Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Fonte de alimentação de baixa tensão e elevada

corrente para microprocessadores

Ruben Tiago Pinto Sarmento da Costa

VERSÃO 1.1

Relatório Introdução e Estado da arte da dissertação realizado no âmbito do

Mestrado Integrado em Engenharia Electrotécnica e de Computadores
Major Automação

Orientador: Prof. Dr. António José de Pina Martins

18 de Março de 2012
i
© Ruben Tiago Pinto Sarmento da Costa, 2012

ii
iii
Índice

Índice ............................................................................................... iv

Lista de figuras ..................................................................................... v

Abreviaturas e Símbolos......................................................................... vi

Capítulo 1 .......................................................................................... 1
Introdução ........................................................................................................ 1
1.1 - Contexto/Enquadramento ........................................................................... 1
1.2 - Objetivo ................................................................................................. 3
1.3 - Estrutura do relatório de preparação da dissertação ........................................... 3

Capítulo 2 .......................................................................................... 4
Revisão da literatura e estado da arte ...................................................................... 4
2.1 – Introdução ............................................................................................ 4
2.2 - Conversores Buck convencional e Buck síncrono ............................................... 4
2.3 - Limitação das topologias anteriores ............................................................. 7
2.4 – Conversores Buck Multifase ........................................................................ 8

Capítulo 3 ......................................................................................... 11
Caraterização detalhada dos problemas a tratar ......................................................... 11

Referências ....................................................................................... 13

iv
Lista de figuras

Figura 1.1 - Evolução do Vload e Iload nos microprocessadores .. ....................................2

Figura 1.2 - Evolução do SR do Iload.. ....................................................................2

Figura 2.1 - Conversor Buck: (a) tradicional (b) síncrono. .............................................5

Figura 2.2 - Diagrama básico da malha de controlo de um Conversor Buck Síncrono. ...........6

Figura 2.3 - Sinais de controlo dos transístores HS e LS. ...............................................7

Figura 2.4 - Representação dos spikes que ocorrem num transitório de carga [10].. ............7

Figura 2.5 - Esquema de modulação do MP [10].. .......................................................7

Figura 2.6 - Conversor multifase básico e formas de onda das correntes IL1, IL2 e na carga
(Iload) [10]. ..............................................................................................8

Figura 2.7 - Resposta transitória de um Conversor Buck multifase [10]. ............................9

Figura 2.8 - Conversor Buck Multifase com 4 células [10]. ............................................9

v
Abreviaturas e Símbolos

Lista de abreviaturas (ordenadas por ordem alfabética)

CB Conversor Buck
CI Circuito integrado
ESL Equivalent Series Inductance
ESR Equivalent Series Resistance
HS High Side
LS Low Side
MP Microprocessador
MPC Multi-phase Buck Converter
PWM Pulse-Width Modulation
VRM Voltage Regulator Module

Lista de símbolos

δ Duty cycle
η Rendimento
Δt Variação de tempo
Δθ Variação de ângulo
f Frequência em Hertz (Hz)
T Período em segundos (s)
I Intensidade de corrente elétrica em Amperes (A)
V Tensão elétrica em Volts (V)
P Potência elétrica em Watts (W)

vi
vii
 Capítulo 1

Introdução

Pretende-se com este documento abordar a dissertação com o tema, “Fonte de

alimentação de baixa tensão e elevada corrente para microprocessadores”, especificando o
enquadramento e objetivo em que será desenvolvido, assim como o trabalho desenvolvido
sobre o estado da arte até à data e plano de trabalho.

