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SALESIANA
INGENIERÍA AUTOMOTRIZ
León Rogelio
Murillo Leonardo
Maldonado Fabián
Ochoa Alex
Salinas Diego
Saavedra Jair
GRUPO: # 5
2016- 2017
CIRCUITOS CON TRANSISTORES BJT
1. OBJETIVOS
Objetivo General
Estudiar el funcionamiento de los circuitos de amplificación con transistores BJT y
comparar los resultados obtenidos en los cálculos con los de la simulación y las
mediciones con el multímetro en el protoboard.
Objetivos Específicos
Realizar los cálculos de los variables que intervienen en el circuito.
Simular los circuitos en un software (Multicim).
Armar los circuitos en un protoboard, en donde se demuestre el funcionamiento.
Comprobar los valores en una tabla comparativa para ver su variación.
2. MARCO TEÓRICO
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de
salida en respuesta a otra señal de entrada, cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
Las dos funciones principales del transistor son:
Permite el paso o corta señales eléctricas a partir de una pequeña señal de mando.
Funciona como un elemento amplificador de señales.
TIPOS DE TRANSISTORES
Hay dos tipos de BJT, el primero tiene la base de tipo N y el
emisor y colector de tipo de P; el segundo tiene la base de tipo
P y el emisor y colector son de tipo N. A estos dos tipos de
transistor se los conoce como PNP, NPN respectivamente.
Las curvas características de emisor común representan el comportamiento del BJT en el punto
Q de operación.
3. DESARROLLO
Realizar el diseño de los siguientes circuitos con transistores y calcular todos los parámetros de
la polarización. Los requerimientos que deben cumplir se presentan en cada esquema.
MATERIALES E INSTRUMENTOS
o Multímetro digital.
o Resistencias.
o Transistores BJT
o Fuente de voltaje CC.
o Cables o conectores.
o Software (Circuit Maker)
o Protoboard.
CIRCUITOS
CALCULOS:
Datos:
𝑽𝑪𝑪 = 5𝑉
𝑽𝑪𝑬 = 2,5𝑉
𝑰𝑬 = 3𝑚𝐴
𝑽𝑻𝑯 = 1,5𝑉
𝜷 = 100
5
𝑽𝑹𝑬 = = 0,5𝑉
10
𝑽𝑹𝑪 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 5𝑉 − 2,5𝑉 − 0,5𝑉 = 2𝑉
𝑉𝑅𝐸 0,5𝑉
𝑹𝑬 = = = 167Ω
𝐼𝐶 3𝑚𝐴
𝑉𝑅𝐶 2𝑉
𝑹𝑪 = = = 667Ω
𝐼𝐶 3𝑚𝐴
𝐼𝐶 3𝑚𝐴
𝑰𝑩 = = = 30𝜇𝐴
𝛽 100
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑅𝐸 − 0,7 1,5𝑉 − 0,5𝑉 − 0,7𝑉
𝑹𝑬𝑸 = = = 10𝐾Ω
𝐼𝐵 30𝜇𝐴
𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 6𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 667Ω + 167Ω
CALCULOS:
Datos:
𝑽𝑪𝑪 = 5𝑉
𝑽𝑪𝑬 = 2,5𝑉
𝑰𝑬 = 4,5𝑚𝐴
𝑽𝑻𝑯 = 4
𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝑽𝑹𝑬 = = = 1𝑉
20 20
𝑉𝑅𝐶 1,5𝑉
𝑹𝑪 = = = 333,3Ω
𝐼𝐶 4,5𝑚𝐴
𝑰𝑩 = 1𝐴
𝑉𝑇𝐻 − 𝑅1 4𝑉 ∗ 1,5Ω
𝑹𝟐 = = = 6Ω
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇𝐻 5𝑉 − 4𝑉
𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 9𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 333Ω + 222Ω
Figura 8 :Tabla de comparación de los datos obtenidos con los cálculos, la simulación y los del protoboard.
𝑽𝑪𝑬 = 1.5𝑣
𝑰𝑪 = 2𝑚𝐴
DATOS IMPUESTOS:
𝑹𝑪 = 330𝛺
𝜷 = 100
CALCULOS:
Datos:
𝑉𝐶𝐶 = 5𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 1,5𝑉
𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴
𝛽 = 100
𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐶 −0,7
𝑰𝑩 = 𝑅𝐵 +𝑅𝐸 (𝛽)
𝐼𝐶 2𝑚𝐴
𝑰𝑩 = = = 20𝜇𝐴
𝛽 100
𝑉𝐶𝐶 5
𝑽𝑬 = = = 0,5𝑉
10 10
𝑉𝐸 0,5 𝑉
𝑹𝑬 = = = 250Ω
𝐼𝐶 2𝑚𝐴
5−0,7
20 𝜇𝐴 = 𝑅𝐵+250(100)
5 − 0,7𝑉
𝑹𝑩 = − (250 ∗ 100)
20𝜇𝐴
𝑹𝑩 = 190𝐾Ω
𝑉𝐶 3𝑉
𝑹𝑪 = = = 1,5𝐾Ω
𝐼𝐶 2𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 5
𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 = = = 2,86𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1,5𝐾Ω + 250Ω
CONCLUSIONES
El valor de la ganancia del transistor depende del valor del 𝜷 del transistor por lo que
para diseñar el circuito y cumplir con las condiciones especificadas se debe tener en
cuenta los valores de hfe (β) que existen en el mercado.
Para que los datos obtenidos en los cálculos sean lo más similares con los de la
simulación y las mediciones en el protoboard, se deben usar elementos como resistencias,
diodos y transistores con valores lo más cercanos a los obtenidos en el cálculo. En el caso
de las resistencias si no se obtiene valores comerciales se deben conectar en serie hasta
obtener la resistencia deseada.
Una parte importante que debemos tener en cuenta es la identificación en los transistores
el colector, base y emisor para armar los circuitos y poder obtener los valores deseados.
La variación entre los valores calculados con respecto a los valores de la simulación son
muy parecidos debido a que en la simulación se colocó los valores exactos de los
cálculos, y a comparación de los valores obtenidos de forma práctica varían debido a que
el beta de los transistores siempre están variando, que la fuente de voltaje no es exacta y
que las resistencias tienen un grado de tolerancia en su valor en homnios lo que hace a
que los valores varían con un grado un poco mayor a los de la simulación
Bibliografía
[2] D. J. R. Villaseñor. Gómez, Circuitos eléctricos y Aplicaciones digitales, Mexico: PEARSON, 2013.
https://www.youtube.com/watch?v=7j0Zuiy3UQ4&feature=youtu.be