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UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA,


MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO

APOSTILA DA DISCIPLINA

MATERIAIS ELÉTRICOS
VERSÃO 2017_2

Ementa: estudo dos materiais e dispositivos condutores, semicondutores, isolantes


e magnéticos; propriedades, fenômenos e conceitos básicos de interesse.

Prof. Dr. Gelson Antônio Andrêa Brigatto


BIBLIOGRAFIA

 Básica:
1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Elétricos, Vols. I e II, Edgard Blücher, São Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Ciência dos Materiais, 6º Edição, Prentice-Hall, 2008.
3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006.
4. SEDRA, Adel S., Microeletrônica, 5o Edição, Makron Books, 2007.
 Complementar:
1. SARAIVA, Delcyr B. Materiais Elétricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1983.
2. BOYLESTAD, Robert, NASHELSKY, Louis, Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 6º Edição,
Prentice-Hall do Brasil Ltda, 1998.
3. HALLIDAY, D., RESNICK, R., Física, 4º Edição, Livros Técnicos e Científicos, .
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrônica, Vol. I, Editora McGraw Hill, 1991.
5. COTRIM, Ademaro, Instalações Elétricas, 4º Edição, Prentice-Hall, 2003

ÍNDICE

CAPÍTULO 1: Tópicos introdutórios ............................................................................................................................... 1


1.1) Propriedades de interesse dos materiais ................................................................................................................ 1
1.1.1) Propriedades elétricas ..................................................................................................................................... 1
1.1.2) Propriedades magnéticas ................................................................................................................................ 1
1.1.3) Propriedade físicas ......................................................................................................................................... 1
1.1.3.1) Estado físico ............................................................................................................................................ 1
1.1.3.2) Massa específica ...................................................................................................................................... 2
1.1.4) Propriedades mecânicas.................................................................................................................................. 3
1.1.4.1) Resistência mecânica ............................................................................................................................... 3
1.1.4.2) Elasticidade ............................................................................................................................................. 3
1.1.4.3) Outras propriedades mecânicas de interesse ........................................................................................... 4
1.1.5) Propriedades térmicas ..................................................................................................................................... 4
1.1.5.1) Dilatação térmica ..................................................................................................................................... 4
1.1.5.2) Condutividade térmica............................................................................................................................. 5
1.1.5.3) Calor específico ....................................................................................................................................... 6
1.1.6) Propriedades químicas - Resistência à corrosão ............................................................................................. 7
1.1.7) Fator custo dos materiais ................................................................................................................................ 7
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio ................................................................................................ 8
1.2) Modelo da matéria por bandas de energia ............................................................................................................. 9
1.2.1) Níveis de energia estacionários ...................................................................................................................... 9
1.2.2) Bandas de energia e classificação elétrica dos materiais .............................................................................. 11
1.3) Tópicos complementares ..................................................................................................................................... 12
1.3.1) Pilhas e baterias ............................................................................................................................................ 12
1.3.2) Lâmpadas...................................................................................................................................................... 13
1.3.3) Fibra ótica ..................................................................................................................................................... 15
1.3.4) Laser ............................................................................................................................................................. 16
1.3.5) Célula combustível a hidrogênio .................................................................................................................. 17
1.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 17
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores ....................................................................................................... 19
2.1) Fenômeno da condução elétrica .......................................................................................................................... 19
2.1.1) Condutividade e resistência elétricas............................................................................................................ 19
2.1.2) Fatores que influenciam na resistência elétrica ............................................................................................ 21
2.1.2.1) Impurezas e imperfeições no material ................................................................................................... 21
2.1.2.2) Temperatura........................................................................................................................................... 21
2.1.2.3) Efeito pelicular ...................................................................................................................................... 23
2.2) Materiais e dispositivos condutores..................................................................................................................... 24
2.2.1) Metais e suas características ......................................................................................................................... 24
2.2.2) Ligas metálicas ............................................................................................................................................. 26
2.2.3) Carvão para fins elétricos ............................................................................................................................. 28
2.2.4) Materiais para contatos elétricos .................................................................................................................. 28

II
2.2.5) Condutores elétricos ..................................................................................................................................... 29
2.2.6) Resistores e resistências ............................................................................................................................... 30
2.2.7) Bimetais ........................................................................................................................................................ 32
2.3) Tópicos complementares ..................................................................................................................................... 33
2.3.1) Termoeletricidade ......................................................................................................................................... 33
2.3.2) Supercondutividade ...................................................................................................................................... 34
2.4) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 35
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes........................................................................................................... 37
3.1) Propriedades e fenômenos ................................................................................................................................... 37
3.1.1) Rigidez dielétrica .......................................................................................................................................... 37
3.1.2) Polarização dielétrica ................................................................................................................................... 37
3.1.3) Permissividade dielétrica .............................................................................................................................. 38
3.1.4) Capacitância ................................................................................................................................................. 39
3.1.5) Perdas, fator de perdas e efeito Corona ........................................................................................................ 39
3.2) Materiais e dispositivos isolantes ........................................................................................................................ 41
3.2.1) Materiais isolantes e dielétricos.................................................................................................................... 41
3.2.2) Isolamentos e isoladores ............................................................................................................................... 41
3.2.3) Capacitores ................................................................................................................................................... 43
3.2.4) Eletretos e cristais piezoelétricos.................................................................................................................. 44
3.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 45
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos ...................................................................................................... 46
4.1) Propriedades e fenômenos ................................................................................................................................... 46
4.1.1) Polarização magnética .................................................................................................................................. 46
4.1.2) Permeabilidade magnética e classificação dos materiais ............................................................................. 47
4.1.3) Curvas de magnetização, ciclo de histerese e retentividade ......................................................................... 47
4.1.4) Indução eletromagnética, indutância e correntes de Foucault ...................................................................... 49
4.2) Materiais e dispositivos magnéticos .................................................................................................................... 50
4.2.1) Materiais e ligas ferromagnéticas ................................................................................................................. 50
4.2.2) Bobinas magnéticas ...................................................................................................................................... 51
4.2.3) Máquinas elétricas ........................................................................................................................................ 53
4.2.4) Relés eletromecânicos e transdutores ........................................................................................................... 55
4.3) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 56
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores ................................................................................................. 57
5.1) Semicondutor intrínseco ...................................................................................................................................... 57
5.1.1) Fenômenos de transporte em semicondutores .............................................................................................. 57
5.1.2) Componentes semicondutores puros ............................................................................................................ 59
5.2) Semicondutor extrínseco .................................................................................................................................... 60
5.2.1) Dopagem e classificação .............................................................................................................................. 61
5.2.2) Condutividade e densidade de corrente de condução ................................................................................... 61
5.2.3) Efeito Hall .................................................................................................................................................... 63
5.3) Junção PN ........................................................................................................................................................... 64
5.3.1) Corrente de difusão e densidade de corrente total ........................................................................................ 64
5.3.2) Cristal PN, junção PN, camada de depleção e barreira de potencial ............................................................ 65
5.3.3) Modos de polarização do cristal PN ............................................................................................................. 67
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN - I: diodos...................................................................................................... 69
6.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 69
6.1.1) Símbolos, convenções e especificações máximas ........................................................................................ 69
6.1.2) Característica corrente-tensão e modos de operação .................................................................................... 70
6.2) Análise de circuitos com diodos .......................................................................................................................... 71
6.2.1) Conceito de reta de carga ............................................................................................................................. 72
6.2.2) Modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequências ........................................................................ 73
6.2.3) Análise CC de circuitos com diodos ............................................................................................................ 74
6.2.4) Análise CA de circuitos com diodos ............................................................................................................ 76
6.2.4.1) Retificadores com diodos ...................................................................................................................... 78
6.2.4.2) Ceifadores com diodos .......................................................................................................................... 81
6.3) Comportamentos do cristal PN em altas frequências .......................................................................................... 85
6.3.1) Modelo do diodo para pequenos sinais e altas frequências .......................................................................... 85
6.3.1.1) Resistência incremental ......................................................................................................................... 85
6.3.1.2) Capacitância de difusão ......................................................................................................................... 86
6.3.2) Tempo de recuperação reversa ..................................................................................................................... 87
6.4) Cristais PN de finalidade específica .................................................................................................................... 88

III
6.4.1) Diodo zener .................................................................................................................................................. 88
6.4.1.1) Regulador de tensão CC com zener ....................................................................................................... 90
6.4.2) Componentes optoeletrônicos ...................................................................................................................... 92
6.4.2.1) Diodos emissores de luz ........................................................................................................................ 92
6.4.2.2) Fotodiodo e célula fotovoltaica ............................................................................................................. 93
6.4.2.3) Optoacopladores .................................................................................................................................... 95
6.4.3) Diodo Schottky ............................................................................................................................................. 95
6.4.4) Varicap ......................................................................................................................................................... 95
6.4.5) Varistores...................................................................................................................................................... 96
6.5) Exercícios propostos............................................................................................................................................ 96
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN - II: TBJ ........................................................................................................ 99
7.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 99
7.2) Modos de operação do TBJ ............................................................................................................................... 101
7.3) Configurações do TBJ ....................................................................................................................................... 102
7.3.1) Efeito Early................................................................................................................................................. 103
7.3.2) Configuração base-comum ......................................................................................................................... 103
7.3.3) Configuração emissor-comum.................................................................................................................... 105
7.3.4) Configuração coletor-comum ..................................................................................................................... 106
7.4) Análise CC de circuitos com TBJ ..................................................................................................................... 106
7.4.1) Linhas de alimentação ................................................................................................................................ 106
7.4.2) Reta de carga .............................................................................................................................................. 107
7.4.3) Modelos esquemáticos do TBJ ................................................................................................................... 108
7.4.4) Metodologia da análise CC ........................................................................................................................ 110
7.4.5) Aplicações básicas do TBJ ......................................................................................................................... 113
7.5) Tópico complementar: fototransistor ................................................................................................................ 116
7.6) Exercícios propostos.......................................................................................................................................... 117
Apêndice: respostas de alguns exercícios propostos......................................................................................................120

PREFÁCIO

O ramo da Engenharia Elétrica exibe uma permanente seqüência de desenvolvimentos e descobertas


científicas, ostentando uma surpreendente evolução na área de materiais e componentes e no campo dos
métodos, processos produtivos e de automatização que perdura até os dias atuais. A evolução da Física
macroscópica e microscópica, aliada à capacidade técnica do engenheiro-pesquisador, tem possibilitado aos
centros de pesquisa uma avaliação mais precisa das propriedades dos materiais, ao determinar as condições
de variação com os parâmetros do meio e definir para estes um amplo espectro de contornos e aplicações.
Não raro, o Engenheiro do ramo elétrotécnico é solicitado para cooperar com profissionais de outras
especialidades no estabelecimento de especificações ou características desejáveis a um certo material ou
sistema a ser utilizado em novos equipamentos. Para que este objetivo seja satisfatoriamente alcançado,
torna-se imprescindível a habilidade técnica e profissional aliada a um conhecimento mais abrangente sobre
as leis e fenômenos físicos, estruturas físico-químicas da matéria e propriedades, para se obter a adequada
especificação nas diversas aplicabilidades encontradas para os materiais em Eletrotécnica.
Materiais Elétricos é uma das disciplinas do núcleo específico do curso de Engenharia Elétrica, por
abordar teorias básicas para disciplinas como Instalações Elétricas, Máquinas Elétricas, Transformadores e
Eletrônica, dentre outras. Seu conteúdo visa a análise das propriedades e fenômenos dos materiais de que
são constituídos os equipamentos e componentes eletro-eletrônicos, e deve possibilitar ao aluno “raciocinar”
em termos de matérias primas para proceder sua adaptação às condições de projeto e serviço, conferindo
então ao aluno conhecimentos mais amplos para melhor atuar em sua atividade profissional.
Assim, Materiais Elétricos constitui-se em uma disciplina básica para a adequada compreensão dos
diversos equipamentos e componentes que serão estudados posteriormente no curso de Engenharia Elétrica.

IV
CAPÍTULO 1: TÓPICOS INTRODUTÓRIOS
Este capítulo tem como objetivo realizar um estudo introdutório sobre diversas propriedades de interesse dos
materiais normalmente empregados em Eletrotécnica e apresentar conceitos sobre modelos de estrutura atômica para
melhor entendimento de alguns fenômenos, bem como conhecer algumas aplicações tecnológicas dos materiais.

1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS

Os materiais raramente atendem a todos os requisitos técnicos necessários ao desenvolvimento de um bom


produto final e sua escolha para uma determinada aplicação é normalmente justificada pelas diversas propriedades de
interesse que apresentam, tais como elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e químicas, além do seu custo.
Logo, estas propriedades devem ser consideradas para proceder-se uma análise criteriosa de quais materiais utilizar e
quais substituir e as escolhas devem recair naqueles com características mais vantajosas. Um texto introdutório sobre
diversos fenômenos que definem propriedades dos materiais de interesse em Eletrotécnica é visto a seguir.

1.1.1) PROPRIEDADES ELÉTRICAS

Quando submetidos a campos elétricos, os materiais desempenham determinados comportamentos que definem
suas propriedades elétricas e os classificam dentro das três classes caracterizados por estes desempenhos: condutores,
semicondutores e isolantes. No campo da Eletrotécnica, as propriedades elétricas de maior interesse são:
 Condutividade elétrica: quantifica a maior ou menor disponibilidade do material em permitir um fluxo ordenado
de cargas livres por seu meio (a chamada corrente elétrica), quando este é submetido a uma diferença de potencial
(a chamada tensão elétrica). Esta quantificação pode ser também descrita pela oposição a este fluxo, denominada
resistividade, ou seja, o inverso da condutividade. Estas propriedades estão diretamente relacionadas com a perda
de energia no material na forma de calor, conhecida como Efeito Joule, que decorre do choque entre elétrons em
movimento com elétrons estacionários no material, sendo sua determinação essencial para aplicações onde exige-
se um transporte de energia com mínimas perdas. Estas propriedades elétricas são de maior interesse no estudo dos
materiais ditos condutores, além dos ditos semicondutores, e serão mais detidamente estudadas no Capítulo 2.
 Permissividade dielétrica: é a propriedade que descreve e quantifica o quanto a estrutura atômica de um material
dito isolante elétrico, se polariza em oposição ao adensamento de um campo elétrico externo aplicado, ou seja, a
capacidade de polarização do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.
 Rigidez dielétrica: é a propriedade que expressa o limite máximo de diferença de potencial elétrico (tensão) por
unidade de espessura, que um material isolante elétrico pode suportar sem ter sua estrutura física rompida, ou seja,
a capacidade de isolação elétrica do material. Esta propriedade será mais detidamente estudada no Capítulo 3.

1.1.2) PROPRIEDADES MAGNÉTICAS

Quando submetidos a fluxos de campo magnético, os materiais desempenham determinados comportamentos


que definem suas propriedades magnéticas. Em Eletrotécnica, as propriedades de maior interesse são definidas por:
 Permeabilidade magnética: descreve o grau de polarização de materiais a fluxos magnéticos aplicados, fenômeno
conhecido como magnetização. Certos materiais exibem ainda um limite para esta polarização, chamado saturação.
 Retentividade: quantifica a capacidade do material em manter um magnetismo residual com a retirada do campo.
Além disso, os materiais podem apresentar certa capacidade de produzir forças eletromotrizes em sua estrutura,
quando submetidos a fluxos magnéticos variantes no tempo, efeito este denominado indução eletromagnética.
Estas propriedades serão mais detidamente vistas no Capítulo 4 com o estudo dos materiais ditos magnéticos.

1.1.3) PROPRIEDADE FÍSICAS

As propriedades físicas estão relacionadas com o grau de agrupamento dos átomos constituintes da estrutura
atômica dos materiais, sendo o estado físico e a massa específica as de maior interesse em aplicações eletrotécnicas.

1.1.3.1) Estado físico

O estado físico é definido pela distância guardada entre si pelos átomos de um material e classificados como:
 Sólidos: são formados por átomos ou moléculas que permanecem muito próximos entre si e não se movimentam,
apenas vibram em torno de uma posição de equilíbrio, adquirindo, desse modo, forma própria e volume constante.
De acordo com a distribuição espacial de seus átomos, moléculas ou íons, os sólidos podem ser classificados em:
1
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

 Arranjos cristalinos: nestes a distribuição ocorre em uma forma


geométrica bem definida, denominada célula, que se repete em
todas as dimensões, constituindo-se na chamada rede cristalina.
As distribuições mais comuns são: sistema cúbico (Figura 1.1),
compreendendo o tipo simples (silício, germânio, etc.), de corpo
centrado (ferro, tungstênio, cromo, etc.) e face centrada (cobre,
alumínio, prata ouro, níquel, etc.); sistema hexagonal (zinco,
magnésio, cádmio, etc.); e tetragonal (estanho, etc.).
 Arranjos amorfos: materiais com distribuição dos átomos sem (a) (b) (c)
uma ordenação definida. Exemplos: grafita, vidros e polímeros.
Em geral, os sólidos são usados em aplicações onde se exige a Figura 1.1: Sistemas cúbicos: (a) simples;
manutenção da integridade física do material para este manter sua (b) corpo centrado, (c) face centrada.
função. São os materiais de maior uso em Eletrotécnica (equipamentos, componentes, estruturas de apoio, etc).
 Líquidos: são constituídos por moléculas mais afastadas que nos sólidos e com liberdade de se movimentarem de
modo a não guardar posição entre si, apresentando então volume constante mas não forma própria. Exemplos de
materiais líquidos empregados em aplicações eletrotécnicas são as soluções eletrolíticas em pilhas e baterias, óleos
isolantes elétricos em transformadores e chaves, pastas condutoras térmicas, tintas, esmaltes, vernizes, etc.
 Gasosos: são materiais formados por átomos, moléculas ou íons (plasma) bastante afastados entre si e que tendem
a se manter em expansão devido ao constante movimento, não apresentando então forma ou volume constante. Em
aplicações eletrotécnicas são principalmente gases e vapores em lâmpadas (argônio, vapores de sódio e mercúrio,
neon etc.) e como meio isolante entre fios e cabos (ar) e em disjuntores de potência e cabos subterrâneos (gás SF6).

Comentário: as ligações químicas são uniões estabelecidas entre átomos de acordo com a teoria do octeto (os átomos
alcançam a estabilidade quando adquirem oito elétrons na última camada, salvo exceções), de forma a constituírem a
estrutura básica dos diversos materiais e substâncias. As ligações químicas ocorrem basicamente de três formas:
 Ligação iônica: este tipo baseia-se na atração eletrostática entre dois íons com cargas opostas, por meio da doação
e recepção de elétrons. A ligação iônica é formada por um metal, que possui grande eletropositividade (tendência a
doar elétrons devido à sua baixa energia de ionização), formando um íon positivo (cátion), e um ametal, que tem
grande eletronegatividade (tendência a ganhar elétrons), formando um íon negativo (ânion). Estes íons de sinais
opostos tendem então a se atrair devido à força eletrostática e formam a ligação iônica. Os compostos iônicos (sais
e bases) são sólidos nas condições ambientes e conduzem corrente elétrica quando dissolvidos ou fundidos.
 Ligação covalente ou molecular: ocorre entre átomos que possuem a tendência de realizar o compartilhamento de
elétrons em sua camada de valência, não havendo a formação de íons, pois as estruturas cristalinas formadas são
eletronicamente neutras. Compostos moleculares podem ser encontrados nos três estados físicos (exemplos: silício,
germânio, diamante, cerâmicas, polímeros, água, oxigênio gasoso, etc.) e não conduzem eletricidade quando puros.
 Ligação metálica: este tipo é característico de átomos constituintes de um metal. Por ter grande tendência a perder
elétrons, os elétrons de um metal podem saltar de seus átomos, criando íons positivos, e passam a se movimentar
livremente por entre estes íons formando uma “nuvem” de elétrons em sua volta. Estes elétrons livres atraem e são
atraídos pelos íons positivos, funcionando então como uma “cola” que origina uma grande força de atração entre
os átomos do material. A disposição resultante, contudo, se compõe de um retículo cristalino eletricamente neutro.

1.1.3.2) Massa específica

A propriedade que descreve a quantidade de massa m de um material necessária para ocupar um determinado
volume V amostral do material é denominada massa específica  (unidade usual: g/cm3), sendo então definida por:
m
γ (1.1)
V
Como exemplo de aplicação de interesse nesta propriedade tem-se os cabos elétricos de redes aéreas, cujo peso
está diretamente relacionado com as solicitações mecânicas transferidas às estruturas destinadas ao seu apoio (postes,
torres, cruzetas, isoladores, etc.). Desse modo, materiais de baixa massa específica são desejáveis para a construção
destes cabos, pois acarretam em estruturas de suporte menores e menos robustas, representando então economia de
material e, portanto, de custos. A Tabela 1.1 a seguir apresenta a massa específica de alguns materiais de interesse.

Tabela 1.1: Massa específica de alguns materiais à temperatura padrão (20 oC).
Material  (g/cm3) Material  (g/cm3) Material  (g/cm3) Material  (g/cm3)
óleo de transformador 0,86 alumínio 2,70 manganina 8,4 mercúrio 13,6
água 1,00 zinco 7,14 cobre 8,9 tungstênio 19,0
carbono e grafita 2,10 estanho 7,28 prata 10,5 ouro 19,3
porcelana 2,39 ferro e aço 7,86 chumbo 11,9 platina 21,4

2
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.1.4) PROPRIEDADES MECÂNICAS

As propriedades mecânicas estão relacionadas à capacidade de um material em resistir ou de ser moldado por
esforços mecânicos a ele aplicados. Algumas destas propriedades de interesse em Eletrotécnica são vistas a seguir.

1.1.4.1) Resistência mecânica

A tensão mecânica () aplicada em um corpo de teste de um material qualquer é a grandeza definida por:
F
  (1.2)
A
onde F é a força de tração ou compressão aplicada à área A do corpo transversal à força (unidade usual: N/mm2).
A propriedade resistência mecânica dos materiais é uma medida de capacidade destes de oferecer oposição
quando submetidos a esforços de tração ou compressão, definida como razão entre a força limite aplicada ao material
pela área transversal à força aplicada, correspondendo então à tensão mecânica máxima suportada pelo material.
As resistências à tração e compressão apresentam valores semelhantes na maioria dos materiais, com exceção
daqueles de comportamento mecânico mais quebradiço, onde a resistência à
compressão é normalmente bem inferior. A Tabela 1.2 apresenta a resistência cabo elétrico
mecânica a esforços de tração (t ) para alguns materiais de interesse. poste
Logo, em aplicações onde esforços mecânicos são exigidos, deve-se cruzeta
determinar os limites de tensão aplicada aos materiais empregados, de modo
parafuso
a não ultrapassar seus limites e comprometer sua integridade física. Como
exemplos de aplicação onde a resistência mecânica dos materiais é relevante
barra de estai isolador
pode-se citar: cabos aéreos (o próprio peso do cabo o submete a esforços de apoio
tração), confinamento de equipamentos e componentes elétricos (gabinetes, braçadeira
carcaças de motores e transformadores, etc.), conexões (buchas, braçadeiras,
parafusos, terminais, etc.), estruturas de suporte (isoladores, cruzetas, postes, Figura 1.2: Exemplo de elementos
torres de transmissão, etc.), estaiamento (ancoragem de estruturas por cabos, submetidos a esforços mecânicos.
tais como postes e torres, para prover equilíbrio e estabilidade), etc.

Tabela 1.2: Resistência mecânica à esforços de tração de alguns materiais.


Material t (N/mm2) Material t (N/mm2) Material t (N/mm2)
concreto 2,07 latão (Cu+Zn) 330 manganina (Cu+Mn) 420
alumínio 91 ferro batido 345 Constantan (Cu+Ni) 460
cobre 220 aço estrutural 413 ferro fundido 620

1.1.4.2) Elasticidade

Todo corpo submetido a tensões mecânicas para esforços de tração sofre um alongamento proporcional à força
aplicada. A propriedade que descreve a capacidade de um material de sofrer alongamentos sob esforços de tração sem
resultar em uma deformação permanente após a retirada da força aplicada é denominada elasticidade.
A Figura 1.3 mostra o comportamento típico da deformação  D
sofrida por um metal de comportamento dúctil quando submetido a uma  (N/mm2)
limite B C E
tensão mecânica de tração  até a ocorrência de seu rompimento. Pode- elástico
se observar então que a deformação apresenta dois estágios distintos:
a) Região de deformação elástica (A-B): neste estágio os átomos do tensão maxima
material mantêm suas posições relativas entre si até o limite elástico ou de ruptura
A 
(ponto B), e retornam à disposição original quando a tensão aplicada
é removida, ou seja, a deformação é reversível. Esta região define a tg  = E região elástica região 
plástica
propriedade elasticidade do material, sendo o comportamento regido
pela Lei de Hooke, que estabelece: “para pequenos alongamentos, a Figura 1.3: Curva tensão x deformação.
tensão aplicada é proporcional à deformação sofrida”, tal que:
  E (1.3)
onde  (N/mm2) é a tensão aplicada,  (adimensional) é a deformação definida pela razão entre o alongamento 
do material (diferença entre comprimentos final e inicial o ) e o comprimento inicial o , ou seja:
 
   o
(1.4)
o o
e E (N/mm2), chamado módulo de elasticidade ou módulo de Young, define a propriedade elasticidade do material
ao descrever a proporção entre  e . A Tabela 1.3 apresenta o módulo de elasticidade de alguns materiais.
3
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.3: Módulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.


Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2)
chumbo 1,5 bronze 9,7 ferro forjado 18 a 20
alumínio 7,0 ferro fundido 8,5 a 10 aço estrutural 20,6
prata 7,5 latão 10,5 níquel 20,7
ouro 8,1 cobre 11,0 tungstênio 40,7

b) Região de deformação plástica (B-E): se ultrapassado o limite elástico, os átomos do material não mais guardam
suas posições relativas e sofrem deslocamentos irreversíveis, resultando então em deformações permanentes. Entre
os pontos B e C ocorre uma expansão lateral chamada escoamento, caracterizado pelo aumento da deformação
sem aumento de tensão. Entre os pontos C e D ocorre o chamado encruamento, caracterizado por um novo ganho
de resistência do material. Por fim, entre os pontos D e E ocorre a chamada estricção, que consiste na redução da
área da seção do material até sua ruptura (ponto E), sendo o ponto D o limite de tensão antes de ocorrer a ruptura.

Exercício 1: Um fio de comprimento 4 m e 2,5 mm de diâmetro, é submetido a uma força de tração de 1000 N e sofre
deformação elástica até o comprimento de 4,01 m. Determine o módulo de elasticidade do material em N/mm2.
Solução
 dfio = diâmetro do fio = 2,5 mm   Afio = área do fio =  (dfio)2 /4 =  (2,5)2 /4  4,9 mm2
F 1000 N
 Da equação (1.2), tem-se então que:     204,1
Afio 4,9 mm2
  204,1  4 N
 Pela Lei de Hooke:   E   E o
  E o
   E  8,2  104
o  o 4,01  4 mm 2

1.1.4.3) Outras propriedades mecânicas de interesse

Dentre as demais propriedades mecânicas de interesse em aplicações Eletrotécnicas, pode-se mencionar:


 Maleabilidade ou plasticidade: é a capacidade de um material em sofrer deformações permanentes em qualquer
direção sem ter comprometdida sua integridade física (tornar-se quebradiço). Descreve então a maior ou menor
possibilidade do material ser moldado em mais de uma dimensão relevante (barras, chapas, esferas, canos, etc.).
 Ductibilidade: é a capacidade de um material de sofrer deformações permanentes em somente uma direção sem se
romper. Indica então a maior ou menor possibilidade de um material ser estirado ou reduzido a fios. Exemplos: a
argila tem boa maleabilidade mas pequena ductilidade; o ouro é mais dúctil e maleável que o cobre ou o alumínio.
 Dureza: é a capacidade da estrutura física do material em resistir a penetração ou ser riscado, sendo avaliada por
um teste realizado com base na divisão de uma força aplicada pela área de penetração na superfície do material.
 Tenacidade: é a capacidade de um material de resistir a grandes tensões e deformações sem ruptura, ou ainda, sua
capacidade de resistir a choques mecânicos. Dureza e tenacidade não são sinônimas pois, por exemplo, vidro e
diamante apresentam elevada dureza (difíceis de serem gastos), mas pouca resistência a golpes (pouca tenacidade).

1.1.5) PROPRIEDADES TÉRMICAS

Temperatura é um parâmetro muito importante para o desempenho de qualquer dispositivo ou equipamento,


pois muitas das propriedades que caracterizam os materiais dependem da temperatura, devendo então ser previstas
suas consequências no comportamento dos materiais. Dentre as propriedades de interesse diretamente relacionadas
com a temperatura, serão estudadas a dilatação térmica e as capacidades de condução e absorção de calor.

1.1.5.1) Dilatação térmica

As partículas constituintes de um material estão em constante estado de agitação devido à energia térmica do
material. A elevação da temperatura de um corpo material devido ao aumento da energia térmica causa um aumento
no grau da agitação das moléculas, que aumentam a distância entre si e passam a ocupar um espaço maior, resultando
então em um aumento de volume do corpo. A propriedade que expressa a capacidade de um material em alterar suas
dimensões físicas com a temperatura é chamada dilatação térmica, traduzida pelo seus coeficientes de dilatação.
No estudo da dilatação térmica de um corpo material, o formato do corpo determina quais dimensões físicas são
consideradas relevantes. Assim, para um material isotrópico e com pequenas variações de temperatura, tem-se:
 Dilatação linear: quando apenas uma dimensão é relevante (exemplos: fios, cabos, barras, pilares, etc.), dada por:
   o   o T (1.5)
 Dilatação superficial: quando duas dimensão são relevantes (exemplos: placas, plataformas, etc.), dada por:
S  S  So  2 So T (1.6)

4
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

 Dilatação volumétrica: quando as três dimensões são relevantes (exemplos: esferas, cilindros, etc.), dada por:
V  V  Vo  3 Vo T (1.7)
onde:  , S e V são as variações linear, superficial e volumétrica do corpo material, respectivamente,  ( C ) é o
o -1

coeficiente de dilatação linear do material do corpo; o (m), So (m2) e Vo (m3 ) são o comprimento, a área e o volume
inicial, respectivamente; , S e V são o comprimento, a área e o volume final, respectivamente; T = T – To (oC) é a
variação de temperatura a que foi submetido o corpo, sendo T e To as temperaturas final e inicial, respectivamente.
A Tabela 1.4 mostra os valores médios do coeficiente de dilatação linear de alguns materiais, onde observa-se
que os líquidos (mercúrio) possuem coeficientes normalmente mais elevados que os sólidos. Observa-se também que
os coeficientes de dilatação térmica são em geral positivos (exceção a água, que apresenta o chamado comportamento
anômalo, devido ao coeficiente negativo abaixo de 4 oC), ou seja, o material se dilata com o aumento da temperatura.
Para o caso de um furo em um corpo sólido, tem-se que o volume do furo aumenta com a temperatura como se
o mesmo fosse um sólido de mesmo material do corpo. No caso de dois metais soldados de diferentes coeficientes de
dilatação, o encurvamento da peça com a variação de temperatura pode ser aproveitado como sensor térmico.
O guiamento de cabos em torres e postes de redes elétricas aéreas é um exemplo de aplicação com preocupação
sobre os efeitos da dilatação térmica. A contração dos cabos com a diminuição da tempertura pode ocasionar a ruptura
dos mesmos no ponto de ancoragem, sendo necessário que os cabos sejam normalmente suspensos em um formato
curvo, conhecido como flexa, para reduzir o problema. De outro modo, o alongamento com o aumento da tempertura
pode prover um contato elétrico indevido dos cabos com estruturas alheias à rede (edificações, árvores, etc.).
Tabela 1.4: Coeficientes de dilatação térmica linear médio de alguns materiais para o intervalo entre 0 e 100 oC.
Material  ( x 10-5 oC –1) Material  ( x 10-5 oC –1) Material  ( x 10-5 oC –1)
grafita 0,30 cobre 1,70 solda (Pb+Sn) 2,51
porcelana 0,35 latão (Cu+Zn) 1,87 estanho 2,70
ferro 1,25 prata 2,00 zinco 3,50
níquel 1,45 alumínio 2,40 mercúrio 18,0

Exercício 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre um P


pilar de material alumínio e outro de material ferro. Determine os comprimentos dos pilares
para que a plataforma permaneça na horizontal a qualquer temperatura. Al
Al Fe

Solução Fe
Seja oFe e oAl os comprimentos dos pilares a uma temperatura qualquer To na qual eles
serão dimensionados. Com base na figura ao lado nota-se que a plataforma P permanecerá na 0,46 m
horizontal a qualquer variação de temperatura T = T – To se forem satisfeitas as condições:
1) Na temperatura de dimensionamento To deve-se ter: o Fe  o Al  0, 46 (1)
2) As variações de dilatação linear dos pilares a qualquer temperatura T devem ser iguais, ou seja:  Fe   Al (2)
 Da Tabela 1.4, sabe-se que: Fe = 1,25 x 10–5 oC -1 e Al = 2,4 x 10–5 oC -1. Logo, do resultado (2), tem-se:
 Fe  Al   Fe o Fe (T  To )   Al o Al (T  To )   Fe o Fe   Al o Al   o Fe  1,92 o Al (3)
 Com o resultado (3) aplicado em (1): o Fe  o Al  0, 46  1,92 o Al  o Al  0, 46   o Al  0,5 m (4)
 Por fim, com o resultado (4) aplicado em (3): o Fe  1,92 o Al  1,92  0,5   o Fe  0,96 m

1.1.5.2) Condutividade térmica


Em um meio material submetido a uma diferença de temperatura, ocorre transferência de energia térmica da
maior para a menor temperatura, até que o corpo atinja o equilíbrio térmico (temperatura uniforme). Este trânsito de
energia térmica, motivado exclusivamente por diferença de temperatura, é chamado calor e ocorre de três formas:
 Por condução térmica, através da agitação das partículas de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por convecção, através do deslocamento da própria massa de um meio material (não ocorre, portanto, no vácuo);
 Por irradiação térmica, através da emissão de radiação infra-vermelha (ocorre, portanto, no vácuo).
A quantidade de calor Q (cal) transmitida perpendicularmente à seção A (cm2) de uma amostra de material de
comprimento (cm) e submetida a uma diferença de temperatura T = T2 – T1 (oC) durante um tempo t (s) expressa a
condução térmica do material e é proporcional à propriedade condutividade térmica K (cal/ oC cm s), tal que:
A T2  T1  t
K
T1 A Q , T2 > T1 K A Q K A
Q  K  T t    T (1.8)
t
onde o termo  (cal/s), denominado fluxo de calor ou corrente térmica, expressa a quantidade de calor que atravessa a
amostra do material por unidade de tempo, similar ao conceito de corrente elétrica da eletricidade. Observando-se a
equação (1.8) pode-se definir a relação: RT = /K A (oC s/cal), chamada resistência térmica da amostra. Logo, o efeito
da condução termica pode ser dada pela relação T = RT  , que é similar à Lei de Ohm da eletricidade (V = R I) .

5
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, a propriedade condutividade térmica expressa a facilidade com que um material se deixa atravessar por
um fluxo de calor, sendo a resistência térmica uma medida quantitativa da dificuldade imposta ao trânsito da energia
térmica por uma amostra do material. A Tabela 1.5 apresenta a condutividade térmica de alguns materiais a 20 oC.
O processo de condução térmica ocorre quando as partículas da região mais quente de um corpo, que vibram
com mais intensidade por terem maior energia térmica, transmitem parte de sua energia para outras partículas em sua
vizinhança, que passam a vibrar mais intensamente e também transmitem parte de sua energia para a sua vizinhança, e
assim sucessivamente. Como a maior vibração das partículas é um indicador de maior retenção de energia e menor
transferência de calor, então materiais de elevada condutividade térmica apresentam menor grau de vibração de suas
partículas e podem conduzir e dissipar mais rapidamente para o meio exterior o calor presente em seu interior.
Logo, em materiais fortemente coesos em sua estrutura, tais como metais, as forças de coesão impedem grandes
amplitudes de vibração dos átomos, acarretando em menor retenção de energia e menor possibilidade de choque dos
elétrons constituintes de uma corrente elétrica no material. Desse modo, as condutividades elétrica e térmica estão
relacionadas, pois a resistência à passagem de eletricidade e calor depende das vibrações estruturais. Assim, os metais
são bons condutores de eletricidade e calor, sendo amplamente utilizados como condutores elétricos, por propiciarem
uma rápida eliminação do calor interno ou recebido, e ainda como dissipadores para diversos dispositivos de potência.
Tabela 1.5: Condutividade térmica de alguns materiais de interesse a 20 oC.
Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s)
prata 0,97 aço 0,115 tijolo refratário 0,000350
cobre 0,92 mercúrio 0,0200 amianto 0,000200
alumínio 0,49 concreto 0,0020 lã de vidro 0,000100
ferro 0,16 vidro 0,0020 ar 0,000057

Exercício 3: Seja duas barras A e B de mesma seção e submetidas a temperaturas TJ


diferentes em suas extremidades, mostradas na figura ao lado. Considere o sistema 75 oC A B 35 oC
isolado termicamente (isto é, o calor flui apenas no interior das barras) e determine
a temperatura TJ na junção. Dados: KA = 0,52 cal/oC cm s ; KB = 0,02 cal/oC cm s. 10 cm 15 cm
Solução
Como a temperatura é maior na extremidade da barra de material A, o fluxo de calor será no sentido A para B.
Adicionalmente, como o sistema está isolado termicamente, o fluxo de calor A no material A deverá ser igual ao
fluxo de calor B no material B. Desse modo, da equação (1.8), tem-se que: TJ

 A  B 
KA A
(Textr . A  TJ ) 
KB A
(TJ  Textr . B )
o

75 C A B 35 oC
A B T (oC)
0,52 0,02 T = 75 – 0,1 x
 (75  TJ )  (TJ  35)   TJ  74 o C 75
T = 100 – 2,6 x
10 15 74
O gráfico ao lado mostra a distribuição de temperatura ao longo das barras,
onde observa-se um comportamento linear da temperatura, pois o fluxo de calor 35
é linearmente proporcional à temperatura. Pode-se observar também que a barra x (cm)
B está submetida à uma maior variação de temperatura, pois apresenta maior 10 25
resistência térmica por ter condutividade térmica bem inferior ao do material da barra A. Logo, o conclui-se que o
material da barra A tem característica de um condutor térmico e o material da barra B é um isolante térmico.

1.1.5.3) Calor específico

Temperatura é a grandeza física associada ao grau de agitação das partículas de um corpo e define o seu estado
térmico (aquecimento). Contudo, temperatura não mede a quantidade de energia térmica de um corpo pois, entre duas
amostras de mesma massa e materiais diferentes, o fato de uma delas apresentar uma temperatura mais elevada não
significa necessariamente que possua maior quantidade de energia térmica que a outra amostra, pois isto dependerá da
capacidade de absorção de calor dos materiais, expressa por uma propriedade denominada calor específico.
A quantidade de calor Q (cal) que deve ser fornecido a uma amostra de massa m (g) de um material para que
sua temperatura se eleve de um valor T (oC) é proporcional ao calor específico c (cal/g oC) do material, tal que:
Q  c m T (1.9)
Calor específico é uma propriedade intrínseca de um material (isto é, não depende de sua massa) e varia com a
temperatura. A Tabela 1.6 apresenta o valor médio do calor específico de alguns materiais entre 0 e 100 oC.
Com base na equação (1.9) pode-se observar então que materiais de maior calor específico necessitam absorver
maior quantidade de calor para aumentar sua temperatura. Por exemplo, a água absorve muito calor sem se aquecer
em demasia porque possui alto calor específico (Tabela 1.6), o que explica a razão para a potência dos chuveiros ser
comparativamente elevada, pois sua resistência necessita converter uma elevada quantidade de energia elétrica na
forma térmica para se obter a quantidade de calor necessária para aquecer a água até uma temperatura desejada.

6
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Tabela 1.6: Calor específico de alguns materiais.


o
Material c (cal/g C) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC)
água 1,00 ar 0,24 ferro 0,113 mercúrio 0,033
madeira 0,42 alumínio 0,22 cobre 0,094 tungstênio 0,032
lã 0,39 mica 0,21 zinco 0,093 ouro 0,032
porcelana 0,26 vidro 0,16 prata 0,056 chumbo 0,031

1.1.6) PROPRIEDADES QUÍMICAS - RESISTÊNCIA À CORROSÃO

Qualquer material pode estar sujeito a reações químicas ocasionadas pelo meio em que se encontra, que podem
causar danos à estrutura física do material ao resultar em subprodutos com propriedades distintas do material original.
Estas alterações indesejáveis por reação química, chamada corrosão, ocorrem principalmente por dois modos:
1) Corrosão por dissolução: ocorre quando o material entra em contato com um meio capaz de atuar como solvente
para este material, resultando em danos permanentes. Exemplo: ácido sulfúrico em contato com o zinco.
2) Corrosão por oxidação eletroquímica: consiste na remoção de elétrons (reação de oxidação) dos átomos de um
material imerso em um meio favorável à reação, como por exemplo um eletrólito. Exemplo: oxidação do ferro pela
umidade (ar + água), que leva à formação do hidróxido férrico, popularmente conhecido como ferrugem.
Desse modo, a corrosão constitui-se em um problema de grande preocupação na especificação de materiais para
aplicações elétricas, razão pela qual é conveniente o conhecimento de seus principais métodos de controle:
 Proteção por isolamento: recobre-se o material a ser protegido com outro que não é atacado pelo meio, tal como
revestimentos com tinta, resina ou verniz. Outro exemplo consiste no capeamento com material mais resistente, tal
como o revestimento de componentes de ferro com película de zinco ou capa de alumínio (ferro galvanizado).
 Proteção por passivação: adiciona-se ao material a ser protegido outros que o tornam mais resistente à corrosão,
tal como certas ligas metálicas. Exemplos: aço inoxidável (Fe + C + Cr + Ni), bronze (Cu + Sn) e latão (Cu + Zn).
 Proteção catódica: utiliza-se materiais com maior potencial de oxidação, chamados anodos de sacrifício, para que
seja corroído primeiro que um material de menor potencial a ser protegido. Como exemplos de aplicação, tem-se:
 Em sistemas de aterramento utiliza-se lâminas de zinco para proteger hastes e malhas de cobre;
 Estruturas de aço subterrâneas podem ser protegidas colocando-se pedaços de magnésio nas proximidades.
 Alcalinização: consiste no emprego de substâncias alcalinas para a neutralização de meios materiais acidificados.

1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS

A escolha dos materiais a serem empregados em uma determinada aplicação (por exemplo, maquinários, peças,
componentes, dispositivos, instalações estruturais, ferramentas, equipamentos, etc.) necessita se basear na finalidade
que cada material irá desempenhar e se justificar pelas propriedades intrínsecas de interesse que estes apresentam.
Porém, nenhum material é superior a outros em todos os sentidos, cabendo então ao projetista analisar a conveniência
de se empregar um ou outro. Assim, na avaliação das opções de matéria prima a disposição, procura-se especificar os
materiais, conforme o caso, com as propriedades elétricas, magnéticas, físicas, mecânicas, térmicas e químicas mais
vantajosas, com o objetivo de se obter um produto final qualitativamente satisfatório em seu funcionamento.
Contudo, em uma economia de mercado, custo e lucro são parâmetros essenciais a uma empresa, que procura
avaliá-los e otimizá-los o máximo possível. Assim, além das propriedades intrínsecas, a escolha de um material para
uma determinada aplicação deve também se basear no parâmetro econômico custo, pois a concorrência exigida pelo
mercado obriga a empresa a considerar este fator como um aspecto decisivo e um menor custo da matéria prima pode
implicar em menor preço para o produto final e acarretar em melhor competitividade e maior possibilidade de lucro.
O fator custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto independentemente de suas qualidades técnicas.
Logo, o fator custo, apesar de não ser uma propriedade intrínseca dos materiais, constantemente é o parâmetro
decisivo na escolha destes para determinada aplicação. O material deverá apresentar características técnicas que se
adeqüem à sua finalidade, mas é o fator custo que irá ratificar o seu emprego. Assim, os parâmetros técnicos devem
sempre ser avaliados juntamente com o fator custo, pois um produto com menor preço de mercado, mas que atende as
especificações e exigências técnicas mínimas, tem possibilidade de apresentar maior competitividade comercial.
Muitas vezes procura-se obter um produto final com bom desempenho e qualidade, porém a um preço baixo, e
um material de menor custo e inferior em qualidade pode viabilizá-lo como a matéria prima a ser empregada, ou seja,
deficiências do material são compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito
valorizado e um material inferior qualitativamente poderá ser inferior comercialmente se o produto final, apesar de
inicialmente barato, pode se tornar oneroso a longo prazo se não for pelo menos atualizado e durável. O problema
pode então ser resumido em otimizar a avaliação custo-benefício dos materiais, onde muitas vezes a análise de sua
viabilidade econômica deve contemplar, não apenas os dispêncdios imediatos, mas também seus custos futuros.
A análise econômica dos materiais pode então se tornar complexa devido a diversos parâmetros que necessitam
ser avaliados pois, além do seu preço de mercado, pode envolver características como durabilidade (maior tempo de
7
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

vida médio do material implica em menor gasto financeiro com reposição), facilidade de manutenção (menor tempo
de parada implica em maior volume de produção ao longo do tempo), disponibilidade na oferta (volume de extração),
facilidade de fabricação e estocagem, tempo de aquisição e facilidade de transporte (maior agilidade na execução de
projetos ou produtos pode resultar em menores custos finais), mão de obra qualificada disponível, linhas de crédito
financeiro para execução de projetos, etc. Assim, toda a análise econômica de um projeto ou produto (equipamento,
componente, dispositivo, etc.) visa obter a menor necessidade de investimentos e o maior retorno financeiro.
A escolha de materiais condutores para as diversas aplicações em Eletrotécnica constitui-se em um exemplo da
análise técnica aliada ao fator custo. Metais nobres como ouro e prata são ótimos condutores de eletricidade e calor,
mas não são empregados como fios elétricos por terem, por exemplo, preço proibitivo e baixa resistência mecânica.
Contudo, os metais nobres podem ser empregados, juntamente com suas ligas, em aplicações especiais que envolvam
pequenas correntes, onde sua elevada resistência à corrosão e ductilidade são propriedades bastante exigidas.

1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio

Um exemplo clássico da avaliação técnica aliada ao fator custo refere-se à comparação entre os dois metais de
emprego mais intenso como condutor elétrico para aplicações em redes e equipamentos em geral: cobre e alumínio.
O cobre apresenta características técnicas mais vantajosas como material condutor para instalações elétricas em
baixa tensão, bem como em equipamentos e dispositivos (fiação, cabeamento, máquinas elétricas, conexões diversas,
etc.), por apresentar maior condutividade térmica (Tabela 1.5) e elétrica (vide Tabela 2.1 - Capítulo 2), propriedades
estas essenciais onde as tensões mais baixas podem envolver correntes elétricas comparativamente mais elevadas.
Além disso, o cobre apresenta boa resistência mecânica (Tabela 1.2), propriedade também desejável devido à
necessidade de se realizar esforços de tração no momento do guiamento de fios e cabos condutores por canalizadores
de fiações elétricas utilizadas em instalações de baixa tensão (eletrodutos, eletrocalhas, caixas de passagem, etc.).
Adicionalmente, instalações elétricas de baixa tensão apresentam uma grande quantidade de contatos elétricos
(emendas, parafusamentos, soldagem de peças, etc.) necessárias a estas aplicações, que ficam sujeitas ao oxigênio
presente no ar, gás de grande atuação com muitos metais ao produzir óxidos e hidróxidos em contato com estes, sendo
o cobre praticamente inerte ao oxigênio. O alumínio, porém, sofre rápida corrosão em contato com o ar, o que resulta
na formação de uma fina camada de óxido de alumínio, que o protege de maior corrosão, mas que constituí-se em um
bom isolante elétrico, causando então na perda de quaisquer contatos elétricos do alumínio com outros elementos da
rede ou equipamento elétrico e tornando a tarefa de reparo dos contatos de custos e logística proibitivos. Além disso, a
liga de chumbo-estanho, solda de baixo custo e de uso mais intenso, adere firmemente ao cobre mas não no alumínio,
o que faz este necessitar de técnicas de soldagem mais sofisticadas e de custos comparativamente mais elevados.
O alumínio, por sua vez, encontra grande aplicabilidade como cabos condutores e conectores em redes elétricas
aéreas (redes de transmissão e distribuição) por apresentar massa específica menor que a do cobre (Tabela 1.1), o que
reduz os custos de obra devido à economia de material com o emprego de estruturas de suporte menos volumosas.
Além disso, o alumínio consitui-se no metal de maior abundância no planeta, alcançando porisso um preço menor que
o cobre no mercado, o que propicia menores custos devido à grande extensão das redes aéreas, que exigem então uma
elevada quantidade de material para a construção de cabos, além de não sofrer problemas de furto como o cobre.
Como cabos aéreos estão sujeitos a grandes esforços de tração devido ao próprio peso e ao vento, o problema
da pequena resistência mecânica do alumínio é atenuado com o uso de um núcleo (chamado alma) de aço, que confere
aos cabos uma maior resistência mecânica. Quanto à difícil soldagem, pode-se utilizar solda elétrica (fundição das
partes em alumínio) ou um material antioxidante para a limpeza das superfícies a serem emendadas e realizar a solda
com o emprego de pastas especiais (exemplo: óxido de acetileno), bem como braçadeiras para envolver as emendas e
evitar seu contato com o ar, empregada particularmente em linhas de transmissão devido à maior seção dos cabos.

Exercício 4: Seja um fio de cobre e um cabo composto por 3 fios de alumínio de mesmo comprimento e seção do fio
de cobre. Pede-se: compare as resistências à corrente contínua e as massas entre o fio de cobre e o cabo de alumínio.
Adote T = 20 ºC e desconsidere o encordoamento (trançado helicoidal) do cabo de alumínio.
Solução
 A 20 ºC, tem-se da Tabela 2.1 (Capítulo 2) que: Cu = 1,7 x 10-8 m e Al = 2,8 x 10-8 m . Logo:
R fio de Cu  /A 3 C u 3  1,7  108 R fio de Cu
 Cu      1,8
Rcabo de Al  Al / 3 A  Al 2,8  10 8
Rcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior resistência elétrica que o cabo de alumínio (80 % maior).
 A 20 ºC, tem-se da Tabela 1.1 que: Cu = 8,9 g/cm3 e Al = 2,7 g/cm3. Logo:
m fio de Cu  Cu V fio de Cu 8,9 A m fio de Cu
     1,1
mcabo de Al  Al Vcabo de Al 2,7  3 A mcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior massa (é mais pesado) que o cabo de alumínio (10 % mais pesado).
 Conclusão: se a quantidade de fios fosse 4, o cabo de alumínio seria mais pesado. Logo, com 2 ou 3 fios, um cabo
de alumínio é superior a um fio de cobre de mesma seção e comprimento em termos de peso e resistência elétrica.

8
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2) MODELO DA MATÉRIA POR BANDAS DE ENERGIA

O modelo de estrutura atômica da matéria baseada em uma abstração teórica chamada bandas de energia, se
mostra bastante didático para a compreensão de diversos fenômenos e propriedades dos materiais. Para sua definição,
é conveniente ter a noção sobre níveis de energia estacionários, cuja extensão leva ao conceito de bandas de energia.

1.2.1) NÍVEIS DE ENERGIA ESTACIONÁRIOS

A radiação eletromagnética apresenta a chamada natureza dual onda-partícula, no sentido de que a observação
de qual comportamento da radiação, ondulatório ou corpuscular, dependerá da natureza do fenômeno detectado, não
sendo possível provar o comportamento dual da radiação com a mesma medida (Princípio da Complementaridade).
Quando em propagação por um meio qualquer, a radiação apresenta comportamento ondulatório no sentido de
que se observam fenômenos ópticos (reflexão, refração, etc.), pois uma onda tem extensão e não é localizada. Neste
caso, o produto do comprimento de onda  com a freqüência f da radiação resulta em uma constante, tal que:
f  c (1.10)
em que c é a constante universal referente à velocidade da radiação no vácuo (c  3 x 10 m/s). A Tabela 1.7 apresenta
8

os comprimentos de onda de várias nomenclaturas dadas às ondas eletromagnéticas, onde: Å = angstron = 1010 m.
No entanto, quando interagindo com a matéria, a radiação atua como partícula no sentido de que observa-se um
“choque de massas”, pelo fato da radiação se comportar como se composta por “pacotes” indivisíveis de energia,
chamados quantum, entendidos com a menor quantidade de energia que pode ser transferida em um processo físico.
Neste caso, o quantum de energia Ef de uma radiação eletromagnética de frequência f, chamado fóton, é definido por:
Ef  h f  h c  (1.11)
em que h é uma constante universal chamada constante de Planck (h = 6,6262 x 10-34 J s). O conceito de fóton resume
o comportamento corpuscular da radiação eletromagnética e expressa então uma natureza distinta da ondulatória.

Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vácuo de algumas ondas eletromagnéticas.


Nomenclatura  (m) Nomenclatura  (Å) Nomenclatura  (Å)
energia elétrica 5 x 106
infra-vermelho (IV) 10 – 7000
7
faixa do azul 5000 – 4500
áudio-freqüência (300 –1,5) x104 faixa do vermelho 7000 – 6500 faixa do violeta 4500 – 4000
ondas médias e curtas 600 – 6 faixa do laranja 6500 – 6000 ultra-violeta (UV) 4000 – 40
FM-TV-VHF-UHF 5 – 0,5 faixa do amarelo 6000 – 5500 raios X 40 – 0,1
microondas 0,5 – 0,001 faixa do verde 5500 – 5000 raios  0,1 – 10-3

Em práticas experimentais, observa-se que um átomo isolado absorve e emite radiação apenas de determinados
comprimentos de onda (Figura 1.4-a). Como o fóton é indivisível (entrega toda ou nenhuma energia), esta observação
demonstra que os elétrons do átomo podem absorver ou emitir energia apenas de forma discreta, o que sugere um
modelo simples tipo planetário para a estrutura atômica, em que os elétrons ocupam determinadas órbitas permitidas
(estados quânticos) distribuídas em torno do núcleo, denominadas níveis de energia estacionários ou não irradiantes
(Figura 1.4-b). Desse modo, os elétrons presentes em um átomo podem apenas absorver ou emitir energia tal que esta
quantidade de energia corresponda à exata diferença de energia entre dois níveis permitidos quaisquer do átomo.
A Figura 1.4-c mostra uma representação gráfica mais prática do modelo de níveis do átomo, onde n = 1,2 ... , 
corresponde ao índice dos níveis (1o número quântico), cada qual com uma energia absoluta En (E1, E2, ... , E).
 n= n energia restante En
n=2 (energia cinética)
 E
4 n=1  fotoionização
e
núcleo
m Em
fóton fóton
3 fotoexcitação emitido
absorvido
E1
2 k Ek
E2 e níveis de e e
1 energia
E estacionários
1 E1

(a) (b) (c)

Figura 1.4: Estrutura atômica de átomos: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo por órbitas de energia
estacionárias, (c) representação mais prática e exemplificação dos mecanismos de emissão e absorção de radiação.

9
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Assim, quando um elétron absorve (emite) energia, este se desloca para um nível permitido de maior (menor)
energia e adquire a energia do nível para o qual se deslocou. Além de radiação, a absorção de energia pelo elétron
pode ser também na forma de calor, campo elétrico e choque de elétrons, porém, a emissão de energia pelo elétron
ocorre sempre na forma de radiação, que pode ser depois emitida ou absorvida pelo material na forma de calor.
A absorção de energia por um elétron para este se deslocar a um nível menor ou igual a E representa o estado
chamado excitado para o elétron. Porém, se a energia absorvida for superior a E , o elétron é ejetado do átomo com a
energia restante, que se converte em energia cinética, resultando na ionização do átomo. No caso da radiação, o estado
excitado do elétron é chamado fotoexcitação e o efeito da ejeção do elétron é chamado fotoionização (Figura 1.4-c).
Em estado excitado, um elétron apresenta sempre a tendência de retornar ao seu nível original (chamado nível
normal ou fundamental) após um certo tempo (tipicamente, 10– 8 s), emitindo o excesso de energia. Neste caso, ao se
deslocar de um nível m de energia Em para um nível k de energia Ek < Em (Figura 1.4-c), o elétron emite uma radiação
com energia Em  Ek , cujo comprimento de onda do fóton correspondente pode ser determinado de forma prática por:
12400
  (1.12)
Em  Ek
onde a energia deve ser fornecida em eV (eV = elétron-volt = 1,6 x 1019 J) e o comprimento de onda em Å. Logo, por
dedução, como a energia necessária a um elétron se deslocar para um outro nível permitido de maior energia deve ser
igual à diferença de energia entre os dois níveis, então a equação (1.12) é válida também para a absorção de radiação.
O retorno de um elétron ao seu nível fundamental pode ser diretamente ou mesmo ocupando provisoriamente
níveis intermediários e emitindo o fóton correspondente em cada etapa. Em qualquer caso, a soma das energias dos
fótons emitidos é igual à energia inicialmente absorvida, de modo a respeitar o princípio da conservação de energia.
Como mencionado, a energia térmica consiste em uma outra forma de excitação ou ionização do átomo. Neste
caso, o quantum de energia a uma temperatura qualquer T é dado por KB T (eV), chamado energia térmica associada a
uma partícula à temperatura T, onde KB = constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 J/K = 8,62 x 10-5 eV/K. Para o caso da
matéria, se a energia térmica absorvida for suficiente para suplantar a chamada barreira de potencial de superfície do
material, então elétrons são ejetados para o meio exterior ao material. Este efeito, denominado Emissão Termoiônica,
constitui-se no mecanismo básico do funcioamento dos triodos a vácuo, precursores dos transistores semicondutores.

Exercício 5: A distribuição de energia do átomo de hidrogênio é dada por: En =  13,6/n2 (eV), n = 1,...,. Pede-se:
a) O elétron do átomo de hidrogênio absorve um fóton de comprimento de onda 973 Å e retorna ao seu nível normal
emitindo dois fótons. Sabendo-se que um deles é de 1216 Å, determine o comprimento de onda do outro fóton.
b) Determine o comprimento de onda limite do fóton para ocorrer fotoionização do hidrogênio. Explique o resultado.
c) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo é incidido um fóton de comprimento de onda 1000 Å.
Solução
A figura abaixo mostra uma esquematização da distribuição de energia dos níveis de um átomo de hidrogênio
com base na equação fornecida. Como o hidrogênio tem apenas 1 elétron, então seu nível fundamental é n = 1.
a) Energia do fóton absorvido: da equação (1.12), tem-se que: n En (eV)
12400 12400 
Em  Ek  Efóton absorvido    12,75 eV 0,0
absorvido 973 5  0,54
que, somado à energia do 1º nível, resulta: –13,6 + 12,75 = – 0,85 eV. 4  0,85
Logo, o elétron é fotoexcitado do 1º para o 4º nível (vide figura). 3  1,51
A energia do fóton emitido conhecido (1216 Å) será dada por: 4863 Å 2,55 eV
12400 12400 2  3,4
Efóton emitido 1    10, 2 eV
fóton emitido 1 1216 12,75 eV
10,2 eV
o que equivale à energia entre níveis 2 e 1 (– 3,4 + 13,6 = 10,2 eV). 973 Å 1216 Å
Assim, o comprimento de onda do 2º fóton emitido corresponde à 1  13,6
e
emissão da diferença de energia entre os níveis 4 e 2 (vide figura):
12400 12400 12400
foton emitido 2  42     4863 Å
E4  E2  0,85  ( 3,4) 2,55
Da Tabela 1.7 pode-se observar então que o elétron do átomo de hidrogênio absorveu uma radiação ultra-violeta
(973 Å está na faixa do UV) e emitiu dois fótons: um UV (1216 Å) e outro na faixa do espectro azul (4863 Å).
b) A energia mínima para ionizar o hidrogênio corresponde à diferença entre a do nível do elétron (1) e . Logo:
12400 12400 12400 12400
 limite      912 Å
Emínima deionização E  E1 0  (13,6) 13,6
Da equação (1.12) observa-se que o comprimento de onda e energia são inversamente proporcionais. Logo, limite é
máximo pois um fóton de comprimento de onda menor tem energia maior que o mínimo para extrair o elétron.
c) Efóton = 12400/1000 = 12,4 eV. Absorvendo este fóton, o elétron se deslocaria para o nível: –13,6 + 12,4 = – 1,2 eV,
que não é um nível permitido. Conclui-se então que o elétron não absorve este fóton, permanecendo no 1º nível.
10
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAÇÃO ELÉTRICA DOS MATERIAIS

Como visto anteriormente, átomos isolados absorvem e emitem radiação eletromagnética em um espectro bem
definido (Figura 1.4-a) e pode-se então conceber um modelo de átomo com base no conceito de níveis de energia
(Figura 1.4-b). De modo similar, em práticas experimentais observa-se que a matéria também absorve e emite um
espectro de radiação de forma discreta, porém esta apresenta amplas “faixas” de comprimentos de onda bem próximos
entre si (Figura 1.5-a). Desse modo, pode-se inferir que elétrons presentes em um meio material podem se deslocar
por combinações de diferenças de energia entre um grande número de níveis permitidos bem próximos entre si.
Esta observação sugere então que, para respeitar o Princípio da Exclusão de Pauli (apenas dois elétrons de spins
contrários por orbital), a matéria comporta-se como se, ao agrupar seus átomos para estabelecer sua estrutura atômica,
cada nível de energia dos átomos se “expandisse” para formar faixas de energia contendo subníveis permitidos muito
próximos entre si, chamadas bandas de energia (Figura 1.5-b). Entre estas faixas, no entanto, ocorrem ainda regiões
com infinitos níveis de energia não permitidos (Figura 1.5-b), vindo a ser denominadas de bandas proibidas (BP).
Para estudos de fenômenos e propriedades dos materiais, tem-se que apenas as duas últimas bandas de energia
permitidas, e a respectiva banda proibida entre as mesmas, apresentam aspectos de interesse (Figura 1.5-b), a saber:
 Banda de valência (BV): assim chamada por conter os elétrons de valência dos átomos constituintes da matéria,
que são, desse modo, os últimos elétrons dos átomos. Estes elétrons, por terem mais energia que os presentes em
bandas abaixo, podem ser mais facilmente excitados por alguma forma de energia e ocupar a banda acima.
 Banda de condução (BC): assim chamada por conter níveis totalmente desocupados e, caso elétrons excitados da
BV vierem a ocupar esta banda, estes adquirem grande liberdade de movimento e podem ser facilmente acelerados
por campos elétricos aplicados ao material, de modo a constituírem correntes elétricas. Desse modo, estes elétrons
comportam-se como portadores de carga com grande liberdade de movimento, denominados elétrons livres.
 Gap de energia: banda proibida situada entre a BV e BC, denominada particularmente por EG (energia do gap).