1.1 - Contexto/Enquadramento

Em 1965, apenas seis anos após a invenção do circuito integrado (CI), Gordon Moore,
previu a duplicação anual do número de transístores num CI [1]. Na década de 1980, a
duplicação da velocidade passou a ser ajustada a cada 18 meses tendo em conta o aumento
da complexidade dos semicondutores [2]. A Lei de Moore, como ficou a ser conhecida,
dominou durante quase quatro décadas, apoiada pela engenharia de silicone industrial e no
fabrico de motores. A nanotecnologia emergente irá garantir que a Lei de Moore continua a
prevalecer, pelo menos, a próxima década, com avanços contínuos nas tecnologias de
processamento de integração em grande escala (VLSI – Very Large Scale Integration) [3-6]. De
acordo com os dados disponibilizados da Intel, consegue-se perceber que hoje em dia os MPs
têm uma capacidade bastante superior à dos MPs mais antigos e tal pode ser comparado, por
exemplo, em termos de número de transístores, ou seja, apesar de serem todos da família
Intel, os chips modificaram muito de uma geração para outra. Enquanto o MP 8080 tinha 6000
transístores, o MP Core i7 Sandy Bridge - E tem 2270 milhões [7].
O crescente aumento de capacidade de processamento com o passar do tempo até aos
dias de hoje não é apenas visível com o aumento do número de transístores. Por exemplo, o
MP i486 funcionava a 25MHz, hoje um MP como um Core i7 funciona acima dos 3,5GHz e tem
pelo menos 4 núcleos físicos a processar a essa velocidade, e esta está a aumentar [7].

1
 Fig. 1.1 - Evolução do Vload e Iload nos microprocessadores (Adaptado de
[XXXX]).

No entanto, à medida que aumenta o número de transístores, os MPs consomem mais

energia e produzem mais calor. A fig. 1.1 mostra um mapa da Intel onde mostra a corrente e
tensão de funcionamento necessária para o MP desde a década de 90 até aos dias de hoje.
Embora a tensão de alimentação dos pinos dos MPs seja abaixo de 1V, o consumo total de
energia tem aumentado devido à corrente elevada que eles consomem. A Lei de Moore,
eventualmente, terá que enfrentar as leis da física, neste caso, as limitações de potência e
térmicas. Este fenómeno é muitas vezes referido pela Intel como a "Power Wall."
A tensão que alimenta o MP está abaixo de 1V e isso levanta outro sério desafio para a
regulação de tensão. Os Voltage Regulator Modules (VRMs) com transitórios rápidos
permitiram que a tensão de identificação entre o "1" ou "0" se tornasse mais eficaz para
valores tensão abaixo de 1V. Além disso, a elevada frequência de clock induz um di/dt (taxa
de variação da corrente) muito rápido, ou seja, quando existe uma mudança do modo de
operação do MP por exemplo, do modo de suspensão para o modo ativo e vice-versa [8,9]. A
taxa de variação entre esses modos de funcionamento é superior a 1000 vezes por segundo,
ou seja, muito mais rápido do que um simples movimento humano. A fig. 1.2 mostra a
tendência deste desenvolvimento. A característica de elevada dinâmica faz com que uma
regulação de tensão mais precisa seja mais difícil.

Fig.1.2 - Evolução do SR do Iload. Adaptado []

Em geral, a tecnologia de produção de energia é muito importante para quebrar o "Power

Wall", e para a alimentação eficiente e precisa do MP. Se estes desafios de energia não são
resolvidos, a tendência familiar de MPs e dispositivos cada vez menores, mais rápidos, e com
menor custo pode ser comprometida. Aplicações, como reconhecimento de voz e facial em
2
tempo real – aplicações que requerem MPs muito mais poderosos – não poderiam ser
realizadas. Logo, gerir com êxito a questão da energia é fundamental para estender o sucesso
da Lei de Moore. Para tal, serão apresentados, no ponto seguinte, os objetivos que levam a
otimizar esta filosofia tendo em conta o uso de uma fonte de baixa tensão e elevada corrente
(VRM) para alimentar um MP.

