube de electrones que giran alrededor del núcleo.
Hasta aquí, todo es como en el modelo Rutherford.

Lo original de la teoría de Bohr es que afirma:

 a) que los electrones solamente pueden estar en órbitas fijas muy determinadas,
negando todas las demás.
 b) que en cada una de estas órbitas, los electrones tienen asociada una
determinada energía, que es mayor en las órbitas más externas.
 c) que los electrones no irradian energía al girar en torno al núcleo.
 d) que el átomo emite o absorbe energía solamente cuando un electrón salta de
una órbita a otra.
 e) que estos saltos de órbita se producen de forma espontánea.
 f) que en el salto de una órbita a otra, el electrón no pasa por ninguna órbita
intermedia.
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Todo átomo se compone de 3 estructuras básicas: electrón, protón, neutrón en la


estructura entrelazada, los neutrones y los protones forman el núcleo: y los electrones
aparecen en orbitas fijas alrededor de este el modelo de Bohr de los tres materiales
aparecen en la figura sig.
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1.5Bandas de energía
Niveles de energía
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1.6 Enlaces químicos


Tarea: En laces químicos de los materiales semiconductores silicio, germanio antimonio
arsénico (nota son muy parecidas) se puede modificar de manera significativa con la
adición de átomos de impurezas específicos del material semiconductor relativamente
puro.
Ejemplo: Enlaces covalentes
Ver videos:

1.7 Materiales N y P
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Ver videos:
Preguntas: libro dispositivos electrónicos de Thomas L. Floyd
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Practica:
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Unidad 2
Diodos y sus aplicaciones en fuentes lineales
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p están disponibles, podemos construir
nuestro primer dispositivo electrónico de estado sólido. El diodo semiconductor, con
aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un
material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un material con un portador
mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos. La simplicidad
básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo de esta área de estado
sólido.
2.1 Estructura y funcionamiento
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2.2 Modelo real e ideal


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2.3 Tipos de diodos:


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Tipo Especificación de Alta Tiempo de Resistencia
voltaje/corriente. frecuencia conmutación en estado
activo.
(V)/(A) (Hz) (µs) (Ω)

Diodos Uso general 5000V/5000A 1k 100 0.1m


Alta 3000V/1000A 10k 2-5 1m
velocidad
Schouky 40V/60A 20k 0.23 10m

2.3.1 Parámetros y Características eléctricas de los diodos de propósito general.


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2.4 Aplicaciones
2.4.1 Rectificadores
Rectificación de media onda y onda completa
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2.4.2 Multiplicadores de voltaje
Estos circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del voltaje de
transformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del voltaje de salida a
dos, tres, cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.
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2.4.3 Recortadores y fijadores


Los recortadores son redes que emplean diodos para “recortar” una parte de una señal de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada. El rectificador de
media onda es un ejemplo de la forma más sencilla de un recortador de diodo: un resistor
y un diodo. Dependiendo de la orientación del diodo, se “recorta” la región positiva o
negativa de la señal aplicada. Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y
en paralelo. La configuración en serie es aquella donde el diodo está en serie con la carga,
en tanto que la configuración en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga.
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Fijadores o sujetadores
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Fig.2.93
Señal aplicada y red para el
Ejemplo 2.22
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2.4.4 Compuertas con diodos
Compuertas con diodos AND/OR
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2.5 Filtrado y regulación


Filtrado y regulación de una fuente una vez la señal esta rectificada, obtenemos una
forma de onda que no es precisamente continua. Para poder eliminar la ondulación, y
dejar la tensión lo más continúa posible, filtraremos la señal utilizando uno o más
condensadores en paralelo. Nota se puede apreciar cómo queda esta señal una vez
filtrada.
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2.5.1 Filtros para fuentes de poder


Filtros para fuente de poder.
Están formados por diodos y se utilizan el proceso de transformación de una señal de corriente
alterna a corriente continua, permitiendo el paso o no de los semi ciclos de ondas de corriente
alterna.
Se utilizan para disminuir o elevar voltajes de corriente alterna. En nuestro caso para disminuir el
voltaje.
Son un grupo de elementos o un elemento electrónico, que se encarga de que el voltaje de salida no
varíe de su valor nominal en cualquier condición.
Recibe la señal proveniente del filtro y entrega un voltaje constante sin importar las variaciones en
la carga o del voltaje de alimentación.
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2.5.2 El diodo Zener como regulador de voltaje.