  Banda de Condução (BC)


m
gap de energia (EG)
nível de valência
k Banda de Valência (BV)

2 2o
banda proibida
o
1 1 banda de energia

(a) (b)

Figura 1.5: Estrutura da matéria: (a) esquema de absorção de radiação, (b) modelo de bandas de energia.
O conceito de bandas de energia é comumente empregado para o entendimento do mecanismo da condução de
corrente elétrica dos materiais. Neste caso, como os elétrons da banda de valência podem absorver energia de modo a
se deslocarem para a banda de condução, se tornando livres, é necessário então fornecer uma energia no mínimo igual
à do gap (EG) e, desse modo, quanto maior o gap, maior será a dificuldade em deslocar elétrons da BV para a BC.
Assim, de acordo com a estrutura de bandas, os materiais podem ser classificados, do ponto de vista elétrico, como:
1) Isolantes: caracterizam-se por apresentar gaps de energia elevados, em torno de 6,0 eV (Figura 1.6-a), o que impõe
grande dificuldade para os elétrons da banda de valência se moverem para a banda de condução, sem que a energia
necessária para estes deslocamentos danifique o material. Logo, estes materiais caracterizam-se por apresentar uma
BV quase preenchida e uma BC praticamente vazia, resultando em uma quantidade de elétrons livres muito baixa
para se constituir uma corrente elétrica utilizável pelo material. Assim, este comportamento qualifica eletricamente
estes materiais como isolantes elétricos, também denominados dielétricos em aplicações capacitivas.
2) Semicondutores: caracterizam-se por apresentar um pequeno gap de energia, em torno de 1 eV (Figura 1.6-b). O
pequeno gap permite a esses materiais apresentar uma BV completamente preenchida e uma BC vazia à baixas
temperaturas, comportando-se nestas condições como isolante elétrico. Porém, com um aumento de temperatura,
elétrons da BV podem absorver energia suficiente e moverem-se para a BC e se tornarem livres, deixando órbitas
vazias na BV, chamadas lacunas, que também se comportam como cargas livres, facultando então ao material
condições para conduzir correntes por meio de dois tipos de portador de carga: elétrons livres e lacunas. Este duplo
comportamento com a temperatura qualifica eletricamente estes materiais como semicondutores elétricos.
3) Condutores: carcterizam-se por apresentar um gap de energia nulo (ou muito pequeno) devido à superposição das
bandas de valência e condução (Figura 1.6-c). Logo, os elétrons da BV podem se encontrar praticamente livres na
BC, ou se deslocarem facilmente para a BC com pouca absorção de energia. Assim, esta abundância de elétrons de
comportamento livre pelos materiais permite a estes conduzir correntes utilizáveis e os qualifica eletricamente
como condutores elétricos, sendo o grau de superposição entre a BV e a BC um indicativo desta capacidade.
11
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

energia energia
energia
BC elétrons livres
BC

EG  6 eV BC
EG  1 eV

BV BV lacunas
BV

(a) (b) (c)

Figura 1.6: Classificação elétrica dos materiais de acordo com a disposição entre bandas
de valência, condução e gap de energia: (a) isolante; (b) semicondutor; (c) condutor.
O montante de corrente elétrica gerada em conseqüência de um campo elétrico aplicado a um material depende
então do número de elétrons livres do material que podem ser acelerados. As energias possíveis de se obter de campos
elétricos são pequenas comparadas aos gap de energia, porém outras formas como óticas ou térmicas, são dessa ordem
e por isso conseguem gerar elétrons livres. Assim, apesar de suas respectivas estruturas de bandas, todos os materiais
descritos apresentam elétrons livres, gerados basicamente por energia térmica, mas semicondutores puros e isolantes
possuem, mesmo assim, quantidades muito pequenas de elétrons livres se comparados aos materiais condutores.

1.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES

O conhecimento adquirido nos estudos das diversas propriedades e fenômenos apresentados pelos materiais,
tem possibilitado avanços tecnológicos para o desenvolvimento de diversos dispositivos no campo da Eletrotécnica,
de grande uso nas sociedades industriais. Este tópico tem o objetivo de dissertar sobre algumas destas aplicações.

1.3.1) PILHAS E BATERIAS

Eletroquímica é a parte da Química que estuda a relação entre corrente elétrica e reações químicas. A oxidação
é parte de um processo químico chamado óxido-redução e consiste na retirada de elétrons dos átomos de um material
por um meio favorável à reação, como por exemplo um eletrólito (solução iônica). Como resultado, tem-se a criação
de íons, que podem fluir para o meio, e elétrons no material. A medida com que um material se oxida, isto é, sua
capacidade de ceder elétrons, é quantificada pelo potencial de oxidação ou eletroquímico, especificado em Volts, onde
um material qualquer será tanto mais corrosível (anódico) quanto maior for seu potencial eletroquímico.
O mecanismo simples de um processo de óxido-redução consiste de e_ e_ e_
dois materiais de diferentes potenciais eletroquímicos, chamados eletrodos, anodo catodo
imersos em um eletrólito e conectados externamente por um fio condutor,
onde os elétrons e íons oriundos da oxidação do material de maior potencial
de oxidação (denominado anodo) fluem para o de menor potencial (catodo) eletrólito
através do fio (elétrons) e do eletrólito (íons), onde são ambos depositados
(redução). Como resultado, tem-se a geração de energia elétrica via corrente cátions
elétrica, devido à diferença de potencial entre os eletrodos (Figura 1.7).
O conjunto de eletrodos e eletrólito resulta então em um dispositivo
Figura 1.7: Pilha galvânica simples.
conversor de energia química em elétrica, chamada pilha eletroquímica ou
galvânica (Figura 1.7), onde a tensão obtida é definida pela diferença entre os potenciais eletroquímicos dos eletrodos.
Pilhas e baterias (conjunto de pilhas) são fontes de tensão contínua formadas por células constituídas de pares
anodo-catodo ligados em série (aumento de tensão) e/ou paralelo (aumento de capacidade de corrente), diferenciadas
por diversas característica como: custo, tensão nominal, capacidade de corrente (Ah), densidade de energia (energia
armazenada por volume), formatos, tamanhos, tempo de carga e auto-descarga, vida útil, tempo de estocagem, etc.
Podem ser classificadas basicamente em dois grupos, descritos a seguir (aparências de alguns tipos na Figura 1.8):
a) Primárias: são aquelas de difícil recarga quando seus reagentes se esgotam. Alguns exemplos mais comuns:
a.1) Pilhas de Leclanché: tipo mais comum, disponível em vários tamanhos (AAA, AA, C e D) com tensão 1,5 V,
possui pequena ampacidade, baixa vida útil e emprego diversos (equipamentos eletrônicos). A pilha tipo B é
uma bateria de 9V, formada pelo conjunto de 6 pilhas de Leclanché em série com tensão 1,5 V cada.
a.2) Pilhas alcalinas: semelhante à pilha de Leclanché, difere desta no uso de um composto alcalino (hidróxido de
potássio) como eletrólito, que diminui a resistência interna da pilha, permitindo então maior ampacidade. São
fabricadas nos mesmos tamanhos, tensão (1,5 V) e possuem os mesmos empregos das pilhas de Leclanché.
a.3) Baterias de lítio: possui alta densidade de energia, pequeno peso e tamanho, descarga constante e longo tempo
de estocagem. São usadas em calculadoras, relógios, etc. Tensão: entre 2 e 3,6 V dependendo do catodo.
12
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

a.4) Baterias de zinco-óxido de mercúrio: pilha de alta capacidade em relação ao seu volume, descarga constante e
boa vida na estocagem. Usada em aparelhos de audição, marca-passos, detectores, etc. Tensão: 1,2 V.
b) Secundárias: são aquelas em que as reações químicas são reversíveis, sendo então capazes de serem recarregadas
forçando-se o processo inverso ao da reação de óxido-redução, chamado eletrólise, para a reparação dos eletrodos.
O processo consiste em conectar uma fonte de tensão CC de valor maior que a nominal da pilha ou bateria, com a
polaridade tal que resulte em uma corrente de sentido contrário ao de descarga destas. As secundárias apresentam
normalmente preço maior que as primárias, mas diluem o custo a longo prazo. Alguns exemplos mais comuns:
b.1) Baterias de chumbo-ácido: possuem diversos tamanhos, elevada auto-descarga e preços comparativamente
baixos. Apresentam problemas de manutenção devido ao eletrólito utilizado (solução de ácido sulfúrico). Tem
amplo emprego em veículos motorizados, instrumentos portáteis, iluminação de reserva, no-breaks, etc.
b.2) Baterias de níquel-cádmio (NiCd): possuem alta densidade de energia, longo ciclo de vida e estocagem, bom
desempenho a baixas temperaturas e pouca manutenção. Necessita ser carregada até sua capacidade total e
descarregada até o mínimo (efeito memória). É utilizada em iluminação de emergência, telefones sem fio, etc.
b.3) Baterias de íon de lítio (Li-ion): possuem elevada ampacidade e densidade de energia, pequeno peso, rápido
carregamento e não apresentam efeito memória. São empregadas em dispositivos que necessitam de elevada
energia para seu funcionamento e pequeno tempo de recarga, tais como equipamentos eletrônicos portáteis
(laptops, celulares, tablets, etc.) e veículos elétricos. Apresentam o dobro da energia que a bateria de hidreto
metálico de níquel (NiMH), esta também de recente desenvolvimento e empregos similares.

(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 1.8: Aparências de pilhas e baterias: (a) alcalina; (b) lítio; (c) chumbo-ácido; (d) NiCd; (e) Li-íon.

1.3.2) LÂMPADAS

Lâmpadas são dispositivos transdutores que transformam energia elétrica em luz, empregadas principalmente
para iluminação de ambientes. Dentre as diversas carcterísticas construtivas que as diferenciam entre si, pode-se citar:
 Rendimento luminoso: indica o quanto da potência absorvida é convertida luz, dado em lm/W (lm = lúmens);
 Reprodução de cor: indica a capacidade da lâmpada em refletir fielmente as cores de um objeto ou superfície;
 Vida útil: indica o tempo médio em horas após o qual a lâmpada se queima ou deixa de emitir luz utilizável.
O efeito luminoso das lâmpadas pode ser provido por um meio sólido (LEDs e tipo incandescente), vapor ou
gás (tipo descarga). Os LEDs serão vistos no Capitulo 6 e os demais tipos são brevemente descritos a seguir:
a) Lâmpadas incandescentes: produzem luz a partir do de um filamento de tungstênio aquecido a temperaturas
superiores a 2000 °C. Constituem-se de um bulbo transparente selado com gás a baixa pressão (argônio, nitrogênio
ou criptônio) para evitar a evaporação do filamento, sendo este conectado a uma base (tipo rosca ou baioneta) por
hastes metálicas (Figura 1.9-a). Apresentam boa reprodução de cor, porém baixo rendimento (17 lm/W) e pequena
vida útil (1000 horas). Além da iluminação de ambientes, são empregadas como fonte de calor para incubação de
ovos, secagem, aquecimento e esterilização, sendo produzidas em diversos formatos (Figura 1.9-b) e potências.
Um aprimoramento são as chamadas lâmpadas halógenas, em que o filamento é confinado em uma ampola de
quartzo contendo gases inertes e elementos halógenos (bromo e iodo), com a finalidade de regenerar o filamento
(exemplo na Figura 1.9-c), obtendo-se uma vida útil de até 4.000 horas e um rendimento de até 25 lm/W.

filamento
bulbo
haste
base tipo rosca
(tipo Edison) base tipo
baioneta
contatos
elétricos
(a) (b) (c)

Figura 1.9: Lâmpadas incandescentes: (a) aspectos físicos; (b) formatos diversos; (c) tipo halógena.

13
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

b) Lâmpadas de descarga: constituem-se basicamente de um envoltório transparente selado contendo dois eletrodos
imersos em certos vapores metálicos (sódio, mercúrio, etc.) e gases nobres (argônio, neônio, etc.) normalmente em
baixa pressão (gases e vapores tornam-se relativamente condutores quando rarefeitos). Produzem luz quando nos
eletrodos é aplicado uma tensão suficientemente alta para ionizar o meio e gerar uma subta corrente elétrica entre
os eletrodos (descarga), cujos elétrons constituintes, uma vez estabelecida a corrente, se chocam com elétrons dos
átomos do gás ou vapor e estes últimos absorvem energia do choque, se deslocam para níveis de maior energia e
produzem luminosidade no retorno aos seus níveis fundamentais. Alguns tipos (aspectos na Figura 1.10):
b.1) Fluorescentes: constituem-se em um tubo de vidro contendo uma gota de mercúrio e argônio a baixa pressão.
Quando conectadas a um circuito, os eletrodos se aquecem e emitem elétrons (efeito termoiônico) que iniciam
a ionização do argônio. Com a aplicação de um pulso de tensão, inicia-se uma corrente elétrica que vaporiza o
mercúrio e este passa a emitir radiação. Como parte dessa radiação consiste na faixa do ultravioleta, então a
parede interna do tubo contém depositada uma substância denominada fluorescente, que absorve esta radiação
e a converte em luz visível. São construídas em diversos formatos (Figuras 1.10-a e b) e apresentam bom
tempo de vida útil (10.000 horas) e rendimento (40 a 60 lm/W). Encontram diversos empregos em iluminação
de ambientes e decoração, bem como em esterilização (tipo com tubo sem revestimento fluorescente).
b.2) Vapor de mercúrio: possuem um tubo de quartzo contendo eletrodos de tungstênio (principais e auxiliar),
um gás inerte e mercúrio sob alta pressão, sendo ainda o tubo envolto por um bulbo de vidro coberto com uma
camada de pó fluorescente. A partida é feita por uma bobina, que inicia um arco elétrico entre os eletrodos
principais e auxiliar, e produz-se energia luminosa. O tempo de partida é muito elevado (cerca de 8 minutos)
mas, devido ao bom espectro para reprodução de cores (luz branco-azulada), preço relativamente baixo, bom
rendimento (até 60 lm/W) e tempo de vida útil (20.000 horas), são utilizadas em larga escala na iluminação de
ruas, praças, parques, estacionamentos, galpões industriais, pátios, postos de gasolina, espaços esportivos, etc.
b.3) Vapor de sódio: semelhante às lâmpadas de vapor de mercúrio, utilizam o princípio da descarga em um tubo
de óxido de alumínio contendo vapor de sódio, envolto por um bulbo de vidro duro. Fabricadas nas variantes
alta e baixa pressão, apresentam rendimento bastante elevado (120 lm/W na versão alta pressão e 200 lm/W na
versão baixa pressão) e boa vida útil (10.000 h), mas emitem luz quase monocromática (amarela alaranjada),
o que resulta em um baixo índice de reprodução de cores. São recomendadas para iluminação de exteriores e
de segurança em locais onde a acuidade visual seja importante mas sem necessidade de distinção de cores, tal
como estacionamentos, auto-estradas, aeroportos e espaços públicos (praças), bem como em situações na qual
a poluição luminosa seja uma restrição ou se pretenda reduzir a interferência da iluminação na fauna noturna.
b.4) Vapor e multivapor metálico: possuem tubo de descarga em alta pressão preenchido com mercúrio, haletos
metálicos (iodetos de índio, tálio e sódio) e gases (argônio e neônio), envolto por bulbo com pó fluorescente.
Apresentam alto rendimento (120 lm/W), alto custo e mesmos empregos das lâmpadas de vapor de mercúrio.
b.5) Luz mista: possuem este nome por constituirem-se de duas fontes de luz: um tubo de descarga de mercúrio
ligado em série com um filamento de tungstênio com a finalidade adicional de limitar a corrente na lâmpada.
Possuem boa vida útil (10.000 h) às custas de baixa temperatura de funcionamento do filamento, resultando
em baixo rendimento (26 lm/W). Contudo, tem a vantagem de não necessitar de reator, podendo ser ligadas
diretamente à rede elétrica. Apresetam boa reprodução de cores e aplicação semelhante às lâmpadas a vapor.
b.6) Lâmpadas de neon: constituem-se de um tubo de vidro contendo principalmente gás neônio a baixa pressão
que emite uma luz vermelha alaranjada, sendo o termo empregado também para dispositivos semelhantes que
contêm outros gases nobres para produzir outras cores. São largamente empregadas como letreiros luminosos.
b.7) Lâmpadas de indução: seu princípio de funcionamento é semelhante aos das lâmpadas de decarga, diferindo
destas pelo fato da corrente ser induzida por um campo magnético de alta frequência (2,65 MHz) produzido
por um circuito eletrônico integrado, não necessitando de eletrodos. Devido à elevada eficiência (70 lm/W) e
tempo de vida (60.000 h), são aplicadas em iluminação de espaços públicos e grandes galpões industriais.

espiral de indução

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)

Figura 1.10: Aparência de diversas lâmpadas de descarga: (a) fluorescentes; (b) vapor de mercúrio; (c) vapor de
sódio tipo tubular; (d) vapor metálico tubular; (e) multivapor metálico; (f) mista; (g) neon; (h) indução magnética.

14
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Comentários:
1) Fluorescência: é a propriedade de certos materiais em emitir luz no espectro visível quando expostos a radiações
de menor comprimento de onda, por exemplo ultravioleta ou raios X. A energia da radiação incidente provoca uma
excitação de elétrons no material que, ao retornarem aos seus níveis, emitem esta energia absorvida na forma de
radiação visível. Assim, o fenômeno da fluorescência só perdura enquanto existir uma fonte de radiação incidente.
2) Fosforescência: é um efeito similar à fluorescência, diferindo desta pelo fato dos elétrons excitados por radiação
voltarem lentamente para os níveis fundamentais, ou seja, emitem luz aos poucos, mesmo após o término da fonte
de radiação. Materiais fosforescentes (por exemplo, sulfeto de zinco) podem então ser aplicados para sinalização
de dispositivos na ausência de luz, tais como interruptores, tomadas, ponteiros de relógios e placas de trânsito.
3) Transdutores: são dispositivos (por exemplo, elementos senores para monitoramento) que convertem parâmetros
físicos (por exemplo, temperatura e pressão) em outro tipo de grandeza física (por exemplo, tensão elétrica).

1.3.3) FIBRA ÓTICA

As fibras óticas têm sido amplamente utilizadas como meio sólido de propagação de informações e dados em
sistemas telefonia e rede de computadores, por meio do guiamento de ondas eletromagnéticas (luz) em seu interior.
Este efeito de guiamento de onda no interior de fibras óticas é baseado na aplicação de dois fenômenos ópticos:
1) Reflexão: quando um raio de luz, propagando-se em um meio qualquer, incide em uma superfície com um certo
ângulo i com a normal à superfície no ponto de incidência, sofre um desvio de um ângulo r = i também com a
normal e continua a se propagar no mesmo meio incidente, diz-se que o raio sofreu reflexão (Figura 1.11-a).
2) Refração: quando um raio de luz, propagando-se em um meio material 1 com velocidade v1, incide em uma super-
fície limitadora de um meio material 2 com um certo ângulo 1 com a normal à superfície, sofre um desvio em sua
direção e passa a se propagar no meio 2 com um certo ângulo 2 e velocidade v2 , diz-se que o raio sofreu refração
(Figura 1.11-b). Neste caso, a fronteira que delimita os meios de propagação de um raio de luz é chamada dióptro.
A medida qualitativa da refração em um meio é chamada refringência, caracterizada por seu índice de refração
absoluto n dado pela razão entre as velocidades c da luz no vácuo e a de propagação v no meio, tal que: n = c/v.
Logo, quanto menor a velocidade da luz em um meio, maior é o seu índice e diz-se que mais refringente é o meio.
O fenômeno da refração da luz é regido pela chamada Lei de Snell-Descartes, definida por (Figura 1.11-b):
sen θ1 v n
 1  2 (1.13)
sen θ 2 v2 n1
ou seja, a razão entre o seno dos ângulos de incidência e refração e entre as velocidades de propagação dos meios é
uma constante igual ao inverso da razão entre os índices de refração absolutos dos meios que formam o dioptro.
Com base na equação (1.13) nota-se que, se n1 > n2 , então 2 > 1 , ou seja, na propagação de um meio de maior
para um de menor refringência, o raio se afasta da normal. Neste caso, o aumento do ângulo de incidência poderá
atingir um valor limite L a partir do qual o raio não mais se refrata e passa a sofrer reflexão total (Figura 1.11-c).

raio de normal (N)


raio de 1 normal (N)
incidência raio de incidência L reflexão
i r reflexão v1 meio material 1 (n1) > L total
meio material 2 (n2) n1 > n2
meio incidente dióptro v2
n2
meio material 2 raio de
refração
(a) (b) (c)
Figura 1.11: Fenômenos ópticos na propagação de um raio de luz: (a) reflexão; (b) refração; (c) ângulo limite.
A possibilidade de ocorrer reflexão total na propagação de um raio de luz de um meio mais refringente para um
menos refringente, permite a obtenção do efeito de guiamento de luz ao longo de um meio material. Fibras óticas, que
consistem de uma aplicação prática deste efeito, constituem-se basicamente de um fio cilindrico formado por um
núcleo de material altamente transparente, envolvido de forma coaxial por uma fina casca de material transparente e
menos refringente que o núcleo, podendo ainda conter uma capa plástica de proteção contra choques mecânicos
(Figura 1.12-a). A casca é normalmente de material plástico, com o núcleo podendo ser de plástico ou sílica altamente
purificada. Desse modo, o sinal de luz a ser transmitido é propagado através do núcleo por reflexão interna total no
dióptro núcleo-casca (Figura 1.12-b). Atualmente, os sistemas ópticos utilizam luz infravermelho, por esta sofrer
menor atenuação que a luz visível, produzida por um dispositivo semicondutor denominado LED laser.
Um sistema de transmissão por fibra óticas (Figura 1.12-c) é formado basicamente por um circuito transmissor,
que converte o sinal elétrico em ótico, um cabo de fibra ótica como meio de propagação do sinal ótico, e um circuito
receptor que converte o sinal ótico novamente em elétrico, além de conectores responsáveis pelas ligações terminais.
O driver, que pode ser um LED laser, fornece o sinal elétrico em condições requerida pelo emissor ótico. O detetor
ótico pode ser um fotodiodo e a interface de saída basicamente amplifica o sinal elétrico e o regenera, se necessário.
15
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

A fibra ótica apresenta diversas vantagens como meio de comunicação, dentre as quais pode-se citar: baixa
atenuação, elevada largura de banda (maior capacidade de transmissão), imunidade a campos magnéticos, baixo peso,
isolação elétrica (não produzem faiscamentos) e segurança (não permitem retirada de sinais sem seu rompimento).
casca
capa
raio de luz

núcleo (nN)
núcleo casca (nC, tal que: nC < nN)
(a) (b) (c)

Figura 1.12: Fibra ótica: (a) constituição física; (b) efeito guiamento de luz; (c) enlace de comunicação ótico.

Exercício 6: Seja um cabo de fibra ótica constituído por um núcleo de índice de refração nN = 1,6 e uma casca de
índice de refração nC = 1,5. Supondo um feixe de luz incidindo na fibra proveniente do ar, num ângulo  com o eixo
da fibra (figura), determine o valor limite de  para que o raio passe a se propagar na fibra por reflexão interna total.
Solução
ar (nAR  1,0) casca (nC = 1,5)
P1
 90 –  P2
fibra ótica
M
núcleo (nN = 1,6)

Pela figura observa-se que o limite do ângulo  é um valor máximo M , abaixo do qual ocorre reflexão interna
total do raio no dióptro núcleo-casca. Aplicando-se então a Lei de Snell-Descartes no ponto P1 (figura), tem-se:
nAR sen(M) = nN sen()   sen() = sen(M)/ nN
pois nAR  1,0. O ponto P2 (figura) representa o limite para a ocorrência da reflexão total do raio de luz. Logo:
nN sen(90  ) = nC sen(90º)  nN [sen(90) cos()  sen() cos(90)] = nC   cos() = nC / nN
Como sen2 () + cos2() = 1 então: [sen(M)/ nN] 2 + (nC / nN) 2 = 1  sen2 (θM )  nC2  nN2 
 sen 2 (θ M )  nN2  nC2  sen(θ M )  nN2  nC2   θ M  arcsen  nN2  nC2 
Assim, para nN = 1,6 e nC = 1,5 tem-se que o ângulo limite M é dado por: M  0,59 rad  33,8º

1.3.4) LASER

O laser, sigla para “amplificação de luz por emissão estimulada de radiação” (Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation), é um feixe de radiação eletromagnética emergente de um meio cujo princípio de funciona-
mento, como seu significado sugere, é baseado em um fenômeno da matéria conhecido como emissão estimulada.
Como visto, um elétron excitado apresenta a tendência de retornar ao seu nível natural, emitindo a diferença de
energia entre os níveis na forma radiação (fótons). Este retorno é bastante lento nas escalas de tempo atômico, mas o
elétron pode ser “estimulado” a retornar mais rapidamente se no mesmo incidir um fóton, que incentiva o elétron a
emitir um fóton de mesmo comprimento de onda e fase do fóton incidido. Os fótons originados da estimulação podem
a seguir estimular outros fótons idênticos, estes últimos estimular outros idênticos, e assim sucessivamente, gerando
um efeito cumulativo que resulta em uma grande quantidade de radiação idêntica emergindo do meio material.
O mecanismo básico de produção de luz laser consiste de
um recipiente chamado cavidade óptica, constituído por paredes superfície bombeamento de energia
internas espelhadas e por uma pequena abertura provida por um espelhada (luz, eletricidade, etc.)
orifício ou um espelho de reflexão parcial, onde é confinado uma
amostra de material sólido, líquido ou gasoso (meio ativo) cons- cavidade
óptica
tantemente excitado por bobeamento de energia (Figura 1.13).
Inicialmente, os elétrons excitados dos átomos do meio ativo meio feixe
ativo laser
produzem fótons no retorno aos seus níveis fundamentais e, ao
serem refletidos pela superfície espelhada de volta ao material,
abertura
estes fótons estimulam uma nova geração de fótons, que também
são re-incididos ao material e estimulam novos fótons e assim
sucessivamente. Após vários passos, uma fração dos fótons con-
tinuamente gerados que se propagam na direção da abertura,
Figura 1.13: Constituição básica de dispositivo
conseguem emergir da cavidade óptica pela abertura e passam a
para a produção de um feixe de luz laser.
constituir então em um feixe de luz laser (Figura 1.13).

16
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Este processo confere então ao feixe laser diversas propriedades especiais, tais como: monocromático (as ondas
que compõem o feixe possuem comprimento onda bem definido), coerente (as ondas oscilam de forma sincronizada,
isto é, estão em fase) e colimado (as ondas propagam-se em uma mesma direção de forma praticamente paralela).
Como meio ativo, que define o comprimento de onda do laser, são empregados diversos materiais, tais como:
Hélio-Neônio (11500 Å), Rubi (6940 Å), Arsenieto de Gálio (6000-11000 Å), Neodímio-YAG (10600 Å), Érbio-YAG
(29400 Å) e Hólmio-YAG (21000 Å), onde o termo YAG é um material sintético dopado semelhante ao diamante.
Comercialmente, o laser pode ser produzido em diversas potências (0,1 - 500 mW) de acordo com a sua vasta
aplicação, tais como: telecomunicações (transmissão de informação via luz acoplada a uma fibra ótica), científicas
(praticamente todas as ciências experimentais tem algum emprego para o laser), indústria e comércio (instrumentos de
corte, soldagem e marcação de peças metálicas, confecções de moldes, impressoras, leitores de código de barras, etc.),
leitura e gravação de dados, informações e conteúdo de entretenimento em CDs e DVDs, medicina e odontologia
(instrumentos de corte cirúrgicos, tratamento de enfermidades, biópsias, pinças ópticas, remoção de cáries), etc.

1.3.5) CÉLULA COMBUSTÍVEL A HIDROGÊNIO

Célula combustível (Fuel Cell), também chamada de célula a combustível (CaC) ou célula de combustível, é
um dispositivo em que um agente redutor (combustível) e um agente oxidante (comburente) são consumidos de forma
a converter a energia química da reação envolvida diretamente em energia elétrica. A estrutura básica de uma célula
combustível constitui-se de um eletrodo negativo (anodo), que é alimentado com um gás combustível, um eletrodo
positivo (catodo), que recebe o comburente, e um eletrólito com a função de transportar para o cátodo os íons gerados
no anodo, além de catalizadores introduzidos nos eletrodos para aceleração das reações eletroquímicas. Como resul-
tado destas reações, pode-se obter a produção de corrente elétrica por um fio externo ao sistema (Figura 1.14).
O modelo de célula combustível de maior desenvolvimento atual utiliza o hidrogênio (combustível) e oxigênio
(comburente) como reagentes, uma membrana polimérica condutora
de prótons como eletrólito (denominada PEM) e lâminas de carbono e_ e_ e_
(eletrodos) revestidos de platina (catalizador). O hidrogênio (na forma
pura ou extraído de um outro combustível) é introduzido no anodo da H2 eletrólito c O2
a
célula, sofre oxidação no catalisador e dissocia-se em prótons (íons a
n
H+) e elétrons. Os íons H+ são então conduzidos através da mem- t
o H+
o
brana até o catodo e os elétrons percorrem um fio externo na forma de d H+ d H2O
corrente elétrica devido à diferença de potencial estabelecida entre os o
o
H2 +
eletrodos (Figura 1.14), decorrente da diferença de concentração de H+ calor
elétrons. O oxigênio fornecido ao catodo, por sua vez, reage com os
íons H+ provenientes do eletrólito e os elétrons provenientes do fio
Figura 1.14: Esquema simplificado de uma
externo, produzindo vapor d’água (Figura 1.14). Na prática, cada par
célula combustível a hidrogênio.
eletrodos/eletrólito produz cerca de 1 V de tensão CC e pares podem
ser conectadas em série para a obtenção de maior tensão, e/ou em paralelo para a obtenção de maior corrente.
As tecnologias de maior desenvolvimento na atualidade consistem nas das células de membranas poliméricas
(chamadas PEFC), bem como nas de óxido sólido ou cerâmicos (SOFC) e nas de carbonato fundido (MCFC).
As células combustível têm a vantagem de serem pouco poluentes e altamente eficientes, podendo ser utilizadas
como sistemas de emergência e fonte de energia elétrica em aparelhos portáteis (celulares, notebooks e automóveis) e
em regiões com carência de rede elétrica. No entanto, o emprego do hidrogênio como combustível apresenta ainda
vários problemas práticos a serem superados. O hidrogênio é altamente inflamável, o que exige o desenvolvimento de
tecnologias para o reabastecimento seguro das células. Além disso, este gás não se constitui em uma fonte primária de
energia, pois precisa ser fabricado a partir de outras fontes, tais como gasolina, gás natural, metanol, óleos, biomassa
gaseificada, etc., necessitando-se para isso o consumo de outra forma de energia (por exemplo, térmica ou elétrica).
Embora células combustível e pilhas eletroqúimicas produzam energia elétrica sem a necessidade de combustão
ou dispositivos rotativos e tenham componentes e características similares, elas diferem no sentido de que todos os
ingredientes necessários para as pilhas funcionarem estão contidas em seu invólucro, razão pela qual são dispositivos
de armazenamento de energia. As células combustível, por sua vez, empregam dois agentes químicos (combustível e
comburente) fornecidos de fontes externas ao sistema e, desse modo, podem produzir continuamente energia elétrica
enquanto for mantido o provimento destes ingredientes, isto é, funcionam como dispositivos de conversão de energia.

1.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja dois fios 1 e 2 de mesmo material e peso desprezível. O fio 2 tem 6 cm comprimento. O fio 1 tem o
dobro do comprimento e diâmetro do fio 2. No fio 1 é suspenso um cubo de cobre e, no fio 2, um cubo de material M,
cuja aresta é a metade do cubo de cobre (vide figura). Sabendo-se que o comprimento final do fio 1 é 12,08 cm e do
fio 2 é 6,009 cm, determine a massa específica do material M. Considere temperatura ambiente (20 oC).

17
Capítulo 1: Tópicos introdutórios

Problema 2: Sejam dois líquidos miscíveis 1 e 2, de massas específicas 1,1 g/cm3 e 0,9 g/cm3, respectivamente. Qual
a massa específica de uma mistura homogênea composta, em volume, por 60 % de líquido 1 e 40 % de líquido 2?

Problema 3: A figura fornecida mostra a variação do comprimento de duas barras de materiais A e B, em função do
incremento de temperatura T. Compare os coeficientes de dilatação linear dos materiais e obtenha conclusões.

Problema 4: Seja uma placa metálica com um furo no centro (figura dada), cujas dimensões à temperatura de 20 oC
são fornecidas na figura. Determine a variação percentual da área do furo quando a placa sofre um aquecimento até à
temperatura de 520 oC. Dado: coeficiente de dilatação linear do material da placa:  = 2 x 10–5 oC –5.

Problema 5: A massa específica de certo material sólido é igual a 5,015 g/cm3 a 25 oC e 5 g/cm3 a 75 oC. Determine
o coeficiente de dilatação térmica linear deste material, supondo este independente da temperatura.

Problema 6: A figura dada mostra dois pilares de materiais A e B à temperatura inicial de 20 oC, que suportam uma
plataforma P inclinada com um ângulo de 1o. Determine a temperatura final dos pilares A e B tal que a inclinação da
plataforma seja de 0o. Dados: coeficientes de dilatação linear dos materiais: A = 10–5 oC -1 ; B = 4 x 10–5 oC –1.

Problema 7: Uma esfera de alumínio tem, a 25 oC , um diâmetro de 5 cm. Determine a temperatura que esta esfera
pode ser aquecida para que a mesma ainda consiga passar por um orifício circular de 5,03 cm de diâmetro.

Problema 8: Seja, a 20 oC, uma barra de cobre de comprimento desconhecido e uma barra de alumínio de 3,4 cm de
comprimento. Submetem-se ambas as barras a mesma variação de temperatura e observa-se que a diferença entre os
comprimentos das barras se mantém constante. Determine o comprimento da barra de cobre a 20 oC.

Problema 9: Sejam 3 barras isoladas termicamente, conectadas e submetidas às temperaturas em suas extremidades
tal como mostrado na figura fornecida. A área da seção de cada barra é 1 cm2. Pede-se: determine a temperatura TJ na
junção das barras, o valor e o sentido da corrente térmica em cada barra, e a resistência térmica das barras. Dados:
condutividade térmica dos materiais: K1 = 0,18 cal/oC cm s , K2 = 0,12 cal/oC cm s e K3 = 0,084 cal/oC cm s.
P
lA, lB (cm)
0,5 m 1o 12 cm
A retas
15 A
g 2 paralelas 0,5 cm 10 oC 50 oC
1 B 1 cm 3m 1 2 15 cm
12 1m TJ
M 10 cm 3 30 cm
Cu 5 cm B
0 T( C)o
80 oC
Problema 1 Problema 3 Problema 4 Problema 6 Problema 9

Problema 10: Sejam dois corpos de materiais A e B de mesmo volume. Sabe-se que o calor específico do material A
é 60% maior que do material B e a massa específica de A é 80% de B. Fornecido a mesma quantidade de calor aos
dois corpos, determine qual corpo é submetido à maior variação de temperatura e a diferença percentual das mesmas.

Problema 11: A afirmação: “o elétron emite continuamente energia ao retornar ao seu nível fundamental, de forma a
obedecer a teoria quântica”, está correta? Explique sua resposta.

Problema 12: Para um elétron situado no 4o nível de energia de certo átomo, esquematize os caminhos (combinações
de etapas) que este poderá percorrer no retorno ao 1o nível e identifique quantos tipos de fótons ele poderá emitir.

Problema 13: Seja um átomo hipotético cuja distribuição de energia dos níveis é dada pela equação: En =  36/n2 ,
onde n = 1,2,..., é o índice dos níveis. Para um elétron situado no 2o nível deste átomo, pede-se:
a) O elétron absorve um fóton e, ao retornar ao seu nível, emite dois fótons de comprimentos de onda 28181,8 Å e
1640,2 Å. Determine o comprimento de onda do fóton absorvido e o caminho percorrido pelo elétron até seu nível.
b) Explique o que acontece com o elétron se no mesmo incidir um fóton de comprimento de onda 1240 Å.
c) Determine o comprimento de onda limite para o elétron sofrer fotoexcitação e explique se é mínimo ou máximo.
7,2 m
Problema 14: A figura dada mostra uma plataforma circular de diâmetro 7,2 m, que flutua
em águas cuja velocidade de propagação da luz é 2,4 x 108 m/s. Determine a profundidade
hlim
limite hlim abaixo do centro da plataforma, que um peixe deve se posicionar para que não seja
visto de nenhuma posição fora d’água. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

18
CAPÍTULO 2: MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES
Materiais ditos condutores elétricos são definidos como todo meio material que permite o estabelecimento de
um fluxo utilizável de cargas livres por sua estrutura compatível com a tensão aplicada. A Eletrotécnica faz uso destes
materiais para o transporte de energia na forma de corrente elétrica e sua transformação em outras formas, tais como
mecânica, térmica e luminosa, bem como para armazenamento de energia, ações de comando e propagação de sinais.
Este capítulo tem como objetivo realizar um breve estudo sobre os materiais condutores, suas características e
aplicações em componentes elétricos, bem como dissertar sobre alguns tópicos complementares ao assunto.

2.1) FENÔMENO DA CONDUÇÃO ELÉTRICA

O fenômeno da condução elétrica em um meio material é qualificada pela propriedade condutividade elétrica.
A chamada resistência elétrica refere-se à quantificação desta propriedade em uma amostra de material e dependente
de parâmetros próprios do material, tais como temperatura, impurezas e imperfeições, bem como do comportamento
no tempo da corrente elétrica circulante pela amostra do material. Estes assuntos são abordados a seguir.

2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTÊNCIA ELÉTRICAS

O movimento ordenado de portadores de carga livres em um meio material (elétrons e íons) é chamado corrente
elétrica, sendo o montante desta corrente proporcional à quantidade dos portadores livres disponível no material. A
qualidade condutora de um material reside então na sua capacidade de conduzir um fluxo de carga utilizável, o que
em Eletrotécnica se resume a não considerar como efetivas ou válidas correntes de ordem inferior a microampéres.
Como visto no Capítulo 1, os materiais ditos condutores elétricos caracterizam-se por apresentar suas bandas de
valência e condução superpostas, o que resulta em uma grande quantidade de elétrons com liberdade de movimento
por estarem na banda de condução, os chamados elétrons livres. Assim, a elevada disponibilidade de elétrons elétrons
livres permite a condução de correntes elétricas substanciais em amostras destes materiais e, portanto, utilizáveis.
Seja uma amostra de comprimento e área A de certo material condutor contendo N elétrons livres disponíveis
(Figura 2.1-a). Na ausência da influência de um agente externo, estes elétrons apresentam um movimento totalmente
randômico motivado apenas pela agitação térmica (Figura 2.1-a) e não se constituem em um deslocamento ordenado
de carga elétrica em qualquer direção. Contudo, o estabelecimento de um campo elétrico E no interior da amostra, em
conseqüência de uma tensão V aplicada entre suas extremidades, impõe uma força elétrica F   e E aos elétrons
livres e determina um movimento preferencial a estas cargas, que passam a se deslcoar pela amostra a uma velocidade
média v (devido à maior ou menor probabilidade de colisões com elétrons estacionários da rede) de sentido contrário
ao campo, denominada velocidade de deriva (Figura 2.1-b). Como resultado da aplicação do campo elétrico, tem-se
então o estabelecimento de uma corrente elétrica no material, chamada corrente de condução, de deriva ou de campo.
N elétrons livres V V

e e v e
v e v<0

e 
v e e<0 E,J
e e E
A A A
e v e v e
e v e v e e>0
v>0

x x x
(a) (b) (c)

Figura 2.1: Fenômeno da condução elétrica nos materiais: (a) cargas livres em movimento randômico; (b) tensão
aplicada e consequentes campo elétrico e corrente elétrica; (c) densidade de corrente de condução resultante.
Supondo t o tempo médio necessário a um elétron livre percorrer a amostra de comprimento , então pode-se
estimar a velocidade média v dos elétrons livres como: v =  /t, por esta ter sentido contrário ao eixo x. Sendo uma
corrente elétrica definida como a variação de carga com o tempo (Q/t), então a corrente elétrica I na amostra de
material condutor, resultante do movimento ordenado de seus N elétrons livres disponíveis, pode ser determinada por:
Q Nq N  ( e) N ev
I     I
t t (  / v)
ou seja, o montante da corrente de condução indenpende do sinal do portador de carga livre (Figura 2.1-c). Logo, este
resultado pode ser obtido considerado-se o movimento de cargas positivas, cujo sentido é chamado convencional.
Definindo densidade de corrente de condução, deriva ou de campo J como a corrente que flui através da área A
da seção transversal ao fluxo de portadores (J = I /A), então a densidade de corrente na amostra será dada por:

19
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

I N ev
J  
A A
Seja n a chamada concentração de elétrons livres de um material, definida como o número de elétrons livres por
unidade de volume. Como há N portadores livres disponíveis em um volume A da amostra, então a concentração n
do material da amostra será dada por: n = N / A. Assim, a densidade de corrente J pode ser reescrita como:
N
J  ev   J  n e v (2.1)
A
Seja n = v/E (m2/Vs) a propriedade mobilidade dos elétrons livres de um material, que descreve a velocidade
média destes portadores por unidade de campo aplicado. A densidade de corrente J pode então ser redefinida como:
J  n e v  n e μn E  σ E (2.2)
Na equação (2.2), conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial, o termo resultante  definido por:
σ  n e μn (2.3)
é chamado condutividade elétrica (S/m, S = Siemens) e expressa a facilidade com que cargas livres podem fluir por
um meio material quando este é submetido a uma tensão, ou seja, sua capacidade em conduzir correntes de condução.
Com base na equação (2.2), observa-se que o vetor densidade de corrente tem sempre o sentido do vetor campo
elétrico aplicado pois, como visto, a corrente não depende do sinal do portador de carga considerado (Figura 2.1-c).
A propriedade inversa à condutividade, ou seja, que define a oposição ou dificuldade imposta por um material à
circulação de corrente por seu meio, é chamada resistividade elétrica  (m), definida então por:  = 1/ = 1/n e n .
Como um campo elétrico é definido como o gradiente de potencial elétrico aplicado a um meio material, ou
seja, a variação de potencial ao longo do meio (V/x), tem-se que o campo E na amostra devido à tensão V aplicada
entre as extermidades distantes pode ser determinada por E = V/ . Logo, manipulando-se a equação (2.2), tem-se:
I I V 1
J   E    V I   I   V RI (2.4)
A A  A A
onde a equação resultante é chamada Lei de Ohm na forma escalar e o termo R =  /A dependente da geometria da
amostra representa uma avaliação quantitativa da resistividade do material denominada resistência elétrica ().
Para o caso de uma amostra submetida a uma tensão constante em suas extremidades, tem-se como resultado
uma corrente também constante (corrente contínua, dita CC), cuja densidade de corrente ocupa uniformemente toda a
área transversal A da amostra. Neste caso, a chamada resistência elétrica à corrente contínua RCC se resume a:

RCC   () ou RCC  ( / m) , para  1m (2.5)
A A
onde a segunda equação (por unidade de comprimento) tem emprego prático na indústria de fios e cabos condutores.
Cabos elétricos constituem-se de um conjunto de fios de mesma seção ou não, que usualmente são encordoados
(trançado helicoidal) para melhor conformação mecânica. Logo, os fios são mais longos que o cabo e pode-se corrigir
seus comprimentos por um multiplicador empírico chamado fator de encordoamento fe, que convencionalmente será:
 Para cabos com até 3 fios: comprimento dos fios em média 1% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,01.
 Para cabos com mais de 3 fios: comprimento dos fios em média 2% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,02.
Assim, a resistência CC de um cabo elétrico com nfios de área Afio cada e comprimento será determinada por:
fio  fe fe
Afio RCC , cabo   ( ) ou RCC , cabo   ( / m ) (2.6)
Afio  n fios Afio  n fios
nfios

Comentários: a seguir são feitas algumas obervações sobre a condutividade dos materiais em geral e da resistência.
1) O tipo de portador de carga livre em condutores sólidos são exclusivamente elétrons, nos líquidos (eletrólitos) são
exclusivamente íons e apenas os condutores gasosos (plasmas) apresentam elétrons e íons como portadores livres.
2) A concentração n elétrons livres nos metais é aproximadamente 1023 cm-3. Como comparação, a concentração de
elétrons livres nos isolantes é da ordem de 106 cm-3, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 1010 cm-3.
3) Como a resistência é proporcional ao comprimento, então fios resistivos podem ser empregados como sensores de
deformação elástica de peças em equipamentos de medição, denominados extensômetros por resistência elétrica.

Exercício 1: Seja um fio metálico de 2,5 mm2 conduzindo corrente contínua de 16 A . Supondo uma concentração de
elétrons livres no metal típica da ordem de 1023 cm-3, determine a velocidade de deriva (v) dos elétrons neste fio.
Solução
 Com base na equação (2.1), tem-se então que: J = I/A = n e v   v = I/(n e A)
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm2 = 2,5 x 10 -6 m2 ; n = 1023 cm-3 = 1029 m -3 ; e = 1,6 x 10-19 C
 Portanto: v  16 / 10  1,6 10  2,5  10 
19 6 4
29
  v  4  10 m / s
A esta velocidade, um elétron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva é muito pequena comparada com a velocidade de propagação de onda de um campo elétrico ao
longo do fio (propagação de um sinal de tensão), que é cerca da velocidade das ondas eletromagnéticas (3 x 108 m/s).

20
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTÊNCIA ELÉTRICA

A resistência elétrica depende de fatores que influenciam no valor da resistividade do material da amostra, tais
como impurezas, imperfeições e temperatura, bem como do comportamento do sinal de corrente elétrica no tempo,
que influencia diretamente o valor da resistência da amostra. Estes aspectos são estudados nos itens a seguir.

2.1.2.1) Impurezas e imperfeições no material

A presença de impurezas em materiais condutores, notadamente


nos metais, provoca alterações na disposição cristalina do material, cuja  (x 10-8 .m)
irregularidade dificulta a passagem dos elétrons. Logo, a resisitividade sentidos de maior pureza
dos metais diminui com o aumento do seu grau de pureza. Desse modo, 60
ligas metálicas tendem a apresentar resistividade maior que a dos metais 50
componentes. Por exemplo, a Figura 2.2 mostra a variação da resistivi- 40
dade de uma liga de cobre e níquel, onde observa-se que a resistividade 20 7,2
do Constantan é maior que a do cobre e do níquel puros (Tabela 2.1). 1,7
0
Similarmente, a presença de imperfeições na rede cristalina do 100 80 60 40 20 0 % Cu
material originadas quando de sua cristalização ou pela deformação por 0 20 40 60 80 100 % Ni
ação de forças mecânicas aplicadas ao material (por exemplo, processos Constantan
de laminação a frio ou trifilação), acarretam também em irregularidades
na rede cristalina que causam um aumento da resistividade do material. Figura 2.2: Variação da resistividade de
Estas imperfeições alteram características mecânicas do material, como uma composição de cobre com níquel.
por exemplo aumento de sua dureza, sendo este problema amenizado
mediante um tratamento térmico denominado recozimento. Por exemplo, o cobre do tipo laminado a frio apresenta
resistividade elétrica mais elevada que a do tipo fundido devido aos esforços mecânicos usados em sua fabricação.

Comentário: dentre os processos de conformação mecânica e acabamento dos materiais, pode-se citar:
 Recozimento: tratamento térmico que consiste em aquecimento e resfriamento lento para alívio de tensões internas
de um material para diminuição de sua dureza devido, por exemplo, ao chamado encruamento (endurecimento).
 Extrusão: processo de fabricação por compressão a frio ou a quente, que consiste na saída forçada de uma peça em
um molde para a obtenção da forma desejada (exemplos: tubos e encapamento de fios). Provoca encruamento.
 Trifilação: processo de fabricação por deformação a quente, que consiste em forçar a passagem de uma amostra de
material por uma matriz sob esforço de tração, de modo a sofrer deformação plástica. Tem por objetivo reduzir a
seção do material e aumentar seu comprimento para produzir, por exemplo, fios. Este processo aumenta bastante a
resistência à tração e à fadiga do material da peça, porém resulta em um aumento da dureza do material.
 Usinagem: processo de submissão de um material bruto à ação de uma máquina e/ou ferramenta, de modo a ser
trabalhado, tal como serramento, aplainamento, torneamento, fresamento, furação, eletroerosão, etc.
 Prensagem: aplicação de pressão para a operação de conformação de peças baseada na compactação, com aditivos
ou não, de materiais inseridos no interior de uma forma rígida ou de um molde flexível.
 Esmerilhagem: processo de desgaste e polimento de peças por meio da rotação de uma pedra circular muito dura.

2.1.2.2) Temperatura

Com base na equação (2.3), observa-se que a condutividade elétrica de um material depende da concentração e
mobilidade de seus elétrons livres. Para materiais condutores puros (notadamente os metais), aproximadamente todos
os elétrons de valência são livres devido à superposição de bandas, resultando em uma concentração de elétrons livres
praticamente constante. Porém, um aumento da temperatura acarreta em maior vibração da rede cristalina do material,
o que causa um aumento das colisões entre elétrons em movimento e elétrons fixos da rede, com consequente perda
de mobilidade dos elétrons livres e maior aquecimento do material por Efeito
Joule. Logo, com a concentração de elétrons livres praticamente constante, a R ()
diminuição na mobilidade destes elétrons devido à elevação da temperatura RT2
acarreta em um aumento da resistividade do material e, conseqüentemente, R
resulta no aumento da resistência elétrica de uma amostra deste material. 
RT1
Para as faixas de temperaturas normais de trabalho dos materiais em
T
geral, o gráfico típico da variação da resistência com a temperatura de uma
amostra apresenta um comportamento praticamente linear (Figura 2.3). Logo, 0
T1 T2 T(oC)
para uma amostra de comprimento e seção transversal A de certo material
submetido a variações de temperatura, pode-se determinar a declividade do Figura 2.3: Variação da resistência
segmento linear do gráfico como uma medida da dependência da resistência elétrica com a temperatura.
da amostra de material com a temperatura, definida então por:
21
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

R R  RT1
tg    T2
T T2  T1
Como visto, esta declividade representa o comportamento da amostra com a temperatura e não do material da
amostra. Neste caso, supondo desprezível as variações nas dimensões e A da amostra quando esta é submetida a
uma variação de temperatura (dilatação volumétrica desprezível) então, dividindo-se ambos os lados da equação da
declividade pela resistência elétrica a uma temperatura qualquer de referência, por exemplo T1 (RT1), obtém-se:
tg  1 RT2  RT1 1 T2 / A  T1 / A 1 T2  T1
    T 1
RT1 RT1 T2  T1 T1 / A T2  T1 T1 T2  T1
onde observa-se agora que o termo T1 (unidade: oC–1) assim definido independe da geometria da amostra de material.
Com base no resultado, pode-se então determinar a resisitividade do material à temperatura qualquer T2 , tal que:
1 T2  T1
  T1  T2  T1  T1  T1 T2  T1    T2  T1  1   T1 T2  T1   (2.7)
T1 T2  T1
Com base na equação (2.7), observa-se que o termo T1 consiste em um fator de correção da resistividade do
material da amostra com variação da temperatura. Assim, conclui-se que T1 representa uma propriedade do material,
chamada coeficiente de temperatura da resistividade ou coeficiente de variação da resistividade com a temperatura.
Adotando-se T1 = 20 oC como temperatura padrão, pode-se então determinar a resistividade de um material a
uma temperatura qualquer T (T) a partir de dados tabelados de resistividade dos materiais a 20 oC, de modo que:
T  20 [ 1  α20 T  20  ] (2.8)
Desse modo, para uma amostra de material de comprimento e seção transversal A submetida a uma variação
de temperatura, a resistência da amostra à temperatura qualquer T (RT) a partir da referência 20 oC será dada por:
T  / A  20  / A [ 1  α20 T  20  ]   RT  R20 [ 1  α20 T  20  ] (2.9)
A Tabela 2.1 apresenta a resistividade e o coeficiente de variação da resistência com a temperatura para alguns
materiais a 20 oC. Com base nos dados da tabela, observa-se que, de acordo com o módoulo e sinal do coeficiente de
temperatura, ocorrem basicamente três classificações para o comportamento da resistividade elétrica dos materiais:
 PTC: a resistividade do material aumenta com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente é positivo ( > 0).
Este comportamento é basicamente encontrado nos metais puros em geral (Tabela 2.1) e na maioria de suas ligas.
 NTC: a resistividade do material diminui com o aumento da temperatura, ou seja o coeficiente é negativo ( < 0).
Este é o caso do grafita (Tabela 2.1), de algumas ligas metálicas resistivas, dos semicondutores e dos isolantes.
 Termoestável: a resistividade do material praticamente não se altera com a variação de temperatura, ou seja, o
coeficiente de temperatura é muito pequeno ou nulo (  0). Na Tabela 2.1 tem-se como exemplo o constantan,
que apresenta um coeficiente de temperatura ( 10– 6) muito inferior comparado a outros materiais ( 10– 3), isto é,
o comportamento de sua resistência com a temperatura apresenta uma declividade praticamente desprezível.

Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais a 20 oC.


Condutor  (Ωm)  (oC1) Condutor  (Ωm)  (oC1)
prata 1,6 x 10-8 3,8 x 10-3 níquel 7,8 x 10-8 6,0 x 10-3
cobre 1,7 x 10-8 3,9 x 10-3 ferro 10 x 10-8 5,5 x 10-3
ouro 2,4 x 10-8 3,4 x 10-3 platina 10,5 x 10-8 3,0 x 10-3
alumínio 2,8 x 10-8 4,0 x 10-3 constantan 50 x 10-8 8,0 x 10-6
tungstênio 5,0 x 10-8 5,2 x 10-3 grafita 14 x 10-6 – 5,0 x 10-4

Exercício 2: Seja um cabo constituído por 19 fios de alumínio de seção circular com 1,6 mm de diâmetro. Pede-se:
a) Determine a resistência à corrente contínua de um fio do cabo por quilômetro a 50 oC ;
b) Determine a resistência à corrente contínua do cabo por quilômetro a 50 oC ;
Solução
Da Tabela 2.1, tem-se para o material alumínio a 20 oC que: Al, 20C = 2,8 x 10–8  m , Cu, 20C = 4,0 x 10–3 oC -1
a) Cálculo da resistência à corrente contínua de um fio do cabo de alumínio em /km e a 50 oC :
 Raio de um fio do cabo: rfio = 1,6 / 2 mm = 0,8 mm = 8 x 10– 4 m
 Resistividade do alumínio a 50 oC : da equação (2.8) tem-se que:
ρAl,50 oC  ρAl,20 oC 1   Al,20 oC T  20  2,8  108 1  4  103  50  20   3,14  108  m
 
 Da equação (2.5) tem-se então que, para  1000m (1 km), a resistência RCC do fio a 50 oC será dada por:
1000 Ω
RCC, fio,50 oC  ρAl,50 oC  3,14  108  15,6
fio

Afio   8  10  4 2 km
 Este resultado pode ser também calculado aplicando-se diretamente a equação (2.9), ou seja:

22
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores


RCC, fio,50 oC  RCC, fio,20 oC 1  α Al, 20 oC ( T  20)   ρAl,20 oC 1  α Al, 20 oC ( T  20)   15,6
fio
  π rfio
2
km
b) Cálculo da resistência à corrente contínua do cabo de alumínio em /km e a 50 oC : como nfios = 19 > 3, então o
fator de encordoamento do cabo será: fe = 1,02. Da equação (2.6) tem-se, para  1000m (1 km), que:
fio  fe 1000  1,02 Ω
RCC,cabo,50 oC   Al ,50 oC  3,14  108   0,84
 rfio  n fios   8  104   19
2 2
km

2.1.2.3) Efeito pelicular

Como concepção espacial, a densidade de corrente em uma amostra de material pode ser esquematizada por
infinitas “linhas de corrente” distribuídas pela área da amostra transversal ao fluxo da corrente (Figura 2.4-a). No caso
de correntes constantes no tempo, tem-se que as linhas de corrente se distribuem uniformemente pela amostra e, desse
modo, a densidade de corrente ocupa toda a seção da amostra (Figura 2.4-a), razão pela qual considera-se a área total
A no cálculo da resistência à corrente contínua (RCC) dada pela equação (2.5). Contudo, para correntes variantes no
tempo, a equação (2.5) pode apresentar resultados bastante imprecisos devido ao chamado efeito pelicular ou skin.
Da teoria do Eletromagnetismo, sabe-se que toda corrente elétrica produz campo magnético e, no caso de uma
corrente variante no tempo (por exemplo: corrente alternada, dita CA), esta produz um campo magnético também
variante no tempo. Sabe-se também que as linhas de fluxo magnético variante no tempo induzem tensão elétrica,
chamada força eletromotriz (fem), em qualquer material imerso no campo (Lei de Faraday: fem = – d/dt), inclusive
no próprio meio por onde circula a corrente. Como resultado, se o meio material prover um caminho, a fem induzida
produz corrente elétrica no material de sentido tal a fazer oposição ao fluxo magnético que a produziu (lei de Lenz).
Seja então uma amostra de material percorrido por corrente alternada, cujas linhas de corrente produzem linhas
de fluxo magnético alternado que envolvem também outras linhas de corrente (Figura 2.4-b). Logo, estas linhas de
fluxo magnético podem produzir forças eletromotrizes inclusive internamente à amostra. Como cada seção infinite-
simal transversal às linhas de corrente constitui-se em um meio material para a indução de correntes em resposta às
fem’s induzidas, então observa-se que as correntes induzidas tendem a intensificar as linhas de corrente mais externas
da seção do condutor, mas tendem a se opor às linhas mais internas (Figura 2.4-b). Como resultado, os elétrons em
movimento são forçados a se deslocarem para áreas mais externas da seção da amostra, causando um efeito em que as
linhas de corrente diminuem gradativamente da seção externa para a interna (Figura 2.4-c), chamado efeito pelicular.
Assim, pode-se observar que o efeito pelicular provoca uma desuniformidade na densidade de corrente e, desse
modo, a área efetivamente ocupada por uma corrente alternada é menor do que a ocupada por uma corrente contínua.
Como a resistência depende inversamente da área, conclui-se então que a resistência de uma amostra de material à
passagem de corrente alternada (RCA) poderá ser consideravelmente maior que a resistência à corrente contínua (RCC).
corrente 63% 
induzida
linhas de
J linha de J r
corrente
fluxo
magnético
linha de corrente original película
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.4: (a) Densidade de corrente contínua; (b) efeitos de correntes induzidas nas linhas de corrente originais;
(c) densidade de corrente CA não uniforme e o efeito pelicular; (d) profundidade de penetração e área efetiva.
Análises teóricas têm demonstrado que, quando a seção transversal de um condutor é muito maior que a área
efetivamente ocupada por uma corrente alternada, a densidade de corrente diminui exponencialmente a partir da
superfície. Neste caso, pode-se obter uma avaliação quantitativa da resistência apresentada pela amostra de material
considerando-se que a densidade das linhas de corrente alternada está concentrada e distribui-se uniformemente por
apenas uma película de espessura  correspondente ao decréscimo de 63% da densidade de corrente em relação à
superfície (Figura 2.4-d). Esta espessura, chamada profundidade de penetração, é definida analiticamente por:

  (2.10)
 f 
onde  (m) é o valor da profundidade, f (Hz) é a freqüência do sinal de corrente alternada que percorre a amostra de
material e  (m) e  = r o (H/m) são, respectivamente, a resistividade e a permeabilidade magnética do material
da amostra, sendo o a permeabilidade do vácuo (o = 4 x 10-7 H/m) e r a permeabilidade relativa do material.
Pela equação (2.10) observa-se então que o efeito pelicular será tanto mais pronunciado ( menor) quanto mais
permeável magneticamente () for o material, pois maior é a concentração de fluxo magnético no interior do material
(), e maior for a freqüência f da corrente que o percorre (f ≡ d./dt), pois maiores são as fem’s auto-induzidas (d/dt).
23
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Logo, o conceito de profundidade de penetração propicia uma forma de avaliação simplificada da resistência à
corrente alternada, bastando adequar a equação (2.5) para considerar a área da película como a efetivamente ocupada
pela corrente CA. Assim, para um condutor de seção circular de raio r em que se observa um efeito pelicular bastante
pronunciado, tal que r >>  , a área da película (Figura 2.4-d) pode ser aproximada para um retângulo de comprimento
2 r e altura  e, desse modo, a área da película pode ser determinada aproximadamente por: 2  r .
Assim, com base na equação (2.5), a resistência RCA à passagem de corrente alternada que um fio condutor de
seção circular de raio rfio e comprimento efetivamente apresenta pode ser determinada aproximadamente por:

RCA   () ou RCA  ( / m) (2.11)
2  rfio  2  rfio 
Similarmente, a resistência CA de um cabo com nfios de raio rfio e comprimento fio cada será determinada por:
fio  fe fe
RCA   () ou RCA   ( / m) (2.12)
 2  rfio    n fios  2  rfio    n fios
O efeito pelicular é tanto mais pronunciado quanto maior a área do fio ou cabo. Logo, em cabos de maior seção,
onde este efeito pode ser observado mesmo nas freqüências industriais (50 ou 60 Hz), costuma-se utilizar o chamado
cabo segmentado (múltiplos cabos isolados). Similarmente, quando a parte central de um condutor praticamente não é
ocupada por correntes de freqüência elevada, pode-se construir cabos tipo anulares para a transmissão de sinais de
áudio e ráfio-frequência, denominados coaxiais, formados por dois condutores (interno e externo) isolados entre si.

Exercício 3: Seja um cabo composto por 7 fios de ferro com 0,14 cm de raio cada. Para o cabo a 60 oC, compare a
resistência CC e a resistência CA a 60 Hz, ambas por metro. Dado: permeabilidade relativa do ferro = r, Fe = 6000.
Solução
 Dados:  Fe, 20C = 10  10  m , Fe, 20C = 5,5  10–3 oC -1 (Tabela 2.1) ; rfio = 0,14 cm = 14 x 10–4 m
–8

Fe = permeabilidade magnética absoluta do ferro = r, Fe  o = 6000  4 x 10–7  7,5 x 10–3 H/m
 ρFe,60 o C  ρFe,20 oC [1   Fe,20 oC (T  20)]  10  10 [1  5,5  10  (60  20)]  12, 2  10  m
8 3 8

 Fe ,60 o  fe 12,2  108  1,02 


 1m tem-se que: RCC ,cabo ,60 oC    0,003
C
 Da equação (2.5), para
( rfio
2
)  n fios  (14  10 )  7
4 2
m
 Fe,60 o 12, 2  108
 Profundidade de penetração no ferro a 60 Hz e 60 oC :  Fe    2,9  10 4 m
C

 f  Fe   60  7,5  10 3

Comparando-se Fe com o raio de um fio do cabo de ferro (14 x 10–4 m), observa-se que uma corrente CA de 60 Hz
está praticamente confinada em cerca de 1/5 do raio do fio, o que evidencia um efeito pelicular pronunciado no fio.
 Fe ,20 oC  fe 12,2  108  1,02 
 De (2.11) e = 1 m, tem-se: RCA ,cabo ,60 oC    0,007
(2  rfio  Fe )  n fios 2   14  10  2,9  10  7
4 4
m
ou seja, a resistência CA do cabo de ferro é cerca de 2,3 vezes maior que a resistência CC do cabo.
 Conclui-se então que uma amostra de ferro pode exibir um elevado efeito pelicular, mesmo em baixas freqüências
(60 Hz), o que decorre da elevada permeabilidade magnética do ferro. Assim, o ferro normalmente não é utilizado
como condutor elétrico, com exceção em cercas elétricas, eletrificação rural e alma de aço em cabos de alumínio.

2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES


Com exceção do mercúrio e dos eletrólitos, que são líquidos, e de certos gases a baixa pressão e ionizados, os
materiais ditos condutores são geralmente sólidos e resumem-se aos metais, suas ligas e o grafite. Um breve estudo
sobre os condutores sólidos e algumas aplicações em dispositivos de interesse em Eletrotécnica são vistos a seguir.

