Escuela Politécnica Nacional

Departamento de Automatización y Control Industrial

Laboratorio de Electrónica de Potencia

Tutorial No.1 Elementos de Resistencia Negativa y Osciladores

de Relajación

Objetivos:

Aprender sobre los elementos de resistencia negativa (ERN) y su aplicación en la generación de señales
de disparo para dispositivos de potencia.

Diseñar circuitos de disparo con ERN.

Introducción

Elementos de Resistencia Negativa (ERN)

Los elementos de resistencia negativa son dispositivos semiconductores en cuya curva característica (I-V)
se observa:

Una región de conducción (Región A)

Una región de bloqueo (Región B)

Una región en la que con el incremento de voltaje, existe un decremento de corriente (Región de
Resistencia Negativa) (Región C)

Region A
Region C

Region B
La región de resistencia negativa es la transición entre la de conducción y la de bloqueo, por lo que se
caracteriza por ser altamente inestable. En la curva característica se observa que para que el elemento
pase del estado de bloqueo al de conducción es necesario que el voltaje en sus terminales sea igual al
voltaje pico (V2), y permanece en este mientras la corriente que pasa a través de sus terminales sea mayor
o igual a la corriente de valle o corriente de mantenimiento I1.

Debido a que la zona de Resistencia Negativa es inestable, es posible el diseñar un circuito que oscile
entre los límites de esta zona y que por sus características de operación se conoce como “oscilador de
relajación”.

Estos circuitos son útiles para el disparo de semiconductores de potencia, particularmente de tiristores,
aunque su aplicación en la actualidad está ya en desuso debido a la facilidad con la que se pueden
construir circuitos digitales que cumplan con la misma función.

El circuito oscilador, basa su funcionamiento en la carga y descarga de un capacitor, el cual es cargado

lentamente, y luego descargado violentamente liberando picos de corriente suficientes para activar un
tiristor.

R1

ERN
Vout
V1

C1 R2

Figura 1 Oscilador de Relajación

El circuito de la Figura 1 muestra un circuito equivalente sencillo de un oscilador de relajación. En este

circuito el capacitor C1 inicia con un voltaje de 0V y es cargado a través de la resistencia R1 hasta el
voltaje V2 en el segundo terminal del ERN. Una vez que se llega a este voltaje el ERN entre en la zona de
Resistencia Negativa, y empieza a conducir descargando al capacitor de una manera violenta a través de
la resistencia R2 (R2<<R1).

A su vez el voltaje del capacitor se descargará hasta un voltaje V1, en el cual la corriente disminuya a un
valor menor a I1, y de esta manera el ERN deje de conducir y el capacitor empiece a cargarse
nuevamente.
Entre los ERN más utilizados están,

 UJT Unijunction Transistor o Transistor Unijuntura (i.e NTE6401)

 PUT Programable Unijunction Transistor o Transistor Unijuntura Programable (i.e 2N6027,

NTE6402)

 DIAC Diodo Bilateral de Disparo (i.e. NTE6408)

 TRIAC (ie 2N6342)

El UJT y el PUT son unidireccionales (permiten la conducción en un solo sentido) mientras que el DIAC
y el TRIAC permiten la conducción en los dos sentidos.

Parte 1 Introducción a PSpice

PSpice es un simulador comercial de circuitos fabricado por Cadence y parte del paquete OrCAD. La
principal característica de este software es la de poder simular dispositivos semiconductores a partir de
modelos de comportamiento, curvas características o incluso ecuaciones características.

En esta parte del tutorial ustedes deberán realizar el tutorial descrito en el siguiente video

Pueden descargar OrCAD en este enlace utilizando sus credenciales de la universidad.

Parte 2 Introducción al diseño de osciladores de relajación

Para que un circuito con ERN opere como oscilador de relación es necesario que se cumplan tres
condiciones

1. E > Vp
2. I > Ip
3. I < Iv

Siendo la corriente I la que se suministra al ERN a través de la resistencia R1 en la Figura 1. La segunda y

tercera condición requieren que la corriente se encuentre entre Ip e Iv. Esta condición a la vez implica que
la resistencia R1 debe estar en el rango,

𝐸 − 𝑉𝑣 𝐸 − 𝑉𝑝
<𝑅<
𝐼𝑣 𝐼𝑝
Carga del capacitor C1

Asumimos inicialmente que el capacitor C1 se encuentra inicialmente cargado con el voltaje Vv y que el
ERN se encuentra en la región de bloqueo. Bajo estas condiciones el capacitor se carga de forma
exponencial a través de la resistencia R1. La ecuación de carga del capacitor es entonces,