Una aplicación importante de los diodos zener es regular voltaje producir voltajes de referencias
estables para usarlos en fuentes de alimentación, voltímetros y otros instrumentos.

Símbolo del diodo zener

El diodo zener es un dispositivo de silicio con unión pn diseñado para operar en la región de
ruptura en inversa. El voltaje de ruptura de un diodo zener se ajusta controlando cuidadosamente
el nivel de dopado durante su fabricación. Recuérdese, de cuando analizamos la curva
característica de diodo, que cuando un diodo alcanza la ruptura en inversa su voltaje permanece
casi constante aun cuando la corriente cambie drásticamente: esta es la clave para la operación
de un diodo zener. Esta característica de voltaje- corriente se muestra de nuevo en la fig.3-2 la
región de operación de diodos zener se muestra como un área sombreada.
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Zz=100x10-3/20x10-3 = 5Ω
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∆Vz= Vz X TC X ∆T
=12V (0.00075/0c (500c -250c)
= 0.225V
Vz+∆Vz=12 V+0.225V=12.225 V
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2.5.3 Reguladores integrados: fijos y variables


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Otros Reguladores son


Reguladores integrados: fijos y variables

Los reguladores integrados. Estos dispositivos de gran utilidad aúnan todas las ventajas de una
completa fuente de alimentación en un solo encapsulado reduciendo el problema de un buen
diseño a unos pocos componentes.

Reguladores fijos

En la mayoría de las aplicaciones se requiere una tensión fija y estable de un determinado


valor. La línea de reguladores ideales para este tipo de necesidades es la conocida como
LM78XX. Las primeras letras y dos números corresponden a la denominación, mientras que las
dos últimas XX deben ser reemplazados por la tensión de salida requerida. Las tensiones
disponibles de observan en la siguiente tabla:

Número Tensión de salida


LM7805 5 Voltios
LM7806 6 Voltios
LM7808 8 Voltios
LM7809 9 Voltios
LM7812 12 Voltios
LM7815 15 Voltios
LM7818 18 Voltios
LM7824 24 Voltios
LM7830 30 Voltios
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Cada uno de estos dispositivos posee sólo tres terminales, uno corresponde a la entrada de
tensión no regulada, otro es la salida regulada y el restante es la masa, común a ambos. En
cuanto al encapsulado, conviene aclarar que, si bien están disponibles en varios tipos,
generalmente se los suele encontrar en el encapsulado del tipo TO-220, correspondiente a una
corriente de salida de 1 Amper.
Resumiendo, y para comprender completamente la simplicidad de una fuente de alimentación
de este tipo, sólo basta observar el diseño de la siguiente figura:

EJEMPLO SIMULADO EN PROTEUS

REGULADOR:LM7808

VE=30CC

VO=8VCC

Como se observa, sólo fueron agregados dos capacitores al circuito integrado. Explicaremos la
función de cada uno de ellos. C1, que se halla a la entrada del regulador, filtra la tensión de
posibles transitorios y picos indeseables, mientras que C2, que se encuentra a la salida,
disminuye la tensión de rizado de salida, a la vez que evita oscilaciones.
En cuanto a la tensión de entrada, se puede ver que es de un rango muy amplio. Por ejemplo,
si el regulador elegido es uno de 12 voltios (LM7812), la tensión de entrada podrá ser de entre
15 y 39 voltios.
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Para realizar una fuente de alimentación fija completa, observemos la figura siguiente que
constituye sólo una modificación de la anterior:

En este diseño partimos directamente de la tensión alterna de red (220v), para lograr una
tensión perfectamente estable. Primeramente, como es lógico, la tensión es reducida A 48VCA
mediante un transformador. Luego, esta tensión alterna de bajo valor es rectificada por el
puente D1, obteniéndose así una señal de onda completa. Después la señal se filtra por medio
de C1 consiguiéndose de esta forma una tensión continua no estabilizada, que es inyectada al
circuito anterior para su regulación.