2.2.1) METAIS E SUAS CARACTERÍSTICAS


Os metais constituem-se nos materiais de maior emprego como meio condutor e resistivo para as mais diversas
aplicações em Eletrotécnica. Dentre suas diversas propriedades e características de interesse, pode-se mencionar:
 Elevadas condutividades elétrica e térmica: a disposição regular, ordenada e repetida em todas as direções de seus
arranjos cristalinos confere aos metais uma elevada capacidade de condução de eletricidade e calor.
 Coeficiente de temperatura da resistividade positivo: os metais puros comportam-se como materiais tipo PTC.
 Facilidade de combinação entre si: apresentam grande capacidade de se combinarem na forma de ligas metálicas.
 Capacidade de deformação: são de fácil moldagem (elevada maleabilidade e ductilidade) a frio e a quente.
 Elevada resistência mecânica: apresentam elevada resistência a esforços de tração, compressão e cisalhamento.
 Conversão em derivados metálicos perante certos meios: transformam-se em óxidos em contato com oxigênio e
sais sob a ação de ácidos, que geralmente são menos condutores elétricos e térmicos que os metais de origem.
24
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A seguir são descritos alguns dos metais mais utilizados em aplicações eletrotécnicas por suas propriedades e
características desejáveis, onde as resistividades, quando fornecidas, são à temperatura de referência (20 oC):
1) Cobre: constitui-se num dos metais mais importantes para aplicações elétricas devido à suas diversas propriedades
desejáveis, dentre as quais destacam-se: baixa resistividade (somente a prata têm valor inferior), fácil deformação a
frio e a quente (por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou seja, o cobre é bastante dúctil), facilidade para
emendar e soldar (o cobre aceita bem a solda comum de chumbo-estanho), alta condutividade térmica, facilidade
de capeamento por outros metais, boa maleabilidade (facilidade para laminar), baixa dureza, elevada resistência à
ação dos agentes químicos mais comuns (por exemplo: ar, água, fumaças, sulfatos e carbonatos), média resistência
à tração, médio ponto de fusão (1083 oC) e preço relativamente baixo comparado a outros materiais condutores.
Após o ferro, o cobre é o metal de maior uso na indústria elétrica juntamente com suas ligas, conhecidas como
bronzes e latões, e apresenta diversas aplicações de acordo com sua conformação mecânica.
O cobre encruado é usado nos casos em que se exige elevada dureza, resistência à tração e pequeno desgaste,
tais como peças de contato, barramentos, hastes de aterramento, lâminas e anéis coletores em motores, etc. O cobre
mole ou recozido, por sua vez, é usado em aplicações que exigem boa flexibilidade, tal como fios e cabos elétricos
para baixa tensão, enrolamentos de motores e transformadores, fios telefônicos, malhas de aterramento, etc.
A condutividade do cobre é muito influenciada pela presença de impurezas, sendo o cobre padrão internacional
definido pelo tipo recozido com 99,7 % de pureza que, a 20 oC, apresenta resistividade de 1,72 x 10-8 m.
2) Alumínio: metal inferior ao cobre, tanto elétrica quanto mecanicamente, mas viável economicamente devido ao
baixo custo em decorrência de sua grande abundância, sendo o terceiro metal de maior emprego na eletricidade.
O alumínio é bastante maleável e dúctil, de pequena resistividade (2,8 x 10-8 m), alta condutividade térmica e
baixa massa específica e ponto de fusão (659 oC), sendo porém mais frágil a esforços mecânicos que outros metais.
O alumínio encontra aplicação em larga escala em alta tensão como cabos condutores em linhas de transmissão
e distribuição de energia, que podem apresentar um núcleo de aço para mitigar o problema com a baixa resistência
mecânica a esforços de tração. O alumínio encontra emprego também em instalações elétricas de baixa tensão, mas
apenas nos casos em que as solicitações mecânicas a que estará sujeito são pequenas, tais como: enrolamentos de
transformadores, barramentos, placas de capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores de indução, etc.
O alumnínio exposto à umidade sofre rápida oxidação, que resulta em uma fina camada de óxido de alumínio,
material de elevada rigidez dielétrica e, portanto, altamente isolante, mas que impede a ampliação da corrosão.
O alumínio é de difícil soldagem (a solda de chumbo-estanho não adere ao alumínio) e para isto deve-se limpar
a superfície a ser soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o óxido de acetileno),
ou mesmo solda elétrica (fundição do próprio alumínio para efetuar as emendas), ou ainda braçadeiras metálicas
para realizar conexões, empregadas particularmente em emendas de cabos de alumínio em linhas de transmissão.
Alumínio e o cobre estão separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferença de potencial é responsável pela
predisposição de uma junção cobre-alumínio à corrosão galvânica, o que pode provocar a deterioração do contato
elétrico entre estes metais. Por essa razão, este tipo de junção precisa ser isolado contra a influência do ambiente.
Para finalidades eletrotécnicas gerais, emprega-se o alumínio com teor máximo de 0,5 % de impurezas e, para
aplicações em eletrodos de capacitores, um alumínio mais puro, com teor máximo de 0,05 % de impurezas.
3) Ferro: devido ao elevado ferromagnetismo (r  6000 na forma pura), o ferro e suas ligas (aços) são largamente
empregados como núcleo ferromagnético laminado para motores, transformadores e relés. Além disso, sua elevada
dureza, boa maleabilidade, alta resistência mecânica e grande tenacidade permitem seu emprego na construção de
cabos para estaiamento de torres e postes, em ferragens de suporte aéreo, em carcaças de equipamentos elétricos
diversos, etc. O ferro puro apresenta resistividade relativamente baixa (10 x 10-8 m) e elevado ponto de fusão
(1530 oC), o que permite seu emprego em chaves de alta tensão, barramentos em subestações, núcleo para cabos de
alumínio, trilhos condutores em metrôs e bondes, etc. O emprego mais intenso do ferro como condutor elétrico
encontra restrições devido ao elevado efeito pelicular mesmo nas baixas freqüências da redes de energia elétrica
convencionais (50/60 Hz), além de sua rápida e fácil corrosão por oxidação em contato com a umidade do ar.
4) Prata: apesar de ser o metal de menor resistividade a temperaturas normais de trabalho (1,62 x 10-8 m), seu uso é
limitado a casos especiais devido ao alto preço. A prata é o metal nobre de maior uso industrial, empregada, por
exemplo, em elos fusíveis de precisão para os casos em que a constante de tempo para a proteção do aparelho seja
importante. Devido à sua grande estabilidade química, é utilizada também como camada externa (obtida por banho
eletroquímico, chamado prateação) para melhorar a conexão elétrica de peças de contato, bem como em proteção
de superfícies metálicas sujeitas a corrosão e no recobrimento de fios de bobinas para melhorar seu fator de
qualidade. É utilizada também na forma de ligas para resistência de aparelhos de precisão. Ponto de fusão: 960 oC.
5) Ouro: apresenta baixa resistividade (2,4 x 10-8 m), médio ponto de fusão (1063 oC), elevado preço e destaca-se
pela sua grande estabilidade química (elevada resistência à corrosão por oxidação e sulfatação). Devido a sua
grande maleabilidade e ductilidade, pode facilmente ser reduzido a placas, lâminas e fios extremamente finos, que
são características bastante desejáveis para muitas aplicações no ramo eletro-eletrônico. Tal como a prata, o ouro é
usado para contatos elétricos que envolvem correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidação poderia levar
à interrupção elétrica do circuito), tais como peças de contato em telecomunicações e eletrônica, sendo empregado
na forma pura para melhor aproveitar suas propriedades. É também utilizado em chaves e relés de baixa corrente e
25
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

de alta precisão e confiabilidade, em películas condutoras e em certos instrumentos especiais de medidas tais como
os chamados eletroscópios (aparelhos para verificar a presença de carga elétrica estática).
6) Platina: metal nobre bastante estável quimicamente, de relativa baixa resistividade (10,5 x 10-8 m) e alto ponto
de fusão (1774 oC). É relativamente mole, o que permite uma fácil deformação mecânica, bem como sua redução a
folhas e fios muito finos. Devido à alta resistência à oxidação, é empregado em peças de contato, eletrodos e fios
para aquecimento. É também empregada na fabricação de termômetros resistivos até 1000 oC (na faixa de -200 a
500 oC, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os metais), pois até essas temperaturas não
sofre deformações estruturais, fazendo com que a resistividade varie na mesma proporção da temperatura.
7) Estanho: é um metal mole, de média resistividade (11,4 x 10-8 m) e baixa temperatura de fusão (232 oC). Devido
à elevada resistência à corrosão em temperaturas normais (o estanho não se oxida com a água e ácidos diluídos na
mesma o atacam lentamente), é muito empregado como revestimento anticorrosivo em peças e hastes, além de ser
ingrediente de ligas, se fundindo ao cobre para produzir os bronzes e ao chumbo para produzir soldas de uso geral.
8) Zinco: é um metal de baixa resistividade (6 x 10-8 m), baixo ponto de fusão (420 oC) e elevado coeficiente de
dilatação térmica, além de ser um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os latões. Devido à sua grande
estabilidade química em contao com o ar (forma-se uma película de óxido ou carbonato de zinco que impede sua
corrosão), é usado em processos de recobrimento de metais por banho eletroquímico (galvanização) para proteção
de tanques de armazenamento contra corrosão. Por ser atacado rapidamente por ácidos e bases, o zinco é também
largamente empregado como eletrodo negativo (anodo) em pilhas e baterias eletroquímicas.
9) Níquel: apresenta baixa resistividade (7,8 x 10-8 m) e alta temperatura de fusão (1450 oC), bem como elevada
dureza e resistência à corrosão (resiste bem a sais, gases e materiais orgânicos, sendo, porém, sensível ao enxofre).
É bastante utilizado como ingrediente para a obtenção de aços inoxidáveis e em ligas tipo sensoras termoelétricas,
resistivas e magnéticas. O níquel é ainda empregado em revestimentos anticorrosivos, fios de eletrodos, catodo de
baterias (níquel-cádmio), termômetros resistivos, parafusos, etc. Suas ligas são empregadas em contatos elétricos
(por exemplo, como suporte de filamento de tungstênio em lâmpadas) devido à sua elevada resistência à corrosão e
bom comportamento térmico. O níquel pode ser soldado ao cobre sem problemas com corrosão galvânica.
10) Cromo: metal extremamente duro, de elevada resistividade em comparação a outros metais (80 x 10-8 m), e
elevada temperatura de fusão (1920 oC), sendo porisso amplamente empregado na fabricação de fios resistivos na
forma pura ou como liga. Além disso, o cromo permite bom polimento, possui baixa oxidação em contato com o
ar, sendo mais sensível à ação do enxofre e de sais, e sofre oxidação somente a temperaturas superiores a 500 oC,
sendo porisso empregado como capa protetora para outros metais que se oxidam com maior facilidade (cromação).
11) Tungstênio: é um metal de baixa resistividade à temperatura ambiente (5 x 10-8 m) e elevada dureza, sendo
porém de comportamento quebradiço. Devido ao elevado ponto de fusão (3422 oC), é empregado como filamento
em lâmpadas incandescentes, que operam a temperaturas em torno de 2000 oC, sendo necessário a introdução de
gás inerte (por exemplo, argônio) para reduzir a vaporização do filamento. É empregado também na forma pura ou
em ligas para peças sujeitas a altas temperaturas, por exemplo, eletrodos para produção de arco elétrico.
12) Chumbo: metal mole e plástico, de média resistividade (21 x 10-8 m) e de fácil soldagem. Apresenta elevada
resistência a corrosão contra a ação de água potável e sais, sendo porém não resistente à ácidos, água destilada,
vinagre, materiais orgânicos em decomposição, cal e ainda é venenoso. É empregado em painéis protetores contra
a ação de raios-X, em baterias (tipo chumbo-ácido), em ligas de solda devido ao baixo ponto de fusão (327 oC),
como camadas ou placas protetoras contra corrosão (blindagem de cabos) e elos fusíveis.
13) Mercúrio: é o único metal líquido à temperatura ambiente, apresentando comparativamente elevada resistividade
(95 x 10-8 m). Encontra aplicação em termômetros resistivos, lâmpadas (fluorescentes e vapor de mercúrio) e em
termômetros (devido ao seu elevado coeficiente de dilatação térmica). Os vapores de mercúrio são venenosos.
14) Cádmio: metal mole, venenoso, de elevado preço e que apresenta facilidade de sofrer corrosão galvânica, tendo
maior uso na fabricação de baterias (níquel-cádmio). Resistividade: 7,5 x 10-8 m. Temperatura de fusão: 321 oC.

2.2.2) LIGAS METÁLICAS

Metais na forma pura são largamente empregados em diversos componentes elétricos. Porém, certas aplicações
podem necessitar que alguma propriedade de um material seja aprimorada para este melhor se adequar às exigências
inerentes à aplicação, sem contudo ter prejudicada, pelo menos sensivelmente, outras de suas propriedades desejáveis.
Como os metais apresentam elevada capacidade de combinarem-se entre si, a composição de metais na forma de ligas
constitui-se em uma forma de deslocar algumas das características destes materiais para condições mais desejáveis,
permitindo que propriedades como resistências à corrosão, condutividade térmica, resistências mecânica, tenacidade,
propriedades magnéticas etc., possam ser alteradas de forma a atender as necessidades das diversas aplicações. Assim,
em Eletrotécnica são muito freqüentes o emprego de ligas metálicas como material condutor para certas aplicações de
finalidade específica, bem como elementos resistivos para aquecimento, medição e controle de corrente.
As ligas metálicas podem ser basicamente classificadas em dois tipos segundo suas condutividades elétricas e
aplicações finais, denominadas ligas condutoras e ligas resistivas, algumas das quais são descritas a seguir.

26
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

1) LIGAS CONDUTORAS: são ligas que mantém uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais originais
e são, desse modo, utilizadas para o transporte e transformação de energia elétrica com mínimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: o cobre pode se misturar a outros metais de modo a melhorar suas propriedades mecânicas,
sem contudo reduzir sensivelmente suas condutividades elétrica e térmica. Exemplos de ligas mais comuns:
1.1.1) Bronzes: o estanho é adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistência à corrosão,
à fadiga e ao desgaste por atrito, mantendo sua ductilidade. São ligas elásticas e de fácil usinagem,
sendo utilizadas como fios e peças de contato em chaves. Com o acréscimo de fósforo, os bronzes se
tornam mais flexíveis e são utilizados como elementos de ligação em terminais telefônicos.
1.1.2) Latão: liga de cobre e zinco (30%), possui boa resistência à corrosão e grande resistência à tração. É
empregada em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestações, bornes e às vezes como
condutor. Não é indicada para trabalhar ao tempo devido a formação de rachaduras, sendo uma solução
para diminuir o problema, submeter o material a um recozimento para alívio das tensões internas.
1.1.3) Outras ligas: níquel e cromo podem ser adicionados ao cobre na necessidade aumentar sua resistência
mecânica. Uma outra solução, que não consiste propriamente em uma liga, constitui-se de um condutor
de cobre com núcleo de aço, chamado Copperweld, para combinar a alta condutividade do cobre com
alta resistência mecânica e tenacidade do aço. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumínio: são ligas que apresentam fácil usinagem, sendo construídas para aproveitar a baixa massa
específica do alumínio, o que possibilita estruturas de sustentação mais leves. Alguns exemplos:
1.2.1) Duralumínio: liga de elevada resistência mecânica, é aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas
condutoras e na confecção de dissipadores térmicos. Composição: 4% Cu + 0,5% Mg + 0,5% Mn + Al.
1.2.2) Aldrey: apresenta boas propriedades mecânicas, sendo utilizada como fios para enrolamento de motores
e transformadores e na construção de cabos leves. Composição: 0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al.
1.2.3) Alumoweld: similar ao Copperweld, constitui-se de um fio de alumínio com núcleo de aço para obter
maior resistência à tração, empregado como condutor de pára-raios e fio neutro em circuitos rurais.
1.3) Ligas de chumbo e estanho: são ligas resistentes à corrosão e de baixo ponto de fusão (60 a 200 oC), sendo
utilizadas largamente na produção de fios de solda (60% Pb + 40% Sn), elos fusíveis, revestimento de fios e
malhas de cobre ou latão para melhorar a soldabilidade e proteção à corrosão, e também como condutor em
circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fusão protege os componentes de possíveis superaquecimentos.
2) LIGAS RESISTIVAS: são materiais que apresentam resistividades elevadas para um condutor (entre 20 x 10-8 e
150 x 10-8 m), sendo porisso usados em elementos resistivos para aquecimento, medição e controle de corrente.
Estas ligas devem possuir boas características a altas temperaturas para atender certas condições em função de
seu emprego. Por exemplo, ligas usadas para aquecimento devem ter elevada resistência à corrosão na temperatura
de trabalho e baixa capacidade de dilatação. Por outro lado, ligas resistivas para medição (tal como resistores em
instrumentos de precisão), devem apresentar variação praticamennte linear de sua resistividade com a temperatura.
A seguir são descritas algumas ligas metálicas resistivas de grande aplicação em Eletrotécnica:
2.1) Ligas de cromo-níquel (cromel): são ligas que apresentam resistividade pouco variante com a temperatura e
alta resistência mecânica e à oxidação em altas temperaturas. São empregadas em termopares e na fabricação
de fios ou fitas resistivas para resistores, potenciômetros e trimpots de fio, bem como em potenciômetros de
potência chamados reostatos (usados no controle de corrente e de velocidade em motores e geradores) e em
resistências de aquecimento fornos siderúrgicos, estufas, eletrodomésticos (aquecedores de água, chuveiros,
fogões elétricos, etc.), ferros de solda e ferros de passar. Exemplos: Níquel-Cromo 65/15, Nikrothal, Alloy A,
Kromore, Nicromo V (80% Ni + 20% Cr), Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), etc.
2.2) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em ótimas ligas para utilização em aquecimento elétrico em geral, tais
como fornos industriais, ferros de solda, chuveiros, placas de cozinha, etc. Composição: Cr + Fe + Al + Co.
2.3) Ligas de cobre-níquel: Constantan (60% Cu + 40% Ni) - liga termoestável empregada em termopares, bem
como em resistências de precisão e reostatos para máquinas de precisão; prata alemã (18% Ni + 64% Cu +
18% Zn) - liga de boa condutividade e resistência mecânica, utilizada em contato para chaves e contatores;
Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipações com
limites de temperatura de até 600 oC; outras: Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.4) Ligas de cobre-manganês: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) - liga termoestável de elevada estabili-
dade térmica, é usada em shunt de medidores e na fabricação de resistores de precisão para instrumentos de
medição; Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe): liga de baixa variação da resistividade
com a temperatura, usada em resistores de medição, reostatos e para aquecimentos até 400 oC.
2.5) Ligas de prata: ligas de alta resistividade, apresentam variação inversa da resistividade com a temperatura, o
que justifica o seu emprego em circuitos de compensação dependentes da temperatura, tal como em resistores
para circuitos de regulação. Exemplo: ligas de Mg + Ag + Sn com, às vezes, acréscimo de germânio.
2.6) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acréscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada e
que, através de adequado tratamento térmico, apresenta comportamento inverso com a temperatura. São então
utilizadas em resistores de precisão e em padrões. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
2.7) Outras ligas de Níquel: Invar (36% Ni + 63% Fe + Mn) - liga de baixa dilatação, empregada em guias de
medidas em aparelhos de precisão; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dúctil para fios resistivos.
27
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.2.3) CARVÃO PARA FINS ELÉTRICOS

Carvão é um material constituído por um arranjo cristalino amorfo (sem forma definida) do elemento químico
carbono. O carvão para fins elétricos, também chamado grafita ou grafite, é obtido do grafite natural ou do antracito,
que são reduzidos a pó e compactados na forma desejada por prensagem ou extrusão, podendo ser adicionado ainda
um aglomerante, e submetidos a um tratamento térmico que consiste em longos ciclos de aquecimento sob elevadas
temperaturas (em torno de 2200 oC), geralmente através da passagem de corrente elétrica através da própria peça.
Esse processo, chamado grafitização, resulta em um material de facil conformação por usinagem e esmerilhagem.
Como observado na Tabela 2.1, a grafita apresenta baixa resistividade para um não-metal (1,4 x 10-5 m) e,
diferentemente dos metais puros, apresenta coeficiente de temperatura da resistividade negativo (-5,0 x 10-4). Estas
propriedades, aliadas ao elevado ponto de fusão ( 3500 oC), conferem à grafita condições favoráveis na construção
de resistores e potenciômetros, bem como em aplicações com temperaturas de trabalho mais elevadas, tais como em
eletrodos para a produção de arco elétrico para ignição de fornos elétricos e caldeiras, e fonte de luz para projetores.
Além disso, as grafitas porporcionam um baixo coeficiente de atrito, o que abilita estes materiais para emprego
como contato elétrico em peças deslizantes, tal como em escovas de motores (Figura 2.5-a). Nesta aplicação, a grafita
das escovas (peça fixa), em contato com anéis coletores ou comutadores de cobre fixados ao rotor (peça móvel), reage
com o cobre e forma sobre este um filme de material condutor chamado patina (carbonato de cobre), que o protege
contra corrosão e permite um baixo atrito entre as escovas e o rotor, resultando então em um bom contato elétrico.
A resistência elétrica de um pó depende do grau de compactação de seus grãos. Este efeito é aproveitado na
construção de um transdutor eletro-acustico chamado microfone de carvão ou de carbono (aparência na Figura 2-5-b),
constituída de uma cápsula contendo grãos de carvão e coberta com uma película flexível ligada a um diafragma, na
qual a incidência de uma onda sonora (áudio) no diafragama provoca um processo de pressão/descompressão dos grão
do pó, alterando o grau de compactação dos grãos de acordo com as pulsações da onda e, com isso, sua resistência.
Estas variações de resistência são então utilizadas na modulação de uma corrente contínua que circula pelo cápsula,
(Figura 2.5-c), onde um transformador pode ser usado para aumentar a amplitude do sinal de tensão correspondente.
onda grânulos de carvão
sonora

contatos
contatos
de
metálcos tensão de
carvão diafragma I áudio
capsula de
microfone V
(a) (b) (c)

Figura 2.5: (a) Contatos de carvão (escovas); microfone de carvão: (b) aparência, (c) esquema de funcionamento.

2.2.4) MATERIAIS PARA CONTATOS ELÉTRICOS

Toda montagem de equipamentos e circuitos elétricos requer o emprego de uma série de conexões entre partes
para estabelecer um contato elétrico. Estas conexões podem ser realizadas por meio de emendas, soldagem, encaixes e
emprego de parafusos e rebites, que caracterizam-se por proporcionarem um contato fixo e, portanto, permanente.
Além disso, em instalações elétricas é também comum a necessidade de se realizar ações de manobra (abertura
e fechamento de contatos elétricos) entre partes do circuitos e equipamentos, no qual o contato elétrico caracteriza-se
por ser apenas momentâneo ou persistir ao longo de certo tempo e, porisso, não permanente. Com exceção de ações
de chaveamento estabelecidas com base em dispositivos semicondutores, as conexões elétricas não permanentes são
normalmente realizadas por meio de um sistema mecânico composto por partes fixas e móveis distintas, generica-
mente conhecidas como peças de contato, que estabelecem a conexão através de um movimento mecânico. Peças de
contato são então largamente empregados em dispositivos de comando, controle e proteção, tais como interruptores,
chaves, relés, disjuntores, contatores, seccionadores, botoneiras, conjunto plug-tomada, escovas de motores, etc.
Dependendo do tipo de contato (fixo ou móvel) e das condições de trabalho e ambientais, as conexões elétricas
estão sujeitas a diversos problemas e, desse modo, os materiais usados na fabricação dos elementos de contato devem
satisfazer as condições de funcionamento o maior tempo possível. Tais condições variam de acordo com a função e
com o ambiente (por exemplo, telefonia ou aplicações industriais) e, em geral, derivam de problemas como:
1) Resistência de contato: na conexão elétrica entre elementos distintos ocorre o problema da resistência de contato
devido ao acoplamento elétrico entre as partes não ser perfeito. Logo, com a passagem de corrente de uma peça à
outra, todo contato elétrico em si gera calor por efeito Joule. Desse modo, os materiais devem apresentar elevada
condutividade elétrica e térmica para se obter um bom acoplamento elétrico, além de elevada resistência mecânica
de modo a se estabelecer uma pressão de contato adequada (quanto maior a pressão, melhor o contato elétrico).
28
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2) Solicitações mecânicas: no caso de peças de contato, estas podem estar sujeitas a um número grande de manobras
de abertura e fechamento, que sujeitam suas partes a solicitações mecânicas demasiadas e podem causar danos
estruturais permanentes. Assim, para resistir às deformações e ao desgaste o maior tempo possível, os materiais
usados na fabricação de peças de contato devem apresentar elevadas resistências mecânicas, dureza e tenacidade.
3) Arco elétrico: a interrupção da corrente devido a uma abertura de contato elétrico pode causar o surgimento de um
arco elétrico entre as partes da conexão, devido à presença de energia armazenada no circuito na forma de campo
magnético (por exemplo, nos motores), que provoca a tendência dos elétrons em movimento de manter o contato
elétrico no ponto de abertura para anular o campo armazenado. Similarmente, arcos elétricos podem sugir também
durante o fechamento dos contatos devido ao chamado ricochete (repulsão entre as peças) pois, no breve momento
de estabelecimento do contato, são criadas condições para o surgimento de campos magnéticos no circuito.
Um arco elétrico apresenta temperaturas de até 4000 oC, o que pode causar a fundição das peças se este persistir
por tempo suficiente. Logo, as peças de contato podem ter que contar com algum mecanismo de extinção de arco e
os materiais devem possuir elevados ponto de fusão e condutividade térmica para evitar a soldagem dos contatos e
resistir à erosão causada pelo arco elétrico. Quanto ao ricochete, deve-se reduzir ao mínimo o número de repulsões
com cálculos das massas das peças, que devem ser as menores possíveis, e da velocidade de fechamento.
4) Corrosão: o aquecimento de conexões elétricas por resistência de contato e arcos elétricos podem reunir condições
à corrosão das partes do contato. Adicionalmente, os materiais podem estar sujeitos a ambientes com presença de
sais, ácidos, poluição e mesmo o próprio ar, que atuam sobre as partes provocando oxidação ou sulfatação. Logo,
estas corrosões podem deteriorar o contato elétrico e, assim, os materiais a serem empregados devem apresentar
elevada resistência à corrosão nas temperaturas de trabalho para mitigar o máximo possível estes problemas.
Outro problema similar pode surgir no contato entre materiais com diferentes potenciais eletroquímicos, o que
causa uma predisposição à corrosão galvânica. Logo, as partes componentes de um conexão elétrica devem ser
preferencialmente do mesmo material ou, pelo menos, de materiais com pequena diferença de eletronegatividade.
5) Abrasão: para o caso de contatos deslizantes, ocorre o problema de desgaste devido ao atrito entre as partes fixas e
móveis. Neste caso, as peças e seus contornos devem ser de material e aspecto o menos abrasivo possível.
Logo, os materiais utilizados na fabricação de peças de contato devem apresentar qualidades necessárias para
mitigar estes problemas. Por exemplo, o cobre é normalmente empregado na forma de ligas (bronzes e latões) devido
à maior resistência mecânica e à corrosão destas ligas, e utilizado em interruptores, plugues, tomadas, chaves, relés,
elos fusíveis, disjuntores, contatores, etc. Os aços, por apresentarem elevada resistência mecânica, são empregados em
peças onde são exigidos pressões de contato elevadas e manobras bruscas, tal como chaves seccionadoras. Para o caso
de contatos elétricos deslizantes, emprega-se, como visto, peças de carvão para propiciar baixo coeficiente de atrito.
Em conexões que envolvem pressões de contato muito baixas e correntes reduzidas, a deterioração do contato é
um problema de grande preocupação, o que exige materiais de maior resistência a corrosão para se obter contatos de
melhor qualidade. Neste caso, pode-se fazer uso de metais que apresentam maior resistência à corrosão, tais como
metais nobres. Assim, o ouro e a prata na forma pura são utilizados como finas películas em torno da massa de peças
constituídas por outros metais (chamados contatos banhados). Além disso, os metais nobres são também utilizados na
forma de ligas para aumentar sua dureza e resistência ao desgaste e à erosão por arco elétrico, tais como ligas de ouro
e prata, empregadas em peças de contatos para interruptores, chaves, disjuntores, botoneiras e relés especiais, além da
platina, que é utilizada em ligas com irídio e rutênio para emprego em relés especiais e instrumentos de precisão.

2.2.5) CONDUTORES ELÉTRICOS

Fios e cabos elétricos constituem-se no meio condutor destinado ao transporte de energia ou transmissão de
sinais entre dois pontos de uma instalação, rede ou equipamento elétrico. Em eletrotécnica, denomina-se usualmente
fio elétrico quando há apenas um meio de seção transversal sólido (bitola) ou um conjunto de fios de pequena seção
(o chamado “cabinho”), e cabo elétrico para um conjunto de fios condutores arranjados por encordoamento ou por um
conjunto de cabos condicionados sob a mesma capa protetora, sendo condutor elétrico o termo genérico para ambos.
Os cabos elétricos são empregados nos casos em que se faz necessário um aumento da área de seção transversal
para a obtenção de maior capacidade de condução de corrente de condutores elétricos (chamada ampacidade), obtidos
por meio do agrupamento de fios diversos. Esta conformação adquire uma menor perda de flexibilidade, o que facilita
o guiamento dos cabos em eletrodutos, canaletas e quadros de luz comumente presentes em instalações elétricas.
Os materiais utilizados como condutores são principalmente cobre, alumínio, e as ligas desses materiais. Como
cobertura isolante, emprega-se-se PVC, EPR (etileno-propileno), neoprene, XLPE (polietileno reticulado), polistireno,
borracha butílica e ainda amianto, teflon, cerâmicas, náilon, hexafluoreto de enxofre (gás SF6) e fibras orgânicas.
As características técnicas de fios e cabos elétricos contemplam diversos aspectos como ampacidade, tensão de
isolação, temperatura máxima suportada pela isolação, capacidade de blindagem, condições ambientais limites de
trabalho (poluição, raios solares, umidade, etc.) e resistência a choques mecânicos, sendo que o dimensionamento dos
condutores devem atender diversos critérios de projeto, tais como capacidade de condução e queda de tensão.
Os condutores elétricos são fabricados em uma grande diversidade de tipos, segundo seus detalhes construtivos
e aplicações finais, sendo algumas de suas denominações descritas a seguir (aparências na Figura 2.6):

29
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

 Fio esmaltado: condutor sólido revestido em esmalte isolante, empregados na construção de bobinas elétricas;
 Condutor isolado: fio ou cabo revestido por apenas uma cobertura de material isolante (PVC, EPR, XLPE, etc);
 Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (não isolados entre si, no caso do cabo);
 Cabo compactado: condutor isolado com alto grau de compactação para eliminar todos os vazios entre os fios;
 Cordel flexível: condutor isolado ou par trançado de condutores isolados, de pequena seção e bastante flexíveis.
Exemplos: par telefônico e fios de diversas cores usados em placa de circuitos e aparelhos (rádio, TV, etc.);
 Cabo unipolar: condutor isolado com camadas extras de revestimentos para blindagem e proteção mecânica;
 Cabo multipolar: condutor setorial ou segmentado formado por dois ou mais condutores isolados entre si e sob
uma mesma capa isolante, podendo conter ainda um revestimento interno metálico como forma de blindagem;
 Cabo anular: condutor isolado que apresenta o seu núcleo central oco ou preenchido com material isolante;
 Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referência), separados por um isolante sólido (polietileno) e cobertos por uma
capa de revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Classificam-se nos tipos rígido e flexível.

isolamento capa protetora blindagens


condutor

(b)
(f) isolamento condutor
capa protetora

(c)

(g) blindagem

(d) capa malha metálica condutora


condutor

(a) (e) (h) isolamento

Figura 2.6: Aparências de condutores elétricos: (a) diversidade de tipos; (b) fio isolado; (c) cabo nu; (d) cabo nu
compactado; (e) cabo de pares trançados; (f) cabo unipolar; (g) cabo multipolar; (h) cabo coaxial e constituição.

Observações: como informações adicionais sobre fios e cabos condutores, pode-se mencionar:
1) Os cabos coaxiais tem aplicações especiais (rádio e audiofreqüência, telefonia, etc.) devido ao fato de apresentarem
imunidade à indução de ruídos por campos eletromagnéticos externos, pois as correntes induzidas nos condutores
interno e externo se anulam mutuamente por serem induzidas na mesma direção mas terem sentidos contrários.
2) A blindagem dos cabos consistem de um revestimento em fita metálica e visam atender a necessidade de se manter
o campo elétrico confinado no interior do cabo para este não perturbar eletricamente condutores vizinhos, além de
facilitar o escoamento de correntes de curto-circuito. Desempenham também a função de distribuir uniformemente
o campo elétrico no interior do cabo para evitar que concentrações desuniformes danifiquem o isolamento.
3) Condutores metálicos utilizados em aterramentos requerem proteção contra corrosão galvânica baseada em um
princípio: fornecer elétrons ao condutor para que o mesmo se torne catódico e as reações de corrosão deixem de
existir. Isto pode ser conseguido através do emprego de anodos de sacrifício ou também por meio de uma fonte de
corrente contínua ligada ao condutor e à terra, que fornece os elétrons necessários ao metal evitar sua corrosão.

2.2.6) RESISTORES E RESISTÊNCIAS

Diferentemente da preocupação de se transportar energia elétrica com mínimas perdas (como nos fios e cabos),
ou a construção de dispositivos de chaveamento (como interruptores, contatores, etc.), ou para armazenamento de
energia (como nos capacitores e indutores), ou ainda para a transformação da energia elétrica em outras formas (como
nos motores), existem diversas aplicações eletrotécnicas em que se necessita controlar o montante de corrente elétrica
em um circuito, ou provocar quedas de tensão para adequá-la a níveis desejáveis, ou ainda aproveitar a dissipação de
calor por efeito Joule para aquecimentos. Nestas aplicações empregam-se então os chamados resistores e resistências
elétricas, cujos elementos resistivos são contruídos com materiais condutores de resistividade mais elevada.
Resistor (símbolos na Figura 2.7-a) é o componente mais simples, comum e barato de um circuito. Diferente de
capacitores e indutores, os resistores não armazenam energia, apenas a dissipa na forma de calor, proporcionando
queda de tensão como conseqüência e, dependendo de como estão conectados, divisão de tensão e desvio de corrente.

30
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Os resistores são construídos em uma base de material cerâmico, que recebe a cobertura resistiva que determina
o valor da resistência, e ainda uma metalização com os terminais metalicos do resistor para a realização de soldagem
de alto ponto de fusão (~300 oC), para que os ferros de soldar comuns (temperatura  180 oC) não abalem esta ligação
Por fim, o conjunto recebe uma cobertura de material isolante elétrico (esmalte, epoxi, cimento, silicone, etc.) para
acabamento e proteção elétrica e mecânica (aspectos físicos do corpo de um resistor em corte dado na Figura 2.7-b).

R X Y Z T
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.7: Resistores: (a) símbolos esquemáticos; (b) constituição física; (c) aparências; (d) código de cores.
Os resistores comerciais (aparências na Figura 2.7-c) apresentam diversas especificações dadas pelo fabricante.
As principais consistem no valor da resistência em Ohms (), a potência máxima dissipada e a chamada tolerância
(erro percentual máximo da resistência nominal), que estima o grau de precisão resultante dos cuidados tecnológicos
utilizados no seu processo de fabricação. Estes dados são indicados no corpo dos resistores por dois modos:
1) Por código de cores: este sistema utiliza faixas de diversas cores, pintadas no corpo do resistor a partir de uma de
suas extremidade (Figura 2.7-d), com as equivalências numéricas dadas na Tabela 2.2. As duas primeiras faixas
(denominadas X e Y) formam uma dezena e a terceira (Z) indica a potência de 10, tal que o valor ôhmico seja dado
por: XY x 10Z . A quarta faixa corresponde à tolerância: ouro para 5%, prata para 10% e incolor para 20%, e a
potência está relacionado às dimensões do resistor (maior tamanho, maior potência). Este sistema é utilizado na
fabricação de resistores de menor potência (1/8 a 4 W), cuja cobertura resistiva consiste de uma película de grafite
ou metalfilme (fita metálica resistiva) em um trançado helicoidal sobre uma base de suporte cerâmico.
2) Diretamente impresso: sistema utilizado em resistores de maior potência (> 4W), fabricados com fios de ligas
metálicas resistivas. Consiste na impressão direta do valor ôhmico sobre o corpo do resistor, na forma de dígitos
numéricos combinados com uma letra para indicar o multiplicador: R (ohms), K (quiloohms), e M (megaohms),
sendo a posição da letra o indicador da vírgula no valor ôhmico. Exemplos: 470R equivale a 470 ; 4K7 = 4,7 k;
47K = 47 k. A potência (até 50 W) e a tolerância (até 20%) também vêm impressas no corpo do resistor.
Em relação ao comportamento térmico, os resistores tipo fio e fita metálica tem sua resistência aumentada com
a temperatura de forma praticamente linear, enquanto que nos de película de grafite esta diminui de forma quadrática.

Tabela 2.2: Código de cores para leitura do valor de resistores de grafite.


Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 roxo 7 7 prata - -2

Resistências elétricas são elementos resistivos largamente empregados no aproveitamento do calor gerado por
efeito Joule para aquecimento de substâncias (água, ar, etc.), ou para limitar correntes em equipamento de potência, e
constituídas por ligas metálicas resistivas capazes de dissipar até milhares de Watts (aparências na Figura 2.8). Outras
aplicações consistem em aproveitar a transformação de energia elétrica em luminosa, tal como em filamentos de
lâmpadas incandescentes, e na forma de raios catódicos, tal como em eletrodos de lâmpadas de descarga.

Figura 2.8: Aparência de diversas resistências elétricas para aquecimento encontradas no mercado.
Do ponto de vista ôhmico, os resistores e resistências até aqui descritos são classificados como fixos, pois não
propiciam qualquer mecanismo de ajuste do valor da resistência. A introdução de um elemento cursor que permita
realizar uma varredura da distância entre o cursor e as extremidades do elemento resistivo possibilita a obtenção de
um efeito ajuste da resistência e origina os chamados resistores e resistências variáveis (símbolos na Figura 2.9-a).
31
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Potenciômetros e trimpots são resistores variáveis constituídos por dois terminais fixos e um terceiro terminal
conectado a um cursor móvel ajustado por botão (esquema na Figura 2.9-b), que varre uma trilha resistiva de grafite
ou fio resistivo enroldado sob uma base de apoio isolante (por exemplo, cerâmico), de modo a propiciar uma variação
da resistência entre o terminal móvel e um dos fixos. Este efeito de resistência variável pode então ser utilizado para o
controle de determinado parâmetro de um circuito, bem como para promover um efeito de carga variável, divisor de
tensão, divisor de corrente, acoplamentos resistivos, etc. São dispositivos fabricados em diversos formatos, tamanhos
e potência, podendo apresentar variação de resistência de forma linear ou mesmo logarítmica.
Os potenciômetros (aparências na Figura 2.9-c) são empregados para efetivar ajustes em um circuito a qualquer
tempo, e os trimpots (aparências na Figura 2.9-d) tem a função de fixar permanentemente um determinado ponto de
funcionamento de um circuito, sendo então classificados como resistores tipo ajustáveis. Por sua vez, os chamados
reostatos (aparências na Figura 2.9-e) são potenciômetros de maior potência, empregados em controles de elevadas
correntes, tal como em motores, ou elevadas dissipações, tal como no ajuste de temperatura em estufas e fornos.
potenciômetros
cursor de grafite
trilha
resistiva

terminal terminal
fixo terminal fixo
do cursor potenciômetros
de fio
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.9: Resistores de valor ôhmico variável e ajustável: (a) símbolos esquemáticos, (b) aspectos construtivos
gerais e denominações; aparências diversas destes componentes: (c) potenciômetro, (d) trimpots, (e) reostatos.

2.2.7) BIMETAIS

O bimetal é um artefato composto de duas lâminas soldadas de metais ou ligas com diferentes coeficientes de
dilatação térmica e que, quando submetido a uma variação de temperatura, sofre um encurvamento devido à dilatação
distinta entre os metais, vindo a realizar uma força mecânica devido à ação de encurvamento. O bimetal constitui-se
então em um sensor de temperatura por sofrer uma curvatura proporcional à diferença de temperatura aplicada.
As lâminas bimetálicas são fabricadas em diversos formatos, tais como retas, espirais, encurvadas e espiraladas
em hélice (aparências na Figura 2.10-a). No par pode-se empregar diversas combinações de metais e ligas, tais como
cobre e aço, latão e invar, etc. As lâminas são normalmente soldadas por um processo chamado sinterização, que
consiste na aglutinagem de sólidos por aquecimento, obtendo-se com isso uma soldagem entre lâminas bastante forte.
As Figuras 2.10-b e c exemplificam um dos empregos do bimetal, como sensor de temperatura para abertura e
fechamento de contatos elétricos. Na Figura 2.10-b o bimetal é submetido a uma elevação de temperatura devido a
uma condução de corrente elétrica na própria peça e a Figura 2.10-c exemplifca o caso da absorção de calor do meio
exterior ao bimetal, onde um dos contatos é conectado a uma placa metálica flexível. O conjunto bimetal e contatos
elétricos pode abarcar ainda um botão (Figura 2.10-c) com a função de fixar a temperatura de controle por meio do
ajuste da pressão entre os contatos ou a distância entre o bimetal e a placa flexível, tal que, quanto maior a pressão ou
distância, maior é a deformação do bimetal para abrir os contatos e, portanto, maior é a temperatura ajustada.
Peças bimetálicas são largamente utilizadas na construção do chamado termostato (aparência na Figura 2.10-d),
usado para regulação automática de temperatura em ferros de passar, fornos elétricos, etc., bem como em dispositivos
de controle e proteção (disjuntores e termorelés) e indicadores de temperatura em termômetros (Figura 2.10-e).
espiral
lâmina B (B < A) botão de ajuste conexões
I lâmina A (A) placa metálica I elétricas
flexível
calor botão
contatos
elétricos I I
calor

helicoidal contatos
elétricos
peça bimetalica
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.10: Bimetal: (a) exemplo de formatos; (b) encurvamento por corrente na própria peça; (c) encurvação
por calor exterior à peça; (d) aparência e partes de um termostato; (e) aparência de um termômetro bimetálico.

32
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

2.3) TÓPICOS COMPLEMENTARES


O comportamento dos elétrons livres possibilita o surgimento de alguns efeitos com aplicações muito especiais
em Eletrotécnica, dentre os quais serão vistos os fenômenos chamados termoeletricidade e supercondutividade.

2.3.1) TERMOELETRICIDADE

Termoeletricidade é a ciência da transformação de energia térmica diretamente em elétrica. Ela se manifesta


através dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, descritos a seguir, que consistem na produção de tensões e correntes
elétricas por meios puramente térmicos, sendo os materiais empregados denominados transdutores termoelétricos:
a) EFEITO THOMSON: seja um material condutor submetido a uma diferença de temperatura, tal que uma de suas
extremidades é mantida a uma temperatura Tr e a outra a uma temperatura Tt > Tr (Figura 2.11-a). Neste caso, a
energia térmica recebida pela extremidade quente (Tt) possibilita aos elétrons desta região ocupar níveis de maior
energia, o que causa um aumento de densidade de elétrons nesta extremidade e uma diferença de concentração de
elétrons em relação à extremidade fria (Tr). Esta diferença de concentração resulta um processo natural chamado
corrente de difusão, onde elétrons se deslocam da região de maior concentração (Tt), que se torna gradativamente
positiva devido à falta de elétrons, para a de menor concentração (Tr), que se torna gradativamente negativa devido
ao excesso de elétrons. Este fenômeno da separação de carga motivada unicamente por diferença de temperatura é
chamado efeito Thomson e resulta então em um campo elétrico e, por conseguinte, uma ddp entre as extremidades
do material, chamada fem de Thomson (Figura 2.11-a). Como o campo estabelecido é retardador para os elétrons, a
corrente de difusão só perdura enquanto a tendência ao deslocamento é maior que o campo elétrico formado.
b) EFEITO PELTIER: seja a junção de dois materiais condutores A e B a mesma temperatura, onde uma corrente
elétrica I (sentido das cargas negativas) flui do material A para o material B (Figura 2.11-b). Devido a diferenças
de distribuição de energia entre os materiais, tem-se que o fluxo dos elétrons constituintes da corrente ocorre em
diferentes níveis de energia em cada material. Neste caso, se o material A permite que se tenha uma corrente com
uma energia EA , enquanto no material B é necessária uma energia EB < EA , então ocorrerá na junção uma absorção
de energia do meio na forma de calor e a junção se aquece (Figura 2.11-b), devido ao princípio da conservação de
energia. Por outro lado, se a corrente I for invertida (de B para A), ocorrerá o efeito inverso, isto é, dissipação de
calor para o meio e a junção se esfria (Figura 2.11-b). O fenômeno da liberação ou absorção de calor na passagem
de corrente elétrica entre dois materiais diferentes a mesma temperatura é chamado Efeito Peltier. Como em uma
junção de dois condutores diferentes surge uma tensão de contato (devido à momentânea difusão de elétrons livres
entre os materiais motivada por diferença de concentração), chamada fem de Peltier, então a junção comporta-se
como uma fonte de tensão dentro da qual ocorre conversão de energia elétrica em térmica e vice-versa.
c) EFEITO SEEBECK: seja dois materiais condutores A e B conectados em duas junções mantidas a temperaturas
diferentes Tr e Tt > Tr (Figura 2.11-c). Neste caso, o desequilíbrio entre as fem’s de Thomson em cada material e as
fem’s de Peltier em cada junção dos materiais resulta em uma tensão elétrica entre os materiais, chamada fem de
Seebeck ou força termoeletromotriz, e origina uma corrente elétrica no laço formado pelo par (Figura 2.11-c). Este
fenômeno é chamado Efeito Seebeck e a tensão resultante depende dos materiais constituintes do par, chamados
termoelementos ou par termoelétrico, e da diferença entre as temperaturas das junções e da qualidade do contato,
mas independe do comprimento e da seção dos materiais, bem como da área e da forma dos contatos.

fem de Thomson fem de Peltier corrente


A B
induzida
Tt > Tr Tr EA EB < E A
I A
e –
e –
E I fem de
calor Tt > Tr Seebeck Tr
– calor
e
B
fonte de calor junção aquece
junção esfria
(a) (b) (c)

Figura 2.11: Esquematização dos três efeitos da termoeletricidade: (a) Thomson; (b) Peltier; (c) Seebeck.
A Figura 2.12-a mostra um esquema de produção do efeito Peltier, onde observa-se que a corrente elétrica em
decorrência da tensão aplicada faz surgir uma diferença de temperatura entre as junções do par termoelétrico. Por sua
vez, a Figura 2.12-b mostra um esquema de produção da fem de Seebeck, onde nota-se o surgimento de uma tensão no
par termoelétrico submetido a temperaturas distintas em suas junções. Pode-se concluir então que o efeito Seebeck é o
inverso do efeito Peltier, sendo estes considerados um só e chamados de efeito Peltier-Seebeck, ou efeito termelétrico.
O efeito Peltier pode ser aproveitado na construção dos chamados coolers de Peltier, utilizados como dissipador
de calor para controle de temperatura em microprocessadores, bem como em refrigeradores de pequena potência para
uso doméstico, geralmente fabricados com semicondutores por ser o efeito Peltier mais intenso nestes materiais.
33
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

A fem de Seebeck pode ser também obtida nos terminais de uma das junções par termoelétrico em aberto, por
exemplo, a junção à temperatura Tr . Neste caso, com a temperatura Tr da junção em aberto servindo como valor de
referência para a temperatura Tt na junção restante, chamada temperatura de teste, tem-se que a fem de Seebeck nos
terminais em aberto pode ser ajustada para variar em função apenas da temperatura de teste. Assim, o efeito Seebeck
pode ser empregado como um sensor de temperatura, denominado termopar, onde os termoelementos, normalmente
metais e ligas, propiciam um rápido acompanhamento das variações na temperatura de teste devido ao baixo calor
específico dos metais, que faz a junção de teste atingir rápidamente o equilíbrio térmico com o ponto de medição.
Como a fem é do tipo contínua, sua leitura permite também a detecção das chamadas perna + e perna – do par.
A Figura 2.12-c apresenta um esquema de medição de temperatura com termopar. A temperatura Tt no local de
inspeção é normalmente tomada por imersão, encaixe ou contato, e o circuito de medição é mantido distante do ponto
de medição por meio de fios longos para garantir que a temperatura Tr nas extremidades 1 e 2 seja constante. A fem
de Seebeck desenvolvida é então lida por um voltímetro, que converte seu valor em oC ou oF (Figura 2.12-c).
Os termopares encontram amplo emprego como elemento sensor de temperatura, chamados pirômetros, para o
monitoramento de temperatura em sistemas de aquecimento (fornos, caldeiras, estufas, etc), bem como no diagnóstico
de pontos quentes (mal contatos) em equipamentos elétricos (motores, quadros de luz etc.) por meio de medidores que
propiciam esta função (Figura 2.12-d). São fabricados em diversos formatos de acordo com a natureza dos termo-
elementos e resistências ao calor e à corrosão (Figura 2.12-e). O par mais comum consiste de liga de níquel-cromo
(perna +) e de níquel, cobre ou platina (perna –). Outros pares: cobre (+)-constantan (–) e ferro (+)-constantan (–).
Embora as fem’s sejam pequenas (por exemplo, cerca de 60 mV para o par cobre-constantan), o efeito Seebeck
pode ser explorado como gerador elétrico com pares associados em série e paralelo, nas chamadas termopilhas.
Tr < Tt
Tr < Tt fios longos circuito de
B medição
B
perna + 1
A A V
V Tr fem V
B Tt perna – 2
B
Tt Tt
ajuste

(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 2.12: Esquemas de efeitos: (a) Peltier, (b) Seebeck; termopar: (c) medição; (d) medidor; (e) formatos.

2.3.2) SUPERCONDUTIVIDADE

Como estudado, diversos fatores contribuem para o aumento da resistividade elétrica de um material, tais como
imperfeições e impurezas. Contudo, quando submetidos a diminuições de temperatura, certos materiais exibem uma
variação brusca em sua resistividade para um valor imensuravelmente pequeno (Figura 2.13-a) quando a temperatura
do material atinge certo valor chamado temperatura crítica TC. Este fenômeno em que a condutividade atinge um valor
praticamente infinito é chamado supercondutividade e os materiais que a exibem são chamados de supercondutores.
O estado supercondutor de um material, porém, corresponde a uma mudança de fase drástica, com propriedades
qualitativamente diferentes e que não podem ser explicadas somente com a hipótese da resistividade nula. Em 1933,
Meissner observou que um material supercondutor mantido à temperaturas abaixo do seu valor crítico e na presença
de um campo magnético aplicado antes ou depois de estabelecido o estado supercondutor do material, expulsa o fluxo
magnético de seu interior de forma total (Figura 2.13-b), fenômeno denominado Efeito Meissner. Como o efeito de
expulsão do campo é chamado diamagnetismo, o supercondutor age então como um material diamagnético perfeito.
Logo, como resultado do Efeito Meissner, se um imã permanente for colocado sobre uma placa supercondutora,
flutuará (Figura 2.13-c). Pode-se dizer, então, que o campo magnético não penetra no interior da placa porque, nesta,
os elétrons de condução apresentam movimentos totalmente desimpedidos e podem ajustar seus deslocamentos de
forma a gerar um campo magnético repulsivo o suficiente para compensar o peso do imã. Para isso, portanto, devem
ser induzidas correntes elétricas na superfície da placa supercondutores de tal forma a expulsar o campo magnético de
seu interior. Além disso, estas correntes, por não haver resistência aos seus deslocamentos, podem persistir no meio
supercondutor sem que se possa detectar seu decaimento, mesmo quando retirado a fonte do campo magnético (no
caso, o imã). Pode-se dizer então que o fluxo magnético externo foi mantido “preso” no material supercondutor.
Assim, as duas características principais dos supercondutores, explicitamente, a exclusão do fluxo magnético e
a ausência de resistência a um fluxo de corrente, estão relacionadas entre si, pois é necessário haver uma corrente
persistente e sem resistência para manter a exclusão do fluxo enquanto houver a presença de um campo magnético
externo. Este fato demonstra a incompatibilidade entre corrente elétrica e campo magnético no estado supercondutor.
No entanto, o estado supercondutor apresenta um limite para o fluxo magnético externo, denominado campo
crítico (HC), acima do qual o supercondutor retorna para o seu estado normal. Além disso, o valor do campo crítico
depende da temperatura do material, tal como exemplificado no gráfico da Figura 2.13-d. Com base neste gráfico,
34
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

observa-se então que a temperatura necessária para se atingir o estado supercondutor diminui com aumento do campo
magnético externo e, acima de certo valor crítico HC1 a 0 K, o material não mais atinge o estado supercondutor. Pelo
gráfico observa-se também que HC é nulo para T = TC e, portanto, para se observar o fenômeno da repulsão de um
campo magnético aplicado, o supercondutor deve necessariamente estar abaixo de sua temperatura crítica.
Como visto, os metais puros são os melhores condutores elétricos em temperaturas normais de trabalho e, em
geral, aumentam sua condutividade com a diminuição da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam o
fenômeno da supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor são supercondutores.
Por exemplo, alumínio (TC = 1,2 K), estanho (TC = 3,8 K), mercúrio (TC = 4,2 K) e chumbo (TC = 7,2 K) apresentam
supercondutividade, mas em metais como ouro, prata e cobre não se verifica o estado supercondutor.

 (m) T  TC imã HC (A/m2)


H
HC1 estado
estado normal
placa super-
T < TC condutor
H supercondutora
0 TC T (K) 0 TC T (K)
(a) (b) (c) (d)

Figura 2.13: Supercondutividade: (a) variação da resistividade de um material com a temperatura e ponto
crítico; (b) Efeito Meissner; (c) flutuação de imã permanente; (d) variação do campo crítico com a temperatura.
Até 1986 havia uma barreira na temperatura crítica, que era TC = 23 K obtida com componentes intermetálicos,
tal como o nióbio-germânio. Naquele ano, Mueller e Bednorz descobriram uma nova classe de óxidos que exibiam
supercondutividade à uma temperatura muito superior às observadas até então e obtiveram a quebra da barreira com o
óxido de cobre (TC = 35 K). Desde então, novas barreiras vêm sendo estabelecidas, sendo as descobertas mais recentes
baseadas no emprego das chamadas terras raras (série dos lantanídeos), tais como compostos de cobre-lantânio-bário
e cobre-lantânio-estrôncio. Logo, parece razoável supor que a meta a ser atingida, a temperatura ambiente, é viável.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prática ser hoje uma realidade, há muitos problemas a serem
superados. Por exemplo, muitos destes materiais são difíceis de serem produzidos consistentemente, pois se mostram
mais resistentes mecanicamente em algumas direções do que em outras, e são em geral bastante quebradiços para
serem construídos como fios flexíveis. Além disso, estes materiais exibem certas anisotropias cristalinas que fazem
com que o fluxo de corrente elétrica varie por um fator de 30 dependendo da direção do fluxo na amostra de material.
A supercondutividade encontra imensas possibilidades de aplicação, dentre as quais pode-se citar:
 Transmissão de grandes quantidades de energia com mínimas perdas, por meio de cabos supercondutores;
 Construção de enrolamentos supercondutores para utilização em motores elétricos e geradores;
 Transporte de cargas e passageiros por meio de trens levitados sobre campos magnéticos;
 Blindagem contra interferência eletromagnéticas ou fluxos magnéticos indesejáveis.

2.4) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Sejam dois cabos de materiais A e B. Sabe-se que o cabo de material A tem a fios, condutividade A e
massa específica A , e o cabo de material B tem b fios, condutividade B = 2A e massa específica B = 5A. Sabe-se
também que os fios dos cabos têm mesma seção e comprimento. Determine a faixa de valores que deve ter a razão
a/b para que o cabo de material A tenha, simultaneamente, menor resistência e menor peso que o cabo de material B.

Problema 2: Sejam dois fios resistivos A e B de mesmo material e mesmo comprimento, onde a seção do fio B é
maior que a do fio A. Sabe-se que, com os fios conectados em série obtém-se uma resistência equivalente de 10  e,
em paralelo, obtém-se uma resistência equivalente de 2,1 . Determine o valor das resistências dos fios A e B.
2,5 mm2
Problema 3: A figura ao lado mostra duas barras de materiais A e B submetidas aos VJ
potenciais de tensão em suas extremidades mostradas. Determine o potencial VJ na 2,5 V A B 0,7 V
junção das barras, a corrente e o gráfico da distribuição de potencial ao longo das
8 cm 6 cm
barras. Dados: condutividades elétricas: A = 20 x 104 S/m e B = 120 x 103 S/m.
12 m 15 m
Problema 4: Sejam três barras de material resistivo, conectadas tal como mostrado na figura ao
lado. A seção de cada barra é 1,2 cm2 e as mesmas estão submetidas aos potenciais elétricos em
6V 4V
1 2 suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial na junção das barras, o valor e o
3 30 m sentido da corrente elétrica em cada barra e a resistência de cada barra. Dado: condutividades
2V elétricas dos materiais das barras: 1 = 5 x 104 S/m, 2 = 6,25 x 104 S/m e 3 = 12,5 x 104 S/m.

35
CAPÍTULO 2: Materiais e dispositivos condutores

Problema 5: A figura ao lado mostra um certo fio resistivo no formato de um circuito O 2x 2x


retangular fechado. Deseja-se medir a resistência entre dois pontos quaisquer do fio
x
com um ohmímetro, onde uma ponta de prova é fixada no ponto O e a outra percorre o  D
fio. Sabendo-se que o ohmímetro mede 15  quando a ponta de prova móvel atinge o x
ponto A, determine a leitura quando a ponta de prova móvel passa nos pontos B, C e D. A B C

Problema 6: A figura fornecida mostra a variação da resistência com a temperatura, de dois resistores RA e RB de
materiais A e B, respectivamente. Com base no gráfico, determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos
materiais A e B a 20 oC. Explique seu raciocínio e compare os resultados.

Problema 7: O gráfico fornecido mostra o comportamento da resistência com a temperatura de dois resistores RA e
RB . A 20 oC, sabe-se que a resistência equivalente com RA e RB em série é 50  e, para RA e RB em paralelo, 12 .
Determine o valor dos coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a 20 oC .

Problema 8: O gráfico dado mostra a variação da resistência equivalente entre dois resistores RA e RB em série, em
função da diferença de temperatura T em relação à referência 20 oC, onde m é a declividade da reta. A 20 oC, sabe-se
que RA = 10  e o coeficiente de temperatura da resistividade do material deste resistor é 3 x 10-4 oC -1. Pede-se:
a) O coeficiente de variação da resistência com a temperatura a 20 oC do material do resistor RB , para os seguintes
valores de declividade da reta: m = 0,01 /oC , m = 0 /oC e m = – 0,01 /oC.
b) O que se pode concluir sobre a resistência equivalente quando a declividade é nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura do resistor RB é negativo? Comente.

Problema 9: Para o circuito fornecido, sabe-se que, quando o resistor R2 é submetido a um aumento de temperatura,
observa-se que a luminosidade da lâmpada L diminui. Explique qual o tipo de material (PTC ou NTC) do resistor R2.
R () RA , RB ()
RB Req ()
retas RA
51 30,6
paralelas 40
RA R1
m L
49,6
50 19,5 RB V R1 R2
0 20 T (oC) 0 20 T (oC) 0 T (oC)
Problema 6 Problema 7 Problema 8 Problema 9
Problema 10: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seção e comprimento, onde sabe-se que a condutividade do
material do fio A é maior que a do material do fio B. Apesar disso, ao aplicar-se a mesma tensão alternada a cada fio,
observa-se que a corrente no fio A é menor. Explique um possível motivo.

Problema 11: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20 oC são,
respectivamente, 0,08 mm2/m e 0,004 oC –1, e que a permeabilidade relativa do metal é 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistência CC por quilômetro a 50 oC, de um cabo constituído por 7 fios de 1 mm de diâmetro do metal.
b) Em um fio do metal a 50 oC, com 2 mm de diâmetro e 10 m de comprimento, aplica-se uma tensão alternada eficaz
de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potência de 10 W. Determine a freqüência do sinal de tensão aplicado.

Problema 12: A figura ao lado mostra uma fonte de tensão contínua alimentando dois fios
resistivos RA e RB de mesmo valor a uma certa temperatura inicial, quando observa-se que os fios RA
dissipam uma certa potência total PD. Sabe-se que o coeficiente de temperatura da resistividade do RB
V
fio RA na temperatura inicial é igual ao do fio RB , mas de sinal contrários. Sabe-se também que o
fio RA não possui propriedades magnéticas e que a permeabilidade magnética do fio RB é elevada. Pede-se:
a) Explique o que acontece com a potência PD se a temperatura dos fios aumentar por igual.
b) Explique o que ocorre com a potência PD se a fonte de tensão contínua for substituída por uma fonte de tensão
alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).
contatos elétricos fixos
Problema 13: A figura ao lado mostra um sensor bimetálico empregado para
L2
indicar, por meio de duas lâmpadas L1 e L2 , se a temperatura se encontra fora bimetal
de certa faixa desejada (no caso da figura, L1 e L2 estão apagadas, indicando A B L1
temperatura dentro da faixa). No par bimetálico, o metal B é o que apresenta o V
maior coeficiente de dilatação térmica. Pede-se:
mola contato elétrico móvel
a) Explique qual lâmpada indica temperatura abaixo da faixa.
b) Se a distância entre os contatos elétricos fixos e o móvel aumentar, que parâmetro do circuito será ajustado?

36
CAPÍTULO 3: MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES
Diferentemente dos materiais condutores, empregados em Eletrotécnica para o transporte e transformação de
energia elétrica, os materiais conhecidos como isolantes elétricos apresentam propriedades essenciais quando se faz
necessário separar eletricamente partes de um circuito ou dispositivo a potenciais diferentes, ou armazenar energia na
forma de campo elétrico com o proveito de efeitos capacitivos, ou ainda manusear partes energizadas sem riscos.
Este capítulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos e aplicações dos materiais isolantes.

3.1) PROPRIEDADES E FENÔMENOS

Como visto no Capítulo 1, os materiais classificados eletricamente como isolantes apresentam um elevado gap
de energia entre as bandas de valência e condução ( 6 eV). Consequentemente, estes materiais caracterizam-se por
apresentar baixas concentrações de portadores de carga livres, em torno de 106 cm–3, o que resulta em resistividades
elétricas bastante elevadas, da ordem de 108 a 1015 m (para efeito de comparação, em torno de 10–7 m nos metais).
Este fato revela então que a condução de eletricidade nos materiais isolantes é praticamente nula quando submetidos a
tensões compatíveis, o que revela uma natureza elétrica essencialmente isolante e implica em aplicações distintas dos
condutores e semicondutores, razão pela qual propriedades e fenômenos mais apropriados devem ser estudados.

3.1.1) RIGIDEZ DIELÉTRICA

A propriedade rigidez dielétrica é descrita como o limite de tensão por unidade de espessura, acima do qual um
material isolante perde bruscamente sua capacidade de isolação elétrica ao permitir a passagem de corrente por sua
estrutura, resultando usualmente em sua inutilização. Esta propriedade expressa, portanto, a qualidade isolante elétrico
do material, descrita como a capacidade deste de se opor à uma descarga elétrica por seu meio sem se danificar.
Para uma amostra de espessura d de certo material isolante, que suporta até uma tensão máxima Vmax entre suas
faces antes de se romper, a rigidez dielétrica Emax (unidade usual: kV/mm.) do material é dada experimentalmente por:
V
Emax  max (3.1)
d
Esta propriedade reside então um parâmetro essencial para a avaliação dos materais usados com a finalidade de
se manter eletricamente isoladas partes ou superfícies a potenciais diferentes, tais como revestimento isolante para
componentes elétricos, suporte isolante para elementos energizados de instalações elétricas, compartimentação de
dispositivos e equipamentos elétricos, etc. A Tabela 3.1 apresenta a rigidez dielétrica de alguns materiais de interesse.

Tabela 3.1: Rigidez dielétrica de alguns materiais a 20 oC.


