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MOSFETS
ELECTRONICA DE POTENCIA

NOMBRE:
YEORGETTE SANCHEZ TREJO
TSUA19
MATRICULA:
4881
PROFESOR:
RICARDO LANDIN MARTINEZ
FECHA:
03 DE JULIO DE 2018
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RESUMEN

Se identificarán las configuraciones y utilizaciones de las fases del transistor Mosfet

mediante una serie de circuitos realizados en físico y en el programa multisim.

Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo

eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos más importantes que

los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la

tecnología MOS.Es un dispositivo de estructura metal oxido semiconductor. Es un

transistor que se controla con voltaje en la compuerta usado para amplificar o conmutar

señales.
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MARCO TEORICO
MOSFET

Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor

más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos

integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. (Boylestad L, 2009)

Funcionamiento

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el

que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas

por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de

conductor. (Smith K,1998)

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Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente

sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación

de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta

(gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no

hay tensión en la puerta no conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,

donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y

fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos eléctricos

en el interior del dispositivo.

Tipos de Mosfet

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se

haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo

pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente

y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.( Curso Electrónica Análoga, 2014)

Estados de los Mosfet

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

 Estado de corte

 Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato.

 Estado de NO conducción
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El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y

drenador, aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos. (ECURED, 2011).

Conducción lineal

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una

región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo

suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en

la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. ( Curso Electrónica

Análoga, 2014)

El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de

potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como

una resistencia controlada por la tensión de puerta.

Saturación: Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de

conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y

desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida

al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial

entre ambos terminales. (Dolores M, 2012)

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PRESENTACION DEL PROYECTO

MATERIALES:
 Mosfet BS170

 Fuente de CD

 1 Resistencia de 1M

 1 Resistencia de 2M

 2 Resistencias de 1K

 2 capacitores de 100Nf

 Multímetro

DESARROLLO:

Elabora el siguiente circuito DC y realiza las mediciones requeridas con ayuda del

multímetro determinando el punto de operación. Medir VGS haciendo una medición directa

y después realizando una medición indirecta (VG-VS).

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Solo cuando el valor de disparo es muy cercano a los valores del DATA SHEET es posible

realizar una alimentación.

Completar el circuito para poder alimentarlo con AC como se muestra en seguida:

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Encender la fuente de DC y aplicar voltaje a la salida del generador por medio de un divisor

de voltaje con ayuda de un potenciómetro para obtener las lecturas deseadas y en el

momento que no exista distorsión de salida registre el voltaje máximo.

Seguir aumentando el voltaje hasta generar distorsión a la salida

Elaborar el circuito de ganancia de voltaje, de tal forma que el voltaje se aplique al GATE y

mida el voltaje del MOSFET en AC.

Sustituir el generador de la entrada por un cortocircuito, con cuidado de desconectar RL y

se conecta en vez del generador una resistencia de RP=100 ohms en serie. Enciende la

fuente de DC y el generador. Finalmente medir el voltaje del generador en Vi y sobre la

resistencia.
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JUSTIFICACION

Los MOSFET son sumamente utilizados en electrónica digital, han desplazado a los BJT a

través del tiempo. El surgimiento del MOSFET fue posterior al del BJT, pero las ventajas

que ofrece su uso, especialmente en la electrónica de microcontroladores, ha trazado una

línea divisoria entre las aplicaciones donde se utiliza el BJT y aquellas donde es mejor

utilizar un MOSFET. Con los MOSFETs es posible implementar circuitos integrados sin

necesidad de otros componentes, como resistencias o condensadores. El MOSFET se

utiliza tanto en circuitos integrados digitales como analógicos, e inclusive se implementan

chips con ambos tipos de circuitos, denominados circuitos híbridos.

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DESARROLLO EXPERIMENTAL
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RESULTADOS
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CONCLUSIONES

La práctica desarrollada tuvo como objetivo analizar algunas de las configuraciones de

MOSFET. Se analizaron sus parámetros Los MOSFET se emplean para tratar señales de

muy baja potencia. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión

positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente

(source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre

ellos. Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no

hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada

por la tensión aplicada a la compuerta. En cuanto a la respuesta en frecuencia es posible

concluir que el rango de operación de todas las configuraciones es similar

(aproximadamente hasta los 100KHz sin degradación de señal). Esto se debe

principalmente a que la respuesta en frecuencia depende principalmente de las

capacitancias internas del transistor.

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REFERENCIAS

 Sedra, K. Smith, “Circuitos Microelectrónicos”, Cap.5, Transistores de efecto de

campo, 4ª Edición, McGraw Hill, 1998, pp.369-465.

 ] R. Boylestad, L. Nashelsky, “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos,” Cap. 8 Amplificadores con FET, 10ªEdición, Pearson Educación,

2009, pp.472-528.

 Guía de laboratorio: Curso Electrónica Análoga, “Transistores MOSFET en

circuitos amplificadores”, Universidad Nacional de Colombia, Facultad de

Ingeniería, Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, 2014

 Dolores Martin. (2012). Transistor MOSFET en circuitos amplificadores. ,, de

Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Ingeniería Eléctrica y

Electrónica Sitio web: https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-mosfet/

 ECURED. (2011). Transistor MOSFET. ,, de ECURED Sitio web:

https://www.ecured.cu/Transistor_MOSFET