Características de las fuentes con reguladores integrados

Vimos cómo se puede realizar de forma muy sencilla una fuente de tensión fija regulada.
Examinemos ahora las excelentes características que ésta posee a pesar de lo simple de su
diseño.
Comencemos por la regulación de línea, que es un parámetro que establece cuánto varía la
tensión de salida frente a variaciones en la tensión de entrada. Es posible comprobar que para
un cambio de 20 voltios a la entrada se produce una variación de sólo 4 milésimas de voltio a la
salida, con lo cual, podemos suponerla inmune a los cambios de tensión de entrada.
Otro parámetro importante es la denominada regulación de carga, que indica cuánto varía la
tensión de salida cuando la corriente varía de un mínimo al máximo. Nuevamente los resultados
obtenidos son excelentes: para una variación de corriente de 1,5 amperes, la tensión de salida
solamente se modifica en 10 milésimas de voltio.

Finalmente la corriente que este tipo de dispositivo es capaz de entregar:

Para un LM7805 ésta adopta un valor de 2 amperios. Si, en cambio, se trata de un LM7808 a un
7815 ésta es de 1,5A, mientras para reguladores de tensión superiores la corriente es de 1,2A.
Es importante aclarar que estos valores son válidos cuando se utiliza un disipador adecuado y
cuando la tensión de entrada no es superior en más 15 voltios con respecto a la de salida. Es
decir que Vent - Vsal<15V. Igualmente veremos algunos métodos para obtener mayor corriente de
salida de estos dispositivos.
Otra característica importante de esta línea es la protección térmica y contra corriente
excesiva: cuando la corriente que atraviesa al integrado adquiere un valor demasiado elevado o
cuando su temperatura es excesiva, el integrado disminuye la tensión de salida en forma
automática a cero. Debido a estas últimas características estos dispositivos son casi
indestructibles.
En resumen, con unos pocos componentes es posible fabricar, mediante el uso de reguladores
de tensión, una fuente de tensión fija con una salida tipo de 1,5A, cuya salida no varía en más
de 15mV para cualquier condición. Este tipo de fuente es más que suficiente para la mayoría de
las aplicaciones electrónicas.
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Reguladores de tensión negativa

Hasta ahora hemos conocido los reguladores fijos cuya tensión de salida es positiva con
respecto a masa. Sin embargo, también existe la serie análoga a la LM78XX, de similares
características, cuyas tensiones de salida son negativas con respecto a tierra. Dicha serie es la
79XX. Donde nuevamente las X son reemplazadas por los valores anteriormente mencionados.
Las características de esta serie son similares a la anterior en lo que respecta a regulación de
carga, de línea, rechazo al rizado y corriente de salida. La única diferencia, además claro está de
ser reguladores de tensión negativa, en la distribución de pines en el encapsulado.
A través de la combinación de ambas series es perfectamente factible el diseño de una fuente
de tensión simétrica como la indicada en la figura:

De esta forma obtenemos una fuente simétrica con las características de la anterior fuente
simple. Es necesario aclarar que, aunque no es conveniente, las tensiones de salida del
regulador positivo y negativo no tienen por qué ser las mismas. Sin embargo, es recomendable
que no sean muy diferentes una de la otra.