Material Emáx (kV/mm) Material Emáx (kV/mm) Material Emáx (kV/mm)
ar seco 3 EPR 53 vidros 7,5 a 30
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
polietileno 21 teflon 60 a 173 óleos de silicone 10 a 15
PVC 50 polietileno reticulado 65 óleos minerais 15 a 280

3.1.2) POLARIZAÇÃO DIELÉTRICA

Quando submetidos a campos elétricos, os materiais condutores, notadamente os metais, apresentam a indução
de cargas elétricas de sinais contrários em sua superfície, devido ao deslocamento de seus elétrons livres em resposta
à força exercida sobre os mesmos pelo campo aplicado. Esta separação de carga acarreta então em um campo elétrico
induzido e contrário ao aplicado, o que causa o anulamento do campo aplicado no interior do material (Figura 3.1-a).
Os materiais isolantes, também chamados dielétricos, exibem um comportamento similar mas, como praticamente não
possuem elétrons livres, sua reação a um campo elétrico ocorre por outro mecanismo, chamado polarização dielétrica.
Átomos constituem-se basicamente por um núcleo positivo (prótons) e uma coroa negativa (elétrons). Logo, em
agrupamentos de átomos (moléculas), pode-se definir um “centro de carga” para as cargas positivas e negativas, cuja
posição define os dois tipos de moléculas constituintes da matéria: polar e apolar (não-polar). Moléculas polares se
caracterizam por não haver coincidência dos centros de carga, o que configura-se em separação de carga e resulta em
um campo elétrico natural entre os centros de carga chamado dipolo elétrico permanente ou natural (Figura 3.1-b),
sendo os dielétricos chamados polares. Para o caso das moléculas apolares, a coincidência dos centros de carga não se
configura em um dipolo elétrico resultante (Figura 3.1-c), sendo então os dielétricos denominados não-polares.
Em dielétricos polares, os dipolos naturais encontram-se orientados ao acaso e não apresentam orientação em
uma direção resultante, e os não-polares não exibem naturalmente dipolos em sua estrutura. No entanto, em presença

37
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

de um campo elétrico, a reação de ambos os tipos de dielétricos é essencialmente a mesma. Em dielétricos polares, a
aplicação de um campo elétrico externo exerce forças nos dipolos naturais de modo a orientá-los na mesma direção do
campo (Figura 3.1-b) e, em dielétricos não-polares, o campo exerce forças sobre os centros de carga das moléculas de
modo a causar uma separação e um alinhamento dos centros de carga na direção do campo, resultando no chamado
dipolo induzido (Figura 3.1-c). Esta orientação, chamada polarização dielétrica, não é total devido à agitação térmica
e será mais intensa quanto maior o campo aplicado, sendo o processo reversível, ou seja, cessado o campo, os dipolos
induzidos são desfeitos e os naturais voltam às posições originais, tal que a carga elétrica por volume permanece nula.
Com base nas Figuras 3.1-b e c, observa-se então que a polarização decorre do deslocamento dos centros de
carga positivos no mesmo sentido do campo externo aplicado e dos centros de carga negativos no sentido oposto, tal
que os dipolos (naturais ou induzidos) se orientam no sentido contrário ao campo. Logo, para um material dielétrico
submetido a um campo elétrico externo, observa-se que o camplo aplicado encontra oposição ao seu adensamento no
interior do material devido à orientação contrária de dipolos elétricos (Figura 3.1-d) e, desse modo, o campo externo
sofre um enfraquecimento no interior do dilétrico (Figura 3.1-e). Assim, similar ao metais, em dielétricos submetidos
a campos elétricos, observa-se uma redução do campo externo em seu interior e a indução de camadas superficiais de
cargas positivas e negativas em sua superfície provindo dos dipolos elétricos orientados (Figura 3.1-e).
dipolo
Eext elétrico
camp natural
o Eext Eext Eext
elétri
Eint = 0 Eco
ext Eext dipolo
camp induzido
(a) o (b) (c) (d) (e)
elétri
co (metal) perante campo elétrico; polarização dielétrica: (b) molécula polar, (c) molécula
Figura 3.1: (a) Condutor
apolar, (d) dielétrico submetido a um campo elétrico; (e) reação do dielétrico ao adensamento do campo externo.

3.1.3) PERMISSIVIDADE DIELÉTRICA

A propriedade que descreve o grau de polarização de um material dielétrico em presença de um campo elétrico
externo, ou ainda, a capacidade do dielétrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo elétrico por sua estrutura, é
chamada permissividade dielétrica (símbolo: , unidade: F/m, F = Farad). Assim, quanto maior a polarização dos
dipolos elétricos (naturais ou induzidos) contrários a um campo externo aplicado, menor é o adensamento do campo
elétrico externo no interior do material dielétrico (enfraquecimento) e maior é a permissividade deste material.
A permissividade dielétrica do vácuo (o = 8,854 x 10-12 F/m), sendo uma constante universal, é empregada para
definir o termo permissividade relativa (r) de um material isolante, que quantifica o quanto o material se polariza em
relação ao vácuo, sendo então definida como a razão entre a permissividade  do isolante e o do vácuo, ou seja:

r  (3.2)
o
sendo r adimensional. A permissividade relativa de um material isolante pode ser expressa pela chamada constante
dielétrica K, obtida experimentalmente pela relação entre a capacitância C (F) de um capacitor contendo isolante e a
capacitância Co de um capacitor de iguais dimensões e com o material isolante substituído pelo ar ou vácuo, ou seja:
C
K  (3.3)
Co
Além da temperatura, a permissividade dielétrica dos materiais depende da freqüência de utilização, em virtude
da dificuldade dos dipolos permanentes acompanharem a variação do campo elétrico aplicado, ocorrendo apenas a
criação de dipolos induzidos, o que resulta em uma queda no valor da constante dielétrica. Logo, dispositivos como
capacitores podem sofrer redução em sua capacidade de armazenar carga elétrica quanto maior a freqüência do sinal.
A Tabela 3.2 apresenta a constante dielétrica de alguns isolantes à temperatura de 25 ºC e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.

Tabela 3.2: Constantes dielétricas de alguns materiais isolantes de interesse em Eletrotécnica.


Material K (adm.) Material K (adm.) Material K (adm.)
ar puro e seco ~ 1,0 óleo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,7 óxido de alumínio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 óxido de tântalo 11 araldite 3,6

38
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.1.4) CAPACITÂNCIA

Seja um condutor elétrico isolado com certa carga Q armazenada, resultando em um potencial V em relação a
um referencial qualquer devido ao campo elétrico emitido pela carga. Supondo uma variação na carga para um valor
nQ, observa-se que o potencial do condutor se altera para nV, tal que a razão Q/V se matem constante. Esta relação
entre carga e potencial consiste em uma qualidade do condutor chamada efeito capacitivo ou capacitância (C), tal que
Q/V = C, que dependente geometria do condutor e do meio isolante que o envolve. Por extensão, efeitos capacitivos
se estabelecem entre quaisquer superfícies a potenciais diferentes, tal como entre cabos aéreos e entre estes e o solo.
Seja então, por exemplo, um condutor A imerso em um meio dielétrico e carregado com certa carga positiva Q
sob um potencial V em relação à referência terra (Figura 3.2-a), resultando em uma capacitância C. Se um segundo
condutor B aterrado for colocado próximo e isolado de A pelo meio dielétrico, observa-se então que o campo elétrico
criado pelas cargas positivas em A induzirão cargas negativas em B, resultando em uma queda de potencial do próprio
condutor A devido à influência das cargas negativas induzidas em B (Figura 3.2-b). Adicionalmente, se a distância
entre os condutores diminuir, ou a área de acoplamento entre estes aumentar, tem-se um aumento na carga induzida
em B e, desse modo, uma redução no potencial do condutor A. Logo, para o condutor A atingir novamente o potencial
V, deve-se acrescentar mais cargas positivas ao mesmo e, desse modo, a presença do condutor B permite ao condutor
A armazenar mais carga sob mesmo potencial, ou seja, a capacitância do condutor A aumenta em conjunto com B.
Conclui-se então que a capacitância do conjunto será tanto maior quanto maior for a indução em B e esta atinge o
valor máximo quando ocorre indução total, isto é, a carga elétrica em ambos condutores são iguais e de sinais opostos.
Seja então o conjunto dado na Figura 3.2-c, constituído por duas placas condutoras separadas pelo dielétrico ar
e carregadas com cargas iguais e opostas +Q e –Q produzidas por indução total, o que estabelece um campo elétrico
Eo devido à ddp Vo entre as placas. A introdução de um dielétrico de permissividade maior que o ar causa um enfra-
quecimento do campo elétrico estabelecido incialmente, devido à maior capacidade de polarização do dielétrico no
sentido contrário ao campo, resultando então em uma diminuição do campo entre as placas para um valor E < Eo e um
decréscimo na ddp para um valor V < Vo (Figura 3.2-d). Logo, este efeito possibilita um aumento da carga elétrica nas
placas de modo a se obter novamente a ddp Vo, ou seja, com a mesma tensão consegue-se armazenar mais carga e
energia na forma de campo elétrico. Assim, conclui-se que a capacitância de um conjunto de superfícies condutoras
será tanto maior quanto maior for a permissividade dielétrica do material isolante empregado entre as superfícies.
Um conjunto constituído por duas superfícies condutoras separadas por um dielétrico e com a função específica
de reter cargas elétricas de modo a armazenar energia na forma de campo elétrico é denominado capacitor, sendo a
capacitância, portanto, a grandeza que descreve esta capacidade. O meio dielétrico do capacitor pode ser ar ou vácuo,
que têm a vantagem não se danificarem quando rompidos, mas o emprego de um dielétrico sólido com permissividade
maior permite obter um capacitor de maior capacitância com mesmas dimensões, bem como outras vantagens como:
1) O emprego de um dielétrico sólido resolve o problema mecânico decorrente da necessidade de se manter duas ou
mais superfícies condutoras separadas por pequenas distâncias sem um contato elétrico efetivo;
2) O emprego de um dielétrico de maior rigidez dielétrica que a do ar permite ao capacitor suportar uma tensão mais
elevada sem se danificar e, portanto, possibilita uma maior quantidade de carga armazenada em seu conjunto.
A (C = Q/V) A (C = Q/V) meio dielétrico ar meio dielétrico de
(permissividade o) permissividade  > o
B +Q -Q +Q -Q
E meio
dielétrico

Q Q
V Eo E < Eo
V
Vo V < Vo
0V 0V
(a) (b) (c) (d)

Figura 3.2: Efeitos capacitivos: (a) condutor isolado; (b) conjunto de condutores com indução parcial;
(c) conjunto de condutores com indução total; (d) introdução de dielétrico de maior permissividade.

3.1.5) PERDAS, FATOR DE PERDAS E EFEITO CORONA

A eficiência dos materiais isolantes e dielétricos depende da aplicação, fatores externos e condições de trabalho
dos materiais, que em geral estão sujeitos a condicionantes que podem resultar em perdas de energia, tais como:
 Correntes parasitas: impulsos de tensão e tempos prolongados de aplicação de tensões elevadas podem acarretar
no surgimento de correntes parasitas no corpo do material e causar perdas por dissipação de calor na resistência do
corpo. Além disso, fatores como incidência solar, poluição, salinidade e gases corrosivos presentes no ar, absorção

39
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

de água devido à porosidade (a chamada higroscopia), etc., podem acelerar o envelhecimento do material e resultar
em perdas devido ao aumento substancial de correntes parasitas no corpo do material. Adicionalmente, a deposição
de substâncias sobre o material (pó, sugeira, fuligem, etc.) pode ocacionar o surgimento de caminhos ôhmicos para
a circulação de correntes de fuga pela superfície do material, resultando em perdas de energia para o sistema.
 Histerese elétrica: na polarização de um dielétrico, a energia requerida para a orientação de seus dipolos pode não
retornar integralmente ao sistema quando da retirada do campo elétrico aplicado, pelo fato de alguns dos dipolos
orientados não retornarem completamente às suas posições originais. Estes atrasos de dipolos, conhecido como
histerese elétrica, necessita então de consumo de energia para serem desfeitos e, portanto, representam perdas.
 Absorção dielétrica: os dielétricos podem absorver carga elétrica em contato com partes energizadas e passar a se
comportar como um material eletrizado por algum tempo, o que representa uma situação de energia entregue pelo
sistema e não devolvida, resultando então em perdas. Certos materiais dielétricos podem exibir uma absorção de
carga praticamente irreversível, o que é aproveitado na obtenção dos chamados eletretos, vistos mais adiante.
Como o vácuo caracteriza-se pela ausência de matéria, então o mesmo não sofre problemas com perdas por
envelhecimento e polarização. O vácuo é, por conseguinte, o único exemplo de material dielétrico ideal.
Da teoria de Circuitos Elétricos sabe-se que a corrente e a tensão CA em um capacitor são idealmente defasadas
por 90o. Como o conjunto de perdas em um dielétrico pode ser modelado por uma resistência então, a rigor, este
defasamento deve ser menor que 90o por um valor  (Figura 3.3) devido às perdas associadas ao dielétrico. O termo 
é então chamado ângulo de perdas e sua tangente (tg ) define o chamado fator de perdas de um dielétrico. Este fator
consiste em uma medida da energia perdida na estrutura de um material isolante e, no caso de capacitores, o ângulo 
caracteriza o melhor ou pior dielétrico para aplicações capacitivas pois, quanto menor o fator de perdas, menor é o
efeito resistivo resultante destas perdas e mais próximo de 90o será o defasamento entre tensão e corrente CA.
A Tabela 3.3 mostra o fator de perdas de alguns materiais na freqüência de 1 kHz a 25 oC.

VC  IC Tabela 3.3: Fator de perdas de alguns materiais.


Isolante tg  Isolante tg 
PVC 0,06 EPR 0,007
IC VC porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002
Figura 3.3: Ângulo de perdas ().
Um fenômeno de grande preocupação em sistemas elétricos advém de situações em que a densidade de campo
elétrico em um condutor energizado e imerso no ar, excede um determinado valor e ocasiona o surgimento de regiões
de ar ao redor do condutor ligeiramente ionizadas. Como consequência, tem-se o surgimento de pequenas descargas
elétricas do condutor para o ar que resultam na emissão de ondas de rádio-frequências, bem como emissões luminosas
de cor violeta pálida decorrente da formação de gás ozônio e ruídos audíveis devido a vibração do condutor. Este
fenômeno, chamado efeito Corona (aparência na Figura 3.4-a), representa então perdas de energia elétrica do sistema,
sendo comum em redes de transmissão e subestações devido aos elevados níveis de tensão de trabalho envolvidos.
Além do tipo de tensão aplicada (CA ou CC), o efeito Corona é influenciado pelas condições do ar (umidade,
temperatura, pressão e poluição) e pelo formato do condutor empregado devido ao chamado efeito das pontas, pois o
campo elétrico se intensifica em regiões com formas retas ou pontiagudas de um condutor energizado (Figura 3.4-b).
Assim, as perdas perdas resultantes da ocorrência de efeito Corona em sistemas de alta tensão necessitam ser
reduzidas o máximo possível, obrigando os projetistas a dedicar especial atenção no dimensionamento de chaves de
alta tensão, bem como na avaliação do raio de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens de suporte (torres e
postes), no espaçamento entre barramentos, etc. Assim, é comum o emprego dos chamados atenuadores de efeito
Corona (aparências na Figura 3.4-c), que consistem de peças condutoras em formato circular para mitigar o efeito das
pontas ao promover o aumento da uniformidade do campo elétrico ao redor de equipamentos presentes em estruturas
de suporte e elementos de subestações, tais como isoladores (Figura 3.4-d), cabos, conexões, barramentos, etc.
anel
decarga corona anti-corona

alta
tensão

(a) (b) (c) (d)

Figura 3.4: (a) Visualização de efeito Corona em linha de transmissão; (b) esquematização do efeito das
pontas e produção de descarga corona; (c) atenuadores anti-corona; (d) isolador com anel anti-corona.

40
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES

Materiais isolantes encontram amplo emprego em Eletrotécnica para desempenhar funções de revestimento,
suporte e manuseio de partes energizadas de circuitos, bem como na fabricação de capacitores. O termo isolante é
geralmente conferido aos materiais para isolamento elétrico em geral e o termo dielétrico para aplicações capacitivas.

3.2.1) MATERIAIS ISOLANTES E DIELÉTRICOS

Materiais isolantes e dielétricos se diferenciam por diversas propriedades e características, tais como rigidez e
permissividade dielétricas, fator de perdas, dureza, etc., e podem ser encontrados nos três estados físicos da matéria. A
seguir são descritos alguns dos materiais isolantes de aplicação mais comum em componentes e sistemas elétricos:
 Isolantes gasosos: o ar atmosférico é utilizado como meio isolante em instalações elétricas aéreas (cabos nus em
redes, barramentos em subestações, etc). O SF6 (hexafluoreto de enxofre) é um gás de elevada rigidez dielétrica,
empregado como isolamento em cabos subterrâneos, redes e subestações compactas, disjuntores de potência, etc.
 Dielétricos líquidos: são óleos especiais com propriedades isolantes (óleos minerais, óleos de silicone e Askarel)
empregados em transformadores para isolamento entre enrolamentos e carcaça, onde atua também como efeito
refrigerante por absorver o calor gerado por efeito Joule dos enrolamentos e transferi-lo a radiadores de calor,
mantendo admissíveis os níveis de temperatura. São usados também em disjuntores a óleo para prover extinção de
arco elétrico e na impregnação de fibras para revestimento de cabos e dielétricos em capacitores.
 Tintas e vernizes: são compostos químicos de resinas sintéticas, que tem largo emprego na tecnologia de isolação
de componentes eletrônicos como: esmaltação de fios e cabos condutores, isolação de laminados ferromagnéticos,
proteção de superfícies tais como circuitos impressos, etc. Exemplos: Alkanex, Formex e Permafil.
 Resinas plásticas: são de boa rigidez, baixo fator de perda, não higroscópicos e resistentes ao calor. Empregos:
revestimento de condutores elétricos, encapsulamentos, capacitores, isoladores e núcleos de bobinas. Exemplos:
XLPE (polietileno reticulado), poliéster, polistireno, PVC (cloreto de polivinila), teflon, araldite, baquelite, etc.
 Cerâmicas: materiais de elevadas constante e rigidez dielétricas, são usados em isoladores em todas as tensões e
em capacitores de baixa e alta tensão. Exemplos: óxido de alumínio, titanato de bário, porcelana e esteatite.
 Borrachas sintéticas: são materiais elásticos, de boa resistência a agentes químicos e elevada rigidez dielétrica.
São usadas como capa externa protetora de cabos e em isoladores poliméricos. Exemplos: silicone, neoprene, EPR
(etileno-propileno), EPDM (etileno propileno dieno monômero) e borracha butílica.
 Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dielétrica e baixo fator de perdas. É empregada como dielétrico
em capacitores e como isolante nas ligações entre transistores de alta potência e dissipadores térmicos.
 Vidros: apresentam elevada rigidez e estabilidade à umidade. Usos: isoladores para cabos em redes aéreas.
 Fibras naturais: são materiais baratos e de grande flexibilidade, porém de elevada higroscopia, sendo usados em
suportes isolantes, revestimento de cabos e capacitores. Exemplos: papel, algodão e seda impregnados com óleos.
 Outros: óxido de tântalo e mylar (dielétricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuição), etc.

3.2.2) ISOLAMENTOS E ISOLADORES

Elementos energizados de equipamentos e circuitos elétricos em geral (instalações elétricas, subestações, redes
de transmissão e distribuição, etc.), conhecidas como partes “vivas”, representam perigo à segurança de pessoas e
patrimônio e precisam permanecer “suspensos eletricamente” do meio que os cercam, papel este desempenhado por
diversos tipos de revestimento e elementos de suporte isolante presentes em instalações e dispositivos elétricos.
Isolamento é o termo geral para revestimentos empregados como encapsulamento, compartimentação ou capa
protetora para isolar eletricamente partes energizadas (exemplos na Figura 3.5), bem como dotar estas de condições
para evitar problemas com choques elétricos, corrosão, abrasão, inflamabilidade, umidade, microorganismos, etc.
Em geral, o isolamento de fios e cabos elétricos classificam-se, segundo sua composição, em:
 Isolamento sólido: usados em todos os níveis de tensão, consiste nos materiais orgânicos naturais e polímeros,
além de amianto, cerâmicas, teflon, naylon e ebonite para aplicações especiais. Os polímeros se dividem em:
 Termoplásticos: caracterizam-se por mudança de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Máxima temperatura de trabalho: 170 oC. Exemplos: polistireno, polietileno, PVC e naylon.
 Termofixos: são mais resistentes e carbonizam-se quando queimados, mas tornam-se quebradiços com o tempo.
Temperatura máxima de trabalho: 250 oC. Exemplos: borracha butílica, EPR, XLPE e neoprene.
 Isolamento estratificado: composto de camadas isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolação acima
de 1000 V. Exemplos: papel impregnado com óleo e com interstícios ocupados com gás sob pressão (gas filled).
A espessura de isolamento de condutores elétricos é dimensionada obedecendo a condição de que o campo
elétrico na superfície do isolamento seja nulo. Para o caso simples de um fio, a espessura é dada por (figura 3.5-e):

d  r e 
Vmax
r Emax
1 (3.4)

41
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

onde: d (mm) é a espessura do material isolante e r (mm) é o raio do fio condutor (Figura 3.5-e), Vmax (V) é a tensão
máxima de trabalho do fio e Emax (V/mm) é a rigidez dielétrica do material isolante a ser empregado.
Alguns cabos para aplicações especiais apresentam uma capa protetora contra a ação de agentes externos (raios
solares, meios corrosivos, microorganismos, etc.), usualmente PVC ou chumbo. Em cabos para altas tensões é usada
uma complementação que visa aumentar a capacidade de isolação devido aos elevados campos elétricos gerados.
caixa de
passagem

eletroduto condutor
d
condutores
isolados r
isolante
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 3.5: Aplicações de isolamento: (a) guiamento de condutores elétricos, (b) conjunto plugue-tomada; (c) par
de luvas isolantes (borracha e couro); (d) fita isolante; (e) dimensionamento da espessura de isolação simples .
Isolador é o termo geral para designar dispositivos empregados como suporte, suspensão ou ancoragem isolante
de peças energizadas (condutores, barramentos, chaves, conexões, etc.) em instalações elétricas em geral.
Os isoladores são especialmente construídos para assegurar um isolamento elétrico adequado e apresentar boas
caracterísiticas mecânicas, devendo ainda ser capazes de fazer o máximo uso do poder isolante do ar que os envolve.
Com estes propósitos, são então projetados de forma a apresentar contornos físicos o mais longo possível, de modo a
assegurar uma distribuição balanceada de potenciais e minimizar a acumulação de linhas campo elétrico, objetivando
impedir o rompimento da isolação por arcos elétricos em sua estrutura (perfuração) ou pelo ar (descarga externa).
Além disso, os isoladores devem apresentar uma superfície altamente polida ou vitrificada e sem presença de
poros e fissuras, com a finalidade de diminuir a possibilidade de acúmulo de água e sujeira (pó, fuligem, etc.) sobre o
corpo do isolador, que propiciaria condições para o surgimento de correntes de fuga superficial.
Os materiais empregados em isoladores devem apresentar elevada dureza e tenacidade devido às solicitações
mecânicas a que estão sujeitos (forças sobre eixo de fixação e apoio), que lhes são transmitidos devido ao próprio
peso dos cabos e à força dos ventos sobre os cabos, bem como minimizar problemas com atos de vandalismo.
Isoladores (aparências na Figura 3.6) apresentam diversas especificações, dentre as quais pode-se citar:
 Características elétricas: tensões máximas suportadas (disruptivas, corona, de perfuração, RF, etc.).
 Características mecânicas: capacidade de carga máxima de trabalho e resistência a impactos e choques térmicos.
 Material do corpo isolante: porcelanas (argila, quartzo, alumina, etc.), vidro temperado e compósitos poliméricos
(EPDM, EPR, silicone, plásticos, etc.), podendo estes últimos serem construídos sob um bastão isolante rígido.
 Tipo do corpo isolante: podem se constiuir em uma única peça, chamados tipo monocorpo ou de barra longa,
cujo comprimento define o nível de isolamento, bem como em diversas peças em forma de disco, chamados tipo
multicorpo, que permitem a conexão entre si em longas cadeias para se adequar ao nível de isolação desejado.
 Tipo de apoio: diferem pelo tipo de fixação na estrutura de apoio, feito basicamente de 3 maneiras:
 Isoladores tipo pilar: são construídos em uma única peça ou contendo um núcleo de material isolante mais rígido,
com base metálica fixa de alta resistência mecânica, que é acoplada à estrutura por arruela e porca.
 Isoladores de pino: contém em seu interior um furo rosqueado para permitir a introdução de um pino de aço com
cabeça de chumbo filetada, sobre o qual se atarracha o isolador à estrutura por arruela e porca.
 Isoladores de suspensão: são essencialmente do tipo multicorpo, para permitir ao conjunto grande flexibilidade
ao vento. Além do corpo isolante (normalmente vidro ou porcelana), estes isoladores apresentam ferragens em
seu eixo para o engate entre peças, de modo a propciar boa resistência à tração. São o tipo de maior importância
para redes de transmissão de energia elétrica, pois ajustam-se facilmente às condições de serviço impostas.

tipo
pino
tipo
pilar isoladores
de disco
(tipo
supensão)

(a) (b) (c) (d)

Figura 3.6: (a) Isoladores cerâmicos; (b) isoladores de vidro; (c) isoladores poliméricos; (d) cadeia de isoladores.

42
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

3.2.3) CAPACITORES

Como mencionado anteriormente, os capacitores (símbolos esquemáticos na Figura 3.7-a) são componentes
elétricos construídos para aproveitar a capacidade de armazenar energia na forma de campo elétrico, propiciado por
cargas elétricas retidas em um conjunto de superfícies condutoras isoladas entre si por um meio isolante (dielétrico),
sendo a capacitância do conjunto a medida desta retenção. Conforme também visto anteriormente, observou-se que a
capacitância do conjunto é intensificada quanto maior for o acoplamento entre as superfícies (menor distância entre
placas e maior área de acoplamento) e maior é a polarização do dielétrico empregado (permissividade dielétrica).
Como exemplo, a capacitância de um conjunto formado por duas placas paralelas (Figura 3.7-b) é definida por:
A
C  (3.5)
d
onde  é a permissividade do meio dielétrico e d e A a distância entre as placas e a áreas destas, respectivamente.
Capacitores são componentes elétricos largamente empregados em Eletrotécnica para desempenhar funções
diversas, tais como: correção de fator de potência, osciladores, divisores de tensão capacitivos, defasadores, filtragem,
circuitos tanque ressonantes (sintonizadores), temporizadores, acoplamento de circuitos com bloqueio de corrente
contínua, filtro capacitivo em circuitos retificadores, supressores de transitórios, partida de motores, etc.
Para melhor especificação, os capacitores apresentam diversas características físicas e técnicas, tais como:
 Capacitância nominal: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) até centenas de milifarads (mF).
 Tensão nominal ou de trabalho: define o valor máximo da tensão eficaz suportada continuamente pelo dielétrico,
acima do qual poderá ocorrer elevada absorção dielétrica e risco de carbonização por centelhamento ou descarga.
 Características de fabricação: são especificações de natureza construtiva do capacitor, sendo as mais comuns:
 Dielétrico empregado: gás (ar, SF6), cerâmicas (óxido de alumínio, porcelana, mica), óxido de tântalo, resinas
plásticas (poliéster, polistireno, mylar), óleos minerais, fibra natural (papel, algodão, etc.), fibra de vidro, etc.
 Natureza: podem ser classificados como fixos, variáveis e ajustáveis. Nos fixos, o valor nominal é definido pelo
fabricante. Nos variáveis e ajustáveis, a capacitância é alterada com a variação do acoplamento entre as placas,
de modo a obter um ponto de operação de um circuito ao fixar algum parâmetro deste. Os variáveis (aparência
na Figura 3.7-c) são usados no ajuste do ponto de operação a qualquer tempo, e os ajustáveis, conhecidos como
trimmers (aparências na Figura 3.7-d), usados para o ajuste de algum parâmetro de operação do circuito.
 Formato: podem ser constituídos por placas nas formas em paralelo, disco, cilindros concêntricos, espiral, etc.
 Polarização: os não polarizados (mica, cerâmico, poliéster, etc) independem de como são ligados no circuito, e
os polarizados (eletrolíticos) possuem sinais (+/–) para seus terminais, que devem ser respeitados.
 Tolerância: expressa a precisão no processo de fabricação e define o erro (%) máximo da capacitância nominal.
 Classe de perdas: os capacitores são classificados nos tipos de baixa perda e alta estabilidade (mica, polistireno,
cerâmicos, vidro), de média perda (papel, plásticos) e de altas perdas e elevada capacitância (eletrolíticos).

d
C
A

C
(a) (b) (c) (d)

Figura 3.7: (a) Símbolos esquemáticos do capacitor; (b) esquema de um capacitor de placas paralelas;
(c) aparência de um antigo capacitor variável a dielétrico ar; (d) aparências de trimmers capacitivos.
As especificações são indicadas pelo fabricante em catálogos técnicos e o valor da capacitância, tolerância e
tensão nominal podem vir impressos no corpo do capacitor. A tolerância pode ser expressa diretamente ou através de
um código de letras maiúsculas: F = 1%, H = 2,5%, J = 5%, K = 10% e M = 20%. A capacitância pode estar expressa
diretamente (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V), ou com o emprego de algarismos em diversas formas, tais como:
 Especificações em unidades picofarads (pF):
 Forma explícita. Exemplo: 5,6 J  5,6 pF / 5 %.
 Código formado por três números tipo "XYZ", onde XY forma a dezena e Z a potência de 10, tal que obtém-se:
XY x 10Z pF. Exemplo: 474  47 x 104 pF = 470 x 103 pF = 470 nF.
 Emprego das letras K (simbolizando “vezes 103 ”) e M (106 ), que também indica posição da vírgula na dezena.
Exemplos: 10K : 10 x 103 pF = 10 nF ; 5K6 : 5,6 x 103 pF = 5,6 nF ; 4M7 : 4,7 x 106 pF = 4,7 F
 Especificação em microfarads (F), com indicação da tensão nominal. Exemplo: .01 250V  0,01 F / 250 V.
O antigo código dos capacitores de poliéster é constituído de cinco faixas de cores X-Y-Z-T-M (do topo para os
terminais), onde lê-se: XY x 10Z pF (código de cores igual ao dos resistores - Tabela 2.2), T = tolerância (código:
preto = 20%, branco = 10%) e M = tensão nominal (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).

43
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

Capacitores comerciais são frequentemente denominados de acordo com o material empregado como dielétrico
e apresentam diversos formatos de encapsulamento (Figura 3.8). Os mais comuns são listados a seguir:
a) Capacitores de poliéster metalizado: são construídos por duas lâminas de alumínio isoladas por tiras de poliéster
e enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixo fator de perdas, insensibilidade à umidade e grande estabilidade,
sendo usados em circuitos de baixa e alta freqüência. Valores entre 1 nF e 10 F e tensões nominais até 500 V.
b) Capacitores eletrolíticos: consistem basicamente de uma folha metálica de alumínio (placa positiva), coberta por
uma fina camada de óxido de alumínio depositado por eletrólise, que por sua vez está em contato com uma folha
de papel impregnada por um eletrólito líquido ou uma pasta, sendo esta última solidária a outra folha metálica
(placa negativa). Apresentam capacitância entre alguns microfarads a 10 mF com tensões de trabalho até 600 V,
sendo então usados onde uma grande capacitância se faz necessária. Apresentam fator de perda apreciável. Podem
ser polarizados (indicação no corpo) e, neste caso, são utilizados em circuitos nos quais a componente contínua é
bem superior à componente alternada ou em circuitos de corrente contínua pura (por exemplo, em retificadores).
c) Capacitores cerâmicos: são fabricados normalmente na forma de disco ou bastão, possuindo altíssima constante
dielétrica. Possuem valor de 1 pF a 0,5 F e podem atingir tensões de trabalho de até 10 KV. Apresentam fator de
perdas pequeno (< 10-4) em freqüências elevadas. Os trimmers cerâmicos são obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitores de mica: constituídos por camadas alternadas de mica e metal prensadas. Apresentam capacitância da
ordem de picofaradas, alta tensão de trabalho e indutância parasita reduzida. Apresentam também fator de perdas
baixo em altas freqüências, sendo bastante utilizados em circuitos que processam sinais de freqüência elevada.
e) Capacitor de polipropileno: apresenta baixa perda, alta tensão e resistência a avarias. Fabricado em picofarads.
f) Capacitores de poliestireno: apresentam geralmente capacitância na escala de picofarads.
g) Capacitores a óleo: empregam papel impregnado de óleo mineral ou sintético como dielétrico. Podem atingir até
30 F. Possuem boas características, desempenho e vida útil longa. São usados em circuitos de baixas freqüências.
h) Capacitores de tântalo: são compactos, de baixa tensão e apresentam capacitâncias de até 100 μF.

(f)
(d) (e)
(c)

(a) (b)

(g) (h) (i)


(j)

Figura 3.8: Aparência de alguns capacitores: (a) poliester; (b) eletrolíticos; (c) cerâmicos; (d) mica;
(e) polipropileno; (f) poliestireno; (g) a óleo; (h) policarbonato; (i) tântalo; (j) capacitores de potência.

3.2.4) ELETRETOS E CRISTAIS PIEZOELÉTRICOS

Eletretos são materiais capazes de manter uma carga elétrica estática em sua estrutura por um longo tempo sem
sofrer decaimento, comportando-se então como materiais permanentemente eletrizados. São fabricados por meio da
injeção de elétrons em certos dielétricos que apresentam “armadilhas” para elétrons (exemplos: teflon e mylar).
Como o efeito desta eletrização pode ser interpretado como se o eletreto fosse um material permanentemente
polarizado, a combinação deste com placas metálicas produz então um efeito capacitivo “ao contrário”, onde o campo
elétrico produzido pelo dielétrico entre as placas (eletreto) induz tensão elétrica nas placas. Este comportamento pode
ser aproveitado em diversas aplicações tecnológicas, tais como em microfones, detetores de ultra-som e dosimetria.
Os chamados microfones de eletreto (Figura 3.9) são transdutores eletro-acústicos constituidos por uma placa
metálica fixa a pequena distância de uma folha de eletreto metalizada, cujo conjunto se comporta como um capacitor
permanentemente carregado. Uma onda de áudio (som) incidente no topo da capsula causa uma vibração na folha de
eletreto em relação à placa metálica fixa, o que varia dinamicamente a distância entre as mesmas e altera a tensão do
efeito capacitivo (V = Q/C = Q d/ A), convertendo então a onda de áudio em sinal de tensão, sendo este sinal por sua
vez injetado em um FET (transistor de efeito de campo) para pré-amplificação. Estes microfones caracterizam-se por
serem pequenos, baratos, bastante sensíveis e possuir uma larga faixa de resposta em frequência (30 Hz a 30 kHz),
sendo utilizados em celulares, laptops, gravadores de áudio, etc. Podem apresentar 2 ou 3 terminais, são polarizados
(+/–) e requerem uma fonte de tensão externa de no mínimo 2 V (por exemplo, pilhas) para o funcionamento do FET.
44
CAPÍTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes

cobertura cobertura porosa


metálica
folha de placa metálica fixa
eletreto
FET
cápsula terminais
(a) (b) (c)

Figura 3.9: Microfone de eletreto: (a) esquema construtivo; (b) símbolos; (c) aprências.
Certos cristais isolantes polares (quartzo monocristalino, titanato de bário, titanato de chumbo, etc.) exibem a
chamada eletrostricção, que consiste na geração de uma diferença de potencial elétrico entre as duas faces do cristal
quando submetidas a um esforço de tração ou compressão, ocasionada pelo alinhamento dos dipolos elétricos naturais
na direção da força aplicada (Figura 3.10-b). Este efeito capacitivo “ao contrário”, chamado efeito piezoelétrico, é
reversível (a tensão desaparece com a retirada dos esforços) e o caso inverso também ocorre, ou seja, quando o cristal
piezoelétrico é submetido a uma tensão elétrica entre suas faces, o mesmo se comprime ou se expande elasticamente
na direção do campo elétrico aplicado, resultanto em uma força mecânica na direção deste campo (Figura 3.10-c).
Esta capacidade dos cristais piezoelétricos em converter força mecânica em tensão elétrica, e vice-versa, se
configura então em um transdutor eletromecânico. Este materiais são aproveitados na construção de medidores de
pressão (Figura 3.10-d) e sensores ultrassônicos de transmissão/recepção de vibrações para detecção de imperfeições
em estruturas sólidas, bem como em acelerômetros, isqueiros e acendedores caseiros, fones auriculares, etc.
O chamado oscilador de cristal (Figura 3.10-e) é um circuito eletrônico que utiliza a ressonância de um cristal
piezo (quartzo) para gerar um sinal elétrico de frequência bastante precisa, comumente usada para medir com mais
exatidão o tempo em microcontroladores, relógios, bem como estabilizar frequências de transmissores de sinais.
Outra emprego destes materiais reside no chamado microfone de cristal (símbolo na Figura 3.10-f e aparência
na Figura 3.10-g), constituído basicamente de duas placas metálicas separadas por uma placa de material piezoelétrico
(Figura 3.10-h), onde a pressão das ondas sonoras em um diafragma causam vibrações no cristal, que se traduzem em
uma tensão (sinal de áudio) entre as placas metálicas em decorrência do efeito capacitivo “ao contrário”.
placa metálica cristal piezo
F F
áudio

V V
diafragma sinal de
dipolo elétrico áudio
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)

Figura 3.10: (a) Cristal piezo não tensionado; (b) efeito piezoelétrico; (c) efeito piezoelétrico reverso; (d) transdutor
de força; (e) oscilador de cristal; microfone de cristal: (f) símbolo, (g) aparência, (h) esquema de funcionamento.

3.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Deseja-se isolar para 20 kV um cabo com 1 cm de diâmetro, empregando um material isolante de rigidez
dielétrica 10 V/m. Determine a espessura limite do isolamento. Explique se o limite é mínimo ou máximo.

Problema 2: A figura ao lado mostra um circuito CC em regime permanente, contendo um k R


capacitor inicialmente com certo dielétrico de constante dielétrica maior que do ar. Retirado o
dielétrico do capacitor, explique o que acontecerá com a carga, a capacitância e a tensão no V C
capacitor em regime permanente se: (a) a chave k é mantida fechada durante a retirada do
dielétrico e (b) se a chave k é aberta antes da retirada do dielétrico sólido.

Problema 3: Dispõe-se de dois dielétricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas com 25 cm2 de área,
que deverá apresentar capacitância de 2 nF e suportar pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a
rigidez dielétrica dos materiais 1 e 2 são 16 kV/mm e 10 kV/mm, respectivamente, e as permissividades relativas são
2,5 e 5, respectivamente. Determine se um dos dielétricos pode ser empregado para a construção do capacitor.

Problema 4: A afirmação “o emprego de um material isolante de maior rigidez dielétrica aumenta a capacitância de
um capacitor de iguais dimensões” é correta? Explique.

45
CAPÍTULO 4: MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS
Diferentemente dos condutores, semicondutores e isolantes, cujas aplicações Eletrotécnicas estão relacionadas a
propriedades desejáveis perante campos elétricos, os materiais classificados como magnéticos tem seu emprego justi-
ficado pelo seu comportamento favorável ao estabelecimento de um guiamento de linhas de campo magnético para
prover acoplamentos magnéticos efetivos essenciais em equipamentos de geração e transformação de energia elétrica,
bem como em diversos dispositivos que contam com efeitos magnéticos para o seu adequado funcionamento.
Este capítulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos teóricos e aplicações de materiais magnéticos.

4.1) PROPRIEDADES E FENÔMENOS

O comportamento dos materiais submetidos a campos magnéticos e os efeitos destes campos na interação entre
dispositivos por acoplamento magnético resumem os chamados fenômenos magnéticos, vistos a seguir.

4.1.1) POLARIZAÇÃO MAGNÉTICA

Sabe-se que campos magnéticos de orientações contrárias tendem a se repelir mutuamente e que qualquer carga
elétrica em movimento produz campo magnético. Sabe-se também que os átomos e moléculas da matéria estão em
constante estado de agitação térmica e que seus elétrons executam dois tipos de movimento eletrônico: orbital e spin.
A natureza magnética dos materiais corresponde à reação de sua estrutura atômica perante a linhas de um fluxo
de campo magnético aplicado e consiste em três fenômenos que descrevem o comportamento dos materiais:
 Diamagnetismo: o movimento angular dos elétrons em torno do núcleo (orbital) confere um caráter magnético aos
átomos e, quando um material é submetido a um fluxo magnético, a força magnética do campo tende a afetar o
caráter magnético de seus átomos ao perturbar o movimento orbital dos elétrons. Como consequência, os elétrons
dos átomos do material tendem a adequar seu movimento orbital de forma a expulsar o campo magnético aplicado,
resultando em um comportamento natural conhecido como diamagnetismo, comum a todos os materiais. Contudo,
a intensidade desta repulsão diamagnética se mostra bastante fraca devido à constante agitação térmica dos átomos
em direções caóticas, que atenuam acentuadamente as reações dos átomos aos campos magnéticos aplicados.
 Paramagnetismo: o caráter magnético dos átomos depende também do momento angular dos elétrons em torno de
seu eixo (movimento spin), que faz os elétrons atuarem como diminutos imãs conhecidos como spins magnéticos.
Na presença de um fluxo magnético, os elétrons tendem a alinhar seus spins no sentido das linhas do fluxo e, caso
os átomos de um material apresentem desequilíbrios entre os movimentos orbital e spin, tal que o alinhamento dos
spins no sentido do fluxo exceda o efeito da repulsão diamagnética, observa-se que o material exibe uma natureza
magnética no sentido de facilitar o fluxo do campo magnético por seu meio. Este efeito, chamado paramagnetismo,
também se mostra bastante fraco devido à agitação térmica dos átomos, podendo o material vir a exibir um com-
portamento praticamente indiferente ao campo devido à equivalência dos efeitos diamagnético e paramagnético.
 Ferromagnetismo: o caráter magnético dos átomos, como um todo, decorre ainda do equilíbrio entre os seus spins.
Sabe-se que os elétrons ocupam os níveis de energia aos pares girando em sentidos opostos (spins contrários), tal
que os efeitos dos spins se anulam mutuamente. A presença de níveis com spins incompletos em um átomo resulta
então em um desequilíbrio entre os grupos de spins contrários, o que confere ao átomo um forte comportamento
magnético que excede em muito a repulsão diagmagnética. Esta natureza magnética pode ainda não se limitar aos
átomos, mas em toda uma diminuta região do material devido à concatenção dos efeitos magnéticos dos átomos, o
que produz um vetor-campo de orientação magnética, chamado dipolo magnético (Figura 4.1-a), e faz o material
exibir regiões, denominadas domínios magnéticos (Figura 4.1-a), naturalmente disseminadas por seu meio. Este
efeito, chamado ferromagnetismo, se mostra menos sensível à agitação térmica dos átomos devido à concatenação
de efeitos magnéticos, o que confere ao material uma elevada capacidade de interação com campos magnéticos.
Na ausência de um campo magnético, as orientações dos domínios magnéticos normalmente se estabelecem de
forma aleatoria pelo material e seus efeitos tendem a se anular mutamente. Porém, quando expostos à ação de um
campo magnético, os domínios podem ter seus dipolos facilmente rearranjados (polarizados) no sentido das linhas
de fluxo magnético aplicado (Figura 4.1-b). Assim, materiais que exibem o ferromagnetismo constituiem-se em
um caminho bastante permeável a campos magnéticos, ao atrair (ou ser atraído) fortemente as linhas do fluxo.
Contudo, como o número de dipolos magnéticos orientados é proporcional à intensidade do campo magnético
aplicado e a quantidade de dipolos disponíveis é finito, a capacidade de polarização do material pode atingir um
limite, chamado saturação magnética, quando todos os seus dipolos se encontram orientados (Figura 4.1-c).
Além disso, com a retirada do campo magnético, pode ocorrer que alguns dipolos magnéticos não retornam às
suas disposições originais (Figura 4.1-d), permanecendo um resíduo de polarização magnética no material. Este
efeito, chamado magnetismo residual ou remanescência magnética e conhecida como imantação, produz atrasos na
reorientação dos dipolos no sentido oposto ao estabelecido inicialmente e resulta na chamada histerese magnética.

46
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

material
ferro-
magnético

 
domínio
magnético
dipolo
magnético
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.1: (a) Representação de domínios e dipólos magnéticos; (b) polarização parcial na presença de campo
magnético externo; (c) polarização total dos dipolos (saturação); (d) remanescência magnética (imantação).

4.1.2) PERMEABILIDADE MAGNÉTICA E CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS

A propriedade magnética que expressa a maior ou menor capacidade de polarização da estrutura atômica de um
material na direção das linhas de um fluxo de campo magnético aplicado, de modo impor uma oposição ou a se deixar
atravessar por estas linhas de fluxo, é denominada permeabilidade magnética  (unidade: H/m, H = Henry).
O vácuo, sendo ausência de matéria, é considerado o meio material ideal por não interagir a campos magnéticos
aplicados, sendo sua permeabilidade (o) uma constante universal, dada por: o = 4 x 10-7 H/m. A permeabilidade do
vácuo pode ser então empregada como fator de comparação para expressar o comportamento magnético dos materiais
em relação ao vácuo, por meio de um parâmetro denominado permeabilidade relativa r (adimensional), definida por:

r  (4.1)
o
onde  = r x o refere-se então à permeabilidade magnética absoluta do meio material em questão.
O conceito de permeabilidade magnética é similar à condutividade elétrica, sendo relutividade a propriedade
que expressa o comportamento oposto (similar à resistividade). Esta semelhança propicia o conceito de oposicão que
um corpo material exibe a um campo magnético aplicado, chamada relutância (similar à resistência elétrica).
Com base nos efeitos de polarização magnética vistos anteriormente, conclui-se então que os materiais podem
ser classificados basicamente em quatro tipos com base em suas reações a campos magnéticos aplicados:
1) Indiferente: o material praticamente não exerce ação sobre as linhas de um fluxo magnético aplicado. Neste caso,
a permeabilidade relativa é considerada referência e igual ao do vácuo (r = 1). Exemplos: ar, cobre, baquelite, etc.
2) Diamagnético: o material tende a afastar levemente as linhas de fluxo magnético aplicado devido ao predomínio
do diamagnetismo natural. Logo, a qualidade magnética do material é inferior ao do vácuo e sua permeabilidade
relativa deve ser ligeiramente menor que 1. Exemplos: prata (r = 1  20 x 106), zinco (r = 1  10 x 106), etc.
3) Paramagnético: o material atrai levemente as linhas de fluxo magnético aplicado, devido ao predomínio de seu
paramagnetismo. Logo, a qualidade magnética do material é superior ao do vácuo e sua permeabilidade relativa
deve ser ligeiramente maior que 1. Exemplos: alumínio (r = 1 + 22 x 106), platina (r = 1 + 33 x 105), etc.
4) Ferromagnético: o material atrai (ou é atraído) fortemente as linhas de fluxo de um campo magnético aplicado
devido à presença de dipolos magnéticos em sua estrutura, que se orientam intensamente no sentido das linhas do
fluxo. Apresenta então permeabilidade relativa muito superior à do vácuo (r >> 1) e caracteriza-se por exibir
saturação e retenção magnéticas. O termo ferromagnético reside no fato do ferro ser, por excelência, o principal
material para aplicações magnéticas. Exemplos: ferro macio (r = 6000), níquel (r = 50), cobalto (r = 60), etc.

4.1.3) CURVAS DE MAGNETIZAÇÃO, CICLO DE HISTERESE E RETENTIVIDADE

O comportamento dos materiais como meio de propagação de campos magnéticos é denominado magnetização.
O fenômeno da magnetização é descrito pela proporcionalidade entre a densidade de linhas de fluxo magnético B (T,
Tesla, ou Wb/m2, Wb = Weber) circulante pela área de uma amostra do material e a intensidade do campo magnético
H (A/m) aplicado à amostra através da permeabilidade magnética  (H/m) do material, definido então por:
B H (4.2)
Logo, a equação (4.2) expressa que, quanto mais permeável magneticamente for um meio material ( ), maior
será a quantidade de linhas de fluxo (B) que o material se deixa atravessar em resposta a um campo (H) aplicado.
A magnetização dos materiais pode ser representada por visualização gráfica da variação da densidade de linhas
de fluxo magnético em função da intensidade do campo magnético aplicado ao material, denominadas curvas de
magnetização ou curvas B x H (Figura 4.2). Neste caso, os materiais podem apresentar dois comportamentos distintos:
1) Meios não-saturáveis: em meios não-ferromagnéticos (diamagnéticos, paramagnéticos e indiferentes), as curvas
de magnetização mostram uma fraca interação destes materiais com campos magnéticos aplicados, resultando em
densidades de fluxo magnético bastante reduzidas e de comportamento praticamente linear, bem como a ausência

47
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

de saturação magnética e de magnetismo residual quando da retirada do campo magnético aplicado (Figura 4.2-a),
vindo estes materiais ser também conhecidos como meios não-saturáveis. Logo, observa-se que a permeabilidade
magnética dos meios não-ferromagnéticos mantém-se independente do campo magnético aplicado e uma medida
da permeabilidade magnética destes materiais pode então ser obtida pela declividade da reta (B/H). Assim,
pode-se concluir que a equação (4.2) é definida em toda a curva de magnetização para os meios não saturáveis.
2) Meios ferromagnéticos: em meios ferromagnéticos, as curvas de magnetização mostram o material inicialmente
exibe uma baixa densidade de linhas de fluxo (Figura 4.2-a), devido a uma certa inércia na polarização dos dipolos
magnéticos causada pelo fato das dificuldades oferecidas à orientação de cada domínio magnético serem diferentes
em intensidade. Porém, com o aumento da intensidade do campo magnético aplicado, a magnetização do material
passa a se elevar de forma exponencial (Figura 4.2-a), em decorrência da forte interação entre o campo circulante
com os dipolos magnéticos disseminados pelo material, que se orientam em grande quantidade no sentido das
linhas do campo aplicado. Como conseqüência, as densidades de fluxo magnético podem alcançar níveis bastante
elevados nos materiais ferromagnéticos quando comparadas aos meios não-saturáveis (Figura 4.2-a).
Além disso, com a retirada do campo magnético aplicado (H = 0), observa-se que a curva de magnetização dos
materiais ferromagnéticos apresenta um efeito residual (B  0), que ocorre devido ao fato do material tender a se
opor, a cada instante, tanto ao crescimento quanto ao decrescimento do fluxo magnético por sua estrutura, pois sua
reação à retirada do campo é no sentido de manter a orientação dos dipolos. Como conseqüência, o material pode
não se desmagnetizar completamente quando a intensidade do campo magnético é reduzida a zero, restando então,
como mencionado anteriormente, uma remanescência magnética chamada magnetismo residual Br (Figura 4.2-a).
A presença de um resíduo de magnetização Br para H > 0 implica que a aplicação de um campo magnético de
intensidade Hc e sentido oposto ao aplicado (H < 0), denominada força coercitiva, é necessária para promover a
desmagnetização do material com o retorno dos dipolos de polarização remanescente às suas orientações originais
(Figura 4.2-a). Como a quantidade de dipolos magnéticos que permanecem polarizados é proporcional ao número
de dipolos previamente orientados, então o nível da força coercitiva aumenta na proporção do magnetismo residual
(Figura 4.2-b), sendo porém os montantes de Hc e Br independentes, com o material podendo apresentar elevadas
intensidades de magnetismo residual mas níveis de força coercitiva comparativamente pequenas, e vice-versa.
Como o número de dipolos magnéticos é limitado, a intensidade do campo magnético H pode atingir níveis nos
quais os domínios se encontram orientados praticamente em sua totalidade e, desse modo, aumentos de intensidade
no campo aplicado não mais se refletem na densidade de linhas de fluxo B pelo material, que se mantém constante,
vindo o meio ferromanético a perder sua capacidade de atração das linhas de fluxo e a exibir, como mencionado, o
efeito saturação magnética (Figura 4.2-b), sendo então estes materiais também conhecidos como meios saturáveis.
Logo, para um meio ferromagnético submetido a um campo magnético alternado, o fluxo magnético aplicado
promove então a orientação dos dipolos do material nos dois sentidos do fluxo, com correspondentes magnetismos
residuais e forças coercitivas também nos dois sentidos do fluxo, resultando em um comportamento cíclico para a
densidade de fluxo magnético no material ao longo do tempo de sua magnetização alternada (Figura 4.2-c). Como
a remanescência magnética representa atrasos na polarização dos dipolos, efeito conhecido como histerese, então a
forma gráfica deste comportamento cíclico é chamada laço ou ciclo de histerese magnética (Figura 4.2-c).
Como intensidades de campos magnéticos distintos exibem comportamentos cíclicos distintos, então diversos
laços de histerese podem ser obtidos, onde o conjunto de pontos de máxima densidade de fluxo dos laços define a
chamada curva normal de magnetização do material (Figura 4.2-c). Para uma intensidade de campo magnético
suficientemente elevada, o correspondente ciclo de histerese pode exibir tambem o efeito saturação (Figura 4.2-c).
Com base nesta descrição do comportamento da magnetização dos meios ferromagnéticos, pode-se concluir
que a permeabilidade magnética destes materiais varia em função da intensidade do campo aplicado. Desse modo,
uma medida da permeabilidade magnética dos materiais ferromagnéticos é definida por meio da relação  = B/H
em determinado ponto do ciclo de histerese do material. Assim, os fabricantes disponibilizam informações sobre o
comportamento magnético de seus produtos por meio de catálogos contendo gráficos de seus ciclos de histerese.

B (Wb/m2)
2
B (Wb/m ) curva normal de
magnetismo B (Wb/m2) saturação
magnetização
residual meios
saturação
ferromagnéticos
Br
força meios não H (A/m)
coercitiva saturáveis
laço ou ciclo
- Hc 0 H (A/m) 0 H (A/m) de histerese
magnética
(a) (b) (c)

Figura 4.2: (a) Curvas de magnetização; (b) efeitos da magnetização em meios saturáveis; (c) ciclos de histerese.

48
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Os montantes de magnetismo residual e força coercitiva de um meio ferromagnético expressam a propriedade


retentividade magnética, definida como a maior ou menor capacidade de um material em manter uma magnetização
permanente, ou seja, a capacidade do material em permanecer imantado após a retirada do campo. A magnitude das
áreas dos ciclos de histerese magnética determina, portanto, uma medida da retentividade magnética do material.
Uma remanescência magnética pode também ser interpretada como a parcela da energia entregue ao material e
não devolvida ao sistema gerador do campo aplicado, sendo a força coercitiva uma medida do gasto de energia deste
sistema para desmagnetizar o material. Logo, a magnetização residual e sua correspondente força coercitiva em si
representam gastos de energia para o sistema, chamadas perdas por histerese, sendo então a área do ciclo de histerese
uma medida destas perdas (quanto maior a área, maior as perdas). Assim, para aplicações magnéticas como motores e
transformadores, onde a eficiência é um aspecto fundamental, procura-se empregar materiais que apresentam laços de
histerese de menor área possível. Contudo, materiais de elevado magnetismo residual (fáceis de serem magnetizados)
e de elevada força coercitiva (difíceis de serem desmagnetizados), encontram amplo emprego na obtenção de ímãs
permanentes e na construção de dispositivos para armazenamento de informações (fitas e cartões magnéticos).

4.1.4) INDUÇÃO ELETROMAGNÉTICA, INDUTÂNCIA E CORRENTES DE FOUCAULT

Como mencionado no Capítulo 2, a incidência de linhas de fluxo magnético () variante no tempo em qualquer
material induz no mesmo uma tensão elétrica também variante no tempo, denominada força eletromotriz (fem), sendo
este fenômeno descrito pela Lei de Faraday (fem = – d/dt) e conhecido como indução eletromagnética.
Como toda carga elétrica em movimento gera campo magnético então, além de ímãs naturais ou artificiais em
movimento (giratório, linear, etc.), fluxos magnéticos variantes no tempo podem ser também produzidos por correntes
variantes no tempo, estabelecidas pelos chamados sinais de tensão (por exemplo, tensão alternada e rádio-frequência).
Assim, para um meio material percorrido por corrente variante no tempo, o campo magnético produzido pode
induzir forças eletromotrizes no próprio material (denominada força contra-eletromotriz ou fcem), ou em outro meio
qualquer imerso neste campo tal que ocorra uma concatenação (“abraço”) de fluxo entre eles (Figura 4.3-a). Contudo,
devido à Lei de Lenz (sinal negativo na lei de Faraday), a fem auto-induzida (fcem) age em oposição à variação do
fluxo magnético que a induziu (e, portanto, em oposição à corrente que produz o fluxo magnético), ou seja, se o fluxo
aumenta, uma fcem é induzida de modo a se opor ao este crescimento e, se o fluxo diminui, a fcem induzida inverte
seu sentido para evitar esta queda. Similarmente, se em outro meio material imerso no campo magnético variante no
tempo prover um caminho fechado, então a fem produzida neste meio induz também uma corrente em seu interior
(Figura 4.3-b) que, por sua vez, produz um fluxo magnético em oposição à variação do fluxo magnético original, ou
seja, se fluxo original tende a aumentar, a corrente induzida no material imerso no campo produz um fluxo magnético
de sentido oposto ao fluxo original (caso da Figura 4.3-b) e, se o fluxo magnético original tende a diminuir, a corrente
induzida inverte seu sentido de modo a produzir um fluxo magnético de mesmo sentido do fluxo original.
A capacidade de um meio material em induzir forças eletromotrizes de modo a se oporem às variações de fluxo
magnético é denominada indutância (unidade: H, Henry), sendo indutância própria a capacidade de induzir uma fem
em si mesmo (fcem), e indutância mútua a capacidade deste de induzir uma fem em qualquer outro meio imserso em
seu campo. A indutância mútua consiste então na transferência de energia elétrica entre meios por campo magnético.
Como meios ferromagnéticos normalmente são condutores elétricos (com exceção das chamadas ferrites), uma
consequência da indução eletromagnética na magnetização alternada consiste na circulação de correntes elétricas no
interior destes materiais (Figura 4.3-c) em consequência de forças eletromotrizes induzidas em seu meio, o que resulta
em perdas elétricas por efeito Joule, chamadas perdas no ferro ou de Foucault, sendo as correntes induzidas chamadas
parasitas ou de Foucault. Uma técnica para mitigar este problema consiste na laminação longitudinalmente à direção
do fluxo magnético na forma de placas ou chapas, que são isoladas eletricamente por um esmalte isolante e agrupadas
para formar os chamados núcleos magnéticos laminados (Figura 4.3-d). Esta medida acarreta em maior dificuldade
para a indução de correntes parasitas devido à diminuição do livre caminho para a circulação destas correntes no meio
ferromagnético, o que resulta na redução de seu montante e na diminuição do problema de perdas de Foucault.
núcleo
linha de fluxo
ferromagnético
magnético
fluxo
alternado
concatenado

fem
induzida
sinal de   corrente lâminação
corrente corrente induzida
dispositivo próximo parasita
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.3: Efeitos eletromagnéticos: (a) fem e (b) corrente induzidas, (c) correntes parasitas; (d) núcleo laminado.

49
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNÉTICOS


Diversos equipamentos em aplicações Eletrotécnicas, tais como transformadores, motores, geradores, indutores
e relés, devem seu funcionamento ao emprego de materiais com elevada permeabilidade magnética com o objetivo de
obter densidades de campo mais intensos com o estabelecimento de um guiamento de linhas de fluxo magnético por
meio do material, para que efeitos indutivos, torques mecânicos e atrações magnéticas possam ser intensificados.

4.2.1) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNÉTICAS

Como visto, os meios ferromagnéticos apresentam elevada capacidade de polarização no sentido de um fluxo
de um campo magnético aplicado (r >> 1), sendo porisso os materiais de maior emprego para aplicações magnéticas.
Dentre estes materiais, o mais antigo exemplo de meio ferromagnético conhecido é a chamada magnetita (04Fe3).
Além da promoção de efeitos indutivos, os materiais ferromagnéticos podem ser também aproveitados para
proteger um dispositivo contra influências externas, denominada blindagem magnética, que consiste no princípio da
relutância mínima: quando dois meios materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se como caminhos para um
fluxo magnético, este flui para o de menor relutância (maior permeabilidade) para minimizar a perda de energia.
Materiais ferromagnéticos normalmente apresentam comportamento magnético favorável com a temperatura,
com sua permeabilidade aumentando até temperaturas inferiores a um certo valor denominado Ponto Curie, acima do
qual passam a exibir comportamento paramagnético (exemplos: ferro: 770 oC; cobalto: 1127 oC; níquel: 354 oC).
Porém, regimes de trabalho impróprios podem submeter estes materiais a temperaturas acima de suas especificações
de projeto, o que faz os mesmos desenvolverem a chamada fadiga magnética, caracterizada por um envelhecimento
do material ao longo do tempo, que acarreta na redução da permeabilidade e aumento de suas perdas por histerese.
Materiais puros que exibem o ferromagnetismo é raro na natureza, sendo seus exemplos se resumindo ao ferro,
que é o principal componente para a produção de materiais ferromagnéticos usados comercialmente, além do cobalto,
níquel e suas ligas. Alguns exemplos de materiais de comportamento ferromagnético são descritos a seguir:
a) Ferro puro: embora apresente perdas por histerese relativamente baixas, tem seu emprego restrito a circuitos de
corrente contínua devido à condutividade elétrica elevada, que favorece as perdas de Foucault. Contudo, na forma
de ligas e com a laminação, pode-se melhorar algumas de suas propriedades para aplicação em circuitos de sinais.
b) Ligas de ferro-silício: o acréscimo de pequenas quantidades de silício (até 6,5%), além de tratamentos térmicos,
confere às ligas de ferro-silício aumentos nos níveis de saturação, diminuição da fadiga magnética e aumentos da
resistividade (com consequente redução das perdas de Foucault), mantendo reduzidas as perdas por histerese. São
materiais baratos e largamente empregados como núcleo magnético em motores, transformadores, geradores, etc.,
normalmente fabricados na forma de chapas isoladas eletricamente entre si para diminuir as correntes parasitas.
O acréscimo de silício reduz a dureza e resistência mecânica do ferro, razão pela qual em máquinas estáticas
(transformadores) empregam-se normalmente núcleos com porcentagens mais altas de silício (até 6,5%) e, em
máquinas rotativas (motores e geradores), porcentagens mais baixas (até 4%). Uma variação na fabricação destas
ligas refere-se a chapas de ferro-silício de grão orientado, usadas na tecnologia de núcleos de transformadores para
uso em telefonia, eletrônica e comunicação, e para transformadores monofásicos e trifásicos de elevada potência.
c) Ligas de ferro-níquel: caracterizam-se por apresentar alta permeabilidade (r até 100.000), alto ponto de saturação
e baixa resistividade. São empregadas em blindagens magnéticas e na fabricação de núcleos para aplicações onde
necessita-se de elevada indutância e dimensões reduzidas, tais como em indutores e transformadores para circuitos
de sinais de pequena amplitude. Alguns exemplos: Rhometal (até 35 % de níquel), Permalloy-45 (45% de níquel),
Permalloy-78 (78% de níquel), Nicalloy (35 a 50 % de níquel) e Mumetal (76 Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr).
d) Ligas de ferro-cobalto: apresentam elevada permeabilidade e alto ponto de saturação, porém elevado custo. São
empregados nas mesmas aplicações que as ligas de ferro-níquel. Alguns exemplos: Hyperco e Permendur.
e) Ferrites: constituem-se de núcleos compactados e sinterizados contendo uma mistura de pós, basicamente óxido de
ferro (material cerâmico), com acréscimos diversos de níquel, zinco, manganês, magnésio e silício, além de um
aglomerante (polisterol ou goma-laca) que tem a função de “colar” os grãos do pó. Caracterizam-se por apresentar
elevada resistividade elétrica (tipicamente entre 1 e 106 m) e boas características magnéticas, sendo empregadas
em núcleos de transformadores e indutores que operam em circuitos de altas freqüências (por exemplo, filtros de
rádio freqüência), devido ao fato das perdas de Foucault se acentuarem quanto maior é a freqüência do fluxo
magnético (conseqüência da lei de Faraday). Outros exemplos: ferrites à base de níquel-zinco e manganês-zinco.
f) Ligas para ímãs artificiais: caracterizam-se por apresentar ciclos de histerese bastante largos (horizontalmente e
verticalmente), o que os permite exibir um forte magnetismo residual estável devido ao elevado número de dipolos
que permanecem permanentemente orientados após a polarização de um campo aplicado. São materiais poucos
sensíveis à temperatura e à ação de forças mecânicas, podendo ser moldadas para apresentar formas personalizadas
de acordo com a finalidade. Como exemplo de ligas para ímãs artificiais tem-se o Alnico (Al+Ni+Co) e materiais
cerâmicos (estrôncio e bário), bem como ligas de materiais mais raros, tais como NdFeB (neodímio-ferro-boro) e
Sm-Co (samário-cobalto), onde estes últimos apresentam força magnética maior que os outros. Usos: motores CC,
microfones e auto-falantes dinâmicos, discos rígidos, indústria automotiva e aeroespacial, chaves de fenda, etc.