𝑣𝑐 (𝑡) = 𝑘1 𝑒 −𝑡⁄𝑅1𝐶1 + 𝑘2

Las condiciones de frontera para la determinación de las constantes son 𝑣𝑐 (0) = 𝑉𝑣 y 𝑣𝑐 (∞) = 𝐸, con lo
cual la solución es,

𝑣𝑐 (𝑡) = 𝐸 + (𝑉𝑣 − 𝐸)𝑒 −𝑡⁄𝑅1𝐶1

Asumiendo que el capacitor alcanza el voltaje Vp en el tiempo Tc, al reemplazar en la ecuación anterior
se encuentra que,

𝑉𝑣 − 𝐸
𝑇𝑐 = 𝑅1𝐶1 ln | |
𝑉𝑝 − 𝐸

El tiempo Tc es el tiempo que tarda el capacitor en cargarse de Vv a Vp a través de R1.

Descarga del Capacitor C1

Una vez que el dispositivo alcanza el voltaje Vp, este experimentará una descarga súbita hasta llegar al
voltaje Vv y corriente Iv produciéndose de esta manera un pico de corriente a través de la resistencia de
carga R2 (R2 << R1).

Para el análisis se asume que la corriente que entrega el capacitor es mucho mayor que la corriente I que
circula por la resistencia R, y por lo tanto esta última se desprecia, con lo que se tiene el circuito
equivalente de la Figura 2.

R1

C1 Ro

Figura 2 Circuito de descarga

En este circuito el voltaje a los terminales del capacitor está descrito por,

𝑣𝑐 (𝑡) = 𝑉𝑝 = 𝑒 −𝑡⁄𝑅𝑜 𝐶1
Asumiendo que el capacitor alcanza el voltaje Vv en el tiempo Td se tiene que,

𝑉𝑝
𝑇𝑑 = 𝑅𝑜 𝐶1 ln | |
𝑉𝑣

Debido a que la descarga es mucho más rápida que la carga del capacitor se puede despreciar este último
tiempo y por lo tanto la frecuencia de operación esta determinada exclusivamente por el tiempo de carga.

Es posible también diseñar un circuito de carga lineal del capacitor utilizando una fuente de corriente
constante que normalmente se puede implementar con un transistor operando en la región lineal.

Transisitor Unijuntura UJT

Uno de los elementos más utilizados para implementar circuitos osciladores de relajación es el Transistor
Unijuntura o UJT. Este es un dispositivo de 4 capas cuyo símbolo ciruito equivalente se muestran en la
Figura 3.

B2

B2
Rbb2

E
E

Rbb1

B1

B1
Figura 3 UJT

Se definen algunos parámetros estándarizados para este elemento como son:

Rbb = Rbb1+Rbb2 Resistencia Interbase (Interbase resistance)

η = Rbb1/Rbb2 Relación intrínseca (intrinsic standoff ratio)

El dispositivo se activa (dispara) cuando el voltaje en el terminal E alcanza el voltaje en la mitad del
divisor de tensión entre las bases más 0.6 V, es decir, 𝑉𝑝 = 𝑉𝑥 + 0.6 donde

𝑅𝑏𝑏1 + 𝑅𝑏1
𝑉𝑥 = 𝐸
𝑅𝑏1 + 𝑅𝑏2 + 𝑅𝑏𝑏

donde 𝑅𝑏1y 𝑅𝑏2 son resistencia externas al dispositivo que permiten polarizar adecuadamente al UJT.
Este modelo tiene sentido mientras el dispositivo está en la región de bloqueo (antes del disparo).
Normalmente se puede asumir valores en los siguientes ordenes para las resistencias 𝑅𝑏1 y 𝑅𝑏2 .

𝑅𝑏1 ≈ 100Ω y 𝑅𝑏2 = 1~2 𝑘Ω

Ejercicio de diseño

Diseñar un oscilador de relajación con carga exponencial y UJT que opere en un rango de frecuencia de
500 a 1500 Hz. Se asume que la fuente de polarización es de 20 V. Utilizar el UJT MU10 el cual posee
las siguientes características:

Intrinsic Interbase Resistance Peak-Point Valey-point Base1 Peak

standoff ratio η Rbb Current Ip current Iv voltage
MU10
min max min (kΩ) max (kΩ) max (µA) min (mA) min (V)
0.6 0.85 4.0 10 5.0 1.0 3.0

Parte 3 Simulación

En esta parte final del tutorial deben simular el circuito y comprobar que efectivamente su diseño
funciona adecuadamente. El componente MU10 se encuentra en la librería THYRISTR.

Entregables

Como parte de este tutorial ustedes deben entregar:

1. Los pasos seguidos para el diseño del oscilador

2. Los resultados de simulación en PSpice.

Estos dos elementos deben estar en un solo documento PDF escrito en algún procesador de palabras.