Reguladores de tensión variable

En ciertas ocasiones, sobre todo cuando realizamos alguna aplicación de laboratorio, es


necesario disponer de una fuente que posea una tensión de salida regulable. Como no podía ser
de otra forma existen distintas formas muy simples de realizarlas con reguladores integrados.
La primera forma que veremos es a través de la utilización de la, a esta altura conocida, serie
LM78XX. Este diseño sirve tanto para generar una fuente regulable, como para una fuente fija
que provea un valor de tensión no convencional. Por ejemplo, a través de este circuito es
factible el desarrollo de una fuente fija de 7,2V con todas las ventajas que los reguladores
integrados ofrecen. Un posible diseño es el siguiente:
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El principio de funcionamiento de esta configuración no resulta para nada complicado. Entre


sus terminales GND y OUT del regulador se desarrolla una tensión de XX voltios (recordar el
significado de las equis). Esta tensión aparece sobre los bornes de R1 desarrollándose así una
corriente I de XX/R1 amperios. Ahora bien, la tensión de salida es I*(R1+R2), osea
(XX/R1)*(R1+R2). Es decir que, la tensión de salida es de XX*(R2/R1+1) voltios.
Si R2 es un potenciómetro, entonces disponemos de una fuente de tensión regulable. Basta
variar R2 para que la tensión de salida varíe a un valor deseado. Una vez fijado este valor, se
mantiene casi constante ya que sólo depende XX (salida del regulador) que es casi constante. Si,
por el contrario, R2 es un Preset o una resistencia fija, La tensión de salida se mantendrá casi
constante en el valor prefijado creando así una fuente de tensión de un valor no estándar.
Un detalle importante a resaltar, que surge de la observación del término entre paréntesis de la
expresión de salida, es que la tensión de salida mínima es la propia tensión nominal del
regulador, cualquiera sea la relación R2/R1 escogida. Es por este motivo, y teniendo en cuenta
que la mínima tensión nominal de la línea 78/79XX es de cinco voltios, que este diseño no es útil
para el diseño de una fuente de tensión versátil de laboratorio. Para ello recurriremos a otro tipo
de regulador integrado.
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El LM317

Para las aplicaciones en las que se requiere diseñar específicamente una fuente regulable de
amplio margen de salida, es altamente recomendable utilizar otro regulador el LM317. En
principio sus características son similares a cualquier 78XX, es decir un regulador positivo. Sin
embargo, posee una diferencia fundamental que lo hace ideal para fuentes regulables: su
tensión de referencia(la XX de la expresión anterior) es de sólo 1,25V, con lo ofrece la
posibilidad de un amplio rango de tensiones de salida.
Un diseño estimativo de una fuente de laboratorio, con las excelentes características de
regulación y rechazo de rizado ya comentadas, capaz de proveer una tensión de salida entre
1,25V y 25V es el siguiente:

Se observa que fueron agregados dos diodos y un capacitor con respecto al último circuito.
Tanto D2 como D3 evitan que se descargue el nuevo capacitor incluido a través del integrado. A
su vez dicho capacitor (C4 en este caso) mejora el rechazo al rizado elevándolo hasta los 80dB.
Para obtener el rango de salida indicado en la figura R1 debe ser de 220 ohm, R2 un
potenciómetro de 5 kohm y D1 y D2 cualquier diodo pequeño como, por ejemplo, 1N4001.
En cuanto a la corriente de salida, es de 1,5 amperios si se utiliza un disipador adecuado.

Amplificación de la corriente de salida

Como ya comentamos, la corriente de salida de un regulador integrado de este tipo es, en el