1.2 - Objetivo
Com base nas questões de gestão de energia, é de referir que a alta eficiência, a alta
densidade de potência, os VRMs com transitórios rápidos são essenciais para satisfazer as
necessidades de energia dos novos microprocessadores. Para que se consiga atingir estes
objetivos, serão abordados inúmeros desafios tecnológicos no capítulo 3 por forma a ser
possível implementar a fonte de alimentação de baixa tensão e elevada corrente para
microprocessadores.

1.3 - Estrutura do relatório de preparação da dissertação

Este documento é constituído por 4 capítulos. O primeiro e presente capítulo o leitor é
introduzido no âmbito da dissertação, sendo de conhecer o contexto/enquadramento da
mesma e os objetivos que dela advêm.
O segundo capítulo apresenta a análise do estado da arte sobre as topologias de fontes de
alimentação de baixa tensão e elevada corrente.
No capítulo três é abordada a caracterização detalhada dos problemas a tratar, ou seja,
determinar quais os pontos a abordar para a realização do projeto.
Por último existe um quarto capítulo onde será apresentado um plano de trabalho que
contém os seguintes itens: fases do trabalho, metodologia a adotar, tecnologias e
ferramentas a utilizar.

3
 Capítulo 2

Revisão da literatura e estado da arte

2.1 – Introdução
Este capítulo tem como objetivo enumerar e explicar sucintamente as várias tecnologias
usadas, até então, por forma a que seja possível identificar a melhor solução para o problema
proposto para esta dissertação.
Para tal, os primeiros subcapítulos mostram e explicam de forma breve várias topologias
usadas para a solução pretendida, umas mais antigas outras mais recentes, que
posteriormente vão levar à solução a ser usada para esta dissertação. Após a exposição das
topologias diferentes existentes faz-se um levantamento das várias tecnologias de
semicondutores e de implementação (bobinas e condensadores) de forma a perceber-se que
tipo de soluções existem neste momento e quais as vantagens de umas em relação às outras.
Existe um outro subcapítulo onde são descritos os vários CIs de controlo existentes para a
solução pretendida. Por fim, o último subcapítulo descreve a caracterização do trabalho, ou
seja, descreve os vários objetivos a serem tratados ao longo do projeto para que este
obtenha o resultado esperado.

2.2 - Conversores Buck convencional e Buck síncrono

Como já foi referido no capítulo anterior o crescente aumento da velocidade de
processamento dos MPs tem levado a um maior consumo de energia, bem como à procura por
respostas mais rápidas aos transitórios da carga por parte dos reguladores de tensão [10].
Utilizando, um conversor buck convencional (CB) [10], apresentado na Figura 2.1, que
consiste num conversor DC/DC comutado abaixador de tensão, seria preciso um condensador
de saída Cload de elevado valor para compensar a alta corrente de carga Iload durante o
transitório, e manter estabilizada a tensão de carga V load dentro dos limites especificados.
Como o espaço dedicado ao Cload na placa-mãe que contém o MP é geralmente limitado, a
utilização de estruturas convencionais de CBs torna-se inviável em tais aplicações. Tendo isso
em conta, outras topologias têm sido adotadas para compensar a tensão de alimentação, com
grande capacidade de corrente, neste momento já acima de centena de amperes, aos MPs
atuais e futuros.

