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Dispositivos de Semiconductores
Profesor: Héctor Young C.
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica, Universidad de La Frontera
3. Se dispone de dos muestras de GaAs, una tipo p y la otra de tipo n, dopadas uni-
formemente con NA = ND ≫ ni . ¿Cuál de las dos muestras tendrá mayor resistividad?
Explique.
4. En una muestra de silicio la movilidad de los portadores es de 1300 cm2 /(Vs) a tem-
peratura ambiente. ¿Se trata de un material tipo p o tipo n? Calcule el coeficiente de
difusión.
5. Se planea fabricar una resistencia a partir de una barra de silicio dopada con
ND = 9 × 1014 /cm3 . A partir de datos experimentales se sabe que la movilidad de
portadores para esa temperatura y concentración de impurezas es µn = 1350 cm2 /(Vs).
Determine el área de sección transversal que debe tener el semiconductor para que la
resistencia sea de 500 Ω.
1
7. La figura muestra las concentraciones de portadores en una juntura p − n a temperatura
ambiente. Concentraciones n ó p
(escala logarı́tmica)
nn
pp 1015
1014
106
105
103
102
x
−xp xn
Respuestas
1. µp = 500 cm2 /(V · s)
2. Será más baja. En un material intrı́nseco la dispersión de los portadores por interac-
ciones con otras partı́culas se debe sólo a colisiones con átomos de la estructura cristalina.
Cuando el material está dopado se agrega la interacción con impurezas ionizadas. Mien-
tras más alta sea la dispersión por colisiones, más baja será la movilidad.
6. Vbi = 0.617 V.
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