mejor de los caso, de dos amperios. Este valor puede resultar insuficiente para algunas
aplicaciones de potencia. Es por este motivo que, a través del agregado de algunos
componentes, amplificaremos la corriente de salida hasta casi cualquier valor. El principio básico
es el siguiente:
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Observando con detenimiento el diseño, se notará que la corriente de salida circula ahora
también por RL. Al hacer esto provoca una caída de tensión sobre esta resistencia que, es a su
vez, la tensión VBE que se aplica al transistor T1. Cuando la mencionada tensión que cae sobre
RL sea levemente superior a 0,6 voltios T1 comenzará a conducir, evitando de esta forma el
grueso de la corriente pase por el regulador. De esta forma, y con el uso de uno o varios
transistores adecuados, se puede obtener a la salida del regulador casi cualquier corriente.
El cálculo de RL Resulta, según lo indicado arriba, muy sencillo. Entonces será:
RL=VBE/IL
En dónde VBE adopta un valor de 0,7 voltios e IL es la máxima corriente que debe circular por el
regulador. Un valor típico para esta corriente es de 1 amperio. Realizando los cálculos
obtenemos, que para un regulador estándar, RL es de 0.68 ohm 2W.
En cuánto a T1, sólo basta decir que puede ser cualquier transistor PNP que soporte la
corriente máxima de salida de la fuente. (ADVERTENCIA: dicha corriente es muy superior a IL).
Si es de gran valor es recomendable colocar dos o más transistores en configuración Darlington.
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2.5.4 Diseño y simulación con software de Fuentes de poder lineal.

2.5.5 Construcción de una fuente de poder de regulación fija, variable y simétrica en


circuito impreso.

3 Transistor bipolar de Juntura (BJT) y transistor de efecto de campo FET


3.1 Estructura y funcionamiento
3.2 Configuraciones básicas
3.2.1 Emisor Común. (BJT)
3.2.2 Base común. (BJT)
3.2.3 Colector común. (BJT)
3.3 Circuitos de polarización
3.4 Recta de carga
3.5 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
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3.6 Simulación e implementación de circuito básico para encontrar la recta de carga del
transistor.
3.7 El transistor de efecto de campo (FET)
3.8 Construcción interna y polarización
3.9 Circuitos de polarización
3.10 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
3.11 Simulación e implementación de circuitos básicos con FET.
3.12 Diseño e implementación de un puente H con transistores BJT para el control de
inversión de giro de un motor de CD.
3.13 Optoaisladores con Salida a transistor y a Darlington
3.14 aplicación de circuitos utilizando transistores y optoacopladores.

3.1 Estructura y funcionamiento.


Estructura Transistor Bipolar
El transistor de unión bipolar (también conocido por sus siglas BJT) se trata de un
dispositivo electrónico sólido, formado por 2 uniones PN próximas entre ellas que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Se le llama bipolar porque la
conducción es debida al desplazamiento de portadores de 2 polaridades (huecos:
positivos; electrones: negativos). Este tipo de dispositivo es utilizado para un gran número
de aplicaciones, principalmente en electrónica analógica y digital con tecnología TTL o
BICMOS, a pesar de tener una gran limitación debido a su impedancia de entrada muy
baja.
Función: Amplificador y interruptor.
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Gráfico de la estructura interna de un transistor BJT


Su composición está basada en 2 uniones PN en un cristal semiconductor, separados por
una fina franja, delimitando dentro del mismo 3 regiones:

Diferentes zonas del transistor BJT

 Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga. Tipo P.
 Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Tipo N.
 Colector: de extensión mucho mayor. Tipo P

Representación gráfica transistor BJT P-N-P, N-P-N


La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que
se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.
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Tipos de Transistores según polarización

 NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el
símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región
de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector.
Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en
la base.

Transistor NPN

 PNP
Electrónica Analógica
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo.

Transistor PNP

Funcionamiento
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan
la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa
al colector.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La
falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el
colector. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados más
Electrónica Analógica
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores
de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

 ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características
dinámicas del circuito en el que va conectado. Estas características son:

1. Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor.


De todas formas esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la propia
corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta excesivamente,
puede estropearse de forma permanente. Para un transistor de silicio que se
encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de 0,7 V y entre la
base y el colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la tensión entre el
colector y el emisor será de unos 0,2 V.
2. Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el colector
y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un transistor
de silicio que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de colector son
nulas y las tensiones entre la base y el emisor y entre la base y el colector son
ambas menores de 0,7 V.
3. Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de
funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.
Electrónica Analógica

ẞ =ganancia de corriente

ᵨ = resistividad de material

r= ruptura por entrar en avalancha de base emisor


Estados de Funcionamiento de un Transistor Bipolar

 REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR


Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

1. Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un transistor no está ni en su


región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente), y de las
Electrónica Analógica
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es
la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador
de señal.
2. Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en
modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En
este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles.
3. Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del
colector=corriente del emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. De forma
simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
4. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente del colector ≈
corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud
de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Cuando el
transistor está en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib no se
cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como
un cortocircuito, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a
cero.
Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente
útil para amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica
digital, representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.