50
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.2) BOBINAS MAGNÉTICAS

Linhas de fluxo de campo magnético produzidas por corrente em um fio esticado se distribuem ao longo do fio
(exemplo da Figura 4.3-a), o que resulta em fraca indução de forças eletromotrizes no fio ou em um condutor próximo
a este devido ao espalhamento do campo. Porém, para o mesmo fio pode-se aumentar a densidade das linhas de fluxo
magnético com a diminuição do volume ocupado pelo fluxo no espaço, por meio de um trançado helicoidal do fio em
torno de seu eixo para se obter a chamada bobina magnética (Figura 4.4-a). Com isso, as linhas de fluxo fundem-se
entre si e passam a se concatenar com as voltas do fio, as chamadas espiras, obtendo-se uma maior concentração de
linhas de fluxo e indutâncias mais elevadas, com consequentes fem's auto-induzidas mais intensas (Figura 4.4-a).
Assim, bobinas magnéticas constituem-se de um fio condutor (cobre, alumínio ou ligas metálicas) enrolado em
uma única camada ou em várias camadas, e construídos com a finalidade específica de armazenar energia elétrica na
forma de campo magnético ao seu interior. Logo, bobinas magnéticas são os dispositivos que introduzem a grandeza
indutância nos circuitos elétricos, sendo o símbolo L sua designação e Henry (H) sua unidade de medida.
Para a intensificação das linhas de fluxo magnético  em uma bobina tem-se que, supondo uma dada corrente i
fixa, a variação da indutância L da bobina (equacionalmente:   L . i ) é obtida basicamente de dois modos:
1) Número de espiras: como cada volta do fio em torno de seu eixo (espira) contribui individualmente para a indução
da fem total em uma bobina então, quanto maior a quantidade espiras, maior é o fluxo magnético concatenado
pelas espiras da bobina, maior é a fcem induzida e, portanto, maior é a indutãncia da bobina (Figura 4.4-b).
2) Tipo e formato do núcleo: o chamado núcleo fornece um suporte para as espiras e constitui-se no meio circulante
para as linhas de fluxo magnético produzido pela bobina. Para pequenas indutâncias, pode-se construir bobinas
sem apoio (núcleo de ar) ou sobre um núcleo sólido não-ferromagnético e, para a obtenção de indutâncias maiores,
emprega-se materiais ferromagnéticos para oferecerem um caminho mais permeável ao fluxo magnético, o que
permite um aumento nas linhas de fluxo para a mesma corrente, que passam a circular mais próximas à bobina
(Figura 4.4-c). Como linhas de fluxo perfazem um caminho fechado no espaço, pode-se ainda empregar núcleos de
formato fechado (Figura 4.4-d) para se elevar a densidade de fluxo magnético e obter-se maiores indutâncias.

 ar
sinal de corrente 
i i
espira i  ar
i ar

fcem fcem
fcem fcem

núcleo núcleo
em I em U
(a) (b) (c) (d)

Figura 4.4: Aumento do efeito indutivo (indutância) em um fio: (a) formato de bobina; (b) aumento no número
de espiras; (c) acréscimo de núcleo ferromagnético em I; (d) acréscimo de núcleo ferromagnético em O (U+I).
A indutência de uma bobina pode ser ainda intensificada com o aumento da seção do núcleo tranversal ao fluxo
magnético, devido ao aumento da área de circulação do fluxo. Aumentos no comprimento da bobina, porém, reduzem
sua indutância pelo fato do fluxo ter que percorrer um caminho maior no espaço. Como exemplo, a indutância de uma
bobina de comprimento , N espiras em camada simples e núcleo de área A e permeabilidade  é determinada por:
 A N2
L (4.3)
Bobinas magnéticas (símbolos esquemáticos na Figura 4.5-a) são geralmente chamadas de indutores e choques
quando empregadas em circuitos eletro-eletrônicos (exemplos de aparências na Figura 4.5-b), e enrolamentos quando
da construção das chamadas máquinas elétricas, sendo algumas das características construtivas descritas como:
a) Bobinamento: tipos tubular e panqueca (de uma ou várias camadas), tipo honeycomb e tipo toroidal.
b) Núcleo: para a obtenção de altas indutâncias utiliza-se material ferromagnético (ferro-silício, ligas ferromagnéticas
em geral e ferrites) e para aplicações que exigem indutâncias menores pode-se utilizar núcleo de ar ou um núcleo
não saturável (cerâmica, baquelite, papelão, plástico, etc.) com a função de prover apoio mecânico aos fios.
c) Circuito magnético: tipos aberto (I, U, E) e fechado (O, B). Indutores de núcleo tipo O são chamados de reatores.
d) Valor fixo, variável e ajustável: no tipo fixo a indutância é definida pelo fabricante e, no tipo ajustável (chamados
trimmers indutivos), a bobina constitui-se de um núcleo cilíndrico de ferrite que se desloca por rosqueamento, o
que resulta em mudanças no meio circulante das linhas de fluxo e, desse modo, na variação na indutância. No tipo
variável, a mudança na indutância pode ser também obtida por meio de múltiplos terminais retirados de alguns
pontos da bobina, chamados taps, que propiciam alterações no número de espiras entre dois terminais quaisquer.

51
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Outro tipo de indutor variável, chamados reatores saturáveis, consistem de bobinas com núcleo ferromagnético
contendo um pequeno intervalo de ar chamado gap, onde a indutância pode ser ajustada a partir da saturação do
núcleo, resultando em um fluxo magnético  praticamente constante (a permeabilidade do núcleo limita-se à do
ar). Neste caso, a indutância L do conjunto passa a variar inversamente com a corrente i na bobina (L =  / i).
Além de características construtivas, a indutância de uma bobina é definida também pela faixa de freqüência
em que irá atuar. Bobinas com poucas espiras e núcleo de ar ou ferrite são geralmente usadas em circuitos de sinais de
alta freqüência, ou que trabalham com variações muito rápidas de corrente. Para circuitos com sinais de média e baixa
freqüência, são utilizadas bobinas com grande número de espiras e núcleo de ferrite ou liga ferromagnética laminada.

L L

L L
núcleo não- núcleo
ferromagnético ferromagnético 1 2 3 4 5 6 7

(a) (b)

Figura 4.5: (a) Símbolos esquemáticos de bobinas magnéticas; (b) tipos de indutores: 1- núcleo de ar, 2- toroidal,
3- núcleo de ferro laminado, 4- núcleo plástico, 5- núcleo de ferrite, 6- bobina tipo honeycomb, 7- choque de RF.
Como mencionado, a fem induzida no próprio condutor no qual circula uma corrente variante no tempo (fcem),
age em oposição a esta corrente devido à Lei de Lenz. Este efeito, interpretado como uma “resistência” à passagem da
corrente, pode ser expresso por uma grandeza chamada reatância indutiva XL , dimensionada em ohms. Como quanto
maiores são a frequência f da corrente (d./dt) e a indutância L da bobina, maior é a fcem induzida, então maior será a
oposição à corrente, ou seja, a reatância indutiva XL depende diretamente da indutância da bobina e da freqüência
angular do sinal de corrente (equacionalmente: XL = 2f L). Como essa oposição atrasa o aumento ou a diminuição de
corrente em ralação à fcem induzida na bobina, então uma consequência da reatância indutiva reside no atraso da
corrente no tempo em relação à tensão aplicada aos terminais da bobina. Por outro lado, caso a bobina seja conectada
a uma fonte de tensão constante (CC), a corrente e o fluxo magnético na bobina também serão constantes e, desse
modo, a reatância indutiva apresentará valor nulo e a oposição à corrente limita-se à resistência do fio da bobina.
Na prática, além da indutância própria e da resistência do fio, uma bobina magnética pode apresentar também
alguns efeitos indesejáveis que necessitam de alguma medida para a sua mitigação. Dentre os efeitos, pode-se citar:
 Acoplamentos magnéticos indevidos: fluxos magnéticos variáveis no tempo gerados pela bobina podem causar
interferências indesejáveis em outros dispositivos devido a indutâncias mútuas entre estes. Este problema pode ser
reduzido envolvendo a bobina com um invólucro metálico (normalmente de alumínio) ligado ao terra do circuito,
no qual são induzidas correntes que geram campos magnéticos em oposição ao fluxo magnético da bobina, o que
resulta em um efeito blindagem devido ao confinamento do campo dentro do invólucro. Estas correntes induzidas
representam perdas, mas podem ser reduzidas posicionando-se o invólucro suficientemente distante da bobina.
 Efeitos capacitivos: uma bobina pode apresentar diversas capacitâncias, tais como entre espiras, entre camadas de
espiras, entre espiras e o suporte da bobina (chassi), entre bobina e blindagem (quando houver), etc. Esses efeitos
capacitivos configuram-se em uma reatância capacitiva para a bobina, que pode se tornar comparável à reatância
indutiva para sinais de altas freqüências tal que, se forem iguais (na chamada freqüência de ressonância), a bobina
se torna um tanque ressonante (o que é aproveitado em algumas aplicações) e, acima da freqüência de ressonância,
a bobina tende a comportar-se como um curto-circuito. Existem então configurações especiais de bobinamentos
destinadas a reduzir estes efeitos capacitivos, tais como o de dupla camada escalonado e o tipo panqueca.
Bobinas magnéticas possuem um extenso campo de aplicações. Além de motores, geradores, transformadores
e indutores diversos, a geração de campo magnético circulante em bobinas pode ser empregada também em sensores,
transmissores e receptores de rádio, relés, eletroímãs, equipamentos de ressonância magnética, radares de velocidade
de veículos, trancas elétricas e fontes chaveadas, bem como em antigas aplicações tais como reatores magnéticos para
lâmpadas fluorescentes e dispositivos de leitura e gravação de informações em fitas K7, fitas de vídeo e disquetes.
Como a reatância indutiva aumenta com a frequência, os indutores podem ser empregados também como filtro
de sinais para, por exemplo, eliminar ruidos induzidos em um circuito. Este é o caso dos chamados choques de RF,
que são bobinas construídas para trabalhar principalmente como filtro série (filtro de linha) no bloqueio à passagem
de sinais de frequências acima de um valor especificado (circuitos conhecidos como filtros passa-baixa), de modo
que, acima desta freqüência, o indutor apresenta uma alta reatância indutiva, o que dificulta a passagem dos sinais.
Choques de RF são normalmente construídos em núcleos cilíndricos ou toroidais de ferrite de alta permeabilidade,
encapsulados em material epoxi e contendo uma cobertura de esmalte vinílico (aparência na Figura 4.5-b-7).

52
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

4.2.3) MÁQUINAS ELÉTRICAS

As chamadas máquinas elétricas são equipamentos destinados à transferência ou conversão de energia por meio
de acoplamento magnético entre partes distintas e são classificadas basicamente em dois tipos de acordo com as partes
constituintes: máquinas fixas ou estáticas (transformadores) e máquinas girantes ou rotativas (motores e geradores).
Transformadores fazem uso da indutância mútua entre bobinas, chamadas enrolamentos, para a transferência de
potência elétrica entre circuitos. Constituiem-se basicamente por dois (ou mais) enrolamentos que compartilham um
mesmo núcleo (normalmente ferromagnético) para possibilitar uma concatenação mais eficiente das linhas de fluxo
magnético produzidas em uma bobina com a outra bobina (Figura 4.6-a). Em seu funcionamento, uma das bobinas,
chamada enrolamento primário, é aplicado uma tensão variante no tempo (por exemplo: alternada), e o consequente
fluxo magnético produzido pela corrente variante no tempo nesta bobina induz na mesma uma fcem VP , chamada
tensão primária, e uma fem VS (tensão secundária) na outra bobina, chamada enrolamento secundário (Figura 4.6-a).
Considerando um acoplamento magnético entre bobinas praticamente total (todas as linhas de fluxo produzidas
em um enrolamento se concatenam com o outro enrolamento), pode-se definir que a razão entre a tensão primária (VP)
e a tensão secundária (VS) é proporcional à razão entre o número de espiras do enrolamentos primário (NP) e do enro-
lamento secundário (NS), o que determina a chamada relação de transformação de um transformador, dada por:
VP N
 P (4.4)
VS NS
Logo, se NP > NS , o transformador funciona como um tipo abaixador de tensão (VS < VP) e, se NP < NS , o trans-
formador funciona como elevador de tensão (VS > VP). Existem também tipos com relação de transformação igual a 1,
usados para manter a mesma tensão entre o primário e o secundário, mas isolando eletricamente um circuito do outro.
Assim, os transformadores (símbolos esquemáticos na Figura 4.6-b) são fundamentais para a transmissão de
energia elétrica em diferentes tensões e correntes, bem como para modificar a impedância de circuitos elétricos, sendo
fabricados em diversos tamanhos/potências (Figura 4.6-c) e classificados em diversos tipos como: nível de tensão de
trabalho (alta, média e baixa), finalidade (transformadores de força, de distribuição, de potencial, de corrente, etc.),
número de fases (monofásico e polifásico), tipo de núcleo (ferromagnético ou de ar) e número de bobinas (2, 3, etc.).
Os transformadores são largamente empregados em redes elétricas de baixa, média e alta tensão, da geração à
carga. Os de baixa tensão são utilizados por consumidores finais na conversão de voltagem (110/220 V) ou ainda, para
suprir diferentes tensões requeridas por diferentes equipamentos com os chamados transformadores de múltiplos taps
(exemplo: 220/6+6 V). Os chamados transformadores de potencial e de corrente são empregados para adequar tensão
e corrente, respectivamente, aos níveis requeridos por medidores de grandezas elétricas. Existem ainda os chamados
autotransformadores, formados por uma única bobina em um núcleo ferromagnético e por três terminais para fixar os
níveis de tensão primária e secundária, que se caracterizam por ser mais baratos e leves que os transformadores de
enrolamento duplo padrão, não fornecendo, entretanto, um isolamento elétrico entre os circuitos propiciado por estes.
Uma característica importante dos transformadores reside em seu ganho de potência aproximadamente unitário,
isto é, a potência requerida no secundário é refletida no primário. Isto implica que em um transformador abaixador de
tensão, por exemplo, a menor tensão no secundário em relação ao primário é acompanhada por uma maior corrente no
secundário em relação ao primário, tal que a potência se mantém a mesma (equacionalmente: P = VP IP  = VS IS).
Outro efeito reside no conceito de que um circuito conectado no primário de um transformador, por exemplo do
tipo abaixador, o “enxergar” como uma impedância alta pelo fato da corrente ser baixa comparável ao sencundário, do
mesmo modo que um circuito conectado no secundário do transformador o “enxergar” como uma impedância elevada
pelo fato da corrente ser baixa comparada ao primário. Esta característica dos transformadores pode ser utilizada em
circuitos de pequenos sinais, baixas potências e altas freqüências para executar um efeito denominado casamento de
impedâncias, sendo empregado em equipamentos de áudio e RF para acoplamentos entre estágios de amplificadores,
entre amplificadores e auto-falantes e entre microfones e amplificadores, bem como na recepção de sinais em equipa-
mentos de rádio, TV e radar como forma de acoplar a estes dispositivos sinais elétricos captados por uma antena.

i
núcleo núcleo
de ar ferromagnético
VP NP NS VS

com tap auto-


central transformador

(a) (b) (c)

Figura 4.6: Transformadores (a) esquema de funcionamento; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências.

53
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Motores elétricos (símbolos esquemáticos na Figura 4.7-a) são dispositivos destinados à conversão de energia
elétrica em mecânica, formados por uma parte fixa (estática), chamada estator, e uma parte móvel (girante), chamada
rotor. Dependendo do tipo do motor, as funções do estator e do rotor podem ser desempenhadas por imãs permanentes
ou por eletroímãs construídos com enrolamentos instalados em ranhuras suportadas por um núcleo ferromagnético e
com acesso por conexões elétricas ou não, sendo o espaço entre eles chamado entreferro. O núcleo do rotor, por sua
vez, é normalmente montado sobre um eixo maciço de aço apoiado sobre mancais (também chamados rolamentos),
sendo ainda o conjunto total estator-rotor protegido do meio por um invólucro denominado carcaça (Figura 4.7-b).
O princípio de funcionamento dos motores baseia-se no surgimento de um torque sobre o rotor, proveniente da
tendência deste em alinhar seu campo com campos magnéticos produzidos no estator. Como resultado deste torque, o
rotor executa um movimento em torno de seu eixo (movimento rotacional), que pode ser aproveitado em inúmeras
aplicações em Eletrotécnica para imprimir um giro ou deslocamento a diversos mecanismos acoplados ao seu eixo,
tais como hélices, polias, engrenagens, pás, peças dentadas, bem como enrolamentos, imãs permanentes, etc.
Como exemplo, para o caso de rotores com eletroímãs, a tendência ao alinhamento de campos provém de uma
força perpendicular aos fios do eletroímã, a chamada força magnética (Fmg) ou de Lorentz, quando este conduz uma
corrente elétrica imerso em um fluxo magnético (Figura 4.7-c). A força de Lorentz surge quando uma carga elétrica q
em movimento com velocidade v atravessa um campo magnético de indução B transversal a v (Figura 4.7-c), tal que:
Fmg  q v  B (4.5)
Os motores são construídos nos mais variados modelos para diferentes aplicações (aparências na Figura 4.7-d).
Os chamados motores CA (corrente alternada) são os mais utilizados devido ao fato da distribuição de energia elétrica
ser em tensão alternada e esta poder propiciar um efeito de campo girante. Estes de motores pode ser classificados nos
tipos monofásicos (1) e trifásicos (3), bem como em em dois tipos com base em suas características construtivas:
 Motor síncrono: caracteriza-se por apresentar velocidade constante e independente do torque aplicado ao seu eixo.
São geralmente mais caros, sendo utilizados em aplicações que necessitam de velocidades estáveis sob a ação de
cargas variáveis no rotor, ou quando se requer grande potência com torque constante. São construídos em diversos
tipos, tais como imã permanente, histerese, relutância, de posição angular (motores de passo), etc.
 Motor assíncrono ou tipo indução: são motores CA que caracterizam-se por apresentar velocidade ligeiramente
variável com o torque aplicado ao seu eixo, efeito chamado escorregamento. Devido à grande simplicidade, baixo
custo, robustez e de ser possível controlar sua velocidade com o auxílio de conversores de freqüência, os motores
de indução são os de maior emprego na indústria, sendo aplicados em quase todos os tipos de acionamentos encon-
trados na prática. São subdivididos em trifásicos (MIT), dos tipos rotor em gaiola e rotor bobinado, e monofásicos
(MIM), dos tipos rotor em gaiola (tipos fase dividida, capacitor de partida e pólos sombreados) e rotor bobinado.
Os chamados motores CC (corrente contínua) compõem-se de estator constituído de um imã permanente ou um
eletroímã (chamado enrolamento de campo), e de rotor constituído por bobinas (chamadas enrolamento de armadura)
conectadas ou não a um anel condutor segmentado denominado comutador (peças de cobre montadas sobre o eixo do
rotor e supridas de tensão por escovas). Motores CC podem ser classificados como tipo imã permanente com ou sem
escova (motor CC brushless) e tipos série e shunt paralelo. Caracterizam-se por propiciar fácil variação de velocidade
mas, devido a custos mais elevados e problemas com faíscamentos, têm sido substituídos pelos motores de indução.
Motores elétricos apresentam diversas vantagens comparados a outros tipos, tais como custo reduzido, elevado
rendimento e grande versatilidade de adaptação aos mais diversos tipos de carga. São largamente utilizados em linhas
de produção industriais (esteiras, prensas, compressores, bobinadoras, sistemas de bombeamento de ar ou água, etc.),
sistemas de arrefecimento (ventiladores, evaporadores e exaustores) e eletrodomésticos (geladeiras, liquidificadores,
máquinas de lavar, ventiladores, etc.), além de carros elétricos e equipamentos médicos, odontológicos e hospitalares.
conexões elétricas
Fmg
entreferro estator v
rotor I e-
B
Fmg motores de
passo motor de indução 1
B

M N S

ventilador
M eixo  Fmg
carcaça
mancal I motores CC motor de indução 3

(a) (b) (c) (d)

Figura 4.7: Motores elétricos: (a) símbolos esquemáticos; (b) descrição das partes principais; (c) princípio de
funcionamento e esquema de atuação da força magnética em uma espira; (d) aparências de tipos diversos.

54
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

Os geradores elétricos, por sua vez, são máquinas rotativas baseadas no efeito da indutância mútua (similar aos
transformadores), destinadas à transformação de energia mecânica de movimento em energia elétrica. Desse modo, os
geradores operam de modo contrário aos motores, sendo que na maioria dos casos diferem destes apenas por detalhes
construtivos, além do tipo de dispositivo acoplado ao eixo do rotor, que consiste em uma máquina chamada turbina.
Turbinas para geração elétrica são equipamentos constituídos por pás que captam a energia cinética contida em
um fluido em movimento e a converte em energia mecânica de rotação. O fluído utilizado podem ser água canalizada
por tubulações para geradores hidráulicos (exemplo na Figura 4.8-a), ou ar em movimento para geradores eólicos
(exemplo na Figura 4.8-b), bem como substâncias em elevado estágio de expansão por altas temperaturas, tais como
gases (turbinas a gás) e vapor d’água (turbinas a vapor). Tipos mais comuns: Francis, Kaplan (Figura 4.8-a) e Pelton.
Os geradores elétricos recebem classificações similares aos motores, ou seja, geradores de corrente alternada
(síncronos ou de indução) ou corrente contínua, e monofásicos ou polifásicos. São construídos com as mais diversas
capacidades, desde pequenas potências, os chamados grupos geradores (Figura 4.8-c), até grandes centrais geradoras.
Em geradores de corrente aternada, o rotor consiste de um eletroímã ou ímã permanente, onde a rotação da
turbina causa um efeito de campo magnético variante no tempo para os enrolamentos do estator e, com isso, a indução
de forças eletromotrizes nestes enrolamentos que, ao serem conectados a um circuito externo, produz a circulação de
correntes elétricas. No caso de geradores do tipo corrente contínua, o estator é formado por imãs permanentes e, com
a rotação do rotor, ocorre um efeito de campo magnético variante para os enrolamentos do rotor, sendo neste induzida
uma fem que, ao ser acoplado a um circuito externo por escovas, produz também a circulação de correntes elétricas.

estator
rotor
eixo da
turbina
pás fluxo
distribuidoras de água
pás da turbina (tipo
turbina Kaplan)
(a) (b) (c)

Figura 4.8: (a) Partes de um gerador hidráulico; (b) turbina eólica; (c) grupo gerador (a diesel ou gás natural).

4.2.4) RELÉS ELETROMECÂNICOS E TRANSDUTORES

Relés são dispositivos largamente utilizados em instalações elétricas para promover a abertura e/ou fechamento
de contatos elétricos para manobras de proteção, sinalização, acionamento de cargas, controle de processos, etc.
O chamado relé eletromecânico é constituído basicamente por um eletroímã distanciado eletricamente de uma
lâmina metálica flexível (ou lâmina metálica rígida conectada a uma mola de rearme), bem como três terminais para
promover contato elétrico (Figura 4.9-a). O eletroímã consiste de um núcleo ferromagnético envolto por uma bobina e
a lâmina metálica flexível contém uma peça de material ferromagnético, sendo uma das extremidades da lâmina
fixada a um terminal de contato, chamado central (C), e a outra extremidade estabelece conexão elétrica móvel com
dois contatos metálicos fixos, chamados normalmente fechado ou NF, e normalmente aberto ou NA (Figura 4.9-a).
O mecanismo de atuação do relé eletromecânico consiste em submeter a lâmina metálica flexível a uma flexão
causada pela atração magnética entre a peça ferromagnética da lâmina e o núcleo da bobina. A bobina apresenta uma
tensão de operação correspondente a uma corrente mínima necessária para produzir um campo magnético na bobina
intenso o suficiente para atrair a lâmina metálica, cuja flexão resulta na interrupção do contato NF e no fechamento do
terminal móvel com o contato NA (Figura 4.9-a). Logo, caso a tensão de operação da bobina não seja atingida, o
contato móvel da lâmina flexível permanece conectado eletricamente ao contato NF (Figura 4.9-a). Assim, o relé
eletromecânico pode ser entendido como uma chave liga/desliga acionada magneticamente por corrente na bobina.
De acordo com o efeito desejado, o relé eletromecânico pode então ser empregado em duas estratégias:
 Lógica normalmente fechado: o circuito é conectado entre os terminais C e NF e deve permanecer funcionando
enquanto a corrente no circuito de controle da bobina não atingir o valor limite para fazer a lâmina metálica atuar.
 Lógica normalmente aberto: o circuito é conectado entre os terminais C e NA deve ser acionado apenas quando
a corrente no circuito de controle da bobina for no mínimo o valor limite capaz de fazer a lâmina metálica atuar.
A vantagem dos relés eletromecânicos (símbolos esquemáticos na Figura 4.9-b) reside em propiciar isolação
elétrica entre dois circuitos de potências distintas: o circuito de controle conectado à bobina, normalmente de baixa
potência (pequenas tensões e correntes), e o circuito controlado ligado entre os terminais C-NA ou C-NF (ou ambos),
normalmente de maior potência (tensões e correntes mais elevadas). Além disso, os circuitos de controle e controlado
podem ser CC ou CA, sendo que, caso a bobina seja energizada em tensão CC, um diodo é frequentemente usado em
paralelo com a bobina para propiciar um caminho de dissipação da energia armazenada em seu campo magnético.
55
CAPÍTULO 4: Materiais e dispositivos magnéticos

O relé eletromecânico (aparências na Figura 4.9-c) é um dispositivo com amplas aplicações em comutação de
circuitos elétricos em geral, tal como acionamentos de cargas elétricas (motores, resistências, capacitores, lâmpadas,
compressores, bombas d’água, bicos injetores, etc.), além de controles em linhas de produção, sistemas de acesso (tal
como catracas), sistemas de movimentação (portas, janelas, etc.), processos fabricação, composições de trens, etc.

lâmina metálica contatos elétricos NF onda de pistão


flexível áudio pneumático
NF C
C diafragma
NA
NA sensor
terminais NA sinal de
núcleos imã aúdio
da bobina ferromagnéticos NF
C
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 4.9: Relés: (a) detalhes construtivos, (b) símbolos esquemáticos, (c) aparências; (d) detalhes esquemáticos
do microfone dinâmico; (e) dispositivo sensor de posição linear magnetoestrictivo para aplicações hidráulicas.
Os chamados microfones de bobina móvel, também conhecidos como dinâmicos, constituem-se basicamente de
um ímã envolto por um conjunto diafragma-bobina com liberdade de movimento (Figura 4.9-d). O imã empregado
pode ser natural ou artificial (exemplo: neodymium) e o diafragma consiste de uma membrana fina e elástica ligado à
bobina. A incidência de uma onda de áudio (som) na membrana causa vibrações na mesma, que as transmite à bobina
e esta, por estar imersa on campo magnético do ímã, passa a interpretar este campo como sendo variável no tempo,
resultando assim na indução de uma fem nos terminais da bobina proporcional às ondas sonoras (Figura 4.9-d).
Os chamados auto-falantes de bobina móvel, por sua vez, são dispositivos transdutores de construção similar ao
dos microfones dinâmicos, mas apresentam um princípio de funcionamento inverso ao destes, isto é, convertem o
sinal elétrico (tensão/corrente) injetado na bobina em vibrações no diafragma, vindo este a executar um movimento de
compressão e descompressão do ar em sua volta, que se propagam pelo meio e constituem-se no som emitido.
Por fim, certos materiais ferromagnéticos caracterizam-se por apresentar suaves deformações elásticas quando
submetidos a campos magnéticos e, de modo inverso, exibir acentuada variação na permeabilidade magnética quando
submetidos a deformações elásticas devido a esforços de tração ou compressão em seu corpo. Este efeito, denominado
magnetoestricção, pode ser explorado na construção de bobinas de indutância variável com a força aplicada ao núcleo
magnetoestrictivo, para a construção de dispositivos transdutores eletromecânicos utilizados, por exemplo, em prensas
automáticas, sistemas de medição e dispositivos de controle de pressão (Figura 4.9-e), bem como em medidores de
deformações mecânicas e produção e detecção de ultra-som. Exemplos de materiais magnetoestrictivos são: ferro e
níquel, bem como ligas de ferro e cromo ou cobalto, que em finas pastilhas exibem elevada magnetoestricção.

4.3) EXERCÍCIOS PROPOSTOS

Problema 1: Seja uma bobina com núcleo de ar alimentada por tensão alternada e conduzindo uma certa corrente.
Introduzindo-se um núcleo de material A observa-se que a corrente na bobina permanece a mesma e introduzindo-se
um núcleo de material B observa-se uma diminuição na corrente. A interpretação: “o material A é provavelmente do
tipo indiferente e o material B é provavelmente do tipo ferromagnético” é procedente? Explique.

Problema 2: O circuito ao lado mostra um indicador visual de ultrapassagem de


NTC L1 certo limite de temperatura por meio de duas lâmpadas L1 ou L2 , que utiliza uma
V1 L2 resistência tipo NTC como sensor de temperatura. Explique qual lâmpada indica
V2
temperatura acima e temperatura abaixo do valor limite.

Problema 3: O circuito ao lado mostra uma fonte de tensão alternada vo que alimenta 1
k
um transformador de dois taps (1 e 2) no enrolamento secundário, onde uma chave k
inicialmente na posição 1 conecta uma lâmpada L ao transformador. Pede-se: vS 2 L
a) Explique o que acontece com o brilho emitido pela lâmpada L quando a chave k é
comutada para a posição 2.
b) Elevando-se a tensão da fonte vo observa-se que, a partir de certos valores de tensão, o brilho emitido pela lâmpada
praticamente não mais se alterava. Explique uma possível causa.
c) A fonte vS é substituída por uma fonte de tensão continua e observa-se que a lâmpada não acende. Explique porque.

56
CAPÍTULO 5: INTRODUÇÃO À TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Eletrônica é conhecida como a ciência e tecnologia do controle de carga elétrica em um meio como gás, vácuo
ou material sólido. Sua história divide-se basicamente em dois períodos: o primeiro, conhecido como a era dos tubos a
vácuo (chamadas válvulas eletrônicas), baseava-se no aproveitamento do chamado efeito termoiônico, que apresenta o
inconveniente de consumir muita energia para funcionar, e o segundo, conhecido como era dos transistores, está
fundamentado em componentes baseados em certos materiais sólidos chamados semicondutores. Para diferenciar da
tecnologia dos tubos a vácuo, a teoria dos semicondutores é então conhecida como Física do Estado Sólido.
O estudo dos materiais semicondutores se mostra importante em razão do seu atual emprego em larga escala na
construção de diversos tipos de componentes eletrônicos como: diodos, transistores (TBJ, FET, UJT, etc.), tiristores
(SCR, Diac, Triac, etc.), termosensores, fotosensores, circuitos integrados, etc., que são empregados na construção de
diversos dispositivos para processar sinais elétricos em sistemas de comutação, comunicação, computação e controle.

5.1) SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Como mencionado no Capítulo 1, os materiais semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap
entre as bandas de valência e de condução, em torno de 1 eV. Este fato acarreta em concentrações de portadores livres
da ordem de 1010 cm-3, bem inferiores ao dos condutores (~1023 cm-3), porém superior ao dos isolantes (~106 cm-3),
resultando então em uma “semicondutância”. Contudo, o montante desta semicondutância é um critério insuficiente
para definir totalmente o comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-se obter
substâncias e misturas que atendem a essa concentração de portadores livres, mas que não possuem comportamento
semicondutor. A estrutura atômica também não define o comportamento semicondutor, pois estanho, silício, germânio
e carbono pertencem ao grupo IV-A mas, apesar desta semelhança, o estanho é condutor, silício e germânio são
classificados como semicondutores e o carbono na forma cristalina (diamante) é um excelente isolante elétrico.
A estrutura atômica dos semicondutores se caracteriza por um arranjo na configuração chamada rede cristalina,
ou seja, são cristais. Os exemplos de maior emprego na fabricação de componentes de uso geral são principalmente o
silício e o germânio. Contudo, devido à maior dependência com a temperatura e maior limitação nas capacidades de
tensão e corrente do germânio, atualmente há um amplo predomínio dos dispositivos baseados no silício, razão pela
qual o breve estudo sobre a condução elétrica nos semicondutores visto adiante fundamentar-se neste material.
Para aplicações com finalidades mais específicas, encontram-se ainda outros tipos de materiais semicondutores,
tais como selênio, gálio, arsenieto de gálio, nitreto de gálio, sulfeto de cádmio, fosfeto de índio e óxidos metálicos.

5.1.1) FENÔMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES

O átomo de silício é tetravalente (apresenta quatro elétrons na camada de valência) e, para que material silício
seja quimicamente estável, seu arranjo cristalino consitui-se por por átomos posicionandos entre outros quatro átomos
vizinhos por ligação covalente (tipo compartilhamento de elétrons) para a obtenção de oito elétrons na camada de
valência. A Figura 5.1-a mostra uma representação planar simplificada da estrutura atômica do material silício.
energia contatos elétricos
ligação
+4
covalente BC
silício puro
a baixas
+4 +4 BV temperaturas
+4
Bandas
2o banda totalmente
íons de
elétrons de preenchidas I=0
+4 silício
valência o
1 banda
VS
(a) (b) (c)

Figura 5.1: (a) Estrutura bidimensional de um cristal de silício; (b) representação do silício por bandas
de energia a baixas temperaturas; (c) condução elétrica nula no cristal de silício a baixas temperaturas.
Como visto no Capítulo 2, materiais condutores elétricos são capazes de conduzir correntes utilizáveis quando
submetidos diferenças de potencial compatíveis, devido à grande quantidade de elétrons livres presentes no material.
Logo, para o cristal de silício, este também dependerá da existência de elétrons que possam se deslocar pelo material
de modo a se constituir corrente. No entanto, apesar do pequeno gap entre a BV e a BC, a disponibilidade de energia
57
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

térmica a baixas temperaturas é insuficiente para fazer com que elétrons de valência possam se deslocar para a banda
de condução e, desse modo, a banda de valência permanece praticamente preeenchida e a banda de condução vazia
(Figura 5.1-b). Assim, pelo fato da banda de condução não apresentar elétrons livres que possam se deslocar pelo
material em resposta a uma diferença de potencial aplicado, o cristal de silício praticamemente não conduz corrente
utilizável a baixas temperaturas, comportando-se então proximamente a um material isolante (Figura 5.1-c).
Porém, em temperaturas mais elevadas (por exemplo, temperaturas normais de trabalho ou ambiente), a maior
disponibilidade de energia térmica no material poderá quebrar de ligações covalentes de modo a permitir que elétrons
da banda valência se desloquem para a banda de condução e se tornem lives, restando vacâncias na banda de valência
constituídas por ligações covalentes incompletas, denominadas lacunas ou buracos (Figura 5.2-a). Como cada elétron
que se desloca para a banda de condução cria uma lacuna na banda de valência, então o conjunto formado é chamado
par elétron-lacuna (Figura 5.2-b). Além disso, como todo elétron tende a retornar ao seu nível de energia original,
ocorrem também destruição de pares devido às recombinações entre elétrons e lacunas. Assim, pode-se conseguir um
número limitado de portadores de carga livres em um semicondutor para uma determinada energia térmica presente.
Seja uma amostra de silício submetido a uma tensão elétrica e um par elétron-lacuna criado por energia térmica,
representada na Figura 5.2-c com a letra A. Em resposta ao campo elétrico aplicado, os elétrons livres no material
podem então se deslocar em sentido contrário ao campo e constituir uma corrente na banda de condução do material
(Figura 5.2-c), se assemelhando à condução de um metal. Contudo, uma ligação química incompleta na banda de
valência do material (lacuna) possibilita com que um elétron de valência situado em órbita vizinha (representado por
B na Figura 5.2-c) se desloque para esta ligação incompleta também em resposta ao campo aplicado, deixando em seu
lugar uma ligação incompleta em B correspondente a uma lacuna. O mesmo pode acontecer ao elétron em uma órbita
vizinha em C que, ao preencher a lacuna situada em B, cria uma lacuna em C, bem como um elétron na orbita em D
se deslocar para a lacuna em C e criar uma lacuna em D e assim sucessivamente (Figura 5.2-c).
Observa-se então que as lacunas também adquirem liberdade de movimento em resposta a um campo elétrico
aplicado, se locomovendo porém em sentido contrário aos dos elétrons como se fossem cargas positivas. Assim, por
meio de um mecanismo similar, as lacunas podem também ser consideradas portadores de carga livres e de sinal
positivo. A importância do conceito de lacuna é que, apesar de constituir-se em uma abstração teórica de carga livre,
esta participa conceitualmente da condução de corrente no material, o que é comprovado pelo chamado Efeito Hall.
Conclui-se então que as bandas de valência e condução representam dois percursos pelo qual elétrons podem se
deslocar em um cristal semicondutor, com as lacunas no sentido contrário (Figuras 5.2-d). Porém, com o objetivo de
facilitar a definição e estudo dos chamados semicondutores extrínsecos, as lacunas, apesar de não se constituírem
fisicamente em carga elétrica, normalmente são consideradas, no lugar dos elétrons de valência, como um segundo
tipo de portador de carga livre para o estudo da condução de corrente nos semicondutores. Assim, pode-se conceber
que os semicondutores possuem dois dois tipos de portador de carga livre: elétrons livres e lacunas, sendo este aspecto
a principal característica elétrica que deferenciam os semicondutores dos outros tipos de materiais elétricos.
ligação
energia
covalente par electron-lacuna elétrons na BV e BC
incompleta +4
(lacuna) elétron
BC livre
energia silício a T >> 0 K
+4 +4 +4 BV lacuna
BC lacunas na BV
E
2o banda I0
elétron
deslocado +4 BV
para a BC 1o banda VS
A B C D
(elétron livre)
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.2: (a) Silício puro em elevação de temperatura, criação de pares elétron-lacuna por quebra de ligação
covalente; (b) representação por bandas de energia; (c) condução dos portadores livres; (d) correntes resultantes.
Seja n (cm–3) a concentração de elétrons livres e p (cm–3) a concentração de lacunas em material semicondutor.
Para semicondutores denominados intrínsecos, tal como os ditos puros, tem-se que, como a energia térmica produz
portadores aos pares, a concentração de elétrons livres é então igual a de lacunas a qualquer temperatura, tal que:
n  p  ni (5.1)
3
em que ni (portadores livres/cm ) é um parâmetro do material dependente da temperatura, chamado concentração
intrínseca, que determina o número de pares elétron-lacuna a uma determinada temperatura T do material, dado por:
EGO

n  Ao T e
2
i
3 KB T
(5.2)
-6 -3
onde Ao (cm K ) é uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) é a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessária para desfazer a ligação covalente) e KB = 8,62 x 10-5 eV/K é a constante de Boltzmann.
58
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Logo, semicondutores intrínsecos caracterizam-se por apresentar uma grande sensibilidade à temperatura. Na
temperatura ambiente, contudo, um cristal de silício puro praticamente não apresenta portadores livres se comparado
ao germânio, sendo esta a principal razão do silício ser superior ao germânio na fabricação de dispositivos eletrônicos,
pois componentes menos sensíveis à temperatura são necessários para o correto funcionamento de circutos em geral.
Como visto no Capítulo 2, a condutividade elétrica dos materiais, expressa pela equação (2.3), é proporcional à
concentração de elétrons livres. Para os semicondutores, como tanto elétrons livres quanto lacunas contribuem para o
processo da condução de corrente, então a expressão da condutividade  (S/m) para estes materiais deve ser ampliada
para considerar a contribuição de ambos os tipos de portadores de carga livres presentes no material, ou seja:
  n e n  p e  p (5.3)
onde p , chamada mobilidade das lacunas, expressa a facilidade com que estas se movimentam na bande de valência.
Como n = p = ni nos semicondutores intrínsecos, então a condutividadade neste caso pode ser redefinida por:
  e ni (n   p ) (5.4)
Com base na equação (5.2) observa-se então que a condutividade do semincondutor intrínseco, expresso pela
equação (5.4), apresenta elevada dependência da temperatura, por ser função da concentração intrínseca ni . Logo, a
condutividade do material intrínseco aumenta com a temperatura, ou seja, semicondutores são materiais tipo NTC.
Como também visto no Capítulo 2, a densidade de corrente de condução, dada na equação (2.2), é proporcional
ao campo elétrico aplicado através da condutividade dos materiais. Logo, para os semicondutores intrínsecos, tem-se:
J   E  e ni (n   p ) E (5.5)
A Tabela 5.1 apresenta algumas propriedades de interesse para o silício, onde observa-se que a mobilidade dos
elétrons livres (n) é maior que a de lacunas (p). Esta diferença decorre do fato dos elétrons de valência dependerem
da existência de ligações incompletas na banda de valência (lacunas) para se deslocarem pelo cristal, enquanto que os
elétrons livres têm a disposição uma grande quantidade de níveis de energia desocupados na banda de condução.

Tabela 5.1: Algumas propriedades de interesse para o silício.


Propriedade Valor Propriedade Valor
número atômico 14 densidade de átomos do cristal (cm-3) 5 x 1022
constante Ao (cm-6 K-3) 5,23 x 1035 constante de difusão de elétrons livres Dn a 300 K (cm2/s) 34
EGO (EG a 0 K) em eV 1,21 constante de difusão de lacunas Dp a 300 K (cm2/s) 13
EG a 300 K em eV 1,12 p a 300 K (cm2/V s) 500
-3
ni a 300 K (cm ) 1,5 x 1010
n a 300 K (cm2/V s) 1300

Com base na equação (5.4) e nos valores da concentração intrínsica ni e mobilidades de elétrons (n) e lacunas
(p) dados na Tabela 5.1, pode-se então obter a resistividade do silício puro à temperatura padrão de 300 K:
 Si,300 K  e ni,Si, 300 K ( n,Si, 300 K   p,Si, 300 K )  1,6  1019  1,5  1010  (1300  500)  4,32  106 S / cm
1 1
 Si, 300 K    2,3  105  cm  2300  m
 Si,300 K 4,32  10 6

Logo, pode-se observar que a resistividade do silício puro ( 2300 Ωm) é bastante elevada comparada aos
metais ( 107 m), o que decorre pelo fato da concentração de portadores livres no silício à temperatura ambiente
(ni,300K = 1,5 x 1010 cm3) ser mais próxima da observada em materiais isolantes (106 cm3). Como consequência,
além de elevada sensibilidade com a temperatura, um semicondutor tipo intrínseco pode não apresentar portadores
livres suficientes para produzir correntes utilizáveis pelo seu meio, o que inviabiliza seu emprego direto na construção
de componentes eletrônicos. Contudo, como será estudado mais adiante, a mitigação dessas deficiências pode ser
obtida com um desequilíbrio entre as concentrações de lacunas e elétrons livres estabelecidas na forma intrínseca, por
meio de um processo artificial chamado dopagem, para a obtenção dos chamados semicondutores extrínsecos.
Materiais semicondutores com elevada sensibilidade a incidência de energia em sua sua forma pura podem, no
entanto, serem aproveitados para a obtenção de alguns tipos de dispositivos sensores, vistos a seguir.

5.1.2) COMPONENTES SEMICONDUTORES PUROS

Diversas aplicações em Eletrotécnica apresentam um mecanismo de controle de alguma variável física interna
ou externa ao sistema, o que faz necessário o emprego de algum dispositivo para monitorar a variável e convertê-la
em uma grandeza elétrica. Estes dispositivos, chamados sensores, são construídos com base em certos materiais nos
quais alguma de suas propriedades elétricas sofre variação mensurável quando submetida a um estímulo externo.
Como estudado anteriormente, a condutividade elétrica dos semicondutores intrínsecos, notadamente os puros,
caracterizam-se por uma elevada dependência da temperatura devido ao pequeno gap de energia, que proporciona
fácil geração de pares elétron-lacuna com energia térmica. Desse modo, os semicondutores puros são utilizados na
construção de componentes sensores resistivos variáveis com a temperatura, chamados genericamente de termistores.
59
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Termistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-a) são então resistências sensíveis à ação da energia térmica,
que encontram largo emprego no monitoramento e controle de temperaturas em equipamentos e ambientes. No caso
dos termistores semicondutores (aparência na Figura 5.3-b), estes se comportam como resistências tipo NTC devido à
variação inversa da resistividade com a temperatura. Esta alteração caracteriza-se por uma diminuição da resistência
da ordem de 3% por oC, o que proporciona uma maior sensibilidade comparada aos termistores metálicos, porém, com
temperaturas de trabalho menores que estes. Materiais empregados: óxidos de níquel, cobre, manganês e zinco.
Uma aplicação dos termistores semicondutores reside em relés de proteção de motores, onde o aquecimento nos
enrolamentos por efeito Joule tem correlação com a corrente no motor. Desse modo, em caso de sobrecorrente no
motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor interpretar esta condição adversa a um relé para que este
comande o desligamento do motor. Outras aplicações consistem na medição e controle automático de temperatura em
fornos, estufas e na estabilização do ponto de operação de circuitos submetidos a grandes variações de temperatura.

Resposta relativa (%)


75
50
T
25

0 fC f (Hz)
(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Figura 5.3: Termistores: (a) símbolo esquemático, (b) aparência; fotorresistores: (c) símbolo esquemático,
(d) aparência de LDR comercial; (e) aparêcia de relé fotoelétrico (f) exemplificação de resposta espectral.
Similar ao efeito da temperatura nos termistores, a chamada fotorresistividade consiste em uma forma adicional
de variação da condutividade elétrica dos materiais, baseada no fornecimento de energia por incidência de radiação
eletromagnética ao material para promover a quebra de ligações covalentes e gerar pares elétron-lacuna em excesso a
aqueles gerados pela energia térmica no material. Este efeito é aproveitado na construção de sensores de luz resistivos
chamados fotorresistores ou fotocondutores, que variam sua resitência inversamente à intensidade da luz incidente.
Fotorresistores (símbolo esquemático na Figura 5.3-c, onde as setas indicam o sentido da radiação) são então
componentes semicondutores tipo transdutores que convertem energia luminosa na forma elétrica, ao ter modulada
sua resistividade pela radiação incidente. O chamado LDR (light dependent resistor) é um exemplo de fotorresistor
semicondutor comercial (aparência na Figura 5.3-d), também chamado célula fotocondutiva, que encontra emprego
em dispositivos de detecção de intensidade luminosa para atuação em circuitos de controle, automação e comutação,
tal como o chamado relé fotoelétrico ou fotocélula (Figura 5.3-e), que consiste de um relé eletromecânico acionado
por um LDR, empregado na iluminação automática de ambientes (vias públicas, pátios, estacionamentos, etc).
O fotorresistor de maior aplicação consiste em uma célula de sulfeto de cádmio dopada com um pouco de prata,
antimônio ou índio. As vantagens destes dispositivos residem na elevada capacidade de dissipação (300 mW) e ótima
sensibilidade ao espectro visível (em escuridão, acima dos 1 M e, com luz forte, inferior a 1 k), podendo operar
diretamente um relé e controlar, por exemplo, um circuito de maior potência. Outros materiais: sulfeto de chumbo,
que apresenta um máximo de sensibilidade em 29000 Å, sendo então empregado para detecção da faixa do infra-
vermelho (Tabela 1.7), e selênio, que é bastante sensível à faixa do espectro visível, particularmente perto do azul.
Como estudado no Capítulo 1, a frequência de onda eletromagnética f e a energia Ef do fóton correspondente
são diretamente proporcionais, tal que: Ef = h f. Como a energia EG do gap de um material é a mínima necessária para
a excitação de um elétron da banda de valência para a banda de condução no material, então uma frequência mínima
fC = EG /h , denominada valor de corte, é necessária para a criação de elétrons livres por fotoexcitação e, desse modo,
tem-se que o fotorresistor é um dispositivo seletivo de freqüência. A Figura 5.3-f mostra a resposta espectral típificada
de um material, onde observa-se que a sensibilidade à radiação incidente apresenta um valor máximo e conclui-se que
o fotorresistor a ser empregado como sensor em um circuito pode depender do tipo da radiação a ser monitorada.

5.2) SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO

Quando em um cristal semicondutor intrínseco são introduzidas impurezas tal que isto resulte no predomínio de
um tipo de portador de carga livre, este passa a ser denominado semicondutor extrínseco. Este expediente, chamado
dopagem, baseia-se em um processo tecnológico sofisticado, que consiste na introdução de átomos de certos materiais
com teor controlado para produzir um perfeito espalhamento destes átomos no semicondutor, de modo a aumentar sua
condutividade elétrica e diminuir sua dependência com a temperatura em relação à forma intrínseca.
Os níveis usuais de dopagem são da ordem de 1 átomo de impureza para cada 109 a 107 átomos de silício, o que
garante a permanência da maioria de suas propriedades e apenas as características elétricas mudam acentuadamente.

60
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

5.2.1) DOPAGEM E CLASSIFICAÇÃO

Como visto, os portadores livres nos semicondutores intrínsecos são criados aos pares sob influência apenas da
energia térmica, tal que: n = p. O processo de dopagem tem então o objetivo de introduzir artificialmente átomos de
impurezas de modo a provocar um desequilíbrio entre as concentrações destes portadores, tal que: n  p. Assim, de
acordo com o tipo de impureza introduzida, obtém-se duas classificações para os semicondutores extrínsecos:
 Cristal tipo P: este material é resultado da introdução de átomos de elementos químicos trivalentes (normalmente
alumínio, boro e gálio), chamados de impurezas tipo P. Este processo de dopagem possibilita então estabelecer o
predomínio de lacunas no cristal devido ao fato do átomo de impureza trivalente formar três ligações covalentes
com três átomos de silício vizinhos, restando uma ligação covalente incompleta referente ao átomo de impureza
(Figura 5.4-a), que constitui-se então em uma lacuna. Como estas ligações incompletas podem receber elétrons da
banda de condução, então os átomos de impurezas tipo P são também denominados de impurezas aceitadoras.
Além disso, o aumento na concentração de lacunas acarreta também em uma maior taxa de recombinação, o
que faz decrescer a quantidade de elétrons livres existentes no semicondutor. Com estas diferenças, as lacunas no
cristal P passam então a ser chamadas de portadores majoritários, e os elétrons livres de portadores minoritários.
A Figura 5.4-b exemplifica o esquema de bandas de energia para um cristal P, onde observa-se um elevado
número de lacunas na banda de valência, produzido principalmente pela dopagem, bem como uma quantidade
comparativamente pequena de elétrons livres na banda de condução, produzida apenas por energia térmica.
 Cristal tipo N: estes materiais resultam da introdução de átomos de elementos químicos pentavalentes (normal-
mente , arsênio, antimônio e fósforo), chamados de impurezas tipo N. Neste caso, o predomínio de elétrons livres
no cristal é estabelecido pelo fato de um átomo de impureza pentavalente formar quatro ligações covalentes com
quatro átomos de silício vizinhos para se tornar estável, obrigando o quinto elétron do átomo de impureza a ocupar
a banda de condução (Figura 5.4-c), resultando então no aumento artificial do número de elétrons livres no cristal
pelo processo de dopagem. Como estes átomos pentavalentes proporcionam elétrons livres extras ao cristal, então
os átomo de impurezas tipo N são também denominados de impurezas doadoras.
Similarmente, o aumento na concentração de elétrons livres por dopagem acarreta também em uma maior taxa
de recombinação, o que faz decrescer a quantidade de lacunas no cristal e, devido a estas diferenças, as lacunas no
cristal N passam então a ser chamadas de portadores minoritários, e os elétrons livres de portadores majoritários.
A Figura 5.4-d exemplifica o esquema de bandas de energia para um cristal N, onde observa-se um elevado
número de elétrons livres na banda de condução, produzido principalmente pela dopagem, bem como um número
comparativamente pequeno de lacunas na banda de valência, produzido apenas por energia térmica.

ligação covalente
+4 elétron
incompleta +4
livre
(lacuna) energia energia

+4 +3 +4 BC +4 +5 +4 BC

íon de íon de
+4 impureza BV +4 impureza BV
aceitadora doadora

(a) (b) (c) (d)

Figura 5.4: Criação de portadores livres por dopagem em um cristal de silício: (a) tipo P; (b) representação por
bandas do predomínio de lacunas no semicondugor tipo P; (c) tipo N; (d) predomínio de elétrons livres no tipo N.

5.2.2) CONDUTIVIDADE E DENSIDADE DE CORRENTE DE CONDUÇÃO

Como visto anteriormente, os semicondutores intrínsecos caracterizam-se por apresentar iguais concentrações
de portadores livres (elétrons e lacunas), tal que: n = p = ni . Logo, pode-se inferir que o produto destas concentrações
resulta no quadrado da concentração intrínseca ni , o que define a chamada lei da ação de massas, dada por:
n  p  ni2 (5.6)
No caso dos semicondutores extrínsecos, o aumento da dopagem resulta, como visto, no aumento da taxa de
recombinação devido ao aumento da concentração de majoritários, o que acarreta no decréscimo da concentração de
minoritários. Porém, em condições de equilíbrio térmico (criação de pares elétron-lacuna constante), observa-se que a
diminuição de minoritários é proporcional ao aumento de majoritários, tal que o produto das concentrações se mantém
constante. Assim, verifica-se que os semicondutores extrínsecos também obedecem a lei da ação de massas.
Além disso, supondo que o processo de dopagem resulte na concentração ND (átomos/cm3) de átomos doadores
ou concentração NA (átomos/cm3) de átomos aceitadores, tem-se que, como um átomo doador se torna um íon positivo

61
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

ao ceder elétron e um átomo aceitador se torna um íon negativo ao receber elétron, então estas impurezas produzem
uma concentração ND de íons positivos e NA de íons negativos no material. Porém, como a dopagem não resulta em
eletrização do material, a soma das cargas positivas (lacunas e íons +) deve ser igual à das cargas negativas (elétrons
livres e íons –), tal que o semicondutor extrínseco deve obedecer a chamada lei da neutralidade de carga, dada por:
p  ND  n  N A (5.7)
A análise da lei de ação de massas e da lei da neutralidade de carga permite definir a propriedade condutividade
elétrica para o caso dos semicondutores extrínsecos com base nas características de cada material, de modo que:
 Cristal tipo P: como visto anteriormente, o cristal P não apresenta impurezas doadoras (ND = 0) e a concentração
de lacunas é muito superior à de elétrons livres, ou seja, p >> n. Logo, a equação (5.7) pode ser reduzida a:
pP  N A (5.8)
onde o índice P foi adicionado para descrever o cristal P. Observa-se então que a concentração pP de portadores
majoritários no cristal P (lacunas) se resume à concentração NA de átomos aceitadores dada pela dopagem.
Assim, como pP >> nP , tem-se que nas definições da condutividade e da densidade de corrente do cristal tipo P
podem ser consideradas apenas a contribuição dos portadores majoritários (lacunas) à corrente, o que resulta:
 P  pP e  p  N A e  p (5.9)
J p  ( pP e  p ) E  ( N A e  p ) E (5.10)
onde P é a condutividade elétrica para o cristal tipo P e Jp é a densidade de corrente de condução de lacunas.
Pela lei da ação de massas, tem-se que a concentração nP de minoritários no material P (elétrons livres) resulta:
n2 n2
nP  pP  ni2   nP  i  i (5.11)
pP NA
 Cristal tipo N: como também visto anteriormente, o cristal N não apresenta impurezas aceitadoras (NA = 0) e a
concentração de elétrons livres é muito superior à de lacunas, ou seja, n >> p. A equação (5.7) então se reduz a:
nN  N D (5.12)
onde o índice N foi adicionado para descrever o cristal N. Observa-se então que a concentração nN de majoritários
no cristal N (elétrons livres) se resume à concentração ND de átomos doadores dada pela dopagem.
Similarmente para o cristal N, como nN >> pN , então as definições da condutividade e densidade de corrente
podem agora considerar apenas a contribuição dos portadores majoritários (elétrons livres) à corrente, tal que:
 N  nN e  n  N D e  n (5.13)
J n  ( nN e  n ) E  ( N D e  n ) E (5.14)
onde N é a condutividade para o cristal tipo N e Jn é a densidade de corrente de condução de elétrons livres.
Similarmente, pela lei da ação de massas, a concentração pN (lacunas) de minoritários no material N é dada por:
ni2 n2
nN  pN  ni2   pN   i (5.15)
nN ND
Com base nas definições de condutividade vistas para o caso extrínseco, pode-se avaliar o impacto da dopagem
na mitigação dos problemas apresentados pelo caso intrínseco, notadamente as elevadas resistividade e dependência
da temperatura. Logo, como a condutividade é função da concentração e mobilidade dos portadores livres, o estudo da
variação destes parâmetros com a temperatura permite a comparação entre os materiais intrínseco e extrínseco:
 Caso intrínseco: o aumento de temperatura em um material qualquer provoca um maior grau de agitação térmica
da estrutura atômica do material, o que acarreta em perda de mobilidade dos portadores livres presentes devido ao
maior número de colisões. Para o caso dos semicondutores intrínsecos, no entanto, a facilidade na criação de pares
elétron-lacuna por energia térmica, compensa em excesso a diminuição das mobilidades destes portadores livres, o
que acarreta então na elevada dependência da condutividade dos materiais intrínsecos em relação à temperatura.
 Caso extrínseco: devido à lei da ação de massas, a criação de pares elétron-lacuna por energia térmica exerce uma
elevação na concentração de majoritários e minoritários no cristal extrínseco. Contudo, sendo a concentração de
minoritários muito inferior a de majoritários, observa-se que esta criação de cargas livres adicionais acarreta em
aumentos perceptíveis no número de minoritários, mas não de majoritários. Logo, como a condutividade do cristal
extrínseco se resume à contribuição dos majoritários e estes dependem basicamente da dopagem, então tem-se que
a criação de pares elétron-lacuna por energia térmica exerce menor compensação para a redução de mobilidade dos
portadores livres e conclui-se que a influência da temperatura na condutividade é atenuada pela dopagem.
Para o estudo da resistividade do material extrínseco, o exercício a seguir exemplifica a eficácia da dopagem no
aumento da condutividade elétrica de um semicondutor tipo extrínseco em comparação ao material intrínseco.
Comentário: um aspecto importante do processo de dopagem consiste no fato de, por exemplo, se em um material
tipo P for acrescentada impurezas doadores superior à concentração de impurezas aceitadoras, este passa do tipo P
para tipo N, e vice-versa, devido ao anulamento mútuo por recombinação. Assim, sobre uma amostra de determinado
tipo pode-se criar uma região do outro tipo, sobre esta região criar novamente o tipo anterior e assim sucessivamente.
Este efeito é explorado na prática para a construção dos diversos dispositivos eletrônicos discretos e integrados.

62
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Exercício 1: Seja uma amostra de silício tipo N, cuja dopagem uniforme consiste de 1 átomo de impureza doadora
para cada 108 átomos de silício. Determine a resistividade do silício a 300 K e compare com o caso intrínseco.
Solução
 Como a concentração de átomos do silício é de 5 x 1022 átomos/cm3 (Tabela 5.1) e a dopagem consiste de 1 átomo
de impureza para cada 108 átomos de silício, então cada cm3 do material conterá 5 x 1014 átomos de impureza.
Logo, ND = 5 x 1014 átomos/cm3, ou seja, da equação (5.12) tem-se que: nN  ND = 5 x 1014 elétrons livres/cm3.
1 1 1
 Assim, de (5.13): ρN ,300 K     9,62 cm  9,62 × 10-2 Ωm
 N ,300 K N D e n, 300 K 5  10  1,6  1019  1300
14

ni2 (1,5  1010 ) 2


 Além disso, de (5.15), onde ni = 1,5 x 1010 cm-3 a 300 K (Tabela 5.1): pN    4,5  105 cm  3
ND 5  1014
 Comparando-se a resistividade desta amostra tipo N (9,62 x 10-2 m) com a do caso intrínseco (2300 m), tem-se:
 Si ,300 K , amosta intrínseca 2300
  24000
 Si ,300 K , amosta extrínseca 9,62  102
 Este resultado ilustra então uma sensível redução na resistividade do material, por um fator de 24000, obtida com a
introdução de apenas 1 átomo de impureza para cada 108 átomos de silício, o que resultou no aumento da concen-
tração de elétrons livres, de n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do caso intrínseco, para nN = 5 x 1014 cm-3 do caso extrínseco.

