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tecnun
Rs ib ic
C
vs io
Ri =rπ2(1+β)+ rπ1
B +
+ vπ1 rπ1 r01 Rc para ro>>
- gm1vπ1
-
Av ~ -β2(RC)/(Rs+ rπ2(1+β) + rπ1)
ie
Ro
para ro>>
Ri
ib
+
vπ2 rπ2 r02 Ai = io/ib~-β2 para ro>>
- gm2vπ2
ie Ro = RC para ro>>
E
tecnun
1
ETAPAS AMPLIFICADORAS CON DOS TRANSISTORES
Amplificador en configuración Darlington
• Propiedades
– Se incrementa la ganancia en corriente por un factor β.
– Se incrementa la resistencia de entrada en un factor (β+2).
– Tiene una respuesta en alta frecuencia más bien deficiente,
como se verá más adelante.
tecnun
vDD
Rc
vo
Rs BC CC
vs Ro
+-
Ri
EC
CE
I
-vDD
tecnun
2
ETAPAS AMPLIFICADORAS CON DOS TRANSISTORES
Amplificador en configuración cascodo
vDD
ib ic
C
Rc B + io
vo vπ rπ r0
gmvbe Rc
-
vBias
Ro ie
E
Ro
Rs ib
Rs B C vs +
vs + vπ rπ r0
+- E - gmvbe
-
Ri CE
I Ri ie
-vDD
tecnun
ie Av ~ -β(RC)/(Rs+rπ)
Ro para ro>>
Rs ib
vs +
+
-
vπ rπ r0 Ai = io/ib~-β para ro>>
- gmvbe
Ri ie
Ro = RC para ro>>
E
tecnun
3
ETAPAS AMPLIFICADORAS CON DOS TRANSISTORES
Amplificador en configuración cascodo
• Propiedades
– Características de ganancia en corriente y ganancia en tensión
muy parecidas a las presentadas por amplificador de emisor
común.
– Tiene una respuesta en alta frecuencia mucho mejor que la
presentada por el amplificador de emisor común, como se verá
más adelante.
tecnun
tecnun
4
ETAPAS AMPLIFICADORAS CON DOS TRANSISTORES
Amplificador en configuración cascodo
ig id
G D
+
vgs r0
RD Ri = ∞
- gmvgs
is
Rs G ig S idc Ro
D Av ~ -RDgm para ro>>
vs io
+
+ vgs r0
- gmvgs
-
is
Ro = RD para ro>>
Ri
S
tecnun
• Propiedades
– Características de ganancia en corriente y ganancia en tensión
muy parecidas a las presentadas por amplificador de fuente
común.
– Tiene una respuesta en alta frecuencia mucho mejor que la
presentada por el amplificador de fuente común, como se verá
más adelante.
tecnun