1.

TIRISTOR GTO:

Puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal de puerta o
gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un
pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de
encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta
(G).

Fig1. Tiristor GTO.

1.1. CARACTERISTICAS:

 El disparo se realiza mediante una VGK >0

 El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
 La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de
bloqueo forzado que requieren los SCR.
 La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo
que el generador debe estar más dimensionado.
 El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

1.2. FUNCIONAMIENTO

Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una
señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal
negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto.

1.3. INTENSIDAD DE PUERTA EN EL ENCENDIDO DE UN GTO:

Fig2. Puerta de encendido de un GTO.

 1.4. ENCENDIDO DE UN GTO

Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un
GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin
embargo, en el encendido de un GTO la corriente máxima por la puerta IGM y la
velocidad de variación de dicha corriente al principio de la conducción deben ser lo
suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas
cátodo (figura 6.4. Si esto no fuese así y sólo algunas islas cátodo condujeran, la
densidad de corriente en estas islas sería tan elevada que el excesivo calentamiento en
zonas localizadas podría provocar la destrucción del dispositivo.

1.5. APAGADO

Fig3. Formas de onda de apagado de un GTO.

Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de ánodo a cátodo se

concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la densidad
de corriente en estas zonas.

De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de ánodo a cátodo
ha quedado reducida a pequeños filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la
tensión vAK, hasta entonces muy pequeña al estar el GTO en funcionamiento, comienza
a aumentar. Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeños
filamentos podría ocasionar su destrucción, se utiliza un condensador snubber en
paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular.
Así, cuando vAK comienza a aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que
parte de la corriente que circulaba por el GTO lo hace ahora por el condensador.

2. Tiristor BJT

La mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una

pequeña parte de están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en
aplicaciones de alta velocidad.

2.1. Funcionamiento

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras

que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y
la mayoría pasa al colector.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un

dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen
que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo
inverso. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el
emisor y el colector. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la
operación normal. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales basen-
emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie
significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente
de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por
tensión, pero son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente
controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia
de la base.

2.2. ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO

Se diferencian tres estados de funcionamiento, que dependen de las características

dinámicas del circuito en el que va conectado. Estas características son:

 Saturación: El transistor permite el paso de corriente desde el colector al emisor.

De todas formas, esta corriente no puede ser demasiado elevada, ya que la
propia corriente calienta al transistor por efecto Joule y si se calienta
excesivamente, puede estropearse de forma permanente. Para un transistor de
silicio que se encuentra en saturación la tensión entre la base y el emisor es de
0,7 V y entre la base y el colector de unos 0,5 V, de donde se deduce que la
tensión entre el colector y el emisor será de unos 0,2 V.
 Corte: En este estado el transistor no permite el paso de corriente entre el
colector y el emisor, se comporta como si fuera un interruptor abierto. Para un
transistor de silicio que se encuentra en corte las corrientes de emisor y de
colector son nulas y las tensiones entre la base y el emisor y entre la base y el
colector son ambas menores de 0,7 V.
 Amplificación: Cuando un transistor se encuentra en este estado de
funcionamiento, permite amplificar la potencia de una señal.

Fig4. Estados de funcionamiento de un tiristor bipolar.

 2.3. REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un transistor no está ni en su

región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente), y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región
es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.
 Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en
modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso.
 Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del
colector=corriente del emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. De forma
simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente del colector
≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Cuando el
transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib no se
cumple. De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta
como un cortocircuito, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy
próxima a cero.

2.4. CURVAS CARACTERÍSTICAS EN EMISOR COMÚN

Se describen aquí las curvas características de salida en la configuración de emisor

común por ser la más utilizada en la práctica. Como se comentó en el apartado anterior,
las curvas características son la representación de diversas variables de un transistor
bipolar en coordenadas cartesianas. En el caso concreto de curvas de salida en emisor
común, las variables a representar son: IC, VCE e IB En la figura 14 vemos las curvas
características indicadas. Se representa en el eje Y la corriente de colector, en el eje X
la tensión colector-emisor, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de la
corriente de base que se consideren.

Fig5. Curvas características de emisor común.