4
 O CB tradicional apresentado na Figura 2.1 (a) funciona baseado na comutação de um
transístor (HS), que, quando acionado, liga a tensão de entrada V IN ao nó VX, que por sua vez
está ligado ao terminal da bobina L, carregando-a. Quando HS desliga, L é descarregada via
díodo D1. A tensão de saída VLOAD é igual a VINδ, onde δ = TON_HS / TCLK, sendo que TON_HS é o
período em que HS é está ativo e TCLK é o período de clock do regulador. No entanto, este
conversor possui a desvantagem de operar em modo descontínuo, quando a corrente em L, IL,
se anula. Neste caso, Vload deixa de ser igual a VINδ, sendo que nesta situação o regulador
passa a operar no modo descontínuo.
Analisando a Figura 2.1, consegue-se ver que o transístor HS utilizado é do tipo N, ou
NMOS. Apesar de ter a desvantagem de precisar de um circuito de boot-strap, que serve para
obter uma tensão de gate superior a VIN para garantir que o dispositivo entre na região tríodo,
utilizar um NMOS tem a vantagem de serem transístores menores, mais rápidos e com
condensadores de gate menores. Um transístor do tipo P, ou PMOS, necessita ser em média
três vezes maior que um NMOS para comutar à mesma frequência e conduzir a mesma
densidade de corrente. Com isto, trabalhando com dispositivos NMOS consegue-se operar com
frequências maiores e com circuitos de controlo mais simples, que é o que se pretende para o
transístor HS. Da mesma forma, utilizar um transístor bipolar do tipo NPN para esta função, é
mais vantajoso que o PNP tendo em conta o que já foi explicado para os transístores MOS.
O CB síncrono da Figura 2.1 (b) funciona de maneira semelhante ao tradicional, apenas
com a diferença de se utilizar outro semicondutor (LS) ao invés do díodo. Neste caso, o
circuito de controlo para além da carga também controla a descarga de L, já que mesmo
quando IL se anula, LS se mantém ligado. Assim, IL pode ser negativo, impossibilitando a
operação em modo descontínuo de corrente para este tipo de regulador. Sendo assim, para o
CB síncrono, Vload será sempre VINδ, que representa uma vantagem em relação ao CB
tradicional, já que a corrente de carga para o caso do CB síncrono pode assumir todos os
valores de 0 ao valor máximo sem que o conversor saia da operação em modo contínuo de
corrente.
Como já foi referido anteriormente os MPs tendem a operar com VLOAD cada vez menor
(<1V), de modo a poder aumentar a sua frequência de operação, fCLK_PROC, e assim tornarem-
se mais rápidos, contudo, sem aumentar sua potência dissipada PDISS, que é proporcional a
Vload2*fCLK_PROC. Inicialmente os MPs eram alimentados com tensões de 5V. Com o aparecimento
da linha Pentium, da Intel, passou.se a ter um Vload = 3.3V. Neste momento os MPs, têm 0.8V
≤ Vload ≤ 1.8V. Embora, o Vload tenha vindo a diminuir, o valor de ILOAD tem aumentado, já que
o número de componentes integrados presentes num MP aumenta de geração para geração. A
capacidade máxima de corrente de um CB está limitada, na prática, a 30A,
aproximadamente, em contraste com as necessidades dos novos MPs que pode ir até centena
e meia de amperes. Com o aumento de componentes integrados dentro de um único chip é
exigido um maior e mais agressivo controlo de Vload, com tolerâncias máximas de +/- 2% [10].
Sendo assim, o CB não é capaz de atender aos requisitos dos microprocessadores atuais
Outras arquiteturas de reguladores, que têm capacidade de fornecer correntes elevadas e
tendo valores razoáveis de CLOAD, têm assegurado o progresso dos microprocessadores.

5
 Fig.2.1 – Conversor Buck: (a) tradicional (b) síncrono.

Os conversores buck possuem um sistema de controlo que realimenta a tensão de saída

para que seja possível controlá-la. De forma a garantir que Vload não oscile, é necessário um
circuito compensador em frequência para que a malha de realimentação não inverta a sua
fase. A Figura 2.2 mostra um diagrama de blocos simples de uma malha de controlo de um
regulador buck.

Fig.2.2 - Diagrama básico da malha de controlo de um Conversor Buck Síncrono.