 EFICIENCIA TRANSISTOR
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el
bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor común está representada por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante
es la ganancia de corriente base común,. La ganancia de corriente base común es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998.El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):
Electrónica Analógica

Relación de eficiencia ALFA y BETA para un transistor NPN

Aspectos del funcionamiento del BJT


Efecto Early
Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir
variaciones no deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensión
colector-base. Estas variaciones de corriente están producidas por la modulación de la
anchura de la base, este hecho es conocido como el Efecto Early. En un transistor bipolar,
un incremento en la tensión colector-base lleva asociado un incremento en la anchura de
la zona de carga espacial de dicha unión. Este aumento provoca una disminución de la
anchura efectiva de la base. Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe
menos camino para la recombinación en base.

Descripción de la modulación de la anchura de base con la tensión.

El producto de la corriente de colector por la tensión colector-emisor indica la potencia


disipada por el dispositivo. En función del tipo de transistor (de su fabricación,
características y encapsulado), de las condiciones ambientales y del uso de disipadores, la
potencia que puede soportar un transistor varía. La potencia máxima que puede disipar
un transistor se puede representar en unos ejes de coordenadas, obteniendo la hipérbola
de máxima disipación del dispositivo. En el apartado de curvas características se muestra
un ejemplo.
Electrónica Analógica

Hipérbola de máxima disipación.

Fenómenos de avalancha y perforación


El transistor bipolar, que tenga uniones PN polarizadas, tiene unas limitaciones físicas de
funcionamiento debidas a los fenómenos de avalancha que se pueden producir al aplicar
tensiones elevadas a las uniones. En un transistor bipolar se puede producir la destrucción
del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferentes:
Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones
Si se aplica tensión inversa elevada a las uniones PN del transistor puede ocurrir que
alguna entre en avalancha. La unión base-emisor es especialmente sensible a la aplicación
de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.
Ruptura por perforación de base
Puede ocurrir que las tensiones aplicadas sean tan grandes que desaparezca la anchura de
la base del transistor (es decir, que WB = 0). Este caso se denomina perforación de la base,
y se produce la destrucción del transistor al circular una corriente muy elevada entre
emisor y colector.

Perforación Base
Electrónica Analógica
3.2 Configuraciones básicas
3.2.1 Emisor Común
3.2.2 Base común
3.2.3 Colector común.
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
3.3 Circuitos de polarización
Unidad 5 libro
Electrónica Analógica
EL PUNTO DE OPERACIÓN EN CD
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
3.4 Recta de carga
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica
3.5 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)
Electrónica Analógica

3.6 Simulación e implementación de circuito básico para encontrar la recta de carga del
transistor.
Tarea:
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Hacer simulación:
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En esta práctica su objetivo es observar los valores en miliampers que nos arroja con un
voltaje de entrada de 15v con eso observaremos que nuestros valore se acercan al rango
aceptable de 10.3 miliampers.
Transistor npn 2N3904.

Hacer simulación: Transistor npn 2N3904.


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3.7 El transistor de efecto de campo (FET)


Capítulo 6 libro: dispositivos electrónicos
Electrónica Analógica
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3.8 Construcción interna y polarización


Construcción y características del FET
Los JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
Para el transistor JFET el dispositivo de canal n será el dispositivo importante,
Electrónica Analógica

3.9 Circuitos de polarización


Electrónica Analógica

3.10 Parámetros y características eléctricas (Hojas de datos)


Electrónica Analógica

3.11 Simulación e implementación de circuitos básicos con FET.


Electrónica Analógica

En este circuito el jfet produce una corriente de drenado


aproximadamende 5ma también puede no producir los
mismos resultados cuando se conecta a este circuito
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Electrónica Analógica

PUENTE h

Esta práctica del puente h tiene como objetivo hacer cambios de giros a nuestro motor de
CD por medio de los reley u nuestros push boton
Electrónica Analógica
Electrónica Analógica

3.12 Diseño e implementación de un puente H con transistores BJT para el control de


inversión de giro de un motor de CD.