5.2.3) EFEITO HALL

Denomina-se efeito Hall o fenômeno da indução de campo elétrico em um meio material conduzindo corrente e
imerso em um campo magnético transversal a esta corrente. Este efeito é aproveitado em métodos experimentais para
a caracterização de materiais e em diversos dispositivos sensores, bem como confirma o comportamento das lacunas
como portador de carga livre positiva. O mecanismo de funcionamento do efeito Hall é discutido a seguir.
Como mencionado no Capítulo 4, uma carga elétrica q com velocidade v e imersa em um campo de indução
magnética B transversal a v, fica submetida a uma força magnética Fmg perpendicular ao plano v-B, de modo que:
Fmg  q v  B
Para uma corrente I de sentido convencional circulando no sentido positivo do eixo x de um sistema cartesiano,
e imersa em um campo magnético de vetor indução B no sentido positivo do eixo y, observa-se que as cargas elétricas
constituintes da corrente são submetidas a uma força magnética Fmg perpendicular ao plano I-B no sentido positivo do
eixo z (Figura 5.5-a), independemente do sinal de carga (q = e+ ou q = e) que constitui a corrente (Figura 5.5-a).
Logo, se definidos os sentidos de I e B no meio material, o sentido da força magnética Fmg também estará definido.
Fmg  e v  B Fmg   e (v )  B face 1 face 1
z z face 1
z d EH I B VH d I
Fmg Fmg
EH B VH
B face 2 face 2
e+ e– v d I
face 2 w w
B y B y
I, v I y condutor e
w semicondutor tipo P
x x x semicondutor tipo N
(a) (b) (c) (d)

Figura 5.5: (a) Força magnética e independência com o sinal de carga; (b) amostra de material qualquer para teste
do efeito Hall; campo elétrico e tensão de Hall no caso de material: (c) condutor e cristal tipo N, (d) cristal tipo P.
Assim, seja uma amostra de material qualquer percorrida por uma corrente elétrica I de sentido convencional no
eixo x e imersa em um campo magnético de indução B no sentido do eixo y, tal que os portadores de carga livres da
corrente na amostra fiquem sujeitos a uma força magnética no sentido do eixo z (Figura 5.5-b). Supondo a amostra de
material condutor (por exemplo, metais), tem-se que a corrente elétrica no material será constituída de elétrons livres,
que desse modo sofrem um deslocamento para a face 1 da amostra devido à força magnética aplicada e acarretam em
uma falta de elétrons na face 2 (Figura 5.5-c). Observa-se então que a face 1 resulta negativamente eletrizada e a face
2 positivamente eletrizada, o que faz surgir um campo elétrico EH entre as cargas opostas e, como conseqüência, uma
diferença de potencial VH entre as faces da amostra (Figura 5.5-c). Este fenômeno é conhecido como efeito Hall,
sendo o campo induzido EH denominado campo de Hall e a ddp VH denominada tensão ou fem de Hall.
O efeito Hall pode ser também observado em semicondutores. Neste caso, para uma amostra de semicondutor
extrínseco qualquer (tipo P ou N) e definidos os mesmos sentidos de corrente e de indução magnética, tem-se que:
 Amostra tipo N: como a corrente será constituída majoritariamente por elétrons livres, a indução de uma tensão
de Hall apresenta igual polaridade ao caso dos condutores, com o potencial positivo na face 2 (Figura 5.5-c).
63
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

 Amostra tipo P: sendo a corrente na amostra formada majoritamente por lacunas, observa-se o surgimento de uma
tensão de Hall com potencial positivo na face 1 (Figura 5.5-d), evidenciando então que a força magnética sujeita as
lacunas a um deslocamento para a face 1, que se torna positivamente carregada, e acarreta em um excesso elétrons
na face 2, que fica negativamente carregada, resultando em uma fem de Hall invertida em relação ao tipo N.
Assim, pode-se observar que o efeito Hall demonstra o comportamento das lacunas como portador de carga
livre positiva e pode ser empregado para determinar o tipo de semicondutor extrínseco, isto é, se o potencial positivo
da tensão de Hall for observado na face 1, então trata-se de um cristal tipo P e, se na face 2, de cristal tipo N.
No efeito Hall, a indução de um campo elétrico tem como finalidade restabelecer o estado de equilíbrio alterado
pela ação das linhas de indução magnética sobre as cargas livres constituintes da corrente e, desse modo, uma força
elétrica Fel deve surgir nestes portadores para equilibrar a força magnética Fmag a eles aplicados, tal que:
Fel = Fmag  e EH = e v B  v = EH / B (1)
onde o módulo do campo elétrico de Hall na amostra pode ser determinado por (Figura 5.5-c): EH = VH /d (2)
Seja a densidade de corrente na amostra, dada por: J = I/A, onde A = w d (Figura 5.5-c). Empregando-se os
resultados (1) e (2), e com base na definição da densidade de corrente dada pela equação (2.1), vista no Capítulo 2,
tem-se que a tensão de Hall em uma amostra de material qualquer pode então ser determinada matematicamente por:
EH I V BI
J  nev  ne  J  ne H   VH  (5.16)
B wd Bd new
onde observa-se que a tensão de Hall é proporcional às instensidades de corrente e do campo magnético aplicado e
inversamente proporcional à espessura w da amostra de material por onde o campo magnético é incidido.
Medindo-se os parâmetros w, I, B e VH de uma amostra de material pode-se então empregar o efeito Hall para
determinar a concentração de elétrons livres (n) do material com base na equação (5.16),
bem como determinar a mobilidade n dos elétrons livres com a relação: n =  / (n e),
onde  = /(R A) e R é a resistência da amostra de comprimento e área A.
O efeito Hall normalmente é pouco observável na maioria dos materiais devido à
baixíssima velocidade de deriva dos elétrons, sendo melhor mensurável em cristais semi-
condutores que apresentam elétrons de elevada mobilidade (Si, InAs e InSb), nos quais
obtem-se tensões de Hall até 100 mV e resposta a correntes de freqüências até 20 kHz.
Sensores de efeito Hall encontram diversas aplicações, tais como em ponteiras de
corrente (aparências na Figura 5.6), medidores de rotação (rodas, engrenagens, indicador
de velocidade para automóveis, etc.), sistemas de ignição eletrônica, sensores de pressão Figura 5.6: Ponteiras de
e de fluxo, interruptores especiais, smartphones, sistemas de posicionamento global, etc. corrente de efeito Hall.

5.3) JUNÇÃO PN
Como visto anteriormente, o processo de dopagem confere aos cristais P e N maior condutividade e menor
dependência com a temperatura em relação à forma intrínseca. Estes materiais apresentam pouca finalidade prática
(por exemplo, construção de resistores em CI's), mas podem ser combinados no chamado cristal PN para formar a
chamada junção PN, cujo comportamento desempenha um simples efeito controle de carga como chave liga-desliga,
constituindo-se então no bloco construtivo básico que fundamenta a operação dos diversos dispositivos eletrônicos.
Para o adequado estudo do efeito chave da junção PN, serão vistos os conceitos de densidade de corrente total
em cristais extrínsecos, camada de depleção, barreira de potencial e modos de polarização de cristais PN.

5.3.1) CORRENTE DE DIFUSÃO E DENSIDADE DE CORRENTE TOTAL

A dopagem, sendo um processo artificial de introdução de portadores de carga livres, possibilita a produção de
semicondutores extrínsecos com concentração de carga não uniforme pelo meio material. Como consequência dessa
diferença de concentração de portadores livres, em um material extrínseco pode ocorrer a tendência ao deslocamento
de carga no sentido da região de maior para a de menor concentração, o que constitui-se em um tipo de fluxo elétrico
denominado corrente de difusão (o efeito Thomson, visto no Capítulo 2, representa um outro exemplo deste tipo de
corrente). Logo, adicionalmente às densidades de corrente do tipo condução descritas anteriormente, motivadas por
um gradiente de potencial aplicado (campo elétrico), em semicondutores extrínsecos podem ser também estabelecidas
densidades de corrente do tipo difusão, motivadas por um gradiente de concentração de portadores livres. Assim, a
densidade de corrente total nestes materiais apresenta a contribuição de duas componentes: condução e difusão.
Para a definição da densidade de corrente de difusão de portadores livres em semicondutores extrínsecos, seja
como exemplo uma amostra de material tipo P com concentração p(x) de lacunas que se reduz ao longo do sentido
positivo de um eixo x atribuído à amostra (Figura 5.7-a), de modo a resultar em um gradiente de concentração dp/dx
de lacunas no sentido oposto ao eixo x (gradiente é um vetor que define o sentido de maior crescimento de um campo
escalar). Como resultado, na amostra de material P é estabelecida então a tendência à circulação de uma corrente do
tipo difusão no sentido do eixo x, ou seja, das regiões de maior para as de menor concentração (Figura 5.7-a).
64
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Como o gradiente é a quantificação dos níveis de dopagem, então a densidade de corrente de difusão de lacunas
será proporcional ao gradiente da concentração estabelecido na amostra. Além disso, como o deslocamento de carga
depende da agitação térmica do material, tem-se que uma corrente de difusão será também função de um parâmetro
dependente da temperatura que caracteriza a facilidade dos portadores livres se moverem pelo meio material por um
processo de difusão, descrito por uma propriedade do semicondutor chamada constante de difusão de lacunas.
Assim, a densidade de corrente de difusão de lacunas JDp (A/cm2) é definida matematicamente por:
dp
J Dp   D p e
dx
onde e é a carga elementar e Dp (cm2/s) é a constante de difusão de lacunas do semicondutor. O sinal negativo decorre
do fato do gradiente de concentração de lacunas (dp/dx) ter sentido contrário ao da corrente de difusão.
Analogamente, para uma amostra de material semicondutor tipo N com dopagem não uniforme (Figura 5.7-b),
tem-se que a densidade de corrente de difusão de elétrons livres JDn (A/cm2) é definida matematicamente por:
dn
J Dn  Dn e
dx
onde dn/dx e Dp (cm2/s) são, respectivamente, o gradiente e a constante de difusão de lacunas no semicondutor, sendo
o sinal positivo devido ao fato do gradiente de concentração e o sinal da carga livre (elétron) serem ambos negativos.
corrente de difusão de lcunas corrente de difusão de elétrons livres

elétron
lacuna livre
dp/dx dn/dx

0 x 0 x
(a) (b)

Figura 5.7: Amostras extrinsecas com dopagem não uniforme: (a) tipo P; (b) Tipo N.
Assim, em termos gerais, a densidade de corrente total de lacunas em um semicondutor extrínseco é formada
pela soma de duas parcelas distintas, referentes às correntes de condução e difusão de lacunas, o que resulta:
dp
J p  ( p e  p ) E  Dp e (5.17)
dx
Analogamente, a densidade de corrente total de elétrons livres em um semicondutor extrínseco é formada pela
soma das parcelas referentes às correntes de condução e difusão de elétrons livres, o que resulta:
dn
J n  (n e n ) E  Dn e (5.18)
dx
Como correntes de condução e difusão são dependentes da temperatura, tem-se a que as constantes de difusão
(Dp e Dn) e as mobilidades (p e n) não são independentes, estando associadas pela chamada Relação de Einstein:
Dp D
 n  VT (5.19)
p n
em que VT = T/11600 (V) é uma medida da energia térmica em um material, denominado potencial termodinâmico ou
equivalente volt de temperatura, onde T é a temperatura absoluta do material, dada em Kelvins.

5.3.2) CRISTAL PN, JUNÇÃO PN, CAMADA DE DEPLEÇÃO E BARREIRA DE POTENCIAL

O cristal PN é um bloco semicondutor formado por dois setores de material extrínseco com dopagem uniforme,
um primeiro de material tipo P chamado substrato ou região P, e um segundo de material N denominado substrato ou
região N, tal que observa-se uma variação abrupta na concentração de lacunas da região P, onde são majoritários, para
a região N (minoritários), tal que pP >> pN , assim como na concentração de elétrons livres da região N (majoritários)
para a região P (minoritários), tal que nN >> nP (Figura 5.7-a). A fronteira entre os dois substratos é então denominada
junção abrupta ou junção PN (Figura 5.8-a) e observa-se que, apesar da dopagem em cada substrato ser uniforme, o
cristal PN constitui-se em um caso especial de material semicondutor extrínseco com dopagem não uniforme.
Seja então uma representação hipotética do instante de formação de um cristal PN dada na Figura 5.8-b, que
mostra os portadores majoritários e os íons de dopagem em cada região. Assim, devido às diferenças de concentração
de portadores livres entre os substratos, ocorre inicialmente um processo de difusão de majoritários das regiões de
maior para as de menor concentração, ou seja, elétrons livres do lado N migram para o lado P, assim como lacunas do
lado P migram para o lado N, o que constitui-se em uma corrente de difusão de majoritários de P para N no sentido
convencional (Figura 5.8-b). Contudo, ao sair da região N, um elétron deixa o íon positivo a que está associado e, ao

65
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

entrar na região P, se torna minoritário e pode se recombinar com uma lacuna próxima da junção e fazer restar apenas
o íon negativo associado, assim como uma lacuna, ao migrar do lado P para o lado N, deixa o íon negativo a que está
associado e se recombina com um elétron no lado N, fazendo restar o íon positivo associado. Como consequência
destas migrações e recombinações, a região próxima da junção se torna gradualmente desprovida de portadores livres,
restando apenas camadas de íons fixos, sendo então chamada de camada ou região de depleção (Figura 5.8-c).
Como as camadas de íons na região de depleção são de sinais contrários, tem-se então o estabelecimento de um
campo elétrico Eo entre estes íons no sentido do lado N para o lado P (Figura 5.8-c). Porém, como o sentido do campo
elétrico em formação é retardador para os majoritários em cada substrato, tem-se que este campo tende a se opor ao
processo de difusão de majoritários através da junção. Logo, a medida que a largura da região de depleção aumenta, o
campo estabelecido se torna intenso o suficiente para anular a corrente de difusão de majoritários e a largura da região
de depleção se estabiliza. O campo final Eo resulta então em uma ddp Vo (Figura 5.8-c), chamada potencial de contato,
que constitui-se em uma barreira de potencial contrária à corrente de difusão dos majoritários através da junção PN.
substrato substrato lacuna P N elétron região ou camada de depleção
ou região P ou região N livre P N

lacunas (pP) elétrons livres


Eo
(nN)
elétrons livres
(nP) lacunas (pN)
íons corrente de difusão íons
de majoritários Vo
junção abrupta ou junção PN aceitadores doadores
(a) (b) (c)

Figura 5.8: Cristal PN: (a) regiões, níveis de concentração de portadores livres e junção PN; (b) representação do
instante de formação, íons de impureza e portadores majoritários; (c) camada de depleção e barreira de potencial.
O anulamento da corrente de difusão de majoritários no cristal PN pode ser também entendido com base no
efeito da barreira de potencial sobre os portadores minoritários em cada substrato. Seja a representação do cristal PN
dada na Figura 5.9-a, que mostra os portadores minoritários em cada substrato (elétrons livres no lado P e lacunas no
lado N) e o campo elétrico Eo da barreira estabelecido na camada de depleção. Com base na Figura 5.9-a observa-se
então que o campo Eo da barreira é acelerante para os minoritários em cada substrato e, desse modo, elétrons livres no
lado P tendem a atravessar a junção para o lado N em resposta ao campo da barreira, assim como lacunas da região N
tendem a migrar para a região P. Estas tendências de fluxo de portadores minoritários através da junção constituem-se
em correntes do tipo condução, visto serem consequências de um campo elétrico (neste caso, o da barreira), e são
entendidas como uma corrente de condução de minoritários de N para P no sentido convencional, que desse modo tem
sentido contrário ao da corrente de difusão de majoritários (Figura 5.9-b). Como o cristal PN não está polarizado (não
há aplicação de tensão), tem-se que a corrente resultante no cristal deve ser nula e, portanto, entende-se que a corrente
de difusão de majoritários está sendo anulada por uma corrente de condução de minoritários no cristal PN isolado.
Assim, conclui-se que o cristal PN apresenta uma barreira de potencial confinada em sua camada de depleção,
que produz um efeito retardador para os majoritários, mas acelerante para os minoritários em cada substratro, tal que
uma condição de equilíbrio de corrente é estabelecida no cristal isolado, onde uma corrente de difusão de majoritários
do lado P para o lado N é anulada por igual corrente de condução minoritários do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
P N P N P N
corrente de Eo corrente de Eo
(NA) (ND)
Eo majoritários minoritários
dV/dx
(tipo difusão) (tipo condução)
x1 x2 x
V 2 – V1 = Vo
V1 V2
corrente de condução de minoritários Vo n1  ni2 /NA n2  ND
(a) (b) (c)

Figura 5.9: Efeitos da barreira: (a) condução de minoritários; (b) equilíbrio de correntes; (c) esquema da barreira.
Relacionando-se a condição de equilíbrio de correntes no cristal PN isolado com as parcelas das densidades de
corrente totais definidas pelas equações (5.17) e (5.18), observa-se então que a primeira parcela refere-se à corrente de
condução de minoritários, cuja variável de campo elétrico E consiste no campo da barreira de potencial (E = Eo), e a
segunda parcela refere-se à corrente de difusão de majoritários, cujo gradiente de concentração refere-se à variação de
portadores livres entre as regiões P e N. Assim, estudando-se o anulamento das densidades de corrente totais, pode-se
obter uma medida do potencial de contato Vo da barreira de potencial estabelecido no cristal PN isolado.

66
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

Seja então o cristal PN isolado com concentrações uniformes de NA átomos aceitadores na região P e ND átomos
doadores na região N visto na Figura 5.9-c, onde o campo elétrico Eo da barreira pode ser definido como a variação de
um potencial elétrico V na camada de depleção ao longo da dimensão x do cristal, tal que: Eo = – dV/dx. Estudando-se
o anulamento das correntes no cristal PN ao definir-se, por exemplo, que a densidade de corrente total de elétrons
livres é nula no cristal PN então, fazendo Jn = 0 na equação (5.18) e empregando-se a relação de Einstein, tem-se:
dn dV 1 Dn dn 1
J n  (n e n ) Eo  Dn e  0  Eo       dV  VT dn
dx dx n n dx n
Como a concentração de portadores livres (majoritários e minoritários) é uniforme em cada substrato, pode-se
então integrar este resultado desde um ponto qualquer x1 no substrato P, de potencial V1 e concentração n1 , até um
ponto qualquer x2 no substrato N, de potencial V2 e concentração n2 (Figura 5.9-c), tal que tem-se como resultado:
dn V2 n2 1 n 
dV  VT   dV  VT  dn   V2  V1  VT n  2 
n  n1 
V1 n1 n

Como n1 é a concentração de elétrons livres no lado P, onde é minoritário, então da equação (5.11) tem-se que:
n1 = nP  ni2/NA . Como n2 é a concentração de elétrons livres no lado N, onde é majoritário, então da equação (5.12)
tem-se: n2 = nN  ND . Assim, como Vo = V2  V1 (potencial da barreira) e aplicando-se estas indentidades, tem-se:
n  n  N N 
Vo  V2  V1   Vo  VT n  2   VT n  N   VT n  D 2 A  (5.20)
 n1   nP   ni 
que expressa a medida do potencial Vo da barreira estabelecida no cristal PN de dopagens NA e ND em cada substrato.
Similarmente, fazendo-se Jp = 0 na equação (5.17) e procedendo-se como anteriormente, obtém-se:
p  N N 
Vo  VT n  P   VT n  A 2 D 
 pN   ni 
que é o mesmo resultado da equação (5.20), como teria de se esperar.

Exercício 2: Determine o valor da barreira de potencial Vo em um cristal PN de silício a 300 K, considerando ambas
as regiões P e N com dopagens uniformes e iguais a 1 átomo de impureza para cada 108 átomos de silício.
Solução
 Como visto no Exercício 1, a dopagem de 1 átomo de impureza por 108 átomos de silício produz a concentração de
átomos doadores (substrato N) e aceitadores (substrato P) da ordem de 5 x 1014 átomos/cm3. Desse modo, tem-se
que: ND = NA = 5 x 1014 cm-3. Considerando ni = 1,5 x 1010 cm-3 (Tabela 5.1) na equação (5.20), tem-se então:
 
N N  N N  5 1014  5 1014 
n
T 300
Vo  VT n  A 2 D   n A 2 D    Vo  0,54 V
 ni  11600  ni  11600
 
 1,5  1010 2 
 
 Este resultado é coerente com o observado na prática para valores de barreira de potencial de um cristal PN de
silício, situado tipicamente entre 0,5 e 0,7 V. Para cristais PN de germânio, a barreira situa-se entre 0,2 e 0,3 V.

5.3.3) MODOS DE POLARIZAÇÃO DO CRISTAL PN

Como visto anteriormente, o cristal PN isolado apresenta uma situação de equilíbrio de corrente causado pela
barreira de potencial da camada de depleção, que é retardadora à ocorrência de uma corrente de majoritários do lado P
para o lado N, mas é acelerante à ocorrência de uma corrente de minoritários do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
Contudo, a aplicação de uma tensão elétrica no cristal pode estabelecer um campo elétrico em seu interior de
modo a se opor ou favorecer o campo elétrico da barreira, o que causa uma perturbação no equilíbrio de correntes ao
incentivar um dos tipos e resultar em montantes de corrente distintos em cada sentido. Assim, a polaridade da tensão
aplicada determina comportamentos operativos diferentes e define os chamados modos de operação do cristal PN:
1) POLARIZAÇÃO DIRETA: um cristal PN encontra-se polarizado diretamente quando o potencial elétrico no
terminal do substrato P é maior que o potencial no terminal do substrato N, tal como mostrado na Figura 5.10-a.
Como resultado, a ddp aplicada ao cristal, chamada tensão direta, estabelece um campo elétrico Eapl no sentido
P  N, ou seja, contrário ao campo Eo da barreira (Figura 5.10-a) e, portanto, a favor da difusão dos majoritários.
Logo, se a tensão direta for maior que o potencial Vo da barreira, então o campo aplicado Eapl supera o campo Eo da
barreira, o que causa um desequilíbrio entre correntes estabelecido no crital PN isolado, com o surgimento de uma
corrente de majoritários no sentido P  N, denominada corrente direta (Figura 5.10-a), que caracteriza-se por ser
utilizável, visto o número de portadores livres disponível para formar a corrente (majoritários) ser substancial.
Como quanto maior a tensão direta aplicada ao cristal PN, maior é o campo elétrico resultante, então maior é o
montante de corrente direta. A corrente direta é limitada pelas resistências ohmicas dos substratos e da região de
depleção, mas apresenta um valor limite para o cristal PN não se danificar, denominado corrente direta máxima IF.
Alem disso, como os majoritários formadores da corrente direta, ao atravessar a junção, tornam-se minoritários
em excesso aos minoritários do outro lado, a corrente direta consiste no efeito chamado injeção de minoritários.

67
CAPÍTULO 5: Introdução à teoria dos semicondutores

A condução elétrica no cristal PN pode ser também visualizada por um esquema de bandas de energia, onde o
desnível de energia caracteriza a barreira de potencial (Figura 5.10-b). Neste caso, com a energia fornecida pelo
campo elétrico aplicado, os elétrons livres do lado N podem então migrar para o lado P e percorrer este substrato
até o seu terminal, assim como elétrons de valência vindos do lado N para o P resultam em um deslocamento de
lacunas no lado P para o N, que percorrem este substrato até o seu terminal (Figura 5.10-b). Além disso, como os
elétrons livres injetados no lado P (injeção de minoritários) podem se recombinar com lacunas neste substrato (e o
percorrer até o seu terminal como elétron de valência), estas recombinações implicam na emissão de energia na
forma de radiação (Figura 5.10-b), o que é explorado nos chamados diodos emissores de luz, vistos no Capítulo 6.
tensão direta energia P N
Eapl
P N
barreira de
Eo Eapl BC potencial

corrente direta ( formada por majoritários) emissão de radiação


V BV

(a) (b)

Figura 5.10: Cristal PN no modo polarização direta: (a) circuito de polarização simplificado e corrente
direta (difusão de majoritários); (b) representação do efeito condução no cristal por bandas de energia.

1) POLARIZAÇÃO REVERSA: um cristal PN encontra-se polarizado reversamente quando o potencial elétrico no


terminal do substrato N é maior que o potencial no terminal do substrato P, tal como mostrado na Figura 5.11-a.
Como resultado, a ddp aplicada, chamada tensão reversa, estabelece um campo Eapl no sentido N  P, ou seja,
de mesmo sentido do campo Eo da barreira de potencial (Figura 5.11-a) e, portanto, a favor dos minoritários. Neste
caso, verifica-se também um desequilíbrio entre correntes, com o estabelecimento uma corrente no sentido N  P
formada por minoritários, chamada corrente de saturação reversa IS , que caracteriza-se por ser constante, devido à
concentração minoritários ser limitada pela geração térmica, e de valor praticamente não utilizável, visto o número
de portadores de carga livres disponível para constituir a corrente reversa (minoritários) ser desprezível.
Além disso, como os majoritários no substrato P (lacunas) são atraídos pelo potencial negativo aplicado ao seu
terminal, assim como os majoritários do substrato N (élétrons livres) são atraídos pelo potencial positivo aplicado
ao seu terminal, a polarização reversa causa um aumento na largura da camada de depleção (Figura 5.11-a), devido
ao desalojamento de íons próximos à junção, e resulta em um aumento da barreira de potencial (Figura 5.11-b).
Assim, a camada de depleção e o potencial da barreira serão tanto maiores quanto maior a tensão reversa aplicada.
A polarização reversa, contudo, apresenta um limite para cristal PN não se danificar, chamado tensão de ruptura
BV (breakdown voltage), a partir do qual a corrente reversa aumenta intensamente devido a efeitos cumulativos,
resultando na chamada corrente de ruptura. Um dos efeitos de ruptura ocorre quando elétrons livres, ao penetrarem
na camada de depleção, colidem com átomos da rede cristalina, cedem energia para quebrar ligações químicas e
criam elétron livres adicionais que, ao serem também acelerados pelo campo, colidem com outros átomos, geram
elétrons adicionais, e assim sucessivamente, resultando num processo chamado multiplicação por avalanche. Outro
mecanismo de ruptura do cristal consiste no chamado efeito Zener, onde próprio campo elétrico reverso aplicado
poderá extrair elétrons de átomos da rede cristalina e ocasionar uma elevada corrente reversa no cristal.
tensão reversa P N
energia Eapl
P N
barreira
Eapl Eo BC de
potencial
corrente reversa ( formada por minoritários)
BV
V

(a) (b)

Figura 5.11: Cristal PN em polarização reversa: (a) circuito de polarização simplificado e corrente de
saturação reversa (condução de minoritários); (b) representação do efeito por bandas de energia.
Assim, a característica elétrica essencial da junção PN é sua ação praticamente unidirecional (conduz de P para
N; não conduz de N para P), o que resulta em um simples efeito chave liga-desliga. Este comportamento é a base de
funcionamento de diversos dispositivos eletrônicos, tais como diodos e transistores, vistos nos capítulos a seguir.

68
CAPÍTULO 6: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - I: DIODOS
O efeito controle de carga, como princípio fundamental da Eletrônica, pode ser obtido por uma simples chave
liga-desliga (ON-OFF). O desenvolvimento dos componentes eletrônicos que execu-
emissor ou coletor ou
tam especificamente esta função em circuitos, chamados diodos, remonta aos antigos catodo anodo
dispositivos baseados no fenômeno da emissão termiônica, denominados diodos a e–
vácuo (Figura 6.1), até o atual predomínio dos dispositivos a semicondutor.
Como visto no Capítulo 5, um cristal PN apresenta a capacidade de conduzir
corrente elétrica utilizável em polarização direta, por ser constituída por majoritários,
e de conduzir corrente desprezível quando em polarização reversa, por ser formada calor vácuo
por minoritários, se comportando então como uma simples chave liga-desliga. Assim, K A
o próprio cristal PN constitui-se em um dispositivo chamado diodo de junção bipolar,
Figura 6.1: Diodo a vácuo.
ou simplesmente diodo, que é largamente utilizado em diversos tipos de circuitos.
Este capítulo tem o objetivo de fazer um breve estudo dos diodos ditos de finalidade geral, além de outros tipos.

6.1) ASPECTOS GERAIS

Diodos são componentes constituídos por um simples cristal PN de dopagem uniforme em cada substrato e
respectivos terminais. São dispositivos ditos polarizados, no sentido de que o cristal PN tem comportamento distinto
em polarização direta e reversa, e não-lineares, no sentido de que o efeito chave do cristal PN pode deformar um sinal
a ele aplicado, bem como ditos não controláveis, no sentido de que sua corrente não pode ser ajustada a qualquer
tempo. Este efeito chave dos diodos, chamado característica retificadora, possibilita então seu emprego em diversos
aplicações eletrotécnicas, tais como os chamados circuitos retificadores, ceifadores, grampeadores, multiplicadores de
tensão e reguladores de tensão, bem como na proteção de outros componentes, bloqueio de sinais e ruídos, etc.

6.1.1) SÍMBOLOS, CONVENÇÕES E ESPECIFICAÇÕES MÁXIMAS

Os símbolos esquemáticos do diodo de junção bipolar apresentam o formato de uma seta (Figura 6.2-a), que
indica explicitamente o sentido de condução de corrente utilizável no diodo (P  N), a dita corrente direta. Similar ao
diodo a vácuo, o substrato N do cristal PN do diodo é denominado catodo (K), por contribuir com elétrons para a
formação da corrente direta, e o substrato P é denominado anodo (A), por receber estes elétrons (Figura 6.2-b). Tais
notações podem ser acrescentadas ao símbolo do diodo como indicativo dos terminais dos substratos (Figura 6.2-c).
Sendo o diodo um dispositivo polarizado e, desse modo, a conexão de seus terminais em um circuito não pode
ser invertida, é conveniente adotar-se uma convenção para a corrente, chamada ID, e a tensão entre seus terminais,
chamada VD , que são usualmente os sentidos da corrente e da tensão em polarização direta (Figura 6.2-c). Logo, em
polarização reversa, ID e VD assumem valores negativos. Assim, a potência PD dissipada no diodo pode ser obtida por:
PD  VD I D (6.1)
Supondo VA o potencial elétrico no terminal anodo e VK o potencial no terminal catodo do diodo (Figura 6.2-c),
então a tensão VD entre os terminais do diodo em qualquer polarização pode ser determinada por: VD = VA  VK.
Os materiais empregados em sua fabricação são basicamente o silício (exemplos de códigos: 1N4148, 1N914 e
série “1N4000”) e o germânio (exemplos: AA119, 1N60 e OA90), e apresentam diversos formatos e capacidades de
dissipação (Figura 6.2-d e Figura 6.2-e), podendo apresentar uma faixa em uma de suas extremidade para indicar o
terminal catodo (Figura 6.2-d) ou ainda a impressão do próprio símbolo como indicativo dos terminais (Figura 6.2-e).
anodo catodo
A K
P N P N faixa
indicativa
(b) do catodo

VD

A K
VA VK

ID
(a) (c) (d) (e)

Figura 6.2: Diodo de junção bipolar: (a) símbolos esquemáticos, (b) constituição; (c) convenções de corrente e
tensão; aparências diversas: (d) diodos retificadores de pequeno sinal, (e) diodos retificadores de potência.

69
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como qualquer componente elétrico, os diodos não podem ter seus limites de tensão e corrente ultrapassados
para não causar danos permanentes e fazê-los se comportar como um curto ou circuito aberto. Logo, como visto no
Capítulo 5, um cristal PN, e por conseguinte um diodo, apresenta basicamente duas especificações máximas:
1) Corrente direta máxima (IF): é a máxima corrente suportada pelo diodo em polarização direta, também especificada
em termos de potência máxima. Logo, circuitos com diodos devem sempre prover condições para que não sejam
ultrapassados os limites de corrente ou potência dos diodos (por exemplo, com resistores em série com os diodos).
As folhas de dados de fabricantes (chamados data sheets) definem duas classes de diodos: grandes sinais (> 0,5 W)
e pequenos sinais ( 0,5 W). Exemplos: 1N914 (potência máxima = 250 mW); série “1N4000” (IF = 1,0 A).
2) Tensão de ruptura (BV): é a tensão máxima suportada pelo diodo em polarização reversa (exceção: diodo zener,
visto mais adiante). As folhas de dados fornecidos pelos fabricantes apresentam várias nomenclaturas para a tensão
de ruptura, tais como: PIV, PRV, VRM , VRWM , V(BR). Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).

6.1.2) CARACTERÍSTICA CORRENTE-TENSÃO E MODOS DE OPERAÇÃO

Tensão e corrente são grandezas facilmente mensuráveis nos terminais de qualquer componente elétrico. Desse
modo, uma forma de se conhecer o princípio de funcionamento de um dispositivo reside no levantamento da chamada
característica corrente-tensão (ou tensão-corrente), também chamada característica I-V, que expressa de forma gráfica
o comportamento da corrente elétrica conduzida pelo dispositivo, em função da tensão aplicada em seus terminais.
Considerando as convenções de corrente e tensão adotadas para o diodo (Figura 6.2-b), observa-se então que o
1º quadrante da característica I-V (VD e ID positivos) refere-se ao comportamento do diodo em polarização direta e o
3º quadrante (VD e ID negativos) refere-se ao comportamento do diodo em polarização reversa (Figura 6.3-a).
A Figura 6.3-b mostra a característica I-V típificada para um diodo de junção comum, normalmente levantada
experimentalmente. Com base na característica I-V do diodo observa-se então o comportamento do cristal PN polari-
zado, visto no Capítulo 5. Em polarização direta, a corrente direta no diodo se inicia com tensões aplicadas superiores
ao da barreira de potencial do cristal PN, o que pode ser expresso por um valor limite V chamado tensão de limiar,
acima da qual considera-se que o diodo conduz efetivamente, até o limite máximo IF ser atingido (Figura 6.3-b). Em
polarização reversa verifica-se que o diodo conduz uma corrente praticamente desprezível, definida no Capítulo 5
como corrente de saturação reversa IS , até que o limite de tensão de ruptura BV do diodo seja atingido (Figura 6.3-b).
Assim, com base na característica I-V, pode-se definir dois modos de operação para o diodo (Figura 6.3-b):
1) Modo condução: corresponde à operação do diodo na chamada região de condução (Figura 6.3-b), que é atingido
quando a tensão VD aplicada aos terminais do diodo é superior ao seu limiar V, ou seja, VD > V. Nesta região
observa-se que a corrente direta no diodo apresenta uma certa inércia inicial, devido ao retardo dos majoritários em
reagir ao campo elétrico aplicado, e passa a aumentar intensamente até o valor máximo IF ser atingido, resultando
então em um comportamento não linear (na verdade, exponencial) para a corrente (Figura 6.3-b).
2) Modo corte ou bloqueio: corresponde à operação do diodo na chamada região de corte ou bloqueio (Figura 6.3-b),
que é atingido com a aplicação de uma tensão direta nos terminais do diodo igual ou inferior ao seu limiar V ou
tensão reversa até o limite de ruptura, tal que: BV < VD  V, onde a corrente se resume à de saturação reversa IS.
Visto que as tensões e correntes direta e reversa distinguem entre si por várias ordens de grandeza, é freqüente a
utilização de escalas distintas para representar a característica I-V, como exemplificado na Figura 6.3-c. Além disso,
sendo os semicondutores, como mencionado, bastante dependentes da energia térmica ambiente, as características I-V
dos diodos são normalmente levantadas experimentalmente para uma determinada temperatura de referência.

ID ID
ID (A)
P N IF
IS
polarização 1,0
direta
VD > 0 , ID > 0 0,5
-BV
0 -100 -20 -10
VD 0 V VD
P N 0 0,5
região de IS VD (V)
polarização corte ou região de 10 nA
reversa bloqueio condução
VD < 0 , ID < 0

(a) (b) (c)

Figura 6.3: Característica corrente-tensão de um diodo de junção: (a) definição dos quadrantes de polarização,
(b) comportamento e definição das regiões de operação; (c) exemplificação das ordens de grandeza nos eixos.
Uma propriedade prática do cristal PN reside no fato da junção se relacionar com grandezas acessíveis em seus
terminais. Assim, o comportamento da característica I-V do diodo nas regiões de condução e corte pode ser expresso
pela chamada equação de Shockley definida a seguir, que relaciona a tensão VD e corrente ID em seus terminais:
70
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

 VD 
I D  I S  e T  1
V
(6.2)
onde a corrente de saturação IS é empregada como fator de escala, VT (V) é o potencial termodinâmico (VT = T/11600)
e o termo  é um fator adimensional dependente do semicondutor, empregado como ajuste para o comportamento
exponencial da região de condução. Para o silício,  é adotado próximo de 2 quando deseja-se uma especificação mais
suave para o comportamento exponencial, e se aproxima de 1 para comportamentos exponenciais mais acentuados.
Além disso, a avaliação de alguns parâmetros presentes na equação de Shockley demonstra que:
1) No modo condução, onde VD >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) >> 1. Nesse caso, a equação (6.2) se resume a:
VD
 VT
ID  IS e (6.3)
ou seja, a corrente direta varia exponencialmente com a tensão aplicada quando em condução (Figura 6.3-b).
2) No modo corte, onde VD < 0 e |VD| >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) << 1 e a equação (6.2) se resume a: ID =  IS ,
isto é, a corrente no diodo se resume ao valor de saturação reversa, de sentido contrário ao da corrente direta.
Como mencionado, a temperatura influencia na característica corrente-tensão do diodo e a equação (6.2), que
traduz esta característica, apresenta duas grandezas dependentes da temperatura: VT e IS . A equação para VT exprime
por si sua relação funcional com a temperatura. Em relação à corrente de saturação, dados experimentais mostram que
IS aumenta 7 % para cada aumento de 1 ºC na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 ºC, IS aumenta em
(1,07)10, cujo resultado é aproximadamente 2. Conclui-se então que IS duplica com qualquer elevação de temperatura
igual a 10 ºC. Assim, conhecida a corrente IS à temperatura To , pode-se determinar IS a qualquer temperatura T por:
T  To
I S (T )  I S (To )  2 10 (6.4)
Com base nas equações (6.2) e (6.4) pode-se observar então que a corrente direta em
ID T3 > T2 > T1
um diodo aumenta com a temperatura e conclui-se que a tensão necessária para um diodo
conduzir a mesma corrente direta diminui com o aumento da temperatura (figura ao lado).
Neste caso, dados experimentais mostram que a tensão direta no diodo se reduz em 2,5 mV
para cada aumento de 1 oC na temperatura. Assim, a tensão VD(T) aplicada ao diodo a uma
temperatura qualquer T, para que este conduza a mesma corrente verificada quando o diodo é
VD
submetido a uma tensão VD (To) à uma temperatura de referência To , pode ser obtida por:
VD (T )  VD (To )  0,0025  (T  To ) (6.5)
o
Diodos de silício apresentam temperatura máxima de trabalho em torno de 150 C e os de germânio em torno
de 100 oC, o que representa uma justificativa para o predomínio dos diodos de silício em relação aos de germânio.

Exercício 1: Determine a variação de tensão aplicada em um diodo de silício em condução a 300 K, necessária para
que a corrente direta aumente 10 vezes. Considere o parâmetro de ajuste exponencial () tendendo aos seus extremos.
Solução
 Com visto na equação (6.3), o diodo exibe um comportamento exponencial quando em modo condução. Logo,
considerando-se dois pontos quaisquer de sua característica (figura ao lado), tem-se: ID
VD1 VD 2 ID2 2
 VT  VT
ponto 1: I D1  I S e ; ponto 2 : I D 2  I S e
 Como o aumento de corrente deve ser 10 vezes maior então: ID2 = 10 ID1. Logo: ID1 1 VD
VD 2 VD1 VD 2  VD1
 VT  VT  VT VD1 VD2
I D 2  10 I D1  IS e  10 I S e  e  10 
ID 2
VD 2  VD1 1
  n(10)  VD 2  VD1   VT n(10) 
 VT ID2
300
 VD 21   n(10)   VD 21  0,06 
11600 ID1
 Logo, para um comportamento exponencial mais suave (  2, figura ao lado), é VD
VD21 VD21
necessária uma variação de tensão de VD21 = 0,12 V para aumentar em 10 vezes a
corrente, e para um comportamento mais acentuado (  1, figura ao lado), apenas VD21 = 0,06 V. Assim, diodos
em condução com exponenciais mais acentuadas necessitam de menor alteração na tensão para variar sua corrente.

6.2) ANÁLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS


A Teoria de Circuitos Elétricos constitui-se na principal ferramenta de cálculo de circuitos e seus fundamentos
baseiam-se no pressuposto que de que todos os componentes do circuito são lineares (aqueles em que a aplicação de
uma tensão senoidal resulta em uma corrente também senoidal). Para a solução de circuitos com base na Teoria de
Circuitos Elétricos, o funcionamento real dos componentes é usualmente representado por meio de esquemas elétricos

71
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

de comportamento linear, chamados modelos, que são obtidos por meio da combinação de cinco componentes básicos
lineares ideais: resistor, capacitor, indutor e fontes de tensão e corrente. A aplicação destes modelos pode produzir
resultados pouco precisos, mas que são úteis como avaliação qualitativa do funcionamento do circuito em estudo.
Circuitos de corrente contínua com diodos podem ser calculados com o auxílio da característica I-V dos diodos
e do conceito de reta de carga, cujos resultados são mais precisos por considerar o comportamento real dos diodos.
Para o caso de cálculo de circuitos com diodos sem o auxílio de características I-V, pode-se empregar modelos
esquemáticos lineares que representam um funcionamento aproximado do comportamento não linear dos diodos.
Como o diodo tem modos de operação distintos, estes modelos são normalmente baseados na linearização por partes
da característica I-V e são classificados em dois tipos: grandes sinais e pequenos sinais e altas freqüências.
Os modos de operação distintos dos diodos implicam também na necessidade de se fazer suposições sobre seu
funcionamento e na aplicação de regras para avaliar estas suposições. Além disso, o tipo de fonte de tensão no circuito
determina como o ponto de operação dos diodos se altera no tempo, o que resulta em dois métodos de análise:
 Análise CC: este método é utilizado em circuitos onde todas as fontes de tensão presentes são contínuas no tempo
(CC), tal que cada diodo do circuito estará necessariamente funcionando em apenas um modo de operação.
 Análise CA: este método é empregado em circuitos onde ao menos uma das fontes de tensão do circuito é variante
no tempo (por exemplo, CA), tal que cada diodo presente poderá funcionar em mais de um modo de operação.
Estes aspectos de métodos e modelos de análise de circuitos com diodos são discutidos nos itens a seguir.

6.2.1) CONCEITO DE RETA DE CARGA

Como mencionado, circuitos CC com diodos podem ser calculados com o emprego das características I-V dos
diodos, dados pelo fabricante por meio de seus catálogos de especificações de produtos (data sheets). Neste caso, o
ponto de operação de um determinado diodo é obtido por meio de método gráfico com auxílio de uma equação obtida
do circuito que expressa a relação matemática entre a corrente ID e a tensão VD do diodo, chamada reta de carga.
Seja como exemplo o circuito dado na Figura 6.4-a, onde uma fonte de tensão CC de valor VS alimenta um
resistor limitador de corrente R e um diodo de junção D. Como o diodo está polarizado diretamente pela fonte VS , sua
característica I-V nesta região é apresentada na Figura 6.4-b. Sejam VD e ID , respectivamente, a tensão e a corrente no
diodo. Aplicando-se a Lei de Kirchoff das Tensões (LKT) no circuito, tem-se que a corrente ID no diodo é dada por:
V  VD
VS  R I D  VD  0   ID  S
R
Considerando-se ID e VD como as variáveis da equação obtida, observa-se que a relação entre ambas é linear, o
que define então a linha ou reta de carga do diodo. Observa-se também que, como ID e VD são as variáveis dos eixos
da característica I-V do diodo, pode-se desenhar a reta de carga no gráfico da característica I-V, tal como mostrado na
Figura 6.4-b. Como a reta de carga do diodo representa o comportamento do circuito e a característica I-V define o
funcionamento do diodo, então ambas tem que ser satisfeitas simultâneamente. O ponto Q de intersecção entre os dois
gráficos, chamado ponto de operação, funcionamento ou repouso, sendo o único que satisfaz estas exigências, define
então a corrente e a tensão no diodo, dadas respectivamente pelos valores IDQ e VDQ obtidos no gráfico (Figura 6.4-b).
Analisando a Figura 6.4-b pode-se observar que a inclinação da reta de carga e suas intersecções com os eixos
dependem apenas de VS e R, significando que o ponto de operação pode sofrer mudanças se houver alterações nestes
parâmetros. Estas variações estão representadas na Figura 6.4-c, onde nota-se que o aumento de VS resulta em retas de
carga paralelas, pois ID aumenta com VS , e na Figura 6.4-d nota-se que um aumento de R resulta na redução de ID.
ID ID ID
reta de carga VS3 /R VS /R1 R3 > R 2 > R 1
VS3 > VS2 > VS1
R VS VS2 /R VS /R2
R Q3 Q2
ID Q1
VS VD Q ponto de VS1 /R VS /R3
IDQ Q2
operação VD Q3 VD
Q1
0 VDQ VS VD 0 VS1 VS2 VS3 0 VS
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.4: (a) Circuito simples com diodo; (b) 1º quadrante da característica I-V do diodo, reta de carga e ponto de
operação Q; mudança do ponto de operação do diodo considerando as situações: (c) VS variando, (d) R variando.

Exercício 2: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo dados a seguir, pede-se:
a) Considere VS = 10 V e determine a potência consumida no diodo e a potência fornecida pela fonte VS.
b) Considere VS = 2 V e determine a potência consumida no diodo.
c) Supondo que o resistor de 4  seja retirado do circuito (ou curto-circuitado), determine o valor da fonte VS para que
o ponto de operação do diodo seja o mesmo ponto de operação obtido no cálculo do item a).

72
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (mA)
200

(a) 150 Q1
140 reta a
20  I1 I2 4
100
5 ID VD
VS
A B 50 reta b
Q2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)
Solução 0,88
a) Para o cálculo das potências, é necessário antes determinar a distribuição de correntes e tensões no circuito. Logo:
 Aplicando a Lei de Kirchoff das Correntes (LKC) no nó (a), obtém-se: I1 = I2 + ID (1)
 Para VS = 10 V, aplicando LKT na malha (A) do circuito e empregando o resultado obtido em (1), tém-se:
10  20 I1  5 I 2  0  10  20   I 2  I D   5 I 2  0  I 2  0, 4  0,8 I D (2)
 Aplicando LKT na malha (B) do circuito e empregando o resultado obtido em (2), tem-se:
5 I 2  4 I D  VD  0  5   0, 4  0,8 I D   4 I D  VD  0   I D  0, 25  0,125 VD (3)
 A equação (3) apresenta uma relação linear entre ID e VD e constitui-se então na reta de carga do diodo. Como
uma reta pode ser traçada se conhecido pelo menos dois pontos pertencentes à mesma, tem-se:
para: VD = 0,4 V  ID = 0,2 A = 200 mA ; para: VD = 1,2 V  ID = 0,1 A = 100 mA
 Com estes dois pontos pode-se então traçar a reta de carga na característica I-V do diodo (reta “a” na figura) e,
na intersecção destas, obtém-se o ponto de operação (Q1) do diodo: VDQ = 0,88 V e IDQ = 140 mA = 0,14 A
 Logo, da equação (2), obtém-se: I 2  0, 4  0,8 I DQ  0, 4  0,8  0,14   I 2  0, 288 A
E da equação (1), obtém-se: I1  I 2  I DQ  0, 288  0,14   I1  0, 428 A
 Assim, tem-se: PD  VDQ I DQ  0,88  0,14  0,123 W , Pfonte  VS  I1  10  0, 428  4, 28 W
b) Para VS = 2 V e procedendo-se como no item a), obtém-se a reta de carga ID = 0,05 – 0,125 VD (reta “b”) e o ponto
de operação Q2: VDQ = 0,4 V e IDQ = 0 A. Logo, conclui-se que o diodo está no modo corte, tal que: PD = 0 W.
c) Com a incógnita VS , o resistor de 4  substituído por um curto e considerando-se VD = 0,88 V e ID = 0,14 A (ponto
(a) de operação do diodo obtido no item a), tem-se (circuito ao lado):
 Aplicando LKT na malha (B) do circuito, obtém-se:
20  I1 0,14 A 5 I 2  0,88  0   I 2  0,176 A (1)
I2
0,88 V  Aplicando LKC no nó (a) e com o resultado (1), obtém-se:
VS 5 I1  I 2  I D  0,176  0,14   I1  0,316 A (2)
(A) (B)  Aplicando LKT na malha (A) e usando o resultado (2), obtém-se:
VS  20 I1  5 I 2  0   VS  20  0,316  5  0,176  7, 2 V

6.2.2) MODELOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS E BAIXAS FREQUÊNCIAS

Os chamados modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequências baseiam-se na linearização por partes
da característica I-V do diodo, onde os modos de operação são aproximados por segmentos de reta e os respectivos
comportatamentos traduzidos por componentes elétricos lineares e ideais, obtendo-se os modelos (Figura 6.5):
1) Modelos do diodo no modo corte: como os montantes de corrente dos diodos no modo corte são desprezíveis, a
linearização desta região se resume a uma reta correspondente à condição de corrente nula. Logo, o modelo do
diodo no modo corte corresponde a uma chave aberta com uma tensão VD qualquer acessível em seus terminais
(Figura 6.5), sendo os limites de VD dependente do modelo para o modo condução adotado, vistos a seguir.
2) Modelos do diodo no modo condução: o modelo adotado do diodo quando operando em condução depende dos
montantes de tensão aplicados ao circuito e da precisão exigida nos resultados da análise. A linearização da região
de condução da característica I-V do diodo resulta então basicamente em 3 alternativas de modelos esquemáticos:
2.1) Aproximado do real: este modelo baseia-se na maior aproximação possível do modo condução do diodo, ao
empregar um segmento de reta para considerar os efeitos da tensão de limiar e do comportamento exponencial
da região de condução (Figura 6.5-a). Esta reta é traduzida por uma fonte de tensão CC representando o valor
de limiar V , em série com uma resistência Rf de valor igual ao inverso da declividade da reta (tg ). Logo, a
tensão VD será dada por: VD = V + Rf ID , que reside na equação do segmento de reta que lineariza a região de
condução. Observa-se então que a corrente ID no diodo pode assumir qualquer valor positivo quando em
condução, isto é, ID > 0, e a tensão VD em seus terminais pode assumir qualquer valor igual ou menor que o de

73
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

limiar quando em corte, isto é, VD ≤ V. Este modelo é empregado quando as quedas de tensão no diodo são
comparáveis com os montantes de tensão aplicados ao circuito (baixas tensões), bem como onde são exigidos
resultados mais precisos para expressar de modo mais adequado o real comportamento do diodo.
2.2) Aproximado do real simplificado: este modelo reside em uma simplificação do modelo aproximado do real,
ao considerar apenas uma tensão nos terminais do diodo igual a um valor de limiar V típico em um ponto
médio da região de condução (Figura 6.5-b). Neste caso, como a declividade do segmento de reta é infinita, o
resistor série Rf do modelo aproximado do real assume o valor nulo (tg     Rf = 1/tg  = 0 Ω) e o
modelo se resume a uma fonte CC representando o valor de limiar V típico (Figura 6.5-b). Contudo, pode-se
observar que as condições de operação permanecem as mesmas, isto é, a corrente ID no diodo pode assumir
qualquer valor positivo (ID > 0) quando em condução, e a tensão assumir qualquer valor menor ou igual ao de
limiar quando em corte (VD ≤ V). Semelhante ao modelo aproximado do real, este modelo é empregado
quando as quedas de tensão no diodo são comparáveis aos montantes de tensão aplicados ao circuito.
2.3) Diodo ideal: este modelo expressa o comportamento de uma chave liga-desliga ideal, no sentido de que este
age como um curto-circuito (chave fechada) quando em condução, e como um circuito aberto (chave aberta)
quando em corte (Figura 6.5-c). Logo, a corrente ID no diodo pode assumir qualquer valor positivo (ID > 0)
quando em condução, e a tensão VD assumir qualquer valor negativo (VD ≤ 0) quando em corte. O modelo do
diodo ideal é utilizado quando as quedas de tensão no diodo são desprezíveis perante os montantes de tensão
aplicados ao circuito, bem como para fornecer uma compreensão do funcionamento do circuito, pois não é
necessário considerar os efeitos da tensão de limiar e do comportamento exponencial da região de condução.

ID A
ID ID
A
A V A A A
ID V ID
VD Rf VD VD ID
K
K K K K
K
 Rf 
1
0 V VD tg  0 V VD 0 V VD
(a) (b) (c)

Figura 6.5: Modelos do diodo: (a) aproximado do real; (b) aproximado do real simplificado; (c) diodo ideal.

6.2.3) ANÁLISE CC DE CIRCUITOS COM DIODOS

Fontes de tensão contínuas ou CC caracterizam-se por apresentar um montante constante ao longo do tempo.
Logo, em circuitos elétricos onde todas as fontes de tensão são contínuas, chamados circuitos CC, as quedas de tensão
e fluxos de correntes nos componentes presentes no circuito em regime permanente também são constantes no tempo.
Logo, na análise de circuitos CC com diodos conclui-se que cada diodo estará operando em um único ponto de
operação constante no tempo, ou seja, cada diodo estará funcionando em apenas um modo de operação (condução ou
corte). Contudo, em uma verificação inicial do esquema elétrico do circuito, pode ocorrer que os modos de operação
dos diodos não estejam claramente identificáveis, sendo necessário descobrir em qual modo de operação cada diodo
se encontra. Este problema acarreta então na necessidade de se fazer hipóteses sobre o modo de operação de cada
diodo e de se testar a veracidade destas suposições (a chamada prova) com base em regras pré-estabelecidas.
Assim, a técnica geral de análise de circuitos CC com diodos baseia-se em um método de suposição e prova, na
qual deve-se admitir uma hipótese sobre o estado de cada diodo e testar se a mesma é verdadeira ou falsa, até que se
encontre a suposição verdadeira, onde os resultados da análise do circuito deverão fornecer esta indicação.
A análise CC de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.6):
1) Inicialmente, identifica-se o número de suposições gerais possíveis caso tenha-se mais de um diodo presente no
circuito. Estas suposições gerais são compostas por hipóteses parciais admitidas para cada diodo individualmente.
Como cada diodo poderá funcionar em dois modos de operação (condução ou corte), tem-se então que o número
total de suposições gerais será determinado por 2n, onde n é o número de diodos presentes no circuito.
2) Antes dos cálculos do circuito propriamente, é conveniente fazer uma análise preliminar da disposição dos diodos e
demais componentes do circuito para se descobrir, dentre as suposições gerais existentes, quais são as realmente
possíveis, o que elimina cálculos desnecessários com hipóteses improváveis. O método de análise CC de circuitos
com diodos se limitará então em determinar qual das suposições gerais restantes (possíveis) é a verdadeira.
3) Para uma dada suposição geral possível e de acordo com a precisão exigida nos cálculos, substitui-se cada diodo
pelo seu modelo esquemático correspondente (Figura 6.5). Com a aplicação dos modelos esquemáticos para os
diodos, o circuito torna-se linear e pode-se então proceder com os cálculos pela teoria de Circuitos Elétricos.
Assim, de acordo com a suposição geral feita, bem como o modelo do diodo adotado (ideal ou aproximados),
que define as condições de funcionamento do diodo em cada modo de operação (item 6.2.2), observa-se que:

74
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

3.1) A hipótese do diodo se encontrar em condução será verdadeira se ID > 0. Desse modo, se a corrente no diodo
for nula ou negativa (ID  0) a hipótese será falsa e deve-se então testar outras suposições gerais possíveis.
3.2) A hipótese do diodo estar no corte ou bloqueio será verdadeira se VD  0 para o diodo considerado ideal, ou
VD  V se adotado um dos modelos aproximados do real. Desse modo, se VD > 0 (diodo ideal) ou VD > V
(modelos aproximados), a hipótese será falsa e deve-se então testar outras suposições gerais possíveis.
3.3) Deve-se observar que uma suposição geral é verdadeira somente se todas as hipóteses parciais que a compõem
são verdadeiras. Logo, se um resultado comprovar que determinada hipótese parcial é falsa, então a hipótese
geral é falsa e pode-se interromper os cálculos desta hipótese para testar outras suposições gerais possíveis.
4) O processo de suposição e prova da análise CC se encerra então quando a suposição geral verdadeira é encontrada
e, com a identificação do funcionamento dos diodos, pode-se por fim determinar os demais cálculos do circuito.

Analise preliminar Fazer uma hipótese Cálculos: Hipótese sim Demais


(hipóteses possíveis dentre as possíveis análise de verdadeira?
cálculos
para os diodos) e aplicar modelos circuitos (prova)

não

Figura 6.6: Fluxograma sucinto do método de suposição e prova da análise CC de circuitos contendo diodos.

Exercício 3: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos diodos empregados, fornecidos a seguir,
determine o valor da tensão de saída Vo do circuito para os seguintes casos de fontes de tensão de entrada V1 e V2:
(a) V1 = V2 = 5 V ; (b) V1 = V2 = 0 V ; (c) V1 = 0 V e V2 = 5 V
+5V
modo corte modo condução
ID A ID A
4,7 k
300  D1 VD ID
0,7 V
+V1 Vo K
K

300  D2 0 0,7 VD (V) 0


+V2 0,7 VD (V)

Solução
O esquema mostrado na figura acima à esquerda é bastante utilizado por tornar mais simples a representação de
um circuito. No caso, as fontes V1 , V2 e 5 V representam potenciais em relação à uma referência implícita de 0 V.
Como as fontes são contínuas, então a resolução do problema consiste na análise CC. Além disso, baseado na
característica I-V linearizada, pode-se obter os modelos em condução e corte dos diodos, mostrados na figura acima.
O circuito apresenta dois diodos comuns (n = 2) e, portanto, existem 2n = 22 = 4 suposições gerais: D1 e D2 em
condução; D1 em condução e D2 no corte; D1 no corte e D2 em condução; e D1 e D2 no corte. Adicionalmente, pode-se
observar que, se as fontes V1 e V2 apresentarem o mesmo valor de tensão, então os ramos do circuito com diodos serão
eletricamente iguais e conclui-se que os diodos estarão funcionando necessariamente no mesmo modo de operação.
(a) V1 = V2 = 5,0 V :
Com base na análise preliminar, sendo ambas as fontes V1 e V2 iguais, então os diodos tem modos de operação
iguais. Assim, conclui-se que há 2 hipóteses gerais possíveis: D1 e D2 em condução, e D1 e D2 no corte. Testes:

I = 2 ID1 ID1 ID2 Vo I=0 ID1 = 0 ID2 = 0 Vo


A A A A
4,7 k 0,7 V 0,7 V 4,7 k VD1 VD2
K K K K

1 300  300  1 300  300 

5V 5V
5V 5V 5V 5V

(a) (b)
 Suposição geral 1: D1 e D2 em condução
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos em condução, obtém-se o circuito da figura (a). Como os
ramos com diodos são iguais, então pode-se definir que: ID1 = ID2 e a corrente I pode ser dada por: I = 2 ID1.
Aplicando LKT (Lei de Kirchoff das Tensões) na malha 1, tem-se:
5  4700  2 I D1  0,7  300 I D1  5  0   I D1   72  A  0

75
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Como ID1 = ID2 < 0 então, de acordo com regra 3.1), esta hipótese geral é falsa. Desse modo, deve-se
prosseguir com os cálculos do método da análise CC testando outras hipóteses gerais possíveis.
 Suposição geral 2: D1 e D2 no corte
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos no corte, obtém-se o circuito da figura (b). Similarmente,
como os ramos com diodos são iguais, pode-se definir então que: VD1 = VD2 .
Aplicando LKT na malha 1, tem-se que: 5  VD1  5  0   VD1  0 V  0,7 V
Como VD1 = VD2 < 0,7 V, tem-se então que, de acordo com regra 3.2), ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 – Vo = 0   Vo = 5 V
(b) V1 = V2 = 0 V :
Similarmente, com V1 e V2 iguais, os diodos estão no mesmo modo de operação: D1 e D2 em condução, e D1
e D2 no corte. Contudo, como não há aplicação de tensão no lado do catodo dos diodos (V1 = V2 = 0 V), pode-se
deduzir que a fonte fixa de 5 V é suficiente para fazer os diodos D1 e D2 conduzir por ser maior que os seus
limiares (0,7 V). Logo, a hipótese geral D1 e D2 em condução aparenta ser a suposição verdadeira. Teste:
 Suposição geral: D1 e D2 em condução
I = 2 ID1 ID1 ID2
Substituindo-se os diodos pelos modelos em condução Vo
obtém-se o esquema de circuito ao lado (lembrar que fonte A A
4,7 k
de tensão nula é modelada como curto-circuito). Novamente, 0,7 V 0,7 V
como os ramos com diodos são iguais, tem-se que: ID1 = ID2 1 K K
e, desse modo, a corrente I pode ser definida por: I = 2 ID1.
Assim, aplicando LKT na malha 1, tem-se: 300  300 
5V
5  4700  2 I D1  0,7  300 I D1  0
 I D1  I D 2  0, 44 mA  0
Como ID1 = ID2 > 0 então, de acordo com regra 3.1), pode-se concluir que ambas as hipóteses parciais são
verdadeiras e, portanto, a suposição geral é verdadeira. Aplicando-se LKT na malha externa, tem-se então:
5  4700  2I D1  Vo  0  Vo  5  4700  2  0, 44  103   Vo  0,86 V
(c) V1 = 0 V e V2 = 5 V :
Com V1 = 0 V então, de acordo com a suposição verdadeira encontrada no item (b), pode-se presumir que o
diodo D1 está provavelmente operando no modo condução. Similarmente, com V2 = 5 V então, de acordo com a
suposição verdadeira obtida no caso (a), pode-se presumir que o diodo D2 está provavelmente no corte. Teste:
 Suposição geral: D1 em condução e D2 no corte
Substituindo-se o modelo do diodo D1 em condução e do diodo D2 no corte, obtém-se o circuito abaixo.
Neste caso, tem-se que ID2 = 0 e, portanto, I = ID1.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: I = ID1 ID1 ID2 = 0 Vo
A A
5  4700 I D1  0,7  300 I D1  0
4,7 k VD2
 I D1  0,86 mA  0 0,7 V
K K
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 1 2
300 I D1  0,7  VD 2  5  0  300 
300 
 VD 2  300  0,86  103  0,7  5 
5V
  VD 2   4,04 V  0,7 V 5V
Como ID1 > 0 então, de acordo com a regra 3.1), a hipótese parcial D1 em condução é verdadeira. Além
disso, sendo VD2 < 0,7 V então, com base na regra 3.2), a hipótese parcial D2 no corte também é verdadeira.
Logo, conclui-se que a suposição geral é verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5  4700 I D1  Vo  0  Vo  5  4700  0,86  103   Vo  0,96 V
Obs: o comportamento deste circuito lembra o da porta lógica AND: se as entradas V1 e V2 são “altas” (5 V), a saída
será “alta” (5 V - item a), e se ao menos uma for “baixa” (0 V), a saída será baixa (0,86 V - item b; 0,96 V - item c).

6.2.4) ANÁLISE CA DE CIRCUITOS COM DIODOS

Fontes de tensão variáveis, em alguns casos chamadas sinais, caracterizam-se por apresentar alterações em seu
valor no tempo, podendo conter também inversão de polaridade. Desse modo, as correntes e quedas de tensão nos
demais componentes do circuito em regime permanente também apresentam comportamento variante no tempo.
Logo, em circuitos com diodos com a presença de ao menos uma fonte variável (por exemplo, fonte alternada,
dita CA), observa-se que um diodo poderá funcionar em mais de um modo de operação devido à variação de sua
tensão de polarização, ou ainda, vários diodos presentes no circuito poderão assumir mais de uma combinação
possível de modos de operação. Assim, a estratégia da suposição e prova da análise CC de circuitos com diodos vista
anteriormente se mostra inadequada e precisa ser adaptada para considerar as variações de parâmetros do circuito.

76
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Esta adaptação origina a chamada análise CA, que consiste em determinar, para cada suposição geral possível,
uma equação, chamada característica de transferência (CT), que expressa o comportamento de uma tensão no circuito
a ser estudada, denominada variável de saída, em função das tensões aplicados ao circuito, chamadas variáveis de
entrada. Adicionalmente, como cada suposição geral apresenta condições para a sua veracidade, deve-se determinar
também os limites impostos às variáveis de entrada para que cada característica de transferência seja verdadeira.
Seja um circuito qualquer exemplificado na Figura 6.7-a, onde a fonte de tensão vS aplicada reside na variável
de entrada e o sinal de tensão vo de interesse reside na variável de saída do circuito. A característica de transferência
do circuito consiste então de uma relação matemática que contempla o comportamento da variável de saída vo em
função da variável de entrada vS, isto é, vo = f(vS). Desse modo, se conhecido a forma de onda do sinal de entrada vS, a
característica de transferência do circuito determinará que modificações sofrerá a variável de saída vo.
Sendo características de transferência definidas por relações entre correntes e tensões, estas consistem então de
equações de retas (y = m x + b), onde a declividade (m) define como o sinal de entrada será refletido na saída: igual
(Figura 6.7-b), atenuado (Figura 6.7-c), amplificado (Figura 6.7-d), ou ainda conter inversão de fase (Figura 6.7-e).
vo
vo vo vo
variável de variável
entrada de saída

circuito vS
vS qualquer vo vS  vS vS
 

C.T.: vo = m vS + b  = 45º 0o <  < 45º 45º <  < 90º  > 90º
m = declividade = tg  m=1 0<m<1 m>1 m<0
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 6.7: Característica de transferência (C.T.): (a) variáveis de entrada e saída e definições; consequências da
declividade da C.T. no sinal de saída: (b) mesma amplitude, (c) atenuação, (d) amplificação, (e) inversão de fase.
A análise CA de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.8):
1) Listar as suposições gerais existentes sobre o funcionamento dos diodos. Em certos casos, pode-se realizar uma
análise da disposição dos diodos para concluir sobre quais das suposições gerais são realmente possíveis.
2) Fazer uma hipótese geral possível, aplicar os correspondentes modelos do diodo e resolver o circuito.
3) Para cada hipótese, obter a característica de transferência e respectiva condição limite para que a característica seja
verdadeira, onde as condições limites são determinadas com base nas mesmas regras da análise CC, ou seja:
 Modo condução: ID > 0 para os modelos ideal e aproximados do real;
 Modo corte ou bloqueio: VD  0 para o diodo ideal e VD  V para os modelos aproximados do real.
Nesta etapa, deve-se atentar para o atendimento de alguns requisitos para os cálculos do circuito:
3.1) O sinal de entrada deve ser tratado como variável desconhecida para determinar as características e condições,
ou seja, sem considerar sua forma de onda, que será empregada apenas na realização da etapa 4.
3.2) A equação de uma característica de transferência deve ser expressa de modo que as únicas incógnitas sejam as
variáveis de entrada e saída, pois os demais parâmetros do circuito devem ser considerados conhecidos;
3.3) As condições para cada suposição geral possível consistem de inequações que contemplam limites impostos
às variáveis de entrada do circuito e independem da variável de saída a ser estudada.
3.4) Como a característica I-V do diodo (e conseqüentemente seus modelos) não apresenta descontinuidades, então
tanto as características de transferência quanto as respectivas condições são contíguas (complementares) em
seus limites (pontos de fronteira), o que pode ser usado para testar se os cálculos e resultados estão corretos.
4) Obter os demais resultados (usualmente, formas de onda do sinal de saída para um determinado sinal de entrada).