Na Figura 2.2, o comparador compara a tensão de saída do compensador (entrada

negativa) com a referência de tensão em rampa (entrada positiva). Quando a entrada positiva
(sinal rampa) é maior que a negativa (saída do comparador) a saída do comparador vai para
nível lógico alto, acionando o transístor HS via o driver HS e seu respetivo level shifter. Este
controlo é denominado por controlo PWM (Pulse Width Modulation) em que a tensão de saída
do comparador é modulada por largura, pois variações do Vload originam alterações na tensão
aplicada à entrada do comparador, mudando a largura do pulso do comparador, porque a
rampa retorna a VSS (terra do sistema) num período constante, sendo este igual a TCLK.
Quando o conversor é ligado tem-se que VLOAD = VSS. Nesse momento, a malha de controlo
liga o transístor HS até que Vload = VREF o mais rápido possível, limitado pela resistência
interna do HS, das resistências parasitas da placa de circuito impresso - Printed Circuit Board
- PCB e de L. Com isto, a tensão de saída aumenta rapidamente num curto intervalo de
tempo, resultando num alto C(dVLOAD / dt), podendo danificar o HS, e até a própria PCB. Para
evitar este problema, VREF não é inserido integralmente no compensador no instante em que o
conversor é ligado, sendo este aplicado em forma de uma rampa, partido de VSS até VREF,
com um tempo de subida bem determinado, de forma a proporcionar um controlo sobre a
corrente do condensador de saída enquanto o conversor ainda não estabiliza o VLOAD. Só
quando Vload = VREF é que a referência passa a ser aplicada integralmente ao compensador,

6
podendo assim evitar danificar os componentes envolvidos na comutação de elevadas
correntes do regulador. O circuito de partida suave representado na, figura 2.2, é o
responsável pela aplicação de VREF ao compensador em forma de rampa.
O modo de operação do HS e LS do conversor síncrono exige um cuidado adicional, já que
estes têm atrasos diferentes para ligarem e desligarem, em que o mais comum é demorar
mais para desligar do que ligar. Uma averiguação importante a ter em conta é se LS for
acionado ao mesmo tempo em que HS for desligado, pode ocorrer um curto-circuito entre
eles e VIN, originando avarias nestes componentes, além de diminuir o rendimento do
regulador. Portanto, usar um tempo morto (dead time) entre os tempos ligar/desligar os
semicondutores é uma boa prática para evitar tal problema. A Figura 2.3 mostra como é que
os sinais de controlo de HS/LS devem ser.

Fig.2. 3 – Sinais de controlo dos transístores HS e LS.

2.3 - Limitação das topologias anteriores

Baseado no CB síncrono da Figura 2.1, durante o estado transitório da carga, exitem três
spikes que originam uma queda na tensão de alimentação [10]. Na Figura 2.4 pode observar-
se o comportamento de Vload durante um transitório. Sendo o MP a carga, a Figura 2.5
representa as malhas parasitas que causam tais spikes, em que as malhas F2, F3 e F4 são as
responsáveis pelo primeiro, segundo e terceiro spikes, respetivamente. Os CBs estão
limitados pelo elevado valor de L que apresentam, que por sua vez este L elevado vai limitar
ILOAD durante um transitório de carga. Para que isto não ocorra, a corrente é totalmente
fornecida por CLOAD, em que o seu valor é diretamente proporcional a ILOAD. Para reduzir os
efeitos de resistência e bobina série equivalentes, ou equivalent series
resistance/inductance, ESRC e ESLC, respectivamente, no desempenho do regulador, são
colocados, em paralelo à saída, vários condensadores unitários CU´s. Com esta solução de
colocar os CU´s precisa-se de um espaço maior na placa-mãe, o que não é desejável, pois o
espaço é limitado. Como tal, os CBs são postos de parte para muitos microprocessadores
neste momento.

Fig.2.4 – Representação dos spikes que ocorrem num transitório de carga [10].

7
 Fig.2. 5 – Esquema de modulação do MP [10].

Para além do aumento de Cload, o CB tem um rendimento cada vez menor à medida que
reduz o Vload. Menor rendimento é sinónimo de haver maior dissipação e aquecimento nos
componentes do regulador, e como consequência um aumento no consumo de energia da
placa-mãe.

