PRACTICA N° 9

ANÁLISIS DE CARACTERÍSTICA DE UN TRANSISTOR BJT

Laboratorio de Analógica I – Grupo #2

Juan Diego Maita - jmaitac@est.ups.edu.ec
Oscar Sánchez - osanchezs@est.ups.edu.ec

ABSTRACT._ In this report we will discuss a detailed

analysis of an electronic element known as the transistor,
everything that has to do with its most important
characteristics, the identification of its parts and polarizations,
its important pins and the application to analog electronics.

1. OBJETIVOS
Objetivo general:
Fig. 1. Transistores.

 Entender el comportamiento de los transistor BJT

CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR.

Objetivo específicos: Es un semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos
 Analizar las características del transistor NPN y capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero
PNP se llama transistor npn y el segundo transistor pnp. La capa
del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el
 Condiciones de funcionamiento de cada uno de colector sólo un poco dopado.
ellos

2. INTRODUCCIÓN
El transistor como ya sabemos es un elemento
electrónico que tiene la propiedad de cortar la señal o permitir
el paso de la misma es decir funciona así como también tiene
la función de actuar como un amplificador de la señal con la
que trabajamos en el informe nos ayudaremos de nuestro
banco de trabajo y de elementos secundarios pera analizar a
profundidad como funciona en la práctica nuestro nuevo
elemento revisado en la teoría y con la ayuda de nuestro
profesor del laboratorio sabremos la mejor manera de poder
operar con el aplicando a la ves todo lo que tiene que ver con Fig. 2. Tipos de transistores.
cálculos que es lo que debimos haber visto en las horas de
clases a partir de ellos esperamos que la práctica sea
constructiva y sirva para nutrirnos con todo lo que nos ofrece
el transistor y sus múltiples aplicaciones.

3. MARCO TEORICO
TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor

utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a
una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. Fig. 3. Flujo de portadores.

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Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor

se obtiene las corrientes que circulan como se presenta a Características Símbolo Valor Unidad
continuación:
Voltaje Colector-Emisor 𝑉𝐶𝐸 50 Vdc
Voltaje Colector-Base 𝑉𝐶𝐵 75 Vdc
Voltaje Emisor-Base 𝑉𝐸𝐵 6 Vdc
Corriente Colector Ic 800 mAdc
Con las corrientes determinadas se puede plantear las Disipación Total Ta=25ºC Pt 500 mW
mallas de ingreso y salida para determinar las caídas de
tensión en los puntos que se deseen. Disipación Total Tc=25ºC Pt 1 W
Rango Temperatura Tj,Tstg -50ºa250ºC ºC
Tabla 1. Valores y Características Eléctricas del 2N2222
ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR
5.2. UTILIZANDO EL MULTÍMETRO DIGITAL
La hoja de especificaciones es el vínculo de IDENTIFIQUE LOS TERMINALES DE CADA TIPO DE
comunicación entre el fabricante y el usuario. Estas TRANSISTOR DISPONIBLE Y DE PASO
especificaciones se dividen en valores nominales máximos, COMPRUEBE QUE ESTÁN EN BUEN ESTADO,
características térmicas y características eléctricas. Las DETERMINANDO EL VOLTAJE UMBRAL Y
características eléctricas se dividen a su vez en CONDICIÓN PARA CADA CASO.
características de “encendido”, “apagado” y de señal
pequeña, se refieren a límites de cd, en tanto que las de 2N2222 BC547 2N3906
señal pequeña incluyen los parámetros de importancia para Directa BE= BC= BE= BC= BE= BC=
la operación de ca. 653 652 661 657 0 0
Inversa BE= BC= BE= BC= BE= BC=
0 0 0 0 686 680
CE= CE= CE= CE= CE= CE=
0 0 0 0 0 0
Tipo NPN NPN PNP
Tabla 2. Terminales de un Transistor.

5.3. REALIZAR EL CIRCUITO DE LA FIGURA, LLENAR

LA TABLA DE VALORES MEDIANTE EL
MULTÍMETRO DIGITAL PARA EL 2N2222.

+Vcc

RC
Fig. 4. Valores nominales. 3.9K

4. EQUIPOS Y MATERIALES Rb Q1
2N2222
 Osciloscopio Digital. E1 1M
 5 bananas DC = 5Vcc VBE VCE
 Transistor 2N2222, BC547, 2N3906
 Multímetro
 Fuente DC
 Resistencias Tabla Curva Característica BJT.
 Generador de funciones
Cálculo Cálculo Calculo
Rb VBE Vcc VRC VCE Rc
5. DESARROLLO DE LA PRACTICA Ib (uA) Ic (mA) β

5.1. CONSULTAR LOS MANUALES Y TRANSCRIBIR LAS 3Vcc 2.25 0.73 1.022 237 2.2 K
CARACTERÍSTICAS MÁS IMPORTANTES DEL 5Vcc 2.29 2.69 1.04 241 2.2 K
TRANSISTOR 2N2222. (DATASHEET PHILIPS) 1 MΩ 0.61 4.3
VALORES NOMINALES MÁXIMOS 10Vcc 8.62 1.36 1.051 244 8.2 K
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS. 15Vcc 8.89 6.08 1.084 251 8.2 K

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3Vcc 2.23 0.76 2.23 243 1 K

5Vcc 2.27 2.72 2.27 248 1 K
Ib=F(Vbe)
470KΩ 0.63 9.14
10Vcc 5.2 4.95 2.36 258 2.2 K 60
15Vcc 5.22 9.76 2.37 259 2.2K 50