Fazer uma Cálculo de circuitos:


Analise preliminar Todas as
hipótese dentre obter a característica de hipóteses sim Demais
(hipóteses possíveis
as possíveis e transferência e possíveis? cálculos
para os diodos)
aplicar modelos respectiva condição

não

Figura 6.8: Fluxograma simplificado da métodologia de análise CA de circuitos com diodos.


O comportamento de chave liga-desliga dos diodos é explorado em diversas classes de circuitos para modificar
formas de onda de sinais elétricos. A seguir são introduzidos os fundamentos de alguns destes tipos de circuitos.
77
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.2.4.1) Retificadores com diodos

Retificadores são circuitos utilizados para converter tensão alternada (e conseqüentemente corrente alternada),
que geralmente se dispõe, em tensão (corrente) contínua, que os circuitos eletrônicos necessitam para funcionar.
Seja o circuito mostrado na Figura 6.9-a, constituído por uma fonte de tensão vS que alimenta uma resistência
de carga RL através de um diodo D, tal que a resultante tensão vL em RL seja a variável de interesse para estudo.

A K A K

D V Rf vD
vS RL vL vS iD RL vL vS RL vL

(a) (b) (c)

Figura 6.9: Retificador de meia-onda com diodo: (a) esquema do circuito; (b) circuito de cálculo
para o modo em condução do diodo; (c) circuito de cálculo para o modo em bloqueio do diodo.
Como a fonte vS é variante no tempo, então a tensão de polarização do diodo poderá levá-lo tanto à condução
quanto ao corte. Logo, deve-se realizar a análise CA para estas duas hipóteses possíveis para a operação do diodo.
Adotando-se o modelo aproximado do real para o diodo como exemplificação dos cálculos da análise CA e
considerando-se o sinal vS como variável de entrada e a tensão vL como variável de saída do circuito, tem-se:
 Suposição 1: D em condução
Substituindo-se o modelo aproximado do real do diodo no modo condução obtém-se o circuito da Figura 6.9-b.
Aplicando LKT na malha do circuito e considerando-se iD > 0 como condição do diodo em condução, tem-se:
vS  Vγ
vS  Vγ  R f iD  RL iD  0  iD   0   v S > Vγ  condição 1
RL  R f
que é a condição para que esta suposição seja verdadeira. Assim, a equação da tensão de saída vL será dada por:

vL  RL iD  RL
 vS  V    v = RL v  RL Vγ  característica de transferência 1
RL  R f
L S
RL + R f RL + R f
Esta equação expressa o comportamento da saída vL em função da entrada vS , isto é, vL = f(vS), considerando os
demais parâmetros conhecidos, o que define a característica de transferência do circuito para o modo condução do
diodo. Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condição vS > V , então o diodo estará em condução e a equação da
característica pode ser empregada para determinar a forma de onda da saída vL de acordo com o sinal entrada vS .
Além disso, pode-se observar que a equação da característica é uma reta de declividade m = RL/(RL + Rf), tal
que: 0 < m < 1, ou seja, o sinal de entrada sofre atenuação na saída, que ocorre devido à queda de tensão no diodo.
 Suposição 2: D no corte
Substituindo-se o modelo no corte do diodo (Figura 6.9-c), observa-se que a corrente no circuito é nula. Logo, a
equação da saída vL será dada por: vL = RL iD   vL = 0 V  característica de transferência 2
Aplicando-se LKT na malha do circuito, tem-se: vS  vD  vL = 0   vD = vS (1)
Sendo vD  V a condição para o diodo no corte então, do resultado (1) tem-se: vS  V  condição 2
Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condição vS  V , então o diodo estará no corte e a característica de
transferência obtida pode ser usada para determinar o comportamento da saída vL em função do sinal de entrada vS.
 Teste da veracidade dos resultados: com base na recomendação 3.4 da análise CA, pode-se observar que as duas
condições obtidas (vS > V e vS  V ) são complementares. Além disso, com a introdução do ponto de fronteira
entre as duas condições (vS = V) na característica de transferência para o diodo em condução, obtém-se: vL = 0,
que é igual ao resultado para o diodo no corte. Assim, conclui-se que os cálculos realizados estão corretos.
Com os resultados das características de transferência e respectivas condições obtidas nas análises dos modos
de operação do diodo pode-se então obter o gráfico da característica de transferência total, dada na Figura 6.10-a.
Supondo um sinal de entrada sendoidal vS = Vm sen(t), a Figura 6.10-b mostra o comportamento da tensão de
saída vL com base nas características de transferência e respectivas condições obtidas do circuito, onde observa-se que,
segundo estas características e condições, se vS for menor ou igual ao limiar do diodo (vS  V), a saída vL será nula e,
se vS ultrapassa este limiar (vS > V), o sinal de entrada surge atenuado na saída vL. Conclui-se então que este circuito
converte tensão de entrada CA em uma tensão CC pulsante, pois a saída vL é sempre positiva ou nula e, desse modo, a
corrente flui na carga RL somente em um sentido. Como mencionado, este processo é denominado retificação e, como
a tensão na carga surge em apenas meio ciclo do sinal de entrada, o circuito é chamado retificador de meia onda.
Na Figura 6.10-b observa-se também que o diodo não inicia sua condução no ângulo t = 0, mas a partir de um
certo valor i , chamado ângulo de condução de corrente, exigido para que a tensão da fonte vS se iguale à tensão de
limiar V de modo a vencer a barreira de potencial do cristal PN. Logo, quando t = i então vS = V e obtém-se:
78
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

 Vγ 
vS  Vm sen(t )  Vγ  Vm sen(i )
 i  arcsen    (6.6)
 Vm 
Com base na equação (6.6) observa-se que, quanto maior o valor máximo do sinal de entrada (Vm) em relação
ao limiar do diodo (V), menor será o ângulo de condução i. Logo, se Vm >> V então i  0 e, neste caso, conclui-se
que a queda de tensão no didodo pode ser desprezada e o mesmo pode ser modelado como ideal. Assim, considerando
V = 0 V Rf = 0  (modelo do diodo ideal), tem-se o comportamento do sinal de saída vL para a entrada vS mostrado
na Figura 6.10-c, onde as características de transferência e respectivas condições serão agora definidas por:
 Suposição 1: D em modo condução: vL = vS (característica de transferência 1), para vS > 0 (condição 1). Logo,
a saída passa a acompanhar totalmente a entrada devido à declividade unitária da característica (m = 1).
 Suposição 2: D no modo corte: vL = 0 (característica de transferência 2), para vS  0 (condição 2).
vS , vL vS , vL vL para
Vm Vm
Vm >> V
vL V
vL

m 0  2 3  t 0  2 3  t
V vS i
vS vS
m = RL/(RL + Rf)
- Vm - Vm
(a) (b) (c)

Figura 6.10: Retificador de meia-onda com modelo do diodo aproximado do real: (a) gráficos da característica de
transferência, (b) formas de onda de entrada e saída; (c) formas de onda de entrada e saída para o diodo ideal.
As ondulações de tensão obtidas na carga do circuito constituem-se de sinais contínuos no tempo (sem inversão
de polaridade). Porém, circuitos CC exigem níveis de tensão constantes no tempo para polarizar seus componentes e,
desse modo, estas ondulações precisam ser filtradas para níveis praticamente nulos. Este efeito pode ser obtido com a
introdução de um capacitor em paralelo à carga RL , de modo a armazenar energia elétrica para fornecer à carga nos
intervalos de tempo em que a fonte não não estiver em condições. A Figura 6.11-a mostra então o retificador de meia
onda com um capacitor de filtro C, onde observa-se que a tensão de saída vL é agora definida pela tensão do capacitor.
Para o estudo do efeito filtragem do capacitor, a Figura 6.11-b mostra a forma de onda da tensão de carga vL
para uma entrada vS = Vm sen(t) e o diodo modelado como ideal, onde uma chave k se fecha no instante t = 0 s para a
entrada vS (t = 0). Observa-se então que, no primeiro quarto de ciclo do sinal de entrada vS (0  /2), o diodo entra
em condução (vS > 0), fazendo a tensão no capacitor acompanhar vS e permitindo ao capacitor se carreguar até Vm , ou
seja, vL = Vm (Figura 6.11-b). Para instantes imediatamente acima de /2, observa-se também que a tensão de entrada
vS , que polariza o anodo do diodo (VA), passa a diminuir e se tornar menor que a tensão do capacitor, que polariza o
catodo do diodo (VK), o que leva o diodo à polarização reversa (VD = VA  VK < 0) e ao corte. Porém, como o capacitor
está carregado, o fornecimento de corrente à carga pode ser mantida como o descarremento do capacitor em RL , até o
instante t1 onde vS volta a ser maior que a tensão no capacitor, fazendo o diodo entrar novamente em condução e
carregar o capacitor até o instante 5/2, onde o diodo entra no corte, e assim sucessivamente (Figura 6.11-b).
A forma de onda de tensão vL na carga resulta então em comportamento aproximadamente constante, contendo
ainda uma certa ondulação, denominada ripple (Figura 6.11-b), que surge devido ao descarregamento/carregamento
do capacitor. A Figura 6.11-c mostra um resultado similar considerando-se o modelo aproximado do real do diodo,
onde observa-se que a tensão na carga RL não segue totalmente a entrada vS devido à queda de tensão no diodo.
vL descarregamento do capacitor vL vL com
k VA VK
carregamento do capacitor capacitor
t=0s D Vm Vm
ripple
vS C RL vL vL s/ vL com vL s/
cap. capacitor cap.
0 /2 t1 5/2 t 0 /2 3/2 t
(a) (b) (c)

Figura 6.11: (a) Circuito retificador de meia onda contendo capacior de filtro; forma de onda da tensão de carga
vL e formação do ripple, considerando o modelo do diodo como: (b) ideal (Vm >> V) e (c) aproximado do real.
Contudo, uma tensão de saída do retificador (vL) com a presença de um ripple acentuado pode não ser adequada
para alimentar cargas que exigem uma tensão CC praticamente constante. Neste caso, como o ripple é proporcional ao
descarregamento do capacitor na carga, deve-se então buscar maneiras de reduzir a descarga do capacitor.

79
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Logo, uma forma de diminuir o descarregamento do capacitor de modo a reduzir o ripple consiste no aumento
da resistência de carga RL (com, por exemplo, a conexão de resistências de carga com menor consumo de potência), o
que acarreta na diminuição da corrente de descarga do capacitor. Similarmente, outra forma consiste em introduzir um
capacitor de maior capacitância, pois isto implica em maior capacidade de armazenamento de energia e, portanto, em
uma maior capacidade de fornecimento de eletricidade à resistência
vL C3 > C2 > C1
de carga e em menor descarregamento do capacitor (Figura 6.12).
Vm C3
Estas práticas para a atenuação do ripple podem ser também C2
entendidas observando-se que, durante o descarregamento, a carga RL C1
e o capacitor C formam um circuito RC autônomo. Desse modo, pela
teoria de Circuitos Elétricos, sabe-se que a rapidez da descarga do
capacitor se dá pela chamada constante de tempo  = RC. Neste caso, 0 t
como um pequeno valor de  comparado ao período da sinal implica
Figura 6.12: Atenuação do ripple na carga
em uma descarga mais rápida, então necessita-se elevar o parâmetro 
como resultado do aumento da capacitância.
com o aumento de C e/ou RL de modo a reduzir ao máximo o ripple.
Uma melhoria importante do retificador de meia-onda para a atenuação do ripple advém da observação de que
o carregamento do capacitor ocorre apenas durante o semiciclo positivo do sinal de entrada vS (Figura 6.11). Este fato
sugere que, se o semiciclo negativo for também aproveitado para o carregamento do capacitor, então consegue-se uma
maior eficiência na retificação de um sinal, pois o descarregamento e, por conseguinte o ripple, será menor. Este é o
caso dos chamados retificadores de onda completa, classificados em dois tipos: meia amplitude e amplitude completa.
Seja na Figura 6.13-a um transformador em cujo lado secundário se encontra disponível um divisor de igual
número de espiras, denominado tap central ou “center tap”. Na Figura 6.13-a observa-se então que o tap central
possibilita a obtenção de dois retificadores de meia-onda, um para cada semiciclo (positivo e negativo) da tensão no
secundário do transformador, de modo a direcionar para o capacitor a meia-onda de cada semiciclo no mesmo sentido.
Como os dois semiciclos são aproveitados, então o capacitor C demorará um tempo menor para ser recarregado, o que
reduz os níveis de ripple na tensão de saída da carga (Figura 6.13-b). Além disso, como apenas meia amplitude do
secundário é aproveitada, este circuito retificador de onda completa é também chamado de meia-amplitude.
vS , vL vL com
Vm capacitor
vS /2 Vm/2
vP
vS /2
C RL vL 0 t
vL sem
transformador vS capacitor
abaixador -Vm
(a) (b)

Figura 6.13: (a) Retificador de onda completa e meia amplitude; (b) forma de onda de saída na carga.
Similarmente, a Figura 6.14-a mostra um conjunto de 4 diodos conectados em um formato conhecido como
ponte retificadora ou ponte de diodos, que promove o desvio de ambos os semiciclos positivo e negativo da tensão do
secundário do transformador para que incidam no capacitor no mesmo sentido. Logo, com o aproveitamento dos dois
semicilos, tem-se também um menor tempo de descarregamento para o capacitor, bem como a redução dos níveis de
ripple (Figura 6.14-b). Neste caso, como a amplitude total da tensão no secundário do transformador é utilizada, este
circuito é chamado retificador de onda completa em ponte. Além disso, por ser comum a construção destes retifica-
dores, a ponte de diodos pode ser encontrada em um circuito integrado comercial (aparência na Figura 6.14-c).
vS , vL vL com capacitor
Vm
vP vS

C RL vL 0
vL sem
t
transformador vS
capacitor
abaixador -Vm

(a) (b) (c)

Figura 6.14: (a) Retificador de onda completa em ponte; (b) forma de onda de saída; (c) CI em ponte comercial.
Os retificaroes com filtro capacitivo vistos até aqui são mais simples e, na necessidade de maior filtragem,
pode-se empregar configurações mais eficientes tais como as mostradas nas Figuras 6.15-a e b. Estes filtros baseiam-
se no fato de todo sinal periódico não senoidal, como é o caso das ondulações de ripple, poder ser decomposto em
80
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

sinais senoidais de freqüência múltipla de um valor fundamental (exemplo: 60 Hz), chamadas harmônicas. Assim,
como a reatância de um indutor aumenta com a freqüência e a de um capacitor diminui, então parte das harmônicas de
maior freqüência tendem a ser bloqueadas para a carga pelo indutor em série e parte tendem a ser desviadas de volta à
fonte pelo capacitor em paralelo, restando na saída apenas uma componente CC e harmônicas de menor freqüência.
Quando um projeto de retificador não atende sozinho todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se
empregar ainda certos CI’s chamados reguladores de tensão, que possuem apenas três terminais (Figura 6.15-c) e têm
como exigência apenas que seja aplicada uma tensão na entrada (pino 1) no mínimo 3 V acima da tensão que se deseja
na sua saída para a carga (pino 3). Uma série destes reguladores é chamada 78XX, onde XX é o valor da tensão de
regulação. Exemplos: CI 7806 e CI 7812, onde a tensão de saída é regulada em 6 V e 12 V, respectivamente.
progressão do sinal até a carga D1 CI regulador de tensão

1 3
L L
D D
C RL C1 C2 RL C 2
RL
D2

(a) (b) (c)

Figura 6.15: Filtragem: (a) LC em “L”, (b) LC em “”; (c) fonte CC com CI regulador de tensão comercial.
O princípio de funcionamento dos retificadores com diodos pode ser utilizado também para se obter um efeito
multiplicador de tensão, que consiste na obtenção na saída, em termos ideais, de múltiplos (2x, 3x, 4x, etc.) do valor
máximo do sinal de entrada (exemplo: dobrador de tensão da Figura 6.16-a). Estes circuitos são empregados quando
necessita-se obter níveis de tensão CC maiores que o valor máximo disponível pela fonte de tensão de entrada.
Outra aplicação da ponte de diodos vista anteriormente consiste na construção de fontes para o fornecimento de
dois níveis de tensão CC (positivo e negativo) em relação a um terminal de referência 0 V (exemplo na Figura 6.16-b),
denominadas fontes simétricas, empregadas na polarização de componentes eletrônicos (exemplo: amplificadores
operacionais) e equipamentos que necessitam de níveis de tensão CC +/ para o seu correto funcionamento.
+VCC
Vm D1 C
2Vm
C1 Vm
-Vm
0V

C
C2 Vm
D2
–VCC

(a) (b)

Figura 6.16: Outras aplicações: (a) duplicador de tensão tipo dobrador; (b) fonte simétrica com diodos.

6.2.4.2) Ceifadores com diodos

O comportamento chave dos diodos pode também ser empregado para selecionar uma parte do sinal de entrada
a ser transferida para a saída, onde algum dispositivo (por exemplo, fontes de tensão CC) é utilizado para fornecer um
nível CC de referência positivo ou negativo para a seleção do sinal de entrada e a disposição dos diodos no circuito
normalmente define qual parte do sinal de entrada, acima ou abaixo dos níveis de referência, será transferida à saída.
Estes circuitos, denominados ceifadores com diodos, constituem-se em 3 tipos segundo sua lógica de ceifamento:
 Limitadores ou grampos: selecionam a parte do sinal de entrada abaixo de um nível positivo, chamado grampo
positivo ou +, ou acima de um nível negativo, chamado grampo negativo ou  (exemplos nas Figuras 6.17-a e b).
 Detetores de pico: selecionam a parte da entrada acima de um nível positivo, chamado detetor de pico positivo ou
+, ou abaixo de um nível negativo, chamado detetor de pico negativo ou  (exemplos nas Figuras 6.17-c e d).
 Fixadores: resultam da associação de um grampo + e um grampo  para selecionar uma faixa dos sinal de entrada
(exemplo na Figura 6.17-e), ou um grampo + e um detetor de pico +, ou um grampo  e um detetor de pico .
A deformação do sinal de entrada sofrida na saída define então a aplicação requerida para um circuito ceifador.
Por exemplo, grampos e fixadores podem ser utilizados na proteção contra níveis de tensão elevados, e detetores de
pico podem ser utilizados para a contagem de eventos de ultrapassagem de um nível de referência específico.
Outra aplicação do efeito chave dos diodos consiste na introdução de um nível CC para o sinal de entrada,
denominados grampeadores CC (exemplo na Figura 6.17-f), que são utilizados quando se necessita acrescentar um
nível CC +/ a um pequeno sinal para que este possa ultrapassar um componente do circuito com mínima atenuação.
81
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

R vo vS R vo vo
D D
VR
vS vS
VR -VR
VR vo
vS
(a) (b)

R vo vo R vo vS
D VR
D
vS vS
VR -VR
VR vS vo
(c) (d)

R vS vo
D1 D2 vo C vo 2Vm
VR1
vS vS D Vm
VR2 VR2
VR1 vo
-Vm vS
(e) (f)

Figura 6.17: Esquemas simplificados de alguns circuitos ceifadores com diodos: (a) grampo +, (b) grampo ,
(c) detetor de pico +, (d) detetor de pico , (e) fixador com grampo + e grampo ; (e) grampeador CC +.

Exercício 4: Para o circuito da figura (A) fornecida a seguir, considere o diodo ideal e determine a forma de onda da
saída vo para uma entrada vS composta por um sinal senoidal de amplitude 20 V e uma componente CC de 10 V.
A K A K
iD vo (V)
D vD
5 k 5 k 5 k 2
vS vo vS vo vS vo 20 m=1
1 1
20V 20V 20V
0 20 vS (V)
(A) (B) (C) (D)
Solução
Analisando-se o circuito dado na figura (A) observa-se que, apesar da presença da fonte CC (20 V), a fonte vS
variante no tempo poderá polarizar o diodo D em seus dois modos de operação (condução e corte). Logo, deve-se
proceder com a análise CA de circuitos com diodos para se determinar a forma de onda da saída vo . Assim:
 Suposição 1: D em condução: com o modelo do diodo ideal em condução, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS  vo  0   vo = v S  característica de transferência 1
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se:
v  20
vS  5000 iD  20  0  iD  S  0   v S > 20 V  condição 1
5000
 Suposição 2: D no corte: com o modelo do diodo ideal no corte, tem-se o esquema da figura (C). Logo:
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 20  vo  0   vo  20 V  característica de transferência 2
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que vD  0 é a condição do diodo ideal no corte, tem-se:
vS  vD  20  0  vD  vS  20  0   v S  20 V  condição 2
 Teste de veracidade: observa-se que as condições obtidas (vS > 20 V e vS  20 V) são complementares e que, com a
introdução do ponto de fronteira (vS = 20 V) nas características, obtem-se o vS , vo (V)
mesmo resultado (vo = 20 V), comprovando que os cálculos estão corretos.
30
 Com base nas caracteríticas de transferência e condições, reescritas a seguir: vo
vo  vS quando vS  20 V 20

vo  20 V quando vS  20 V 10
obtém-se então o comportamento gráfico da característica de transferência vS
dada na Figura (D) e, para o sinal de entrada vS = 10 + 20 sen(t) fornecido, 0 /2 3/2  t
obtém-se a forma de onda da saída vo mostrada na figura ao lado, onde  10
observa-se que o circuito apresenta o comportamento de detetor de pico + .

82
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 5: Para o circuito mostrado ao lado, adote V = 0,7 V e Rf = 0  como


modelo do diodo empregado (aproximado do real simplificado), e determine: 200 
D
a) As características de transferência e respectivas condições, considerando vL
como variável de estudo do circuito (variável de saída). vS 300  vL
b) A forma de onda de vL para um sinal triangular de amplitude 12 V para vS . 5V
c) A forma de onda da tensão no diodo D para a mesma entrada vS do item b).
Solução
(a)
i iD iL iL iL vL (V)
200  A 200  A 5,7
vD
vS 0,7 V 300  vL vS 300  vL
K K 0 9,5 vS (V)
1 2 1 m = 0,6
5V 5V

(A) (B) (C)


a) Como há apenas um diodo no circuito, então há 2 suposições possíveis: D em condução e D no corte. Assim:
 Suposição 1: D em condução - com o modelo do diodo em condução, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
v  5,7
Aplicando LKT na malha 1: vS  200 i  0,7  5  0   i  S
200
Aplicando LKT na malha 2: 5  0,7  300 iL  0   iL  0,019 A
ou ainda, com LKT na malha 2: 5  0,7  vL  0   v L = 5,7 V  característica de transferência 1
Aplicando LKC no nó (a) e lembrando-se que iD > 0 é a condição do diodo em condução, tem-se que:
v  5,7
i  iD  iL  iD  i  iL  S  0,019  0   v S > 9,5 V  condição 1
200
 Suposição 2: D no corte - com o modelo do diodo no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
v
Aplicando LKT na malha externa: vS  200 iL  300 iL  0   iL  S
500
Logo: vL  300 iL  300 vS / 500   v L  0,6 v S  característica de transferência 2
Aplicando LKT na malha 1 e considerando-se vD  0,7 V como condição para o diodo no corte, tem-se:
5  vD  vL  0  vD  vL  5  vD  0,6 vS  5  0,7 V   v S  9,5 V  condição 1
 Teste de veracidade: como as condições obtidas (vS > 9,5 V e vS  9,5 V) são complementares e o ponto de
fronteira (9,5 V) produz o mesmo resultado nas características (vL = 5,7 V), então os cálculos estão corretos.
b) Com base nas caracteríticas de transferência e suas condições, reescritas a seguir: vS , vL (V)
vL  5,7 V quando vS  9,5 V 12

 L
v  0,6 vS quando vS  9,5 V 9,5 vS
obtém-se o gráfico da característica de transferência dada na Figura (C) e a forma 5,7
de onda da saída vL para a entrada vS correspondente a um sinal de onda triangular 0  2 3  t
de amplitude 12 V dada na figura ao lado. Observa-se então que o circuito apre-
-7,2 vL
senta o comportamento similar a de um grampo +, porém com grande atenuação
(40%) do sinal de entrada para a saída (pois vL = 0,6 vS). Isto deve-se ao fato do -12
resistor de desacoplamento do sinal de entrada para a saída (200 ) ser comparável à carga (300 ), o que não é
uma realidade prática, pois normalmente este resistor deve ser o menor possível para atenuar sua queda de tensão.
c) A mudança da variável a ser estudada implica em nova relação entrada-saida.
Logo, as características de transferência considerando a tensão no diodo (vD) 200 
como variável de saída devem ser novamente calculadas, porém as condições D vD
são as mesmas pois são limites impostos à variável de entrada vS e independem vS 300  vL
da variável de saída. Assim, com novos cálculos (circuito ao lado), obtém-se: 5V 1
v D  0,7 V quando v S  9,5 V

v L  0,6 v S  5 quando v S  9,5 V vL , vD (V)
Neste exercício, porém, a forma de onda da tensão no diodo pode também 5,7
vL
ser obtida com o auxílio da forma de onda da tensão vL obtida no item b). Com 0,7
base no circuito ao lado e aplicando-se LKT na malha de 1, obtém-se: 0 t
-5
5  vD  vL  0   v D  v L  5 (1) -7,2
vD
Como a forma de onda de vL é conhecida do item b), pode-se então obter a -12,2
forma de onda da tensão vD no diodo resolvendo graficamente a equação (1), o que é apresentado no gráfico acima.

83
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 6: Para o circuito da figura (A) dada a seguir, determine a forma de onda da tensão de saída vL para um
sinal de entrada vS = 8 sen(t). Dados dos diodos: V = 0,7 V e Rf = 0  (modelo aproximado do real simplificado).
Solução
(a) (b)

10  10  i A
iD1 K iL
D1 D2 vD2
0,7V
vS 10 k vL vS K A 10 k vL
1 2
5V 5V
5V 5V

(d) (c)
(A) (B)
n 2
O circuito apresenta dois diodos retificadores (n = 2) e, portanto, existem 2 = 2 = 4 suposições gerais: D1 e D2
em condução; D1 em condução e D2 no corte; D1 no corte e D2 em condução; e D1 e D2 no corte.
Contudo, analisando-se a disposição dos diodos e das fontes CC, observa-se que a suposição geral D1 e D2 em
condução não é possível pois, supondo os diodos ideais, se ambos estivessem em condução (chave fechada), a tensão
vL na carga apresentaria dois valores proporcionados pelas fontes CC: +5 V e 5 V, o que é circuitalmente impossível.
Como a fonte vS é variante no tempo, deve-se então fazer a análise CA com as três suposições gerais restantes.
 Suposição geral 1: D1 em condução e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (B):
v  5,7
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: vS  10 i  0,7  5  0  i  S   i  0,1vS  0,57
10
Aplicando LKT na malha formada pelos pontos a-b-c-d do circuito na figura (A), tem-se:
5  0,7  vL  0   v L = 5,7 V  característica de transferência 1
v 5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4   0,57  103 A
10 104
Aplicando LKC no nó (a) e considerando iD 1 > 0 como condição para o diodo D1 em condução, tem-se:
i  iD1  iL  iD1  i  iL  0,1vS  0,57  0,57  103  0,1vS  0,57  0  vS  5,7 V  condição (a)
Aplicando LKT na malha 2 e considerando vD2  0,7 V como condição para o diodo D2 no corte, tem-se:
5  0,7  vD 2  5  0   vD 2   10,7 V  0,7 V  condição (b)
Como a condição (b) é sempre verdadeira, basta satisfazer a condição (a). Logo: vS > 5,7 V  condição 1
(a) (b) (a) (b)

10  10  i iD2
A K iL A K iL
0,7V
vD1 vD2 vD1
vS 1 K A 10 k vL vS K A 10 k vL
5V
1 5V
5V 5V 2

(d) (c) (d) (c)


(C) (D)
 Suposição geral 2: D1 e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (C). Logo:
vS
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS  10 iL  104 iL  0   iL 
10.010
10.000
Logo: vL  10 iL  4
vS  vS   v L = v S  característica de transferência 2
10.010
LKT na malha 1 e considerando vD1  0,7 V como condição do modelo para o diodo D1 no corte, tem-se:
10
vS  10 iL  vD1  5  0  vD1  vS  vS  5  vS  5  0,7   vS  5,7 V  condição (a)
10.010
LKT na malha a-b-c-d e considerando vD2  0,7 V como condição do modelo para o diodo D2 no corte, tem-se:
10
vS  10 iL  vD 2  5  0  vD 2   vS  vS  5   vS  5  0,7   vS   5,7 V  condição (b)
10.010
Logo, as condições (a) e (b) obtidas formam o conjunto verdade:  5,7  vS  5,7 V  condição 2
 Suposição geral 3: D1 no corte e D2 em condução - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (D):
v  5,7
LKT na malha a-b-c-d do circuito: vS  10 i  0,7  5  0  i  S   i  0,1vS  0,57
10
LKT na malha 2:  5  0,7  vL  0   v L =  5,7 V  característica de transferência 3
v  5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4  4
  0,57  103 A
10 10

84
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

LKC no nó (b) e considerando iD2 > 0 como a condição para o diodo D2 em condução, obtém-se:
i  iD2  iL  iD 2  iL  i   0,57  103  0,1vS  0,57   0,1vS  0,57  0  vS   5,7 V  condição (a)
LKT na malha 1 e considerando a condição vD1  0,7 V como condição para o diodo D1 no corte, tem-se:
5  vD1  0,7  5  0   vD1   10,7 V  0,7 V  condição (b)
Como a condição (b) é sempre verdadeira, basta satisfazer a condição (a). Logo: vS <  5,7 V  condição 3
 Teste de veracidade: as condições (vS > 5,7 V ,  5,7  vS  5,7 V e vS <  5,7 V) e características de transferência
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL =  5,7 V) são complementares em seus limites. Concui-se que os cálculos estão corretos.
 Para vS = 8 sen(t) e caracteríticas de transferência e respectivas condições: vS , vL (V)
vL  5,7 V quando vS  5,7 V 8 vS

vL  vS quando  5,7  vS  5,7 V 5,7
v   5,7 V quando v   5,7 V
 L S
vL
obtém-se a forma de onda de saída vL mostrada na figura ao lado e nota-se 0  2 3  t
que trata-se de um ceifador tipo fixador. Comparado ao Exercício 5, nota-se
- 5,7
também um comportamento praticamente ideal para vL, pelo fato do resistor
-8
que desacopla a entrada da saída (10 ) ser bem menor que a carga (10 k).

Exercício 7: Com base nos resultados do exercício 6, desenhe o gráfico da característica de transferência total do
circuito e obtenha, por método gráfico, a forma de onda da saída vL para o mesmo sinal de entrada vS do exercício 6.
Solução vL (V) vL (V)
Como visto anteriormente, com base nas equa-
ções das características de transferência e respectivas 5,7 5,7 t3 t4
3
condições pode-se desenhar o comportamento gráfico - 5,7 =1 2 2
da variável de saída em função da variável de entrada. 0 5,7 vS (V) 0   t
Logo, com base nos resultados obtidos no exercício 6, t1 2 t2
obtem-se o gráfico da caracterísitca de transferência - 5,7 - 5,7
do circuito (vL = f(vS)) mostrado na figura ao lado.
-8 0 8
O método gráfico para a obtenção da forma de forma de onda do
onda da saída a partir do gráfico da característica de t1 vS (V)
/2 sinal de saída
transferência consiste em desenhar ponto a ponto a t2
forma de onda da saída por meio da correspondência forma de onda do
 t sinal de entrada
entre o sinal de entrada e a característica, de modo que 3
3/2
cada valor do sinal entrada em dado instante de tempo t4
correponde a um valor na saída no mesmo instante de 2
tempo, tal como exemplificado na figura ao lado. t

6.3) COMPORTAMENTOS DO CRISTAL PN EM ALTAS FREQUÊNCIAS


Certas formas de onda de pequena amplitude (até centenas de mV), denominadas pequenos sinais, consistem de
informações (áudio, dados, etc.) que necessitam ser transmitidas ao longo de um circuito com a melhor conformidade
possível e, desse modo, não podem sofrer bloqueio ou deformações significativas em sua propagação pelo circuito.
Além disso, cristais PN apresentam um efeito capacitivo em modo condução, que se torna tanto mais pronunciado
quanto mais rápida for a variação (frequência) do sinal aplicado ao cristal, o que pode resultar, por exemplo, em um
retardo relevante no chaveamento liga-desliga dos diodos. Estes aspectos para o cristal PN são abordados a seguir.

6.3.1) MODELO DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS E ALTAS FREQUÊNCIAS

Circuitos de diodos com a presença de sinais de pequena amplitude devem prover algum mecanismo para que
estes sinais consigam ultrapassar os diodos com mínimas distorções, o que resulta em um modelo esquemático para os
diodos distinto dos vistos para grandes sinais. Como pequenos sinais são geralmente de alta frequência, os modelos do
diodo para pequenos sinais devem contemplar também o efeito capacitivo do cristal PN em condução. O mecanismo
usualmente utilizado para possibilitar a ultrapassagem do pequeno sinal pelo diodo, bem como o efeito capacitivo nos
cristais PN em condução, resultam na combinação de um elemento ôhmico e um elemento capacitivo, vistos a seguir.

6.3.1.1) Resistência incremental


Seja a situação representada no circuito exemplo dado na Figura 6.18-a, em que um sinal de pequena amplitude
vS = Vm sen(t) necessita ser transferido à carga RL através do diodo D com mínimas distorções. Para possibilitar
adequadamente esta transferência, ao pequeno sinal é normalmente adicionado um nível CC VR (Figura 6.18-a), de

85
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

montante suficiente para polarizar o diodo na região de condução em um ponto de operação conveniente, de modo a
estabelecer uma corrente IDQ no circuito devido a uma tensão VDQ aplicada pelo nível CC VR (Figura 6.18-b). Como
consequência, observa-se que a variação do pequeno sinal vS resulta em uma oscilação do ponto de operação do diodo
entre valores Qmax e Qmin em torno do ponto de repouso Q (Figura 6.18-b). Conclui-se então que apenas a região de
condução em torno do ponto de operação Q consiste no comportamento do diodo "percebido" pelo pequeno sinal vS .
VD
ID d ID ID
I D  I S e η VT
d VD Q
Q2
D Qmax
vS VR + Vm Q
IDQ A
VR Qmin
RL vL Q1
VR  Vm rd
0 V VDQ VD
VR
vS K 0 VD

(a) (b) (c) (d)

Figura 6.18: (a) Circuito exemplo de pequeno sinal e nível CC; (b) região de condução percebida pelo pequeno
sinal; (c) modelo do diodo para pequenos sinais; (d) deformação do sinal de acordo com o ponto de operação Q.
Como a derivada dID/dVD em torno do ponto Q consiste na aproximação linear da curva na região de condução,
pode-se empregar a equação do diodo no modo condução dada pela equação (6.3) para definir o modelo do diodo em
condução para o pequeno sinal (Figura 6.18-b), resultando na obtenção de uma condutância incremental gd dada por:
d ID d ( I S eVD / VT )  VD
1 
VD Q
1 I DQ
gd     I S e VT    I S e VT    gd 
d VD Q d VD Q   VT  Q  VT  VT
I DQ
em que o termo IS exp(VDQ/VT) corresponde à corrente IDQ no diodo estabelecida pela nível CC da fonte VR.
Definindo-se um elemento ôhmico referente ao inverso da condutância incremental gd , tem-se que modelo do
diodo para pequenos sinais se resume então a um valor rd (Figura 6.18-c), a chamada resistência incremental, tal que:
1  VT
rd   (6.7)
gd I DQ
Com base na equação (6.7) observa-se que, quanto mais intensa for a polarização do diodo em condução pela
fonte VR , maior é a corrente IDQ no ponto de repouso Q e menor é a resistência incremental rd percebida pelo pequeno
sinal, resultando em menor atenuação do pequeno sinal ao passar pelo diodo. Outra razão para se estabelecer pontos
de operação com polarização forte do diodo em condução reside na forma mais linear do comportamento exponencial
da região de condução em correntes mais elevadas, o que resulta em menor distorção da corrente no diodo causada
pelo pequeno sinal, do que em regiões de correntes mais baixas, que tem uma forma mais não linear (Figura 6.18-d).
Como os modelos de diodos referentes a cada componente de tensão aplicada (VR e vS) são lineares, então cada
fonte de tensão “enxerga” um comportamento linear do circuito. Logo, na solução do circuito pode ser empregado o
princípio da superposição de efeitos, em que as conseqüências de cada fonte de tensão aplicada ao circuito podem ser
calculadas separadamente (Figura 6.19), e a tensão total na carga RL será então determinada por: vL = VLQ + vLCA.
A K A K

D V Rf rd
vS
RL vL IDQ RL vS iDCA RL
VR VLQ vLCA
VR

Figura 6.19: Superposição de efeitos da polarização CC e CA na análise de circuitos de pequenos sinais.

6.3.1.2) Capacitância de difusão

Como mencionado no Capítulo 5, um cristal PN em condução apresenta uma corrente dita direta formada por
majoritários que, ao atravessarem a junção PN, se tornam minoritários em excesso aos minoritários no outro lado e
constituem-se em um efeito chamado injeção de minoritários, tal como exemplicado na Figura 6.20-a para o caso dos
elétrons livres da região N para a região P . Nesta situação, caso o cristal PN sofra inversão de polarização, tem-se
que os elétrons em excesso injetados na região P devem retornar ao substrato N (Figura 6.20-b) para estabelecer as
condições de equilíbrio reversas no cristal. Similarmente, caso o cristal PN em condução sofra uma redução na tensão

86
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

direta, tem-se que parte dos elétrons em excesso injetados na região P devem retornar ao lado N para estabelecer uma
condição de redução da corrente direta. Em ambos os casos, entende-se então que os elétrons injetados representam
um carregamento de carga no substrato P e seu retorno representa um descarregamento da carga acumulada (igual
raciocínio pode ser feito para a injeção de lacunas do lado P para N). Este comportamento constitui-se em um efeito
capacitivo chamado capacitância de difusão, designada por CD, que é então comum a todos os cristais PN.
Contudo, os efeitos da capacitância de difusão tornam-se relevantes apenas quando os pequenos tempos de
carga e descarga de portadores livres no cristal são comparáveis aos períodos dos sinais de tensão aplicados ao cristal.
Logo, sendo grandes sinais geralmente de baixas freqüências (elevados períodos), a capacitância de difusão pode ser
desprezada nos modelos de diodos para grandes sinais mas, como pequenos sinais são geralmente de altas frequências
(pequenos períodos), o efeito da capacitância de difusão deve ser considerado no modelo do diodo para pequenos
sinais, por meio do acréscimo da capacitância de difusão CD em paralelo à resistência incremental rd (Figura 6.20-c).
Para a definição da capacitância de difusão, seja q a carga total de minoritários em certo instante injetada nos
substratos do diodo em condução. Como quanto maior a penetração das cargas injetadas em cada substrato, maior é o
tempo de retorno destas e maior é o efeito de carga acumulada, a capacitância de difusão é proporcional ao chamado
tempo de vida médio  das cargas injetadas, que descreve o tempo para que estas se recombinem com majoritários em
cada substrato. Como a taxa com que minoritários injetados são recombinados é conceitualmente uma medida da
corrente direta ID, pode-se definir que: ID = q /. Sendo o modelo do diodo definido em torno de um ponto de operacão
Q (Figura 6.18-b), então a capacitância de difusão descreve as condições de aumento ou redução da carga acumulada
em torno do ponto Q. Assim, supondo que uma variação VD na tensão direta produza uma variação q na carga
injetada em torno do ponto Q, a relação q/VD expressa então o efeito da capacitância de difusão CD , tal que:
q dq d ( I D ) d ID
CD        gd
VD Q d VD Q d VD Q d VD Q
pois q =  ID . Com a equação da condutância incremental gd , tem-se que a capacitancia de difusão é então dada por:
 I DQ
CD  (6.8)
 VT
de onde conclui-se que o efeito da capacitância de difusão será tanto mais pronunciado quanto maior a corrente direta
(maior quantidade de carga injetada) e maior o tempo de vida médiodos minoritários injetados pela corrente direta.
A
e- e-
P N P N
rd CD

injeção de minoritários  cargas em excesso retorno de cargas em excesso


(carregamento de carga) (descarregamento de carga) K
(a) (b) (c)

Figura 6.20: (a) Injeção de carga; (b) retorno de carga; (c) modelo completo do diodo para pequenos sinais.

6.3.2) TEMPO DE RECUPERAÇÃO REVERSA

No estudo dos circuitos com diodos vistos anteriormente, presumiu-se que os sinais eram de baixas freqüências,
o que permitiu supor um chaveamento condução-corte (ON-OFF) dos diodos praticamente instantâneo. No entanto,
devido ao efeito de carga acumulada causada pela capacitância de difusão e de um retardo para se atingir os níveis de
corrente e largura da região de depleção em polarização reversa, as condições de equilíbrio reversas no cristal PN não
podem ser estabelecidas de imeditato com a comutação ON-OFF, o que representa uma importante limitação técnica.
Para o estudo da comutação condução-corte dos diodos, seja na Figura 6.21-a um ciruito com diodo suposto
chaveado instantâneamente do modo condução (t < 0) para o modo corte (t  0) por um sinal de entrada em degrau. A
Figura 6.21-c exemplifica o comportamento transitório da corrente ID no diodo, onde observa-se que são necessários
dois intervalos de tempo para o total estabelecimento das condições de equilíbrio reversas no diodo:
 Tempo de armazenamento (ta): corresponde ao período gasto com o descarregamento da carga acumulada devido
ao efeito da capacitância de difusão, onde observa-se a condução de uma considerável corrente reversa.
 Tempo de transição (tt): corresponde ao período necessário para a camada de depleção aumentar de modo a se
adequar à tensão reversa aplicada, e a corrente se reduzir para atingir o nível da corrente de saturação reversa (IS).
Assim, o intervalo total para a comutação ON-OFF do diodo, denominado tempo de recuperação reversa trr , é
definido como a soma dos tempos de armazenamento e de transição, ou seja: trr = ta + tt ( Figura 6.21-c).
Um exemplo de limitação técnica causada pelo tempo de recuperação reversa consiste na retificação de sinais
de altas freqüências, onde os diodos podem não realizar a comutação ON-OFF suficientemente rápida para evitar que
uma parte considerável de um semiciclo seja transferido à carga (Figura 6.21-d). Neste caso, pode-se empregar diodos
de comutação rápida denominados fast recovery, que apresentam tempos de recuperação reversa da ordem de ns.
87
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID vS , vL
vS
VF  VF/R
D ta tt IS
vS R
iD 0 t 0 t
-VR  -VR/R
trr
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.21: Estudo da comutação instantânea de um diodo: (a) circuito exemplo; (b) sinal de entrada em degrau;
(c) componentes do tempo de recuperação reversa; (d) distorção na retificacão de um sinal de frequência elevada.

6.4) CRISTAIS PN DE FINALIDADE ESPECÍFICA

O efeito chave liga-desliga dos cristais PN consiste na aplicação básica dos diodos comuns, ditos retificadores.
Contudo, diversos comportamentos dos cristais PN adicionais ao efeito chave podem ser aproveitados para aplicações
distintas da retificação, o que resultam nos chamados diodos de finalidade específica, alguns dos quais vistos a seguir.

6.4.1) DIODO ZENER

Como mencionado, diodos comuns não são projetados para suportar tensões superiores às de ruptura reversa.
Contudo, fatores construtivos como maior dopagem e maior capacidade de dissipação condicionam o chamado diodo
zener (símbolos na Figura 6.22-a e aparências na Figura 6.22-b) a suportar a condição de ruptura sem se danificar.
A Figura 6.22-c mostra a característica I-V típica do diodo zener, onde observa-se que as regiões de condução e
corte são similares às de um diodo comum mas, quando VD < -BV, o diodo zener passa a conduzir correntes reversas
também utilizáveis ao atingir a chamada região de ruptura. Assim, conclui-se que o zener conduz nos dois sentidos de
corrente e pode ser utilizado para funcionar intencionalmente em um modo ruptura (Figura 6.22-b).
Seja IZ a definição da corrente reversa do zener na ruptura. Analisando a região de ruptura do zener observa-se
que, a partir de um “joelho de tensão”, quando IZ atinge um certo valor em módulo IZK , o zener passa a exibir uma
tensão reversa em módulo VZ entre seus terminais, que se mantém praticamente constante até um limite em módulo
IZM quando o zener se danifica (Figura 6.22-b). Conclui-se então que, se IZ for mantida nos limites IZK  IZ  IZM , o
zener exibe um efeito prático em que a tensão entre seus terminais se mantém constante, chamada função regulação
de tensão, onde VZ é chamada tensão de regulação do zener. Este efeito reside na principal aplicação dos zeners.
Com base na Figura 6.22-b observa-se que a linearização da característica I-V nas regiões de condução e corte
resultam nos mesmos modelos para grandes sinais e baixas frequências vistos anteriormente. Para o modo ruptura
tem-se que, desprezando o joelho de tensão, pode-se definir um modelo esquemático formado por uma fonte de tensão
de valor -VZ percorrida por uma corrente IZ < 0 (Figura 6.22-d). Porém, pode-se optar por um esquema invertido, e
geralmente mais prático, formado por uma fonte de tensão VZ percorrido por uma corrente IZ > 0 (Figura 6.22-d).
ID modelos na
região de região de ruptura ID
região de
ruptura condução
-BV corte A
-VZ VD
“joelho” de -VZ -VZ IZ < 0 0
tensão 0 VD
- IZK V K
K
função - IZ
regulação VZ IZ > 0
de tensão - IZM
A
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.22: Diodo zener: (a) simbologias; (b) aparencias diversas; (c) característica I-V; (d) modelo na ruptura.
Com base nos modelos, tem-se que a potência PZ dissipada do zener na ruptura pode ser determinada por:
PZ  VZ I Z (6.9)
Com a especificação de potência máxima PZM na ruptura fornecida pelo fabricante, pode-se então determinar a
corrente máxima IZM do zener na ruptura, tal que: IZM = PZM /VZ. Com relação a IZK , esta pode ser estimada de forma
prática adotando-se um valor de 10 a 20 % de IZM para garantir que tensão reversa ultrapasse o joelho de tensão.
Zeners comercialmente disponíveis apresentam tensão de regulação entre 2 e 200 V e potência entre ¼ e 50 W.
Exemplos: série “BZX79C” da Phillips: BZX79C5V2 (VZ = 5,2 V), BZX79C12V (VZ = 12 V), etc.

88
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 8: Para o circuito e característica corrente-tensão linearizada dos zeners empregados no circuito fornecidos
a seguir, determine a forma de onda da tensão de saída vL considerando um sinal de entrada vS = 8 sen(t).
modo corte modo condução
ID A K A
10  ID
DZ1
-5  vD  0,7 0,7 V iD > 0
10 k vL - 5,0 ruptura
vS K
0 K -5,0
DZ2 VD (V)
iZ > 0 0 VD (V)
0,7 5V 0,7
A
Solução
Como visto, um zener apresenta 3 modos de operação (condução, corte e ruptura). Assim, com a presença de 2
zeners no circuito (n = 2), existem então 3n = 32 = 9 combinações que definem as suposições gerais (tabela abaixo).
Como também visto, um zener conduz nos dois sentidos de corrente (condução e ruptura). Contudo, como os
zeners estão em série então, se um estiver no corte, o outro também deverá
DZ1 DZ2 Possível ?
estar no corte tal que a corrente em ambos seja nula, ou seja, se admitido um
zener no corte, então o outro não poderá estar em condução ou na ruptura. condução condução não
Além disso, com base na disposição dos zeners no circuito observar-se condução corte não
que os mesmos tem polarizações contrárias. Logo, caso um dos zeners esteja condução ruptura sim
corte condução não
em condução, o outro necessariamente deverá estar na ruptura, e vice-versa,
para que ambos os zeners estejam conduzindo corrente simultâneamente. corte corte sim
corte ruptura não
Assim, pode-se concluir que, das 9 suposições gerais existentes para a
ruptura condução sim
operação dos zeners, apenas 3 são possíveis (tabela): DZ1 em condução e DZ2
ruptura corte não
na ruptura, DZ1 e DZ2 no corte, e DZ1 em ruptura e DZ2 em condução.
Como a entrada vS é variante no tempo, deve-se então realizar a análise ruptura ruptura não
CA das suposições gerais possíveis. Para os zeners na ruptura, é conveniente empregar o modelo invertido (terminais
e fonte invertidos), pois desse modo pode-se julgar os modos condução e ruptura com base na mesma regra: iZ > 0.
(a) (a)
iZ iZ
10  i iL 10  iL 10  i iL
A A
A 5V
0,7 V vDZ1
K K K
vS 10 k vL vS 10 k vL vS 10 k vL
K K
K 1
vDZ2 0,7
1 5V 2 1 2
V
A A A

(A) (B) (C)


 Suposição geral 1: DZ1 em condução e DZ2 em ruptura  Figura (A)
v  5,7
LKT na malha 1: vS  10 i  0,7  5  0   i  S  0,1vS  0,57
10
LKT na malha 2: 5  0,7  vL  0   v L = 5,7 V  característica de transferência 1
v 5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4  4  0,57  103 A
10 10
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
i  iZ  iL  iZ  i  iL  0,1vS  0,57  0,57  103  0,1vS  0,57  0   vS  5,7 V  condição 1
 Suposição geral 2: DZ1 e DZ2 no corte  Figura (B)
vS
LKT na malha externa: vS  10 iL  104 iL  0   iL 
10.010
10.000
Logo: vL  104 iL  vS  vS   vL = vS  característica de transferência 2
10.010
LKT na malha 1:  vDZ 2  vDZ 1  vL  0  vDZ 1  vDZ 2  vL   vDZ 1  vDZ 2  vS (1)
A análise das condições no corte para ambos os zeners deve ser realizada com auxílio do resultado (1). Neste
caso, como as condições para DZ1 e DZ2 no corte são, respectivamente, - 5  vDZ1  0,7 V e - 5  vDZ2  0,7 V então,
manipulando-se convenientemente estas duas inequações para se obter o resultado (1), tem-se que:
 5  vDZ 1  0,7   5  vDZ 1  0,7   5  vDZ 1  0,7
     
 5  vDZ 2  0,7  (1)  5   vDZ 2   0,7   0,7   vDZ 2  5
  5,7  vDZ 1  vDZ 2  5,7 V (2)

89
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Dos resultados (1) e (2), tem-se:  5,7  vDZ 1  vDZ 2  5,7    5,7  v S  5,7 V  condição 2
 Suposição geral 3: DZ1 em ruptura e DZ2 em condução  Figura (C)
v  5,7
LKT na malha 1: vS  10 i  5  0,7  0   i  S  0,57  0,1vS
10
LKT na malha 2: 5  0,7  vL  0   v L =  5,7 V  característica de transferência 3
v  5,7
Logo, a corrente na carga será dada por: iL  L4    0,57  103 A
10 104
LKC no nó (a) e considerando iZ > 0 como condição para ambos os zeners em condução e ruptura, obtém-se:
i  iZ  iL  iZ  iL  i   0,57  103  0,57  0,1 vS   0,57  0,1 vS  0   vS   5,7 V  condição 3
 Teste de veracidade: as condições (vS > 5,7 V ,  5,7  vS  5,7 V e vS <  5,7 V) e características de transferência
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL =  5,7 V) são complementares em seus limites. Concui-se que os cálculos estão corretos.
 Para vS = 8 sen(t) e com base nas caracteríticas de transferência e condições, vS , vL (V)
reescritas a seguir (gráfico da característica ao lado): vL (V) 8 vS
vL  5,7 V quando vS  5,7 V 5,7
5,7
 -5,7  = 1
vL  vS quando  5,7  vS  5,7 V 0 5,7 v (V) vL
v   5,7 V quando v   5,7 V S
 L S
-5,7
0  2 3  t
obtém-se então a forma de onda da saída vL mostrada na figura ao lado, onde
observa-se que o circuito comporta-se como um ceifador tipo fixador. Este - 5,7
resultado é similar ao obtido com o circuito do exercício 6, ou seja, ambos os -8
circuitos desempenham a mesma função. Porém, o circuito deste exercício é de implementação mais simples por
necessitar apenas de dois zeners para produzir o mesmo efeito. Por outro lado, o circuito do exercício 6 se mostra
mais versátil por permitir que a faixa do sinal de entrada seja ajustada a qualquer tempo pelas fontes de tensão CC.

6.4.1.1) Regulador de tensão CC com zener

Reguladores de tensão CC são circuitos, geralmente retificadores, com a finalidade de manter a tensão na saída
praticamente constante, independentemente de variações na tensão de entrada e/ou no montante de carga do circuito.
Como os zeners apresentam a função regulação de tensão no modo ruptura, pode-se então empregar estes diodos na
construção de reguladores de tensão CC, além de outras aplicações que necessite de um nível de referência de tensão.
Seja o esquema simplificado de um circuito regulador de tensão com zener mostrado na Figura 6.23-a. A fonte
de tensão VS representa um circuito retificador com filtro capacitivo qualquer que fornece níveis de tensão entre um
valor mínimo VSmin e máximo VSmax devido à presença de um ripple em seus terminais, mas supostos suficientes para
polarizar o zener em seu modo ruptura. A saída do circuito é modelada por uma resistência de carga RL que também
pode variar entre um mínimo RLmin e um máximo RLmax . Por fim, uma resistência RS de certo valor é empregada para
limitar a corrente fornecida pela fonte VS e proteger o zener e a carga, bem como causar uma queda de tensão em si
mesmo de modo a propiciar condições ao zener para regular a tensão na carga RL em um certo valor VL especificado.
Admitindo-se então o zener exercendo sua função regulação de tensão, pode-se substituí-lo por seu modelo na
ruptura (modelo invertido) e, introduzindo-se as considerações de variação na fonte de entrada VS e na resistência de
carga RL , tem-se a esquematização do circuito regulador de tensão mostrada na Figura 6.23-b, tal que VL = VZ .

(a)

RS RS IS IZ IL
VS
D K
VSmax
vS C VSmax RLmax
VSmin VS DZ RL VL VS RL VL
VSmin VZ RLmin
A
malha de entrada malha de saída

(a) (b)

Figura 6.23: Regulador de tensão com zener: (a) esquema simplificado; (b) efeito regulação e parâmetros limites.
Seja IS a corrente fornecida pela fonte de entrada VS , IZ a corrente consumida no zener na ruptura e IL a corrente
consumida na resistência de carga RL (Figura 6.23-b). Equacionando-se o circuito regulador, tem-se que:
VS  VZ
 LKT na malha de entrada (malha da fonte): VS  RS I S  VZ  0  IS  (1)
RS
onde conclui-se que IS depende das variações na tensão de entrada VS , mas independe de variações na carga RL .
90
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

VZ
 LKT na malha de saída (malha de carga): VZ  RL I L  0  IL  (2)
RL
onde conclui-se que IL depende das variações na carga RL , mas independe das variações na tensão de entrada VS .
VS  VZ V
 LKC no nó (a) e, com os resultados (1) e (2), tem-se: I S  I Z  I L  I Z  I S  I L   Z (3)
RS RL
onde conclui-se que a corrente IZ no zener depende das variações em VS e RL para regular a tensão na carga.
Assim, como VS e RL variam no tempo, pode-se deduzir que a corrente IZ do zener na ruptura atinge em certos
instantes um valor mínimo IZmin e em certos instantes um valor máximo IZmax . Porém, como deve-se ter IZK  IZ  IZM
para o zener exercer sua função regulação de tensão, então tem-se duas condições limites para a operação do circuito:
 IZmin  IZK : ou seja, a corrente mínima no zener não pode ser menor que sua especificação IZK , pois abaixo desse
valor o zener perde a função regulação de tensão ao entrar no corte e funcionar como chave aberta. Com base no
resultado (3) e na Figura 6.23-b, tem-se que a corrente IZ = IS  IL no zener será mínima (IZmin) quando IS é mínima
(ISmin), ou seja, quando VS = VSmin , e IL é máxima (ILmax), ou seja, quando RL = RLmin , o que resulta na condição:
V  VZ VZ
I Z min  I ZK  I Z min  I S min  I L max  I ZK   S min   I ZK (6.10)
RS RL min
 IZmax  IZM : ou seja, a corrente máxima no zener não pode ultrapassar sua especificação IZM , pois acima desse
valor o zener se queima e resulta em um curto ou em um circuito aberto. Com base novamente no resultado (3) e
na Figura 6.23-b, tem-se então que a corrente IZ = IS  IL no zener será máxima (IZmax) quando IS é máxima (ISmax),
ou seja, quando VS = VSmax , e IL é mínima (ILmin), ou seja, quando RL = RLmax , o que resulta na condição:
VS max  VZ VZ
I Z max  I ZM  I Z max  I S max  I L min  I ZM     I ZM (6.11)
RS RL max
Exercício 9: Deseja-se construir um regulador de tensão com zener com entrada VS = 10  10% V, de modo a suprir
em 5 V uma carga RL que pode funcionar a vazio ou consumir uma potência máxima de 0,6 W. Para isso, dispõe-se de
um diodo zener cujas especificações na ruptura são: VZ = 5 V e PZM = 2 W. Determine a faixa de valores dentro da
qual deverá ser escolhido o resistor RS para que o zener efetivamente mantenha a tensão na carga RL em 5 V.
Solução
 Especificações da carga RL do circuito:
 Operação a vazio: RLmax     ILmin = 0 A
PL max 0,6
 PL max  0,6 W  PL max  VL I L max  VZ I L max   I L max    0,12 A
VZ 5
 Especificações do zener a ser empregado como regulador de tensão:
 IZM : PZM  2 W  VZ I ZM   I ZM  PZM / VZ  2 / 5  0, 4 A
 IZK : como mencionado anteriormente, pode-se estimar IZK na prática adotando-se um valor entre 10 e 20% da
especificação IZM . Adotando-se, como exemplo, IZK igual a 10% de IZM , tem-se então que: IZK = 0,04 A.
 Especificações da fonte de entrada VS do circuito: VS = 10  10% V   VSmin = 9 V e VSmax = 11 V
 Para o zener efetivamente manter a tensão na carga RL em 5 V, o resistor RS deve então ser dimensionado tal que
as duas condições para o zener executar sua função regulação de tensão sejam satisfeitas. Desse modo:
 Da condição IZmin = ISmin  ILmax  IZK , tem-se então que:
VS min  VZ 9 5
 I L max  I ZK   0,12  0,04   RS  25 Ω
RS RS
 Da condição IZmax = ISmax  ILmin  IZM , tem-se então que:
VS max  VZ 11  5
 I L min  I ZM   0  0,4   RS  15 Ω
RS RS
 Logo, deve-se escolher um resistor na faixa 15  RS  25 , pois se RS for menor que 15 , o zener pode vir a se
danificar e, se maior que 25 , o zener pode vir a operar em seu modo corte e perder a função regulação de tensão.

Exercício 10: Para o regulador com zener, sabe-se que a corrente máxima atingida pela fonte VS (ISmax) é menor que o
parâmetro IZM do zener empregado, isto é, ISmax < IZM . Que conclusão pode-se obter com relação à carga RL ?
Solução
Da condição ISmax  ILmin  IZM (caso limite para o zener não se queimar) tem-se que, como ISmax < IZM , então,
mesmo se a corrente mínima na carga (ILmin) for nula, a corrente máxima no zener não poderá atingir seu limite IZM .
Desse modo, se ILmin pode ser nula então RL pode ser infinita, isto é, a carga pode operar a vazio (em aberto) que o
zener não terá ultrapassada a sua especificação máxima de corrente (IZM). Esta situação consitui-se em uma condição
de projeto desejável para o circuito regulador de tensão, pois propicia segurança em uma eventual abertura da carga.
91
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.4.2) COMPONENTES OPTOELETRÔNICOS

Optoeletrônica é vista como a tecnologia de materiais e componentes que associa a óptica com a eletrônica para
o aproveitamento de mecanismos de conversão de energia elétrica em energia luminosa, e vice-versa. Os dispositivos
construídos para este fim, denominados componentes optoeletrônicos, são baseados em dois efeitos da matéria:
 Eletroluminescência: consiste no mecanismo de conversão de energia elétrica em radiação eletromagnética (energia
luminosa). Exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito são os diodos emissores de luz (LED’s) e o laser.
 Efeito Fotovoltaico: consiste no mecanismo de conversão de energia luminosa em energia elétrica (ou seja, inverso à
Eletroluminescência), sendo o fotodiodo e a célula solar exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito.
Dispositivos optoeletrônicos com mecanismos inversos podem também ser associados para se estabelecer um
acoplamento ótico na obtenção dos chamados optoacopladores. Alguns destes dispositivos são então vistos a seguir.

6.4.2.1) Diodos emissores de luz

Como visto no estudo do cristal PN em condução abordado no Capítulo 5, a corrente direta consiste na injeção
de minoritários em cada substrato do cristal e, por exemplo, quando elétrons livres do lado N são injetados no lado P,
estes podem facilmente se recombinar com lacunas do substrato P e emitir o excesso de energia na forma de radiação
na passagem da banda de condução para a banda de valência (Figura 6.24-a). Como silício e germânio são materiais
opacos à luz, esta energia emitida é então absorvida na forma de calor em diodos baseados nestes materiais. Contudo,
os chamados diodos emissores de luz, ou LED’s (Light-Emitting Diode), são cristais PN construídos com base em
semicondutores de comportamento translúcido (transparente) a estas radiações e, desse modo, permitem que grande
parte do espectro da radiação emitida por recombinações elétrons-lacunas se propague para o meio exterior ao cristal.
Logo, para os LED`s realizarem sua finalidade específica de produzir luz utilizável, estes devem ser levados ao
modo condução e, desse modo, são empregados apenas em circuitos CC. Como quanto maior a corrente direta, maior
a quantidade de minoritários injetados e maior a taxa de recombinação, então a intensidade da luz emitida pelo LED é
proporcional à corrente direta. Além disso, como a energia da radiação é proporcional à frequência (Ef = h f) então,
com base na Figura 6.24-a, observa-se que a energia da radiação emitida por um LED, e portanto sua cor, depende
basicamente do gap (EG), resultando em LED’s distintos por cor de luz, variando do infra-vermelho (pequeno gap) ao
ultra-violeta (grande gap), sendo a faixa espectral emitida bastante estreita (mas não monocromática como no laser).
Os LED's de luz infra-vermelha utilizam arsenieto de gálio que, dopado com fósforo, resultam nos LED's de luz
vermelha e amarela. Os LED's de luz verde utilizam fosfeto de gálio com dopagem de nitrogênio e nos de cor azul e
violeta o nitreto de gálio. Nos LED's de luz branca empregam-se nitreto de gálio de cor ultra-violeta revestido com
camada de material fluorescente, ou associação de LED's com as três cores primárias de luz (vermelho, verde a azul).
A Figura 6.24-b mostra os símbolos esquemáticos do LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiação, e
algumas de suas aparências mais comuns são apresentadas na Figura 6.24-c. Exemplos de LED’s comerciais bastante
utilizados são as séries TIL da Texas Instrument (exemplo: TIL221), série CQV (Philips) e série LD (Icotron).
A característica I-V dos LED`s é similar ao do diodo comum, apresentando tensão de limiar típica em torno de
1,2 a 3 V, potências máximas até 0,2 W, correntes máximas até 150 mA e pequena tensão reversa de ruptura (5 V).
Similar aos demais diodos, um LED não consegue limitar sua corrente sozinho e, desse modo, uma resistência deve
ser utilizada para proteger o LED de sua especificação de corrente máxima (circuito exemplo na Figura 6.24-d).
Os LED’s apresentam diversas vantagens como baixa potência, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.
LED’s infra-vermelhos são usados em sistemas onde exige-se luz não visível, tais como sistemas de controle, alarmes
e sensores de presença. Os de luz visível são empregados em equipamentos para indicar avisos luminosos, níveis de
intensidade, indicadores de 7 segmentos (Figura 6.24-e) e lâmpada e luminárias (Figura 6.24-f), bem como em telas
de TV e de computadores, que apresentam vantagens como tamanho reduzido, elevada vida útil e baixo consumo.
O chamado LED laser (aparência na Figura 6.24-g), constitui-se de um cristal PN com faces paralelas polidas
para funcionar como uma cavidade óptica e produzir luz coerente, sendo comumente empregados em dispositivos e
equipamentos de leitura e armazenamento, bem como sistemas de comunicação de alta velocidade (fibras óticas).

energia P N
+VS
Eapl
BC R
EG
radiação
BV emitida
A K
bicolor RGB
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g)

Figura 6.24: Diodo emissor de luz: (a) mecanismo de emissão; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências
diversas; (d) circuito de polarização; (e) mostrador de 7 segmentos; (f) lâmpadas de LED; (g) diodo laser.