3.13 Optoaisladores con Salida a transistor y a Darlington

Optoacoplador.
Este elemento no tiene un solo nombre definido, en español es más utilizado
optoacoplador (acoplador óptico), aunque puede llamarse optoaislador
(aislador óptico), de hecho en inglés también es llamado de diferentes maneras
siendo más aceptado Opto-isolator, también se le llama optocoupler.

La confusión viene de que hace las dos funciones, es aislante entre voltajes y a la
vez es acoplador de información por medio de la luz.
Básicamente es un led en un extremo y un elemento sensible a la luz en el otro
extremo, como un foto-transistor que a veces es presentado como un foto-diodo.

En este ejemplo podemos ver la figura y el diagrama de un optoacoplador PC123.


Aunque es presentado normalmente como un interruptor (conectado o
desconectado), es muy utilizado para transferir audio o información de
reguladores. Algunos optoacopladores pueden transferir video.

También hay con foto-triac presentado más abajo y algunos poco frecuentes con
compuerta lógica, SCR, etc. que veremos luego.
Electrónica Analógica
Hace algunos años se utilizaba algo similar que constaba de una pequeña
lámpara incandescente empacada junto a una foto-resistencia para lograr una
función similar a la de los optoacopladores.

La bombilla incandescente y la foto-resistencia iban cubiertos por una funda negra.


De hecho funciona bien para conectar triacs y podemos utilizar un led blanco en
lugar de la bombilla.
Los optoacopladores por lo general entre elementos poseen un aislamiento
superior a los mil voltios (>1KV), y el led se comporta como cualquier led rojo o
infrarrojo, entonces no es adecuado superar los 20mA.
En la salida es muy variable aunque es común que no se pueda manejar más de
20mA, tanto en el optoacoplador PC123 o similares.

Optoacoplador como interruptor:

Como interruptor se puede polarizar la entrada con 5 mA y ya es suficiente para


conectar cargas de 7mA en la salida pero para un contacto más directo podemos
acercarnos a los 20mA.
Electrónica Analógica

OPTOACOPLADOR COMO INTERRUPTOR CON UN TRANSISTOR

En este ejemplo vemos el optoacoplador como interruptor, en la entrada la


resistencia limitadora de 1K nos permite utilizar hasta 20 voltios y es suficiente
para 5 voltios o menos.
Para calcular el valor de la resistencia de entrada se puede utilizar la información
de -> como conectar leds comúnes. <-
La salida polariza al transistor 2N2222 a través de una resistencia de 10K para
que conecte un led con su correspondiente resistencia limitadora, y se puede
probar desde 5 voltios hasta más de 12 voltios.
Se utiliza un transistor para no depender de la salida del optoacoplador que
soporta poca corriente.

Transferir audio:

Para transferir audio se puede polarizar con menos de 2 mA. para obtener menor
deformación en el sonido.

La manera efectiva y simple es acoplando un preamplificador en la entrada


(sección del led) y una carga en lel colector del foto-transistor, con un capacitor de
acople.
Electrónica Analógica

Para esta conexión he probado 5 voltios en la entrada , utilizando entre 8 y 12


voltios en la salida(+V), funcionando bien con audio normal, usado en entradas
auxiliares.
Se utilizan capacitores electrolíticos de 1 microFaradio, de 16 voltios o más.

El capacitor de 33 picofaradios entre base y colector del transistor es para evitar


ruidos, puede ser de mayor valor.

Optoacopladores PC123 y PC817

Entre la entrada y la salida pueden aislar hasta 5 mil voltios (5KV).

