ELECTRÓNICA I

Tema: Transistores Unipolares

JFET
 TRANSISTOR UNIPOLAR
FET. Transistor a Efecto de Campo
Es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje, donde la corriente de
drenador ID depende de la tensión puerta fuente VGS. Las cargas presentes
establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito
de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las
controladas.
Caracterísiticas
• Alta impedancia de entrada.
• Mucho menos sensible a las variaciones de la señal aplicada.
• Las ganancias de voltaje de CA son menores
• Son más estables a la temperatura
JFET. Transistor a Efecto de Campo de Unión
MOSFET. Transistor a Efecto de Campo semiconductor de óxido metálico
• Empobrecimento
• Enriquecimiento
MESFET. Transistor a Efecto de Campo semiconductor metálico
TRANSISTOR UNIPOLAR
TRANSISTOR UNIPOLAR
IDSS es la corriente de drenaje máxima para un
JFET y está definida por la condición VGS = 0 V y
VDS = |Vp|.
Donde:
ro es la resistencia con VGS 0 V y rd es la resistencia a un nivel particular de VGS.

El nivel de VGS que produce ID = 0 mA está definido por VGS = Vp, con Vp
convirtiéndose en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje
positivo para JFET de canal p.
• La corriente máxima se define como IDSS
y ocurre cuando VGS = 0 V y VDS = |Vp|.

• Para los voltajes de la compuerta a la

fuente VGS menores que (más negativos
que) el nivel de estrangulamiento, la
corriente de drenaje es de 0 A (ID = 0 A).

• Para todos los niveles de VGS entre 0 V y

el nivel de estrangulamiento, la corriente
ID oscilará entre IDSS y 0 A.
 La ecuación de Shockley define la relación no lineal entre ID y
VGS debido al término cuadrado en la ecuación.
Las características de transferencia definidas por la ecuación
de Shockley no se ven afectadas por la red en la cual se
emplea el dispositivo.
Las características de transferencia son una gráfica de la corriente de salida (o de drenaje)
contra una cantidad de control de entrada. Existe, por consiguiente, una “transferencia”
directa de las variables de entrada a las variables de salida
Se obtiene una curva parabólica porque el cambio
resultante de ID entre los intervalos de VGS se reduce
notablemente a medida que se vuelve más y más
negativo.
Se pueden determinar más puntos, pero la curva de transferencia se puede trazar con un
nivel de precisión satisfactorio con sólo utilizar los cuatro puntos definidos anteriormente
 •En esta región el canal conductor
La zona óhmica o lineal se sitúa cerca entre drenador y fuente se comporta
del origen, para VDS<<VDS sat como una resistencia RDS

La RDS va aumentando a medida que se estrecha

el canal, a consecuencia de la polarización inversa
producida por VGS
Llegará un momento en que la
zona de transición invada toda
la región N, impidiéndose
totalmente la conducción.
(Corte del canal)

La tensión VGS que corta el el

canal se llama tensión de corte
VP=Vt

1
RDS  RDS ( ON )
La ley que rige la resistencia del canal en la VGS
zona óhmica es la que sigue: 1
VP
La tensión VDS provoca una tensión NO uniforme a lo largo del canal

La zona de transición NO es uniforme; en el lado del drenador es más ancha y en el de

fuente es muy estrecha.

Cuando la tensión inversa de la unión en el lado de drenador (VDG) alcance a la tensión

de corte (Vp), el canal se estrangulará (ID≠ 0)

Esta es la frontera entre la zona óhmica y la de saturación

La tensión VDS se concentra , sobre todo, en la zona estrangulada del canal
A medida que VDS va creciendo la zona estrangulada aumenta de longitud, manteniéndose
constante una anchura mínima δ
También, en esta zona, el campo eléctrico ε(x), dentro del canal estrangulado, va
aumentando
Cuando 103< ε(x) <104 la movilidad de los electrones μx es inversamente proporcional a εx
Con lo cual la velocidad de los portadores (νx = μx εx ) en ese rango no crece (se satura).
En esta situación el flujo de portadores se estabiliza y la corriente ID se mantiene constante
En esta región el FET se comporta como una Fuente de Corriente Constante