92
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Exercício 11: Para o circuito e característica I-V linearizada do LED empregado a seguir, sabe-se que a especificação
de corrente direta máxima do LED é 100 mA. Determine a faixa de valores do resistor R para que o LED emita luz.
modo condução
ID (mA) ID (mA) A
50  modo corte 1,5 V
80 A 80 ID
R 9
9V LED VD
K
K
0 R f  0, 72 / 0, 08  9 
1,5 2,22 VD (V) 0 1,5 2,22 VD (V)
Solução
Como visto, o LED emite luz quando em modo condução e, desse modo, deve-se satisfazer ID > 0. Além disso,
a corrente no LED não deve ultrapassar sua especificação de corrente máxima, ou seja, tem-se também que ID  0,1 A.
Assim, a solução do problema consiste em obter a faixa de valores para o resistor R tal que: 0 < ID  0,1 A. Assim,
substiuindo-se o modelo fornecido para o LED no modo condução, obtém-se o circuito abaixo e tem-se que:
 LKC no nó (a): I1 = ID + I2 (1) (a)
 Aplicando LKT na malha (A) e com o resultado (1), tem-se:
50  I1 ID I2
9  50 I1  1,5  9 I D  0  9  50  I D  I 2   1,5  9 I D  0 A
 59 I D  50 I 2  7,5 (2) 1,5 V R
9V
9 I D  1,5 9
 LKT na malha (B): 9 I D  1,5  R I 2  0   I 2  (3) A
R K B
 Aplicando o resultado (3) no resultado (2), tem-se que:

59 I D  50 I 2  7,5  59 I D  50
 9 I D  1,5  7,5   I  7,5 R  75
59 R  450
D
R
7,5 R  75
 Para a condição ID > 0, tem-se:  0  7,5 R  75  0   R > 10 Ω
59 R  450
pois, como R > 0 (não existe resistor de valor negativo), então o denominador da fração é sempre positivo.
7,5 R  75
 Para a condição ID  0,1 A, tem-se:  0,1  7,5 R  75  5,9 R  45   R  75 Ω
59 R  450
 Interpretação: o nó (a) do circuito consiste em um divisor de corrente para o paralelo entre o LED e o resistor R.
Logo, se R < 10 , então o resistor R desvia toda a corrente da fonte (I1) e não permite que o LED entre em modo
condução (LED apaga) e, se R > 75 , então a corrente desviada para o LED é suficiente para fazê-lo queimar.

6.4.2.2) Fotodiodo e célula fotovoltaica

Como estudado no Capítulo 5, a corrente reversa em um cristal PN é formada por portadores minoritários e a
incidência de energia em um semicondutor, por exemplo luminosa, pode acarretar em quebras de ligações covalentes
e a criação de pares elétron-lacuna, o que ocasiona um aumento relevante na concentração de minoritários, mas não de
majoritários. Logo, conclui-se que o valor da corrente reversa em um cristal PN pode ser controlada pela intensidade
da luz incidente no cristal, o que pode ser empregado em um dispositivo tipo fotodetetor denominado fotodiodo.
O fotodiodo constituí-se em um componente sensor de luminosidade formado por um invólucro contendo um
cristal PN e uma janela transparente (Figura 6.25-a) para possibilitar a incidência de energia luminosa no cristal e a
produção de minoritários em excesso aos gerados por energia térmica. A luz é incidida diretamente sobre a região da
junção PN do cristal, pelo fato dos minoritários gerados distante da junção apresentarem maior probabilidade de se
recombinarem antes de conseguirem atravessar região de depleção e alcançar o outro substrato. Como a sensibilidade
à luz indicente para a criação de pares elétron-lacuna é dependente do gap de energia entre as bandas de valência e de
condução, então o fotodiodo constitui-se em um dispositivo seletivo de frequência similar ao fotorresistor.
A Figura 6.25-b apresenta alguns símbolos esquemáticos do fotodiodo, onde as setas simbolizam o sentido da
radiação, e a Figura 6.25-c mostra a aparência comercial destes dispositivos. A Figura 6.25-d exemplifica um circuito
de polarização reversa de um fotodiodo, onde um resistor R deve ser usado para limitar a corrente no dispositivo.
Na Figura 6.25-e é exemplificada a característica I-V típica de um fotodiodo, situada no 3º quadrante devido à
polarização reversa. O parâmetro L (W/cm2) refere-se à densidade de energia luminosa incidente e o comportamento
quase constante da corrente reversa em relação à tensão aplicada deve-se à foto-geração limitada de portadores livres.
O estabelecimento de uma reta de carga na característica I-V do fotodiodo (Figura 6.25-e) permite observar o efeito
detetor de luz, onde a corrente reversa é controlada proporcionalmente à quantidade de radiação incidente.
Os materiais normalmente empregados para a construção de fotodiodos são germânio, silício e selênio, sendo a
corrente reversa típica da ordem de até dezenas de A. Os fotodiodos são empregados em diversas aplicações, tais
como sensor de luz em chaves e controles ópticos, bem como sistemas de comunicação digitais por fibra ótica.
93
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

ID (A)
+VS
janela A L3 > L2 > L1 > Lo potencial
R fotovoltaico
P Lo = 0 W/cm2
luz
N 0 VD (V)
L1
invólucro K L2 reta de
opaco L3 carga
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 6.25: Fotodiodo: (a) aspectos, (b) símbolos, (c) aparências, (d) polarização, (e) característica I-V.
Na Figura 6.25-e observa-se também que a corrente reversa no cristal PN sob iluminamento não se reduz a zero
quando a tensão aplicada é nula (VD = 0), ou seja, quando os terminais são curto-circuitados. Isto decorre pelo fato dos
minoritários foto-gerados em cada região poderem migrar para o outro lado devido ao campo elétrico acelerante da
camada de depleção, e continuarem a produzir uma corrente exteriormente ao cristal. Logo, para reduzir a corrente no
cristal sob iluminamento a zero (ID = 0), deve-se aplicar uma tensão direta (VD > 0), o que é equivalente a abrir os
terminais do cristal. Como resultado, observa-se uma tensão elétrica os terminais do cristal em aberto, denominada
potencial fotovoltaico (Figura 6.25-e), devido ao efeito separação de cargas de sinais contrários causada por migração
de minoritários foto-gerados através da junção. Como na região da característica (4º quadrante), corrente e tensão tem
mesmo sentido, o cristal PN sob iluminamento se comporta então fisicamente como uma fonte de tensão. Assim, com
a conexão de uma carga nos terminais do cristal, tem-se a produção de corrente elétrica na carga, o que constitui-se na
conversão da energia luminosa em elétrica, ou seja, o cristal PN sob luz opera como um gerador de energia elétrica.
Este mecanismo de conversão de energia, denominado efeito fotovoltaico, originou um dispositivo conversor
fotoelétrico chamado célula fotovoltaica, ou célula solar, que emprega luz ambiente como fonte de energia primária
para a produção de eletricidade. A Figura 6.26-a mostra o esquema construtivo de uma célula fotovoltaica, constituída
por um cristal PN formado por uma estreita camada de material tipo N sobre um substrato P, de modo a permitir que a
maior parte da radiação incidente no substrato N consiga atingir a região próxima à junção PN e o substrato P.
A Figura 6.26-b mostra a característica I-V típica de uma célula solar para alguns níveis de radiação incidente,
onde VV é definida como a tensão em seus terminais e IV a corrente resultante da conexão de uma carga RL em seus
terminais (Figura 6.26-a). A potência PV de saída da célula solar será dada então por: PV = VV IV , e observa-se que, se
VV = 0 (terminais em curto), então PV = 0, e se IV = 0 (terminais em aberto), então PV = 0, ou seja, a potência é nula
para os valores extremos de carga. Desse modo, pode-se determinar um ponto de máximo fornecimento de potência
da célula solar para uma determinada radiação incidente, usualmente definido por uma reta de carga (Figura 6.26-b).
As células solares (símbolos esquemáticos na Figura 6.26-c e aparência na Figura 6.26-d) são em sua maioria
fabricadas empregando o silício como material base e produzem um potencial fotovoltaico típico em torno de 0,6 V.
As tecnologias atuais para a construção de células baseadas no silício são classificadas basicamente em três tipos:
 Silício monocristalino: é a tecnologia historicamente mais utilizada, pelo fato de sua fabricação ser processo bem
constituído. As células desse tipo são, em geral, as que apresentam as maiores eficiências, podendo atingir 18%.
 Silício policristalino: esta tecnologia apresenta eficiência (13%) inferior às células de silício monocristalino, sendo
contudo mais baratas por exigirem um processo de fabricação menos rigoroso e de custo mais reduzido.
 Silício amorfo: difere das demais por apresentar alto grau de desordem na estrutura dos átomos e baixa eficiência
na conversão de energia comparada aos outros tipos (7%), que ainda se reduz ao longo da vida útil. Contudo, seu
processo de fabricação é o mais simples e barato, além de possibilitar a fabricação de placas com grandes áreas.
Células fotovoltaicas, e o conjunto destas (baterias solares), são empregadas como fonte de energia em satélites,
calculadoras, carregadores de baterias, geradores de energia em locais de difícil acesso à rede elétrica, proteção contra
corrosão catódica, sinalização, sensores de monitoramento, estações repetidoras de telecomunicação, etc.
radiação L3 > L2 > L1
grade metálica IV (A) PV (W)
ponto de
L3 máxima
2,0
potência
VV L2
camada e+ N RL 1,5
E L1 reta de
de 1,0 carga
depleção e- P L=0
IV
base metálica 0  0,6 VV (V)
(a) (b) (c) (d)

Figura 6.26: Célula fotovoltaica: (a) aspectos construtivos, (b) característica corrente-tensão e ponto de máxima
transferência de potência; (c) símbolos esquemáticos; (d) aparência comercial de um conjunto (bateria solar).

94
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

6.4.2.3) Optoacopladores

Os chamados optoacopladores são dispositivos construídos com a associação de um componente emissor de luz
e um fotodetetor em um mesmo invólucro, empregado para acoplamentos entre circuitos elétricos distintos por meio
de um sinal ótico. Logo, pode-se obter uma isolação elétrica entre os circuitos, pois o único contato entre os mesmos é
um feixe de luz e, desse modo, é possível controlar um circuito de alta tensão e potência (circuito de saída conectado
ao fotodetetor), por um circuito de tensão e potência comparativamente menor (circuito de entrada ligado ao emissor).
O optoacoplador de diodos (símbolo na Figura 6.27-a e aparências na Figura 6.27-b) é um dispositivo formado
por um LED (usualmente infra-vermelho) no lado de entrada e um fotodiodo no lado de saída. A Figura 6.27-c mostra
o esquema simplificado de circuito fotocontrolado com um optoacoplador de diodos, onde a tensão de saída é dada
por: VSAÍDA = V2  R2 I2. Assim, qualquer alteração na luz emitida pelo LED por meio de I1 no circuito de controle,
atingirá o fotodiodo e o fará estabelecer no circuito controlado uma mudança em VSAIDA via alteração da corrente I2 .

R1 I1 I2 R2
VENT VSAIDA
V1 V2

circuito de entrada (controle) circuito de saída (controlado)


(a) (b) (c)

Figura 6.27: Optoacoplador LED-fotodiodo: (a) símbolo esquemático; (b) aparências; (c) circuito-exemplo.

6.4.3) DIODO SCHOTTKY

O chamado diodo Schottky (símbolo na Figura 6.28-a) constitui-se de uma junção metal-semicondutor formado
por um substrato metálico (alumínio, ouro ou prata) e um substrato semicondutor (silício ou arsenieto de gálio) tipo N
pouco dopado (Figura 6.28-b). Este tipo de junção também apresenta
uma característica retificadora, em conseqüência de uma barreira de A semicond. K
potencial chamada barreira de Schottky, ocasionada pela diferença de metal
tipo N
concentrações de portadores entre o metal e o semicondutor. Neste
caso, o efeito acúmulo de carga da injeção de minoritários em cada junção
substrato é inexistente, pelo fato dos dois substratos só possuirem
elétrons livres como portadores majoritários e, desse modo, o tempo (a) (b)
de recuperação reversa deste diodo se resume ao de transição. Assim,
Figura 6.28: Diodo Schottky: (a) símbolo
o diodo schottky caracteriza-se por apresentar uma rápida comutação
esquemático; (b) estrutura física.
ON-OFF, com tempos de recuperação reversa de ordem inferior a ns,
possibilitando então sua aplicação em circuitos que trabalham com sinais elétricos de elevada frequência, tais como
microprocessadores, bem como em retificadores de pequenos sinais e freqüências da ordem de até 300 MHz.

6.4.4) VARICAP

Como visto no Capítulo 5, o cristal PN apresenta duas regiões com portadores majoritários de sinais contrários
(elétrons livres e lacunas), separadas por uma camada ausente de cargas livres (região de depleção). Pode-se entender
então que os substratos P e N do cristal PN comportam-se como placas carregadas com cargas de sinais contrários,
com a região de depleção desempenhando a função de material dielétrico entre os substratos, o que define um efeito
capacitivo chamado capacitância de transição ou de junção (Figura 6.29-a), comum a todos os cristais PN.
Com base na Figura 6.29-a observa-se que a capacitância de transição de um cristal PN (CT) pode ser definida
por: CT =  A/W, onde W é a largura da região de depleção, A é a área da junção e  é a permissividade dielétrica do
semicondutor. Como uma das consequências da polarização reversa em um cristal PN, vista no Capítulo 5, reside no
aumento da largura W da camada de depleção com o aumento da tensão reversa, tem-se então que a capacitância de
transição pode ser ajustada de forma inversa pela tensão reversa aplicada ao cristal (Figura 6.29-b). Conclui-se então
que o cristal PN pode se comportar como um capacitor variável, cuja capacitância resultante em seus terminais se
ajusta automaticamente com a tensão reversa aplicada, sem precisar de movimentos mecânicos entre placas metálicas.
O comportamento de capacitância controlada por tensão é empregado na construção de um diodo de finalidade
específica chamado varicap, varactor, epicap ou diodo de sintonia (símbolo esquemático na Figura 6.29-c e aparências
na Figura 6.29-d), que apresenta fatores construtivos como grande área de junção e nível de dopagem especificamente
dimensionado para maximizar o efeito da capacitância de transição. O varicap é largamente empregado na montagem
dos chamados circuitos tanques ressonantes (princípio que baseia a sintonia de um sinal de onda eletromagnética)
para a recepção de sinais em aparelhos como rádios, TV’s, celulares e outros equipamentos de telecomunicação.
95
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

P W N
CT (F)

A

cargas dielétrico cargas 0 tensão reversa (V)


armazenadas armazenadas
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.29: (a) Esquema da capacitância de transição em um cristal PN; (b) variação da capacitância de
transição com a tensão reversa aplicada; varicap: (c) símbolo esquemático, (d) aparências comerciais.

6.4.5) VARISTORES

Descargas atmosféricas e chaveamento de cargas indutivas podem causar perturbações transitórias, tais como
sobretensões rápidas chamadas surtos de tensão, e danificar equipamentos mais sensíveis. Assim, é comum o emprego
de supressores de surtos em redes elétricas e nos mais diversos equipamentos para reduzir ou eliminar este problema.
Os chamados varistores (símbolo na Figura 6.30-a e aparêncas nas Figuras 6.30-b e c) constituem-se de um tipo
de filtro utilizado em equipamentos para limitar (“grampear”) sinais de tensão a partir de um certo nível, propiciando
então proteção contra sobretensões transitórias
I eventuais provindas da rede elétrica.
O tipo mais comum de varistor são os de
-BV óxidos metálicos (MOV), que são constituídos
BV V por pequenos grânulos de óxido de zinco (ZnO)
orientados randomicamente e sinterizados com
pequena quantidade de outros óxidos metálicos
(cobalto, manganês e bismuto, etc.). Outros
materiais empregados são o dióxido de estanho
sobretensão (SnO2) e dióxido de titânio (TiO2).
O funcionamento do varistor é baseado
(a) (b) (c) (d)
no fato da fronteira entre cada par de grãos de
óxido metálico se comportar como uma junção
Figura 6.30: Varistores: (a) símbolo esquemático; (b) aparências PN, equivalendo-se eletricamente a uma rede
diversas; (c) aparência do tipo alta tensão; (d) característica I-V. de pares de diodos zener em série um de costas
para o outro. Em tensões normais de trabalho aplicadas em seus terminais (eletrodos), o varistor praticamente não
conduz corrente nos dois sentidos, comportando-se como uma chave aberta e permitindo que toda a tensão seja
transferida ao restante do equipamento. Porém, quando atingido o seu limite de grampeamento, o varistor passa a
conduzir intensamente nos dois sentidos devido à ruptura da rede de zeners (causada por uma combinação de efeitos
de emissão termiônica e tunelamento), resultando em um comportamento de chave fechada de baixa resistência.
A Figura 6.30-d mostra a característica I-V típica de um varistor, onde observa-se então que este apresenta um
efeito de ceifamento de picos de tensão quando ultrapassado os seus limites de ruptura. Logo, estes dispositivos são
empregados na proteção de equipamentos de baixa potência (eletrodomésticos, fontes, reatores eletrônicos, no-breaks,
etc.), bem como em subestações para a proteção de alimentadores. Porém, os varistores não provêem proteção contra
sobretensões de longa duração, precisando de sensores de calor para, se necessário, seccionar o equipamento.

6.5) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Para um diodo de junção PN de silício (considerar  = 2) a 20 oC, determinar:
a) A tensão reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturação.
b) A razão, em módulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tensão direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) A corrente direta para as tensões de 0,5 V, 0,6 V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo considerando IS = 10 nA.
d) Se IS = 1 nA, qual será a tensão aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 A ?
e) Se ID = 70 mA quando VD = 0,65 V a 20 oC, qual o valor da corrente de saturação para a temperatura de 50 oC?

Problema 2: Um diodo está funcionando a uma tensão direta de 0,7 V. Qual é a relação entre as correntes máxima e
mínima neste diodo numa gama de temperaturas entre –55 e 100 oC ? Considere  = 2.

Problema 3: Determine a cor emitida por um diodo emissor de luz, cuja energia do gap (EG) é igual a 2 eV.
96
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 4: Para o circuito e segmento de polarização direta da característica I-V do diodo fornecidos, pede-se:
a) Para VS = 6 V, determine o ponto de operação do diodo empregado no circuito.
b) Para VS = 6 V, mede-se a tensão no diodo e obtém-se 1,0 V. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
c) Para VS = 6 V, mede-se a corrente no diodo e obtém-se 200 mA. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
d) Se VS = 5 V, determine o resistor a ser trocado com o de 6  para se ter o mesmo ponto de operação do item a).
ID (mA)
200

30  150

D 6
VS 100

50

Problema 4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)

Problema 5: Montou-se o circuito fornecido e observou-se uma leitura de 5 V no voltímetro. Pergunta-se: há algum
problema no circuito? Se sim, explique um possível causa. Se não, explique o funcionamento do circuito.

Problema 6: Para o circuito fornecido, determine a potência dissipada no diodo D e no resistor de 9 . Considere o
modelo aproximado do real para o diodo, onde: V = 0,5 V , Rf = 5 .

Problema 7: O circuito fornecido apresenta o comportamento de uma porta lógica OR. Pede-se: determine a tensão
de saída Vo para as seguintes entradas V1 e V2: a) V1 = V2 = 5 V ; b) V1 = V2 = 0 V ; c) V1 = 5 V e V2 = 0 V.
Considere o modelo aproximado do real simplificado para os diodos D1 e D2 , onde: V = 0,7 V.
+V1
200 
10  D 1 D D1

9 +V2 +Vo
10  V 4V
10 V 4V 200  D2 4,8 k

Problema 5 Problema 6 Problema 7

Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razão entre os resistores R1 e R2 para que o LED
emita luz. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,6 V.

Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta máxima do LED empregado é 75 mA. Determine a
faixa de valores para o resistor R tal que o LED emita luz e explique o que acontece com o LED se os limites da faixa
forem ultrapassados. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,5 V.

Problema 10: O circuito fornecido é um indicador visual de luminosidade através do brilho de um LED, que emprega
um LDR como sensor de luz. Explique a relação entre a intensidade de luz no LDR e o brilho do LED.

R1 R R

4V LED R2 9V 20  LED VS LED LDR

Problema 8 Problema 9 Problema 10

Problema 11: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rádio (figura dada). Explique o que
acontecerá com o ripple da tensão de saída com relação a: 1) volume do som ; 2) tamanho (potência) dos aparelhos.

Problema 12: O circuito dado é uma aplicação prática de controle de luminosidade ambiente através do emprego de
um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lâmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.

97
CAPÍTULO 6: Dispositivos a junção PN – I: diodos

Problema 13: Para o circuito dado e características I-V linearizadas dos diodos empregados, pede-se:
a) Obtenha o modelo esquemático dos diodos para cada modo de operação e respectivas condições de funcionamento.
b) Enumere as hipóteses existentes para os modos de operação dos diodos e explique quais são as realmente possíveis.
c) Para a entrada vS e saída vL, determine as características de transferência do circuito e respectivas condições.
d) Determine a forma de onda da tensão de saída vL para um sinal de tensão de entrada vS = 15 sen(t) .
ID
diodo D
S1 200 
D D
0 VD
vS 800  vL
vS C 220 V S2 ID
DZ diodo DZ
L
-10
0 VD (V)
Problema 11 Problema 12 Problema 13

Problema 14: A figura dada apresenta duas relações gráficas da variável de saída vo em função da variável de entrada
vS , que expressam a característica de transferência geral de determinados circuitos. Para cada gráfico, pede-se:
a) Determine as equações da característica de transferência e respectivas condições.
b) Com base no valor da declividade das retas (), interprete como o sinal de entrada é refletido na saída.
c) Obtenha a forma de onda da saída vo para uma entrada vS = 10 sen(t).

Problema 15: A figura fornecida mostra a representação de um determinado circuito com didos, onde vS é o sinal de
entrada e as variáveis v1 e v2 são os sinais de saída de interesse do circuito, bem como as equações da característica de
transferência e respectivas condições para a saída v1 e a relação entre as saídas v1 e v2. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o cálculo realizado e o significado da constante a.
b) Desenhe o gráfico da característica de transferência com base nas equações fornecidas.
c) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v1 para o sinal de entrada vS fornecido (forma de onda triangular).
d) Desenhe a forma de onda do sinal de saída v2 para o mesmo sinal de entrada vS fornecido no item d).
vS (V)
vo (V) vo (V) v1  4 se: vS  5 + v1
12

+vS v1  a vS se:  6  vS  5
v  b se: v   6
=-2 =2 1 S + v2 0  2 t
 = - 0,5  = 0,5
0 vS (V) 0 vS (V) v2  v1  3
-12
Problema 14 Problema 15
Problema 16: O circuito dado trata-se de um indicador visual de luminosidade através do brilho de uma lâmpada L,
que emprega um resistor tipo LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fotodiodo para o acoplamento entre
os circuitos. Explique a relação entre a luz incidente no LDR e a intensidade da luz emitida pela lâmpada L.

Problema 17: Deseja-se montar um regulador de tensão com zener para obter 9 V na carga RL (circuito fornecido),
considerando um sinal de entrada VS = 14  2 V. As especificações do zener a ser empregado no circuito são: VZ = 9 V
e PZ = 1,8 W. Adote a regra prática IZK = 10% de IZM e determine a faixa de valores em que deve variar a resistência
de carga RL para que o zener consiga efetivamente regular a tensão de saída em 9 V.

Problema 18: Deseja-se projetar um regulador de tensão com zener para fixar em 12 V a tensão em uma carga RL.
Para isso, será necessário o emprego de dois zeners em série (figura dada), com as seguintes especificações:
 Zener DZ1 : VZ = 8 V , IZK = 20 mA , IZM = 200 mA ;  Zener DZ2 : VZ = 4 V , IZK = 30 mA , IZM = 250 mA
A variação da resistência de carga é dada por: RL = 200   50%. Determine a faixa de tensão de entrada VS para que
os zeners consigam efetivamente regular a tensão de saída em 12 V . Explique o cálculo realizado.

60  30 
R L DZ1
LDR VS DZ RL VS RL
V1 V2
DZ2

Problema 16 Problema 17 Problema 18

98
CAPÍTULO 7: DISPOSITIVOS A JUNÇÃO PN - II: TBJ
Similar aos diodos a vácuo, os chamados triodos o vácuo, genericamente conhecidos como válvulas, consistem
no aproveitamento do efeito da emissão termoiônica para realizar um controle de carga entre placas metálicas. Neste
caso, além da placa emissora (catodo), onde é produzido o efeito termoiônico, e da
emissor ou grade coletor ou
placa coletors (anodo), os triodos a vácuo apresentam uma terceira placa, chamada catodo anodo
grade, caracterizada pela presença de furos para a retirada de apenas uma pequena
parcela dos elétrons emitidos pelo catodo e permitir à maior parte destes elétrons
alcançar o anodo (Figura 7.1). Isso propicia um controle de corrente entre as placas, e–
denominado efeito transístor, e proporciona um elevado ganho de corrente entre a
corrente do catodo para o anodo e a relativamente pequena corrente da grade, o que calor
pode ser utilizado para se produzir um efeito amplificador de sinais, bem como um
comportamento ativo de chave liga-desliga controlada por corrente. K G A
O chamado transistor bipolar de junção, genericamente conhecido como TBJ
ou BJT, é um triodo semicondutor desenvolvido nos Laboratórios Bell em 1947, que Figura 7.1: Triodo a vácuo.
substituíram gradativamente as válvulas termoiônicas (pelo fato destas apresentar o inconveniente de consumir muita
energia devido ao efeito termoiônico), bem como tem possibilitado novas inovações teconológicas, tais como diversos
tipos de transistores e os chamados circuitos integrados. Com isso, praticamente todos os equipamentos eletrônicos
projetados e construídos atualmente fazem largo emprego destes componentes semicondutores em seus circuitos.
Este capítulo visa realizar um breve estudo sobre o funcionamento e a análise CC de circuitos com TBJs.

7.1) ASPECTOS GERAIS


O transistor bipolar de junção, ou TBJ, é um cristal semicondutor formado por três substratos, denominados
emissor (cujo terminal pode ser indicado por E), base (B) e coletor (C), que desempenham funções similares à das
placas do triodo a vácuo, necessitando então apresentar diferentes aspectos físicos, descritos a seguir (Figura 7.2-a):
 Emissor: é o substrato mais densamente dopado dos três devido à sua função como fornecedor dos portadores de
carga livres necessários ao funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermediário entre os substratos base e coletor.
 Base: é o substrato de menor dopagem e menor dimensão dos três, devido à sua função residir em recolher apenas
uma pequena quantidade dos portadores livres injetados pelo emissor, permitindo que a maioria alcance o coletor.
 Coletor: tem a função de recolher a maioria dos portadores livres da base vindos do emissor. Apresenta dopagem
intermediária entre o emissor e a base, bem como o maior tamanho por disipar mais calor que os outros substratos.
Além disso, para obter-se o efeito transistor (controle de corrente por corrente), é necessária a formação de duas
junções PN com os substratos, denominadas junção emissor-base ou JE e junção coletor-base ou JC (Figura 7.2-a), o
que implica em duas combinações possíveis entre cristais P e N e resulta em duas famílias de TBJ's (Figura 7.2-a):
 TBJ NPN: constituído por um substrato tipo P (base) entre dois substratos tipo N (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor tipo N é o responsável por fornecer portadores livres aos outros substratos para o devido
funcionamento do TBJ, então as correntes no TBJ NPN serão formadas majoritariamente por elétrons livres.
 TBJ PNP: constituído por um substrato tipo N (base) entre dois substratos tipo P (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor é do tipo P, as correntes no TBJ PNP serão formadas majoritariamente por lacunas.
Logo, cada junção PN apresenta uma camada de depleção em sua proximidade, chamadas emissor-base, ou EB,
e coletor-base, ou CB (Figura 7.2-b). Como quanto mais dopado um material, menor a camada de depleção em seu
meio, a largura da região EB é menor que a CB pelo fato do emissor ser o substrato de maior dopagem (Figura 7.2-b).
A presença de duas junções PN permite então entender o TBJ como um dispositivo constituído por dois cristais
PN entre o terminal da base e os terminais emissor e coletor, o que define os dois diodos do TBJ (Figura 7.2-a):
 Diodo emissor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do emissor (E) e da base (B).
 Diodo coletor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do coletor (C) e da base (B).
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
E N P N C E N P N C

P N P P N P
JE JC camada de depleção camada de depleção
diodo diodo emissor-base (EB) coletor-base (CB)
emissor B coletor B
(a) (b)

Figura 7.2: Constituição física e nomenclaturas do TBJ: (a) substratos e diodos; (b) camadas de depleção.

99
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Tal como nos diodos, os TBJs de silício são mais amplamente empregados que os de germânio, por oferecerem
especificações de tensão e corrente mais elevadas, menor sensibilidade à temperatura e menores correntes reversas,
razão pela qual a teoria abordada neste capítulo limitar-se ao estudo de transistores bipolares de junção de silício.
Os símbolos esquemáticos dos transistores bipolares de junção apresentam uma seta que identifica o terminal
emissor e define o sentido da corrente neste terminal quando o TBJ opera em funcionamento normal. No caso do TBJ
NPN, a seta aponta para fora no símbolo (Figura 7.3-a), pelo fato do substrato emissor tipo N injetar elétrons livres
(majoritários) na base quando o diodo emissor se encontra em condução, o que corresponde a uma corrente de direção
contrária no sentido convencional (das cargas positivas). No caso do TBJ PNP, a seta aponta para dentro no símbolo
(Figura 7.3-b) pelo fato do substrato emissor tipo P injetar lacunas (majoritários) na base e, sendo lacunas portadores
de carga positiva, a direção da corrente no terminal emissor já corresponde ao sentido convencional.
Como os substratos do transistor bipolar de junção disponibilizam três terminais, este dispositivo apresenta seis
variáveis (três correntes e três tensões) acessíveis em seus terminais, exemplificadas na Figura 7.3-c, tal que:
a) Correntes de emissor (IE), base (IB) e coletor (IC). Como o substrato emissor tem a função de fornecer os portadores
livres para os outros substratos, tem-se então uma relação matemática básica entre as correntes do TBJ, dada por:
I E  IC  I B (7.1)
b) Tensões entre o coletor e o emissor (VCE ou VEC), entre o coletor e a base (VCB ou VBC) e entre a base e o emissor
(VBE ou VEB). Neste caso, pode-se estabelecer que: VCE =  VEC , VCB =  VBC e VBE =  VEB .
TBJ tipo NPN TBJ tipo PNP
IC IC
terminal coletor (C) terminal coletor (C) VCB VBC
C C
IB B IB B
terminal terminal VCE VEC
base (B) base (B)
VBE E VEB E

terminal emissor (E) terminal emissor (E) IE IE

(a) (b) (c)

Figura 7.3: Símbolos esquemáticos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; (c) variáveis de tensão e corrente do TBJ.
Os TBJ’s NPN e PNP podem ser empregados conjuntamente em circuitos para se obter determinado efeito e a
escolha de qual utilizar para cada aplicação depende da conveniência determinada pelas condições de projeto, sendo
semelhantes as especificações de fabricação de TBJ’s NPN e PNP de mesmo tipo e as diferenças básicas dadas por:
 Sentido positivo de correntes e tensões: como as correntes são formadas por elétrons livres no NPN e lacunas no
PNP, então os sentidos positivos de correntes e tensões no TBJ NPN são opostos aos do PNP (Figura 7.3-c).
 Tempos de comutação: como a mobilidade das lacunas é menor que a dos elétrons livres (Tabela 5.1), então o PNP
normalmente tem comutação mais lenta que o NPN, pois as correntes em seus substratos são formadas por lacunas.
Os TBJ's apresentam diversas aparências e são classificados normalmente em dois grupos quanto à potência
dissipada: de pequeno sinal ( 0,5 W) e de potência (> 0,5 W). Os de potência podem apresentar um encapsulamento
metálico, bem como furos para encaixe em dissipador metálico (geralmente de alumínio) para facilitar a condução de
calor (exemplos na Figura 7.4-a). Em geral, os de maior potência são empregados em estágios finais de circuitos.
A nomenclatura dos TBJ’s de origem norte-americana utiliza a sigla “2N” para a sua codificação (exemplos:
2N2222, 2N3055 e 2N2906) e a européia apresenta uma codificação mais completa, composta por duas letras: 1o letra
(tipo de material): A = germânio, B = silício; 2o letra (emprego básico): C = aplicações gerais e áudio, D = potência e
F = rádio-freqüência (exemplos: tipos NPN: BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495).
TBJs de pequeno sinal TBJs de potência
opção de teste
de diodos

bornes de teste
para identificação
de terminais e tipo
de TBJ
(a) (b)

Figura 7.4: (a) Aparências de alguns de transistores bipolares de junção; (b) multímetro com opções de testes.
Além da capacidade de dissipação, as folhas de dados dos TBJ’s fornecidas pelos fabricantes apresentam ainda
diversas especificações, tais como corrente de coletor máxima (ICM) e ganhos de corrente (onde os TBJ’s de menor
potência geralmente apresentam ganhos maiores devido às suas aplicações mais comuns), bem como limites de tensão
reversa de ruptura entre dois terminais quaisquer do TBJ e correntes reversas entre dois terminais considerando um
terceiro terminal em aberto. Algumas destas especificações dos TBJs serão melhor definidas mais adiante quando do
estudo de circuitos para o levantamento das características I-V apresentadas pelas chamadas configurações do TBJ.
100
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Antes da montagem de circuitos, é comum a realização de testes com os componentes para a identificação de
problemas nos mesmos. No caso dos TBJ's, pode-se fazer uso de medidores especiais para a detecção de ganhos de
correntes baixos, correntes de fuga demasiadas e tensões de ruptura insuficientes, além de outros testes como:
 Por ser um dispositivo polarizado, deve-se identificar os terminais de um TBJ. Neste caso, pode-se utilizar a folha
de dados do componente ou multímetros que disponibilizam bornes de teste (Figura 7.4-b), onde a correta conexão
dos terminais do TBJ nos bornes é indicada pela medição de um ganho de corrente  F (visto adiante) médio.
 A opção de teste de diodos de multímetros (Figura 7.4-b) permite verificar as condições dos diodos do TBJ, por
meio da leitura da tensão de limiar típica de cada diodo. Neste caso, só é possível identificar o terminal da base.
 Outro teste consiste na medição da resistência entre os terminais coletor e emissor, que deve ser da ordem de M,
ou na razão entre as resistências reversa e direta dos diodos emissor e coletor, que deve ser maior que 1000.

7.2) MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ


Como visto anteriormente, o TBJ é constituído pelos diodos emissor e coletor. Logo, baseado na teoria vista no
Capítulo 6, tem-se que cada diodo do TBJ apresenta um valor de limiar V e pode-se polarizar estes diodos em
condução ou corte dependendo da tensão aplicada entre os seus terminais, o que determina comportamentos distintos
para o TBJ. Assim, as quatro combinações possíveis de polarização simultânea dos diodos (esquemas explicativos na
Figura 7.5) definem os quatro modos de operação possíveis para o TBJ (resumo na Tabela 7.1), descritos a seguir:
CORTE OU BLOQUEIO ATIVO DIRETO SATURADO ATIVO REVERSO
E C E C E C E C
N P N N P N N P N N P N

VBE  V B VBC  V VBE > V B VBC  V VBE > V B VBC > V VBE  V B VBC > V

E C E C E C E C
P N P P N P P N P P N P

VEB  V B VCB  V VEB > V B VCB  V VEB > V B VCB > V VEB  V B VCB > V
(a) (b) (c) (d)

Figura 7.5: Esquemas simplificados da polarização dos diodos para a obtenção dos modos de operação do TBJ.
1) MODO CORTE OU BLOQUEIO: este modo de operação é atingido quando ambos os diodos emissor e coletor
do TBJ se encontram polarizados no modo corte, isto é, com tensão entre os terminais dos diodos menor que os
respectivos limiares (Figura 7.5-a), ou mesmo reversas. Logo, o valor das correntes nos terminais do TBJ são da
ordem de correntes reversas de diodos e podem ser consideradas praticamente nulas, tal que: IE = IC = IB  0.
2) ATIVO DIRETO: este modo de operação é alcançado quando o diodo emissor é polarizado em modo condução e
o diodo coletor no corte, isto é, com tensão aplicada entre os terminais do diodo emissor maior que seu nível de
limiar e tensão entre os terminais do diodo coletor menor ou igual ao seu limiar (Figura 7.5-b) ou mesmo reversas.
A Figura 7.6-a ilustra o mecanismo de funcionamento do TBJ no modo ativo direto, exemplificada para o NPN.
Com o diodo emissor em condução, este conduz uma corrente direta formada por elétrons livres (majoritários do
emissor tipo N), resultando em uma corrente no terminal emissor (IE). Ao penetrar na base tipo P, estes elétrons se
tornam minoritários neste substrato e, sendo a base pouco dopada e bastante fina, uma pequena parte dos elétrons
injetados são capturados por recombinação com lacunas da base para formar uma pequena corrente no terminal da
base (IB), permitindo à maioria dos elétrons injetados alcançar o substrato coletor devido ao campo da barreira de
potencial na camada de depleção coletor-base ser acelerante para os minoritários da base (Figura 7.6-a), resultando
na corrente do terminal coletor (IC). Como o diodo coletor está no corte, este conduz corrente reversa formada pela
maioria dos majoritários injetados na base pelo emissor e, desse modo, apesar de ser do tipo reversa, a corrente de
coletor IC é comparável à corrente direta de emissor IE por ser formada por minoritários da base vindos do emissor.
Como conseqüência, tem-se idealmente que, se a corrente direta no diodo emissor aumentar, então a corrente
reversa no diodo coletor também aumenta por esta ser formada por minoritários correspondentes aos majoritários
injetados na base pelo emissor, e vice-versa. Assim, pode-se entender que o TBJ no modo ativo direto apresenta
um efeito de controle ativo de corrente (tipo reversa) por corrente (tipo direta), o que permite a conceituação e
definição dos chamados ganhos de corrente CC do TBJ, vistos adiante no estudo das configurações do TBJ.
A Figura 7.6-b demonstra este mecanismo com base no modelo de bandas de energia. Com o diodo emissor em
condução, elétrons livres do substrato emissor (que formam IE) adquirem energia suficiente para ocupar órbitas
disponíveis na BC da base. Alguns destes elétrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir para
o seu terminal (IB), mas a maior parte apresenta vida média suficiente para alcançar a junção coletor-base, ocupar
101
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

órbitas disponíveis na BC no coletor e fluir para o seu terminal (IC). Como a BC na base tem maior energia que no
coletor, então os elétrons liberam energia na forma de calor ao penetrar no substrato coletor (Figura 7.6-b), sendo
esta a razão para o coletor ser o maior substrato do TBJ, pois este deve ter condições para dissipar o calor liberado.
campos das barreiras de potencial
energia
N P N
E e– C emissor base coletor
e– –
e N P N

VBE VCB liberação


B BC de calor

E C
BV
IE IC
IB JE JC
B
(a) (b)

Figura 7.6: Mecanismo de condução dos modos ativo direto e saturado de um TBJ NPN.
3) SATURADO: este modo de operação é alcançado quando ambos os diodos emissor e coletor do TBJ são polariza-
dos em condução (Figura 7.5-c). Neste caso, como o diodo coletor é também levado à condução, a corrente reversa
no diodo coletor quando no modo ativo direto, passa a sofrer oposição pelo fato do diodo coletor tender também a
conduzir uma corrente direta, resultando na perda do controle da corrente de coletor pela corrente de emissor esta-
belecida no modo ativo direto. Logo, alterações em IE não são mais refletidos integralmente em IC e diz-se então
que o TBJ “saturou”, sendo o motivo para a denominação deste modo de operação. Porém, a corrente de coletor do
TBJ na saturação mantém o mesmo sentido do modo ativo direto pois, para poder inverter seu sentido e conduzir
diretamente, a corrente no diodo coletor precisa antes anular a corrente reversa estabelecida no modo ativo direto.
4) MODO ATIVO REVERSO: este modo de operação é atingido quando o diodo emissor está no corte e o diodo
coletor em condução (Figura 7.5-d). Observa-se então que estas polarizações dos diodos do TBJ são contrárias aos
do modo ativo direto, ou seja, o substrato coletor passa a executar a função do emissor (fornecer portadores para o
TBJ funcionar), e vice-versa. Neste caso, apesar de executar também um efeito controle de corrente, o modo ativo
reverso apresenta ganhos de corrente muito baixos devido às referidas inversões de função, sendo então raramente
empregado (exemplo: certos circuitos de comutação analógica), razão pela qual não será abordado nesta apostila.
As particularidades de funcionamento dos transistores biplares de junção em seus modos de operação resultam
essencialmente em duas aplicações básicas destes dispositivos nos mais diversos tipos de circuitos eletrônicos:
1) Chave liga-desliga: consiste no aproveitamento de um efeito chave controlada propiciado pelos modos saturado
(chave fechada) e corte (chave aberta) do TBJ, que imprime um comportamento variante no tempo para o circuito.
2) Amplificação: consiste no aproveitamento do ganho de corrente propiciado pelo efeito controle de corrente do
modo ativo direto, que possibilita a obtenção de um efeito amplificador de sinais analógicos em um circuito.

Tabela 7.1: Polarizações dos diodos emissor e coletor do TBJ e conseqüentes modos de operação.
DIODOS MODOS DE OPERAÇÃO DO TBJ
DO TBJ Corte ou Bloqueio Ativo Direto Saturado Ativo Reverso
Diodo emissor corte condução condução corte
Diodo coletor corte corte condução condução

7.3) CONFIGURAÇÕES DO TBJ


Dispositivos providos de três terminais, tal como o TBJ,
corrente corrente
necessitam de pelo menos duas malhas para seu funcionamento
de entrada dispositivo de de saída
em um circuito elétrico (Figura 7.7). Neste caso, geralmente uma
das malhas se distingue por conter o terminal do dispositivo que 1 3 terminais 2
conduz a corrente dita de entrada do circuito e a segunda malha ventrada 3 carga
se distingue pelo terminal do dispositivo que conduz a corrente malha de entrada malha de saída
dita de saída do circuito, pelo fato desta corrente alimentar uma
carga (Figura 7.7) ou o restante do circuito. Com isso, a corrente
Figura 7.7: Conjunto de malhas mínimo para a
do terceiro terminal não pode ser classificada como entrada ou
polarização de um dispositivo de três terminais.
saída do circuito pelo fato de pertencer tanto à malha de entrada
quanto à malha de saída do circuito, caracterizando-se então por ser comum aos outros dois terminais (Figura 7.7).
102
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Para o TBJ, como este apresenta um efeito controle de corrente por corrente, a escolha da corrente de entrada
define também a chamada corrente de controle ao determinar o comportamento do TBJ (modos de operação), sendo a
malha de entrada consistindo na chamada malha de controle. A escolha da corrente de saída do TBJ define então a
chamada corrente controlada e a malha de saída consiste na chamada malha controlada. Porém, a corrente de base não
é normalmente utilizada como saída por resultar em um circuito ineficiente ao ter-se uma corrente de entrada (IE ou
IC) controlando uma corrente de saída muito inferior (IB), resultando em ganhos de corrente muito menores que 1,0.
Definidos então os terminais que conduzirão as correntes de entrada e de saída, o terceiro terminal do TBJ, cuja
corrente não pode ser classificada como de controle ou controlada, define as chamadas configurações do TBJ:
1) Configuração base-comum ou BC: a corrente de emissor IE é a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC é a
de saída (controlada), ou seja, o terminal da base é comum às malhas de entrada e saída do circuito. Como IC  IE
então pode-se eventualmente definir a corrente de coletor como entrada e a de emissor como saída do circuito.
2) Configuração emissor-comum ou EC: a corrente de base IB é a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC a
de saída (controlada), ou seja, o terminal do emissor é comum às malhas de entrada e saída do circuito.
3) Configuração coletor-comum ou CC: a corrente de base IB é a de entrada (controle) e a corrente de emissor IC a
de saída (controlada), ou seja, o terminal do coletor é comum às malhas de entrada e saída do circuito.
Como o funcionamento de um TBJ depende apenas de como estão polarizados os seus diodos emissor e coletor,
então os modos de operação do TBJ podem ser alcançados em qualquer das três configurações existentes, que no
entanto distinguem-se pelos ganhos de corrente devido às diferentes composições entre correntes de entrada e saída.
Similarmente ao visto para o diodo, o comportamento do TBJ em seus modos de operação pode ser visualizado
por meio de características I-V, que relacionam variáveis de tensão e corrente mensuráveis em seus terminais. Porém,
como o TBJ apresenta seis parâmetros de estudo (três variáveis de corrente e três de tensão), então os gráficos destas
características I-V se mostram mais complexos e dependem da configuração empregada, do tipo de malha (entrada ou
saída) e da necessidade de se fixar uma terceira variável do TBJ para se estabelecer uma condição de funcionamento
básica. Como mencionado, por ter pouca utilidade prática, o modo ativo reverso não será abordado nestes estudos.
Além disso, as curvas das características I-V do TBJ na região ativa direta apresentam certas particularidades
devido ao chamado efeito Early, visto a seguir, que determina um comportamento um pouco diferente do idealizado.

7.3.1) EFEITO EARLY

Como visto na Figura 7.2-b, o TBJ possui duas regiões de depleção: emissor-base (EB), que compõe o diodo
emissor, e coletor-base (CB), que compõe o diodo coletor. Desse modo, pode-se observar que a largura da base entre
as duas regiões, chamada largura efetiva da base, é a que realmente apresenta portadores de carga livres.
Como visto no Capítulo 5, a largura da camada de depleção praticamente não se altera quando o cristal PN está
em polarização direta, mas aumenta quando este é polarizado reversamente. Supondo um TBJ no modo ativo direto,
isto é, com o diodo emissor no modo condução e o diodo coletor no modo corte, tem-se então que a largura efetiva da
base é basicamente controlada pela tensão reversa no diodo coletor. Este efeito de modulação da largura efetivamente
ocupada pela base, denominado efeito Early, ocasiona quatro alterações no funcionamento idealizado do TBJ:
1) Aumento da corrente de emissor (IE): o estreitamento da largura efetiva da base causa um aumento da concentração
de majoritários neste substrato, o que resulta em um aumento na diferença de concentração entre majoritários da
base e minoritários do emissor. Sendo correntes de difusão proporcionais ao gradiente de concentração e a corrente
de emissor é direta e, portanto, de difusão, então IE aumenta com a elevação da tensão reversa no diodo coletor.
2) Diminuição da corrente de base (IB): a diminuição da largura efetiva da base acarreta em diminuição do caminho
que os portadores injetados na base pelo emissor devem percorrer para atingir o substrato coletor, o que acarreta
em menor possibilidade de recombinação destes portadores e, portanto, na diminuição da corrente da base.
3) Aumento da corrente de coletor (IC): a elevação da corrente de emissor e a dimiuição da corrente da base acarretam
então no aumento da corrente de coletor, que tende a se aproximar ainda mais da corrente de emissor.
4) Ruptura por punch-through: para tensões reversas muito elevadas no diodo coletor, a largura efetiva da base pode
se reduzir praticamente a zero (isto é, as as camadas de depleção se fundem) e causar uma corrente excessivamente
elevada (corrente de ruptura) conhecida como perfuração ou punch-through, resultando na queima do TBJ.
Assim, a ação do efeito Early causa variações nas correntes do TBJ no modo ativo direto (e nos seus ganhos de
corrente), resultando em certa inclinação nas curvas da característica I-V do TBJ na região ativa direta, vistas a seguir.

7.3.2) CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

Para exemplificar o estudo da configuração base-comum, seja o circuito de polarização de um PNP mostrado na
Figura 7.8-a (para o NPN, a análise é análoga), onde observa-se que a corrente de base não participa do efeito controle
pelo fato do terminal da base pertencer às malhas de entrada e de saída. Analisando-se o circuito, tem-se então que:
 A ddp VEB consiste em uma tensão direta no diodo emissor do TBJ. Considerando uma tensão de limiar típica em
torno de 0,5 V para o diodo emissor, tem-se então que, se VEB  0,5 V, então IE = 0 A e o diodo emissor se encontra
no corte e, se VEB > 0,5 V, então IE > 0 A e, desse modo, o diodo emissor se encontra em condução.
103
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

 Similarmente, a ddp VBC é a tensão reversa no diodo coletor, ou seja, como VBC =  VCB, então VCB é a tensão direta
no diodo coletor. Considerando-se um limiar típico VCB = 0,5 V para o diodo coletor, tem-se que, se VBC   0,5 V,
então o diodo coletor se encontra no corte e, se VBC <  0,5 V, o diodo coletor se encontra no modo condução.

VBC3 > VBC2 > VBC1 IC (mA) IE3 > IE2 > IE1
IE E C IC IE IE3
P P
N
região de região
VEB VBC3 saturação IE2 ativa
B
VBC
RE RC direta
VBC2
IB IE1
VC VBC1 ICBO
VE malha de malha de ruptura
IE = 0 A
entrada saída
0 0,5 VEB 0
- 0,5 BVCBO VBC (V)
região de corte
(a) (b) (c)

Figura 7.8: (a) Circuito com TBJ PNP para estudo da configuração base-comum; (b) característica I-V de entrada
em base-comum típica para um PNP; (c) característica I-V de saída em base-comum tipificada para um TBJ PNP.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo sobre as características corrente-tensão
de entrada e saída para o entendimento do funcionamento de um TBJ PNP na configuração base-comum:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de emissor IE e a ddp VEB são nas variáveis
de entrada do TBJ, ou seja, curvas IE x VEB (Figura 7.8-b) residem na característica I-V de entrada em base-comum.
Como mencionado, para o levantamento das característica I-V do TBJ é necessário estabelecer uma condição de
funcionamento básica, o que consiste em manter uma variável na malha de saída em um valor fixo, normalmente a
tensão VBC, para que esta malha não interfira no comportamento das variáveis de entrada do TBJ. Com análise da
Figura 7.8-b, observa-se então que a característica I-V de entrada em base-comum consiste em um conjunto de
curvas para a característica I-V do diodo emissor em polarização direta, o que é consequência do efeito Early pois,
como visto, aumentos na tensão reversa no diodo coletor (VBC) causa aumentos na corrente de emissor IE.
(2) Característica de saída: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VBC no diodo coletor
residem nas variáveis de saída do TBJ, ou seja, curvas IC x VBC constituem-se na característica I-V de saída do TBJ
em base-comum. Similarmente, para a malha de entrada não interfir no comportamento das variáveis de saída do
TBJ, deve-se estabelecer uma condição de funcionamento básica para a malha de entrada, sendo normalmente
adotado a corrente de emissor IE como variável da malha de entrada a ser mantida em um valor fixo (Figura 7.8-c).
Observa-se então que a característica I-V de saída em base-comum constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente IE fixada, onde pode-se distinguir os três modos de operação do TBJ com aplicações práticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região para IE = 0 A (diodo emissor no corte) e VBC   0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo corte de um TBJ (Figura 7.8-c). Neste caso,
a corrente de coletor IC assume um pequeno valor ICBO , chamada corrente reversa de coletor para a base com
o emissor em aberto (Figura 7.8-c), pois IE = 0 A pode ser obtido desconectando-se o terminal emissor do
TBJ. Além disso, a região de corte estende-se até VCB atingir o valor limite BVCBO , chamada tensão de ruptura
entre o coletor e a base com o emissor aberto (Figura 7.8-c), quando o TBJ se queima por punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região onde IE > 0 A (diodo emissor em condução) e VBC   0,5 V (diodo
coletor no corte), que são, como visto, as condições para o modo ativo direto do TBJ (Figura 7.8-c).
Como mencionado, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente, o que permite
a conceituação de um ganho de corrente com a razão entre as correntes de saída e entrada do TBJ, tal que:
IC
F  (7.2)
IE
onde F (ou HFB) é chamado ganho de corrente direta em base-comum. Logo, tem-se que IC = F IE e, como
IC  IE , então F  1 (exemplo: F = 0,995). Este efeito controle de corrente confere ao modo ativo direto do
TBJ em base-comum uma importante aplicabilidade, que consiste em circuitos isoladores chamados “buffer”.
Na Figura 7.8-c observa-se também que as curvas na região ativa direta apresentam uma leve inclinação,
causada pelo Efeito Early pois, como visto, aumentos da tensão reversa no diodo coletor (VBC) faz aumentar a
corrente de coletor IC , que se aproxima de IE (Figura 7.8-c). Conclui-se então que o ganho F não é constante
(aumenta com a tensão reversa no diodo coletor) e, a rigor, a relação IC = F IE só vale pontualmente
(2.3) Modo saturado: corresponde à região da característica em que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, IE > 0 A e VBC <  0,5 V, o que define, como visto, as condições do modo
saturado do TBJ (Figura 7.8-c). Observa-se então que esta região caracteriza-se por decréscimos na corrente
de coletor IC pois, para o diodo coletor também conduzir uma corrente direta, este necessita antes anular a
corrente reversa estabelecida no modo ativo direto. Isto acarreta então na perda do efeito controle de corrente
característico do modo ativo direto, ou seja, a relação IC = F IE não se aplica ao modo saturado do TBJ.
104
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

7.3.3) CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

Para exemplificar o estudo da configuração emissor-comum, seja o circuito de polarização de um NPN dado na
Figura 7.9-a (para o PNP, a análise é análoga), onde observa-se que a corrente de emissor não participa do efeito
controle pelo fato do terminal do emissor pertencer às malhas de entrada e de saída. Com base no circuito, tem-se que:
 Como visto, VBE é a tensão direta no diodo emissor e, desse modo, se VBE  0,5 V então IB = 0 A (pois IE = 0 A) e o
diodo emissor está corte e, se VBE > 0,5 V, então IB > 0 A (pois IE > 0 A) e o diodo emissor está em condução.
 Aplicando LKT no TBJ tem-se que: VCE = VBE  VBC , onde VBC é a tensão direta do diodo coletor. Supondo um
valor típico VBE = 0,7 V para o diodo emissor em condução e uma tensão de limiar típica VBC = 0,5 V para o diodo
coletor, tem-se que: VCE = 0,7  0,5 = 0,2 V. Logo, se VCE  0,2 V, então VBC  0,5 V e o diodo coletor entra no
corte. Para assegurar que o diodo coletor está decididamente no corte, normalmente adota-se VCE  0,3 V e tem-se
então que, se VCE  0,3 V, o diodo coletor entra no corte e, se VCE < 0,3 V, o diodo coletor entra em condução.
VCE3 > VCE2 > VCE1 IC (mA) IB3 > IB2 > IB1
VBC C IC IB
IB IB3 região
B N região de
P VCE RC saturação ativa
N VCE1 IB2
direta
RB VBE E VCE2
IB1
IE VC ICEO
VCE3
malha de malha de IB = 0 A ruptura
VB
entrada saída
0 0,5 VBE 0
0,3 BVCEO VCE (V)
região de corte
(a) (b) (c)

Figura 7.9: (a) Circuito com TBJ NPN para estudo da configuração emissor-comum; (b) característica I-V de
entrada em emissor-comum para o NPN; (c) característica I-V de saída em emissor-comum tipificada para o NPN.
Assim, com base nestas observações, pode-se agora realizar um estudo das características corrente-tensão de
entrada e saída para o entendimento do funcionamento do TBJ NPN em emissor-comum, visto a seguir:
(1) Característica de entrada: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de base IB e a ddp VBE no diodo emissor são
as variáveis de entrada do TBJ, ou seja, curvas IB x VBE constituem-se na característica I-V de entrada do TBJ em
emissor-comum, onde VCE é normalmente fixada como condição de funcionamento básica para a malha de saída.
Na Figura 7.9-b observa-se então que, similar à configuração base-comum, a característica I-V de entrada do TBJ
constitui-se de um conjunto de curvas do diodo emissor em polarização direta para cada VCE fixada, causado pelo
efeito Early pois aumentos em VCE fazem aumentar a polarização reversa do diodo coletor, o que reduz IB .
(2) Característica de saída: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tensão VCE constituem-se nas
variáveis de saída do TBJ NPN e, desse modo, curvas IC x VCE residem na característica I-V de saída do TBJ em
emissor-comum, onde a corrente de base IB é fixada como condição básica para a malha de entrada (Figura 7.9-c).
Similar à configuração BC, observa-se que a característica de saída constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente de base IB fixada, onde distingue-se os três modos de operação do TBJ com aplicações práticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde à região onde IB = 0 A (diodo emissor no corte) e VCE  0,3 V (diodo
coletor no corte), que caracterizam o modo corte do TBJ (Figura 7.9-c). Como IB = 0 A reside em desconectar
o terminal base do circuito, então a corrente do TBJ no corte é definida por um valor ICEO , chamada corrente
reversa de coletor para o emissor com a base em aberto. Além disso, observa-se que a ddp VCE pode se elevar
até um valor limite de ruptura BVCEO , denominada tensão de ruptura entre coletor e emissor com a base em
aberto (Figura 7.9-c), cuja causa deve-se também à ruptura do TBJ devido ao efeito punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde à região da característica onde que IB > 0 A (diodo emissor em condução) e
VCE  0,3 V (diodo coletor no corte), que são, como visto, as condições do modo ativo direto (Figura 7.9-c).
Assim, similar à configuração BC, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente e
pode-se então definir uma relação de ganho entre as correntes de saída IC e de entrada IB do TBJ, tal que:
IC
F  (7.3)
IB
onde  F (CC ou HFE) é chamado ganho de corrente direta em emissor-comum, tal que IC =  F IB . Neste caso,
como IC >> IB então F >> 1 (exemplo:  F = 200). Este alto ganho de corrente confere ao modo ativo direto
do TBJ em emissor-comum uma importante aplicação, que consiste na amplifição de sinais analógicos.
Como os modos de operação do TBJ, como mencionado, independem da configuação adotada, os ganhos
F e  F são dependentes entre si e, aplicando-se as equações (7.2) e (7.3) na relação IE = IC + IB , tem-se:
F F
F  ou F  (7.4)
1  F F  1
105
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Similar à configuração base-comum, na região ativa direta observam-se inclinações para as curvas devido
ao feito Early, pois aumentos em VCE causam aumentos na tensãor reversa do diodo coletor e na corrente de
coletor IC . Logo, o ganho F também não é constante e, a rigor, a relação IC =  F IB só vale pontualmente.
Comparando-se as Figuras 7.8-c e 7.9-c, observa-se também que as inclinações das curvas na região ativa
direta em emissor-comum são mais pronunciadas, ou seja, o ganho  F é mais sensível ao efeito Early que o
ganho F. Como exemplificaçãio desta sensibilidade, supondo um leve aumento no ganho F , de 0,995 para
0,996 (variação de 0,1%) então, com base na equação (7.4), tem-se que o ganho F sofre um aumento de 200
para 250 (variação de 25%). Logo, a especificação de ganho  F apresenta grande tolerância e os projetos com
TBJ’s devem ser desenvolvidos de modo a não depender demais do valor exato deste parâmetro de ganho.
(2.2) Modo saturado: corresponde à região da característica tal que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em condução, ou seja, IB > 0 A e VCE < 0,3 V, o que define as condições para o modo saturado do
TBJ (Figura 7.9-c). Similar ao observado no estudo da configuração base-comum, nesta região observa-se um
decréscimo na corrente de coletor IC devido à tendência do diodo coletor do TBJ em conduzir uma corrente
também direta por estar em condução, o que acarreta na perda do controle de corrente estabelecido no modo
ativo direto. Logo, pode-se concluir que a relação IC = F IB também não se aplica ao modo saturado.

7.3.4) CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM

A identificação do TBJ na configuração coletor-comum se mostra


menos trivial que nas configurações base e emissor-comum, pelo fato de
um circuito de polarização do TBJ não exibir claramente o coletor como
o terminal comum às malhas de entrada e saída, necessitando então da IB
R VBE VC
observação de algumas características do circuito para esta identificação. B
IE Vsaída
Como exemplificação, a Figura 7.10 mostra um circuito simples de
polarização de um TBJ NPN, onde observa-se que o terminal coletor, por VB entrada RE
saída
estar conectado diretamente a uma fonte VC , desempenha uma função de
referência de tensão constante para os terminais base e emissor do TBJ.
Além disso, a ausência de um resistor em série com o terminal do coletor
Figura 7.10: TBJ em coletor-comum.
do TBJ identifica que a carga do circuito está sendo desempenhada pelo
resistor RE conectado ao terminal emissor, ou seja, a corrente de emissor IE está desempenhando a função de corrente
de saída do circuito. Estas duas constatações identificam então um TBJ na configuração coletor-comum.
Como IC  IE , tem-se que as relações de corrente de entrada IB e de saída IE são muito similares das observadas
para o TBJ em emissor-comum e, assim, as características I-V de entrada e saída na configuração coletor-comum são
basicamente as mesmas, sendo normalmente utilizadas também em estudos da configuração em coletor-comum.
Além disso, considerando que IE = IC + IB e, como IC =  F IB dada pela equação (7.3), então a relação de ganho
entre as correntes de saída IE e de entrada IB no modo ativo direto do TBJ em coletor-comum é definida por:
I E    F  1 I B (7.5)
Na Figura 7.10 observa-se também que, como IB é pequena, a queda de tensão em RB é pequena e, a menos da
pequena queda VBE , a tensão VB será quase toda aplicada na saída (Vsaída), o que faz a configuração coletor-comum
apresentar um ganho de tensão (razão entre Vsaída e VB) aproximadamente unitário. Este efeito, denominado “seguidor
do emissor”, é amplamente aplicado no acoplamento entre fontes de sinais e cargas para casamento de impedâncias.

7.4) ANÁLISE CC DE CIRCUITOS COM TBJ


Similar ao realizado com os diodos, na análise CC de circuitos com TBJ’s pode-se utilizar as características I-V
do TBJ fornecidos pelo fabricante e determinar seu ponto de operação com o auxílio do conceito de reta de carga,
bem como empregar modelos esquemáticos lineares dos modos de operação do TBJ, admitir hipóteses para o seu
funcionamento e provar a veracidade da hipótese feita com base em regras pré-estabelecidas. Além disso, os circuitos
com TBJs estudados até aqui empregavam fontes CC distintas para as malhas de entrada e saída para efeito didático, o
que não é uma realidade prática devido ao conceito de linhas de alimentação. Esses assuntos são abordados a seguir.

7.4.1) LINHAS DE ALIMENTAÇÃO

Circuitos eletrônicos geralmente dispõem de apenas uma fonte de tensão CC (retificadores, pilhas, baterias, etc)
para funcionamento e fornecimento de potência aos seus componentes. Com isso, estes circuitos são normalmente
implementados por meio de trilhas condutoras, chamadas linhas de alimentação, para a distribuição de níveis de
tensão ao longo dos estágios do circuito, onde o potencial positivo