EXPERIENCIA Nª 5

EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN. CARACTERISTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor PNP.

 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar NPN.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

 Una fuente de c.c. variable.

 Multimetro
 Potenciometro
 Miliamperimetro
 Transistores
 Resistencias
 Condensadores
 Osciloscopio

III. PROCEDIMIENTO

1. Verificar el estudio operativo del transistor, usándose ohmímetro. Llenar la tabla 1.

El transistor que se usó para la experiencia fue el NPN 2N3904.

Resistencia Directa (Ω) Inversa (Ω)

Base – Emisor 0.305 5.489M
Base – Colector 0.226 0.68M
Colector - Emisor 0.455 5.60M

2. Armar el siguiente circuito.

 a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B ( P1 = 0 Ω).

b) Medir los voltajes entre el colector – emisor (Vce), entre base – emisor (Vbe) y entre emisor
– tierra (Ve).

c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

d) Cambiar R1 a 68k, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 3. (Por ajuste de P1
= 0 Ω)

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100k, 250k, 500k y 1M. Observar lo que sucede con las
corrientes Ib y con el voltaje Vc (usar Re = 0). Llenar la tabla 5.

TABLA 2

Valores (R1 = 56k) Ic (mA) Ib (uA) B Vce Vbe (V) Ve (V)

Teóricos 7.06 70.6 100 3.37 0.7 1.57
Medidos 8.34 51.6 161.63 1.812 0.723 1.846

TABLA 3

Valores (R1 = 68k) Ic (mA) Ib (uA) B Vce Vbe Ve

Teóricos 5.77 57.7 100 4.95 0.7 1.27
Medidos 6.87 41.8 164.35 3.604 0.717 1.522

NOTA: Los valores teóricos en las tablas 2 y 3 se demostrarán cómo se hallaron anexados al
cuestionario.
 TABLA 5

P1 100K 250K 500K 1M

Ic 5.87 mA 0.84 mA 0.264 uA 0
Ib 34.8 uA 5.74 uA 0 0
Vc (V) 6.134 11.16 12 12

3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda senoidal. Observar la salida Vo con
el osciloscopio. Anotar la tabla 4. (Usaremos P1 = 0 Ω para este experimento)

TABLA 4

Tabla Vi (mv pp) Vo (v. pp) Av Vo (sin Ce) Av (sin Ce)

R1 = 56K 50m 816m 16.32 212m 4.24
R1 = 68K 50m 839m 16.78 206m 4.12

Compararemos los datos experimentales de la tabla 4 con los valores simulados por MULTISIM:

Con Ce conectado:
Sin Ce conectado:

De los valores simulados comparados con los obtenidos experimentalmente vemos que hay ligeras
diferencias en las respuestas, esto es debido a que los valores de las resistencias medidas en el
ohmímetro no fueron iguales a sus valores nominales, y además que los valores característicos del
transistor 2N309 simulado varían en la realidad.

NOTA: El motivo por el cual se usó P1 = 0Ω para este experimento fue debido a que, si
considerábamos un valor alto de P1 que al sumarse con R1 provocaba en el Vo un valor de casi 0Vpp,
resultando así una ganancia de 0V, por este motivo se tuvo que considerar P1 = 0Ω para visualizar
un valor alto de voltaje de salida y tener una ganancia de voltaje para nuestra tabla.
IV. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativo con el

ohmímetro.

De acuerdo a la tabla 1, podemos observar que en la unión base – emisor tiene una muy baja
resistencia por lo cual en condiciones de operación se generará un Vbe pequeño de
aproximadamente 0.7 V lo cual es correcto, así mismo la resistencia entre colector – emisor
regularmente alto nos indica que habrá una caída de voltaje considerada entre esos dos puntos.

Al analizar estos dos casos vemos que todo resulta correcto para nuestro transistor NPN.

En el sentido inverso vemos que las resistencias son muy altas, del orden de los megas, lo cual
quiere decir que el transistor no permitirá el paso de corriente en un tipo de polarización
inversa.

2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar
los puntos correspondientes a las tablas 2,3 y 5.

Se anexará al final.

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 2 y 3?

El punto de operación de la tabla 2 como se ve en la gráfica hecha en la pregunta 2 se observa

que está en la zona de saturación puesta está próxima al eje Ic, mientras que la tabla 3 se
encuentra operando en la zona activa.

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150K? Explicar los valores e
indicar los valores teóricos.

De la gráfica adjunta al final, vemos que cuanto más se aumenta el valor de R1 más se traslada el
punto de operación a la zona de corte del transistor.

5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento (transistor
NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).

En este ciclo 2018 – 0 no ha sido incluido el experimento con el transistor PNP en la guía de
laboratorio; por tanto, no se ha podido realizar dicho experimento y no podríamos hacer una
comparación con los resultados obtenidos en este experimento.

6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.

 Para el circuito de este experimento en su análisis dc hemos observado que al aumentar

el valor del potenciómetro nos aproximamos a la región de saturación en el transistor.

 En su análisis ac hemos observado que al aumentar el valor del potenciómetro la

ganancia se va reduciendo hasta obtener una ganancia de 0V en el voltaje de salida.

 Los cambios en la resistencia R1 en el análisis dc varían el punto de operación a lo largo

de su recta de carga, pudiéndose acercar a la región de corte o saturación.