ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO EXTENSIÓN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Nombre:……………………………………. Fecha:…………………………

Carrera:…………………………………… Paralelo: ……………………..

1. En el VMOSFET de potencia de canal n el denaje esta formado por un

material extrínseco:
a. N+.
b. N.
c. P+.
d. P.

2. Se prefiere una estructura vertical para los transistores de potencia porque:

a. Minimiza el área de sección transversal a través del cual fluye la
corriente en el dispositivo.
b. Maximiza el área de sección transversal a través del cual fluye la
corriente en el dispositivo.
c. Mantiene constante el área de sección transversal a través del cual
fluye la corriente en el dispositivo.
d. Porque reduce la resistencia en estado activo.

3. En los VMOSFET´s de potencia la densidad de impurezas donadoras y el

espesor de la región de arrastre o deriva define:
a. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización inversa.
b. El voltaje de bloqueo del interruptor en polarización directa.
c. Las pérdidas de potencia en conducción.
d. No incide en la operación del interruptor.

4. En los VMOSFET´s de potencia para obtener buenas capacidades de

ganancia:
a. Se aumenta el espesor de la compuerta.
b. Se reduce el espesor de la compuerta.
c. La ganancia no depende del espesor de la compuerta.

5. Dibuje los símbolos para los transistores de canal n y canal p:

6. En los VMOSFET´s el apiñamiento de las corrientes de fuente se elimina
debido a:
a. La geometría interdigitada de la fuente.
b. La geometría interdigitada de la compuerta.
c. La geometría interdigitada del drenaje.
d. La geometría cilíndrica del VMOSFET.

7. Si se realiza una conexión Darlington con βM=5 y βD=5 el β resultante es

igual a:
a. 5.
b. 10. La prueba es de Vmosfet
c. 25.
d. 35.

8. El VMOSFET tiene las siguientes zonas de operación:

a. Corte, lineal y saturación.
b. Corte, Resistencia negativa y saturación.
c. Corte, lineal y óhmica.
d. Corte, lineal, cuasisaturación y saturación severa.

9. La ganancia de corriente en un VMOSFET a:

a. k = ID/IG.

b. k = IS/IS.
c. k = VGS/ID.
d. k = ID/VGS.

10. En los VMOSFET´s de potencia la ruptura primaria se debe a:

a. Sobre voltajes entre drenaje y fuente.
b. Ionización por impacto.
c. Desbordamiento térmico.
d. Sobredensidades de corriente.

11. Los VMOSFET´s de potencia, en estado activo deben trabajar en la zona:

a. Corte.
b. Lineal.
c. Óhmica.
d. Saturación.

12. En los VMOSFET´s de potencia la FBSOA se define en base a::

 a. IDM y BVDSS.
b. IGM y BVDSS.
c. ISM y BVDSS.

13. El SCR tiene una estructura única de:

a. Dos capas y una juntura.
b. Tres capas y dos junturas.
c. Cuatro capas y tres junturas.
d. Una capa sin junturas.

14. . La curva v-i característica de un SCR en polarización directa tiene las

siguientes zonas de operación :
a. Zonas de; corte, activa y saturación.
b. Zonas de; corte, activa, cuasisaturación y saturación severa.
c. Zonas de; corte, activa y óhmica.
d. Zonas de; corte, resistencia negativa y saturación.

15. El terminal de control del SCR es la gate y requiere de una señal de

corriente (pulso):
a. Positivo para su activación.
b. Positivo para su desactivación.
c. Negativo para su activación.
d. Negativo para su desactivación.

16. El SCR es un dispositivo de:

a. Portadores mayoritarios.
b. Portadores minoritarios.

17. Dibuje el símbolo para el SCR, indicando las condiciones para su activado:
18. El SCR es intrínsecamente un dispositivo de conmutación en comparación a
los BJT´s y VMOSFET´s :
a. Rápido.
b. Lento.

19. Para evitar el apiñamiento de las corrientes en el transitorio de encendido

de un SCR, se debe controlar:
a. Corriente.
b. Voltaje.
c. Potencia.
d. di/dt de subida.

20. Para el apagado de un SCR, el tiempo que debe permanecer en

polarización inversa Tx, en relación al tiempo de apagado tq debe ser:
a. Tx = tq.
b. Tx < tq.
c. Tx > tq.

21. La estructura de un SCR con disposiciones de compuerta-cátodo muy

interdigitadas y los cortocircuitos de cátodo mejoran considerablemente:
a. Corriente.
b. Voltaje.
c. di/dt.
d. dv/dt.
e. di/dt y dv/dt

22. En el transitorio de apagado de un SCR, la corriente de recuperación

reversa Irr es:
a. Pequeña.
b. Grande.