 2.5. IDENTIFICACIÓN DE LAS REGIONES DE FUNCIONAMIENTO EN LAS
CURVAS CARACTERÍSTICAS

Región de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se
puede aproximar como la no circulación de corriente por el colector y la base, luego la
zona corresponde a corriente. Región de saturación. En esta región se verifica que la
tensión colector-emisor es muy pequeña. Región activa. El resto del primer cuadrante
corresponde a la región activa.

Fig6. Regiones de funcionamiento

Se muestran las curvas características de una configuración en emisor común marcando

todas las regiones a considerar en el funcionamiento del transistor:

 Regiones activas, corte y saturación

 Región de avalancha o ruptura
 Hipérbola de máxima disipación

Fig7. Regiones de funcionamiento

3. MOSFET

Dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El

nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor se
debe a la constitución del propio transistor.

3.1. FUNCIONAMIENTO

Controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero y
una salida o terminal llamado drenador mediante la aplicación de una tensión en el
terminal llamado puerta. Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión
conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
 El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos

eléctricos en el interior del dispositivo.

3.2. REGIONES DE OPERACIÓN

Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se contrae en el lado

del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, más baja
y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en
región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

Fig8. región de corte, región óhmica y región de saturación.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de operación

diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET
N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de corte, región óhmica
y región de saturación.

3.3. REGIÓN DE CORTE.

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de
modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

3.4. REGIÓN ÓHMICA.

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene

dado por la expresión:

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje
(ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
 3.5. REGIÓN DE SATURACIÓN.

El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el

Drenador y el Surtidor supera un valor fijo denominado tensión de saturación Drenador
Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características proporcionadas por
el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador,
independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor. Por
lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor.

Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de conducción,
bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al campo eléctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.

Fig9. Regiones de funcionamiento

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia
o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona óhmica.

3.6. REGIÓN DE RUPTURA.

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del
drenador.

Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:

 En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre la puerta y el

surtidor.
 Este valor se denomina. Tampoco se puede superar un valor máximo de tensión
entre el drenador y el surtidor denominado.
 En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador, conocido
como.
 En potencia: este límite viene marcado por, y es la máxima potencia que puede
disipar el componente.
 4. TRANSISTOR IGBT

Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor

controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar
como interruptor en un solo dispositivo.

4.1. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

El comportamiento cortado es análogo al MOS cortado. En conducción será:

Fig10. Sección Vertical de un IGBT. Caminos de Circulación de la Corriente en Estado

de Conducción

4.2. CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN

El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:

Fig11. Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un

Transistor IGBT conmutando una carga inductiva.

La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la región n-).

 Provoca pérdidas importantes y limita la frecuencia de funcionamiento.

 La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la
resistencia de dispersión, es la causa dinámica.
 Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los
huecos en dicha capa. Tiene el inconveniente de producir más pérdidas en
conducción. ⇒ Es necesario un compromiso.
 En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la con
una vida media larga, así el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n
+ dónde se recombinan, disminuyendo más rápido la corriente.

4.3. ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA

Fig12. Área de Operación Segura SOA de un Transistor IGBT. directamente Polarizada Inversamente Polarizada

 IDmax , es la máxima corriente que no provoca latch up.

 VDSmax , es la tensión de ruptura de la unión B-C del transistor bipolar.
 Limitado térmicamente para corriente continua y pulsos duraderos.
 La RBSOA se limita por la ∂VDS/∂t en el momento del corte para evitar el latch-
up dinámico
 IDmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 µs. y pueda actuar una protección electrónica cortando
desde puerta.
 VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200,
1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
CONCLUSIONES

 La corriente que activa el scr puede ser de bajo valor, pues con solo un pulso
de corriente este quedará activo.
 El voltaje que hay en el ánodo cae drásticamente al momento del encendido
del scr y queda siendo un voltaje aproximado de 0.8 v.
 Luego de encendido el scr, no es necesario que la compuerta siga recibiendo
corriente porque este seguirá conduciendo hasta que el voltaje disminuya a tal
punto que se desactive.
 Los scr nos permiten controlar el paso de corriente a determinadas ramas de
un circuito previniendo daños y alargando la vida útil de estos.
 Según la referencia del scr estos pueden controlar diferentes tipos de voltajes.
 Mientras no se aplique ninguna tensión en el GATE del scr no se inicia la
conducción, dado que esta es la clave para que el tiristor quede activo de
forma “permanente” hasta que algo externo al él rompa la conducción.
 Los scr se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del
control; debido a que el tiristor puede ser utilizado como interruptor de tipo
electrónico.