El led de entrada es de 1.2 voltios, 20mA recomendado para completa saturación,


la corriente de ruptura es 50mA.

En la salida el voltaje de ruptura es 70 voltios en el PC123 y 35 voltios en el


PC187, no deben manejar más de 20 mA.

La frecuencia máxima es 80KHz, pero mejor respuesta hasta 20KHz.


Aunque el TLP621 es bastante similar a los anteriores el fabricante indica un
aislamiento de trabajo de 890V. Y un voltaje máximo en la salida de 55 voltios
Electrónica Analógica
Optoacopladores 4N35, 4N36 y 4N37

En funcionamiento es similar a los anteriores, su encapsulado es en 6 patillas y


tiene conexión a la base del foto-transistor.

En la entrada el led mantiene 1.3 voltios y no se debe pasar de 50mA.

Como interruptor funciona perfecto con 20mA de corriente en la entrada.


La salida no soporta más de 50 mA.

Entre entrada y salida puede aislar hasta 5 mil voltios (5KV).

En la salida (emisor-colector) el voltaje de ruptura es de 70 voltios.

Aunque está la conexión de la base en la mayoría de usos no se conecta,


comportandose igual que los optoacopladores vistos arriba.

El fabricante los numera como 4N35, 4N36 y 4N37, en la hoja de datos no se


nombra diferencia alguna entre ellos.

Optoacoplador con triac

En los relays de estado sólido se utiliza un optoacoplador con triac y un triac que
hace la función de relay.
Podemos utilizar los optoacopladores con triac MOC3041, MOC3042 y MOC3043.

El MOC3041 es el más común aunque es más sensible en la entrada el


MOC3043.
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El MOC3041 puede entrar en conducción en la salida con mínimo 15mA en la
entrada.
MOC3042 con 10mA. Y el MOC3043 con apenas 5 mA.

La entrada en todos puede usarse con 20mA y se daña superando los 60mA.
La salida soporta hasta 400V y picos de 1 amperio.

El aislamiento entrada-salida puede ser de 7500 Voltios AC.

El circuito más común como relay de estado sólido:

La resistencia limitadora de la entrada R1 debe de ser calculada de acuerdo a el


voltaje de alimentación, que en el ejemplo es 5 voltios y para el MOC3041 puede
ser necesario bajar a 220 ohmios.
En la salida R3 puede no ser necesaria.

R2 dependiendo de la sensibilidad del triac puede ser otro valor.

Si el triac es muy sensible (sensitive gate triac) puede ser de varios miles de
ohmios(KΩ).
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MOC3010, MOC3011, MOC3012

Si vamos a utilizar 125VAC o menos, tambien podemos utilizar opto-triacs con las
numeraciones MOC3009, MOC3010, MOC3011 y MOC3012.

Son similares a los anteriores pero sin el circuito "Zero crossing".

La diferencia entre ellos tiene que ver con la corriente de entrada a que se
garantiza que el foto-triac queda totalmente conectado

MOC3009 de 15 a 30mA,

MOC3010 de 8 a 15mA,

MOC3011 de 5 a 10mA,

MOC3012 5mA o menos.


El led de entrada es de 1.2voltios y se puede romper desde 50mA.

La salida soporta hasta 250V, lo que limita su aplicación a diseños en 125VAC o


menos.

El aislamiento entrada-salida puede ser de impulsos de 7500Voltios AC.


El MOC3009 no es común y es mejor no utilizarlo.

Los foto-triacs MOC3010 y MOC3011 son comunes en las tiendas por internet
como eBay y AliExpress.

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Electrónica Analógica
También existen optoacopladores con otro tipo de componente a la salida, en la
entrada se comportan igual a los anteriores.

Por ejemplo con compuerta lógicas tenemos el 6N137 (TTL compatible), también
el H11L1 y el H11L2 (Salida CMOS), son menos comunes y los veremos en otra
entrada.

3.14 aplicación de circuitos utilizando transistores y optoacopladores.