Coloquio integrador de Dispositivos Semiconductores 

http://materias.fi.uba.ar/6625 
30 de junio de 2015 
 
 

Nombre y Apellido: _________________________________________________ Padrón: ____________ ​
Tema 1 

1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  Calificación 

                                 

1. Para portadores libres en cristales semiconductores en equilibrio térmico, enumere distintas propiedades 
respecto de la generación y recombinación de pares. 

2. Para un semiconductor cuyo dopaje depende de la posición tal que en un punto (1) N​ A​ ​
 = 108​ ​
 at/cm3​
 y en otro 
​ = 10​ at/cm​
punto (2) NA​ 16​ 3​
​​
, calcule el potencial del built­in (ϕ ) entre ambos puntos. 
21​

3. ϕ​
Calcular el ancho de la zona desierta de una juntura MOS de ​  = 970 mV, ɣ
B​ ​, t​
 = 0,43 V0,5​  = 8 nm, V​
OX​  = 0,7 V 
T​

cuando V​  = 1,4 V.
GB​  
4. En un proceso de fabricación CMOS de sustrato tipo P, ¿cuál es el orden adecuado en el que se aplican las 
máscaras de fabricación para obtener un transistor PMOS? 

5. Hallar el circuito esquemático de la función lógica: F = not(A∙(B+C)). 

6. ¿Cuáles son las propiedades de un inversor CMOS en cuanto a potencia, margen de ruido y tiempos de 
propagación? 

7. Dado un amplificador source común sin carga, con resistencia de drain R​ , divisor resistivo de gate R​
D​  y R​
G1​ , 
G2​
V​  = 5V, y transistor de canal N con parámetros V
DD​ ​ = 0.9 V, µ C
T​ ​  = 100 µA/V
OX​ ​
2​
, W/L = 1000. Se quiere obtener 
​| = 50, VOUT​
una ganancia  |Avo​ ​  = ½ VDD​
​ y RIN​
​ = 1 kΩ: 
Halle I​ , R​
DQ​  R​
D​  y R​
G1​  para cumplir las especificaciones. 
G2​

8. Para el amplificador de (7), si se aumenta I​ , modificando R​
CQ​  de forma tal de mantener V​
D​  = ½ V​
OUT​  , ¿qué 
DD​
sucede con la ganancia A​ ? 
vo​

9. Para el amplificador de (7), ¿cuál es el motivo de distorsión que limita el funcionamiento del amplificador? 
10. Para el amplificador de (7), si se reemplaza el transistor MOS por un TBJ (β = 250) de forma tal de I​  = I​
DQ​ , 
CQ​
¿qué sucede con R​ ? 
IN​

11. ¿Cuál es la condición necesaria para que un tiristor, luego de haber recibido el pulso de disparo, se mantenga 
conduciendo? 

12. Dado el circuito y las señales de la figura calcular la potencia media sobre la carga y la potencia media sobre 
los semiconductores suponiendo una caída de tensión de 1 V cuando conducen.  RL = 10 Ω . 

 
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 Coloquio integrador de Dispositivos Semiconductores 
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13. Suponiendo que los dispositivos semiconductores se encuentran en un ambiente que puede llegar a 50 °C. Las 
características térmicas de ambos dispositivos son  T jM áx = 120 °C,  θj−c = 4  °C/W y  θc−a = 1, 5  °C/W. Calcular la  
resistencia térmica del disipador necesario para cada semiconductor.  

14. ¿El efecto zener ocurre en junturas PN con qué características? 

15. ¿Cuándo ocurre el fenómeno de ruptura inversa en un diodo PN? 

16. Respecto del circuito de la figura y conociendo que: |I​ | = 10 mA y |I​

zmax​ | = 1 mA, responder: (1 pt) 
zmin​

Considerando R = 160 Ω, hallar el máximo valor admisible de R​ .  
L​
Considerando R​ = 180 Ω, hallar el máximo valor admisible de R. 
L​  
 

 
   

 
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