2.4 – Conversores Buck Multifase

Outra arquitetura de reguladores, intitulada por conversor buck multifase [10-13]
(interleaved ou multi-phase buck converter - MPC), apresenta solução para o problema de
variação em Vload no estado transitório, diminuindo o valor de L. Para tal, neste conversor, a
corrente IL pode assumir o valor zero, durante a carga e a descarga. Na Figura 2.6 está
representada o circuito básico do MPC, assim como as formas de onda da corrente em L1,L2 e
na carga, que numa primeira observação, se assemelha a um CB. O nome multifase advém na
forma de como a corrente nas bobinas é comutada, em que os semicondutores não são
acionados simultaneamente.
Neste tipo de topologia o L é bastante pequeno. Pode visualizar-se que o ripple de
corrente, Iripple_load, na corrente de carga é menor, pois enquanto uma bobina se encontra em
descarga, a outra está a ser carregada. Tendo em conta um valor de L menor, os spikes de
Vload são reduzidos. Esta redução deve-se à operação não-simultânea dos semicondutores. Os
semicondutores S1 e S2 comutam de forma invertida, ou seja, quando S1 estiver ativo, S2 está
inativo e vice-versa, dando o comportamento de IL1 indicado no gráfico da Figura 2.6. Os
semicondutores S3 e S4 funcionam da mesma forma dando o comportamento de IL2, contudo,
S1 e S3 não são ativos ao mesmo tempo logo S2 e S4 também não são ativos ao mesmo tempo
pelo que já foi explicado acima. Esta diferença deve ocorrer para minimizar Iripple_load.

Fig.2. 6 – Conversor multifase básico e formas de onda das correntes IL1, IL2 e na carga (Iload) [10].
8
 Para que IL1 e IL2 tenham o mesmo valor, é preciso que o tempo de atraso entre elas
proporcione uma divisão simétrica no período de comutação dos semicondutores.
Considerando um conversor com N células, sendo cada célula constituída por uma bobina e
respetivos semicondutores, tem-se

[ ] []

onde N é o número de fases do conversor e Δt é o intervalo de tempo entre a ativação de

duas células sucessivas.
A Figura 2.6 mostra um conversor com N = 2. Recorrendo à equação (2.1) verifica-se que,
para um conversor com duas fases, o atraso entre IL1 e IL2 é a metade de TCLK, ou 180º. Para
três células, o desfasamento é 120º, e assim sucessivamente. Com isto, o valor e a espessura
do enrolamento de cada bobina é reduzido devido à divisão de Iload através das várias bobinas.
Estando as correntes nas bobinas desfasadas, a soma delas implica num menor ripple de
corrente na carga, bem como um menor ripple de tensão Vripple_load. Sendo assim, no que diz
respeito aos MPs, os CMF podem substituir os tradicionais CBs pelas várias vantagens
apresentadas.
A Figura 2.7 representa a resposta do estado transitório do CMF. Pode dizer-se que o
terceiro spike é desprezável, e que o segundo é bastante pequeno. Cada spike da figura
resulta da diferença entre a tensão mínima estipulada para regime permanente, Vload_min_est, e
a tensão na carga quando tem menor que Vload_min_est.

Fig.2. 7 - Resposta transitória de um Conversor Buck multiphase [10].

Usando o circuito básico CMF, podem-se construir outros com fator N mais alto, como o
que é apresentado na Figura 2.8, com N = 4.

Fig.2. 8 - Conversor Buck Multifase com 4 células [10].

9
 Para esta topologia o circuito de controlo deve ter a capacidade de comutar todos os
0
semicondutores por forma a garantir um desfasamento de 90 entre os vários sinais de
controlo das diferentes células, minimizando assim o Iripple_load. É também necessário assegurar
um tempo morto entre a comutação dos semicondutores de cada célula, de forma a evitar a
ocorrência de um curto-circuito entre a tensão de alimentação e o terminal VSS. Desta
forma, o sistema de controlo para esta topologia deve ser mais robusto, ou seja, um controlo
mais complexo que aquele apresentado para o CB.