3Vcc 2.25 0.74 4.78 470Ω

40
30
5Vcc 2.3 2.7 4.89 470Ω
220KΩ 0.65 19.54 20
10Vcc 4.99 4.97 4.99 1K
10
15Vcc 5.31 9.66 5.31 1K
0
3Vcc 2.73 0.72 0.01 270Ω 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68
5Vcc 2.82 2.16 0.01 270Ω
100KΩ 0.67 43 Fig.5 Característica promedio de Ingreso Ib=F(Vbe)
10Vcc 8.47 1.5 0.01 820Ω
15Vcc 9.3 5.64 0.011 820Ω
3Vcc 1.3 1.7 0.013 100Ω Ic=F(Vce)
5Vcc 1.35 3.6 0.013 100Ω
82KΩ 0.67 52.43 6
10Vcc 4.46 5.47 0.013 330Ω 5
15Vcc 5.1 9.98 0.015 330Ω 4
Tabla 3. 3
2
 Fórmulas Utilizadas:
1
Cálculo Ic: 0
-1 -1 0 1 2 3 4 5 6
VRC
Ic =
RC Fig.6. Característica promedio de Ingreso Ic=F(Vve)

Calculo Ib: 5.5. MEDIDA DE VBESAT Y VCESAT : REALIZAR EL

CIRCUITO DE LA FIG1, APLICAR VI = 10VCC, CON
VBE − 0.7 EL MULTÍMETRO MEDIR Y TOMAR NOTA DEL
Ib = VBESAT Y VCESAT, VERIFICAR SI ESTÁ DENTRO DE
Ib
LOS PARÁMETROS ESTABLECIDOS EN LA
Calculo 𝛃: CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS.

Ic = β × Ib Valores Medidos:

Ic VBE sat = 0.738V

β=
Ib
Nota: En la tabla anterior, si una de las resistencias del
colector (Rc) satura al transistor, bajar sucesivamente la
resistencia a valores menores, hasta que se tengan
tensiones más aceptables.
5.4. CON LOS VALORES OBTENIDOS EN LA TABLA,
TRACE LA RESPECTIVA CARACTERÍSTICA DE
INGRESO IB = F(VBE) Y SALIDA IC = F(VCE) SAQUE
SUS CONCLUSIONES.
VCE sat = 0.04mV
5.6. MEDIDA DE LOS TIEMPOS DE CONMUTACIÓN:
PARA EL MISMO CIRCUITO DE FIG1, APLICAR
MEDIANTE EL GEN.FUNCIONES UNA TENSIÓN VI
=10VP, ONDA CUADRADA SOLO POSITIVA, F =
100KHZ, (UTILIZAR EL OFFSET DEL GENERADOR
DE FUNCIONES), VISUALIZAR Y CAPTURAR LAS
FORMAS DE ONDA DE VI Y VO, DETERMINAR EL
VALOR DE TON (TURN-ON-TIME) Y TOFF(TURN-OFF-
TIME) PARA EL 2N2222, VERIFIQUE SI ESTÁ
DENTRO DE LOS PARÁMETROS ESTABLECIDOS
EN LAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS.

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+Vcc= 15Vcc. a nuestras necesidades, sabemos también que a altas

frecuencias el transistor empieza a tener fallas hasta
llegar a un punto en el que ya no funciona por medio de
la polarización antes mencionada también sabemos qué
RC tipo de alimentación y por donde ingresa y sale el voltaje
1K
Ch2 Vo
del circuito así como también sabemos el tiempo que
demora un transistor en empezar a cumplir su labor que
Ch1 es más o menos unos 6 a 7 ms antes de que este
Rb Q1
2N2222 empiece a actuar como interruptor como una
recomendación general se indica que tomen mucho en
Vi= +10Vp. 4.7K
cuenta que tipo de transistor es puesto que de esto
Onda cuadrada VBE
dependerá si es NPN O PNP y así no tendrán ningún
Gen. Funciones problema a la hora de alimentarlo porque de lo contrario
puede llegar a quemar el transistor o ya causar estragos
más grandes en tu elementos secundarios.
Fig.1

5.7. AUMENTE MANUALMENTE LA FRECUENCIA DEL 7. BIBLIOGRAFÍA Y REFERENCIAS

GENFUNCIONES HASTA CUANDO EL TRANSISTOR
NO RESPONDE. ANOTE DICHO VALOR LÍMITE DE  R.L. Boylestad-Introducción al Análisis de Circuitos-
FRECUENCIA. Prentice Hall (2011) Edición 10ma, Biblioteca Sede
Cuenca Universidad Politécnica Salesiana

 Boylestad “Introducción al análisis de circuitos”,

5.8. REALIZAR LOS PUNTOS 5.6 Y 5.7 PARA EL Edición 12ava, Capitulo 18, capitulo 19, Capitulo
TRANSISTOR BC547 Y EMITA SUS COMENTARIOS. 20, Disponible, Biblioteca Sede Cuenca
Universidad Politécnica Salesiana.

 W. H. Hayt, Análisis de electronica analogica,

6. CONCLUSIONES México, D. F. : 677 p., 621.3; H3y 1986.

De acuerdo con los objetivos planteados sabemos  W. Marín Modelo IEEE - Escuela de Ingeniería
ahora cual es el funcionamiento real de un transistor ya Electrónica. Instituto Tecnológico de Costa Rica,
podemos ahora obtener su polarización real de acuerdo 2007