10
 Capítulo 3

Caraterização detalhada dos problemas a

tratar

Como já foi referido no capítulo 1, o objetivo principal deste trabalho é projetar um

módulo regulador de tensão com transitórios rápidos, com elevada eficiência e densidade de
potência para ser capaz de alimentar um MP com baixas tensões e elevadas correntes. Os
valores exatos de tensão e corrente serão discutidos numa fase mais avançada do projeto.
Para que estes objetivos sejam cumpridos satisfatoriamente terão que ser verificados
vários desafios tecnológicos tais como:
1- Investigação fundamental sobre a resposta transitória do VRM deve ser efetuada. Para
tal existem vários trabalhos que têm sido publicados com base em diferentes modelos e
simulações de software [14-23]. Desde que o MP tem vindo a evoluir, o design do VRM é algo
que está em constante desenvolvimento.
2- Semicondutores de potência avançados também levantam questões. Atualmente,
trench MOSFETs verticais são muito utilizados em VRM, e a indústria tem feito um esforço
enorme para melhorar seu desempenho. Como exemplos de melhorias temos os seguintes
exemplos de dispositivos de alimentação, o Power transístor FET de Lovoltech [24,25] e o
junction barrier-controlled Schottky field effect transistor (JBSFET) de Silicon Semiconductor
Corporation (SSC) [26,27].
3- Topologias de VRMs inovadoras são potenciais soluções. A melhoria da eficiência
envolveria o uso de outras topologias, que são melhores do que o conversor buck de alta
frequência. Estas topologias devem conter perdas de comutação menores, menores perdas do
díodo de corpo e reduzir as perdas de condução díodo de corpo no tempo morto. Além disso,
estas topologias devem manter as vantagens do drive da gate simples, esquema de controlo
multifásico simples, fácil implementação do componente magnético, e baixo custo. A CPES
fez um excelente trabalho para melhorar a eficiência no que diz respeito à frequência de
comutação na faixa de MHz. A pesquisa deve ser feita tendo em conta: as topologias hard-
switching controladas por PWM (Pulse width modulation) até às topologias ressonantes com
soft-switching; as topologias com entrada não isolada de 48V até às topologias com entrada
não isolada de 12V; as topologias de único estado até às de dois estados; e de topologias
controladas externamente até às que autocontrolam [28-31].

11
 4- Um esquema avançado do drive da gate também é importante. Com frequências de
comutação elevadas, as perdas da gate vão passar a ser significativas, especialmente para
aplicações com saída de corrente elevada em que vários MOSFETs de potência estão em
paralelo. Esta situação não só piora a eficiência, mas também leva os drivers da gate às suas
limitações térmicas. O nível de tensão da unidade ainda complica mais a questão. Um nível
de tensão mais elevado no drive significa menos perdas de condução no dispositivo mas mais
perdas na gate do drive. O desafio é fazer com que este trade-off produza um design do VRM
ideal. Como resultado, alguns esquemas de gates de drives avançados com perdas menores do
drive podem beneficiar significativamente o design do VRM. A TI propôs o esquema de drive
preditivo para minimizar o tempo morto de modo a que as perdas do díodo de corpo possam
ser minimizadas [32].
5- Resposta transitória rápida requer métodos de controlo avançados. Uma série de
soluções inovadoras têm sido desenvolvidos e comercializados, por exemplo, o V2 control
from On-Semiconductor [33], o active-droop control de Intersil [34,35], o charge control de
Semtech [36], o valley current-mode control de Fairchild [37], o controle X-phase control de
IR [38], o multiphase hysteric control proposto pela University of Central Florida [39], o
dynamic pulse modulator (DPM), proposto pela Universidade da Flórida [40], e o hybrid
control proposed pela Virginia Tech [41]. A ideia de controlo digital também foi introduzida
na área de aplicação do VRM trazendo benefícios em termos de flexibilidade de design, uma
melhor comunicação, capacidade de diagnóstico e imunidade a ruídos.
6- Integrados magnéticos inovadores são também necessários. O conversor multifásico é
a única solução para aplicações com correntes de saída elevadas. Como resultado, haverá
mais componentes magnéticos no design do VRM. A indústria investe um enorme esforço na
montagem em superfície de bobinas para a aplicação em VRM [42].
7- Um condensador de alta densidade com elementos parasitas muito baixos também é
um desafio tecnológico. A alta densidade é diretamente relacionada com a capacidade de
armazenamento de energia, que é muito importante para a realização do design de um VRM
de elevada densidade de potência e reposta rápida de transitório. Além disso, elementos
parasitas baixos, como o ESR e ESL são indispensáveis para limitar os picos de tensão
transitórios. Muitas empresas, como a Sanyo, Panasonic, Cornell Dubilier Electronics,
Nichicon e KEMET Electronics Corporation, continuam a reduzir o ESR do condensador,
baseado na técnica de cátodos de polímero [43,44].
8- Tecnologias de embalagem avançadas podem contribuir para melhorar a eficiência do
circuito através da redução da resistência da embalagem e reduzindo as tensões parasitas no
circuito. Juntar os drivers da gate e dispositivos de potência pode melhorar a velocidade da
unidade de modo que a obter menores perdas de comutação. Um sistema de integração maior
entre o VRM e o MP irá mudar totalmente a arquitetura de potência do sistema, minimizando
os elementos parasitas quando é feita a alimentação. A integração não só ajuda a regulação
da tensão transitória, mas também melhora a densidade de potência e eficiência do sistema.
No entanto, existem muitos desafios envolvidos com a integração dos componentes ativos e
passivos em conjunto para resolver todos os problemas, e ainda encontrar o melhor design
térmico para dissipação ótima de calor. A Primarion propôs uma arquitetura de potência de
banda larga [45].

12
Referências

[1] G. Moore, “Cramming more components onto integrated circuits,” in Electronics, Volume
38, Number 8, April 19, 1965.
[2] P.P. Gelsinger, P. Gargini, G. Parker and A. Yu, “Microprocessor circa 2000,” in IEEE
Spectrum, Oct. 1989,pp. 43-47.
[3] J. A. Maiz, “From micro to nanotechnology: A perspective from the semiconductor
world,” presentation to CMIC, June 14, 2002
[4] G. Moore, “No exponential is forever … but we can delay ‘Forever,’” Presentation at
International Solid State Circuits Conference (ISSCC), Feb. 10, 2003.
[5] “Extending and expanding Moore’s Law,” in Intel Developer Updated Magazine, April
2002, pp. 1-4.
[6] G. Marcyk, “Breaking barriers to Moore’s Law.” Presentation at Intel Developer Forum,
Spring 2002.
[7] “Lista dos processadores Intel ” em, http://en.wikipedia.org/wiki/List_of_Intel_
microprocessors.
[8] “Designing for power: Increasing performance while reducing power consumption.”
Research & Development at Intel.
[9] Ed Stanford, “Power technology roadmap for microprocessor voltage regulators.”
Presentation at PSMA, Feb. 2003.
[10] Zhou, X.; Zhang, X.; Liu, J.; Wong, P.-L.; Chen, J.; Wu, H.-P.; Amoroso, L.; Lee, F. C. –
“Investigation of Candidate VRM Topologies for Future Microprocessors.” IEEE - 1998.
[11] Deng, Q.; .”DC DC converters: regulated charge pump vs. inductor based.” . September
2006.
[12] Mello, L. F. P. “Análise e Projeto de Fontes Chaveadas.” . Érica, Ed. 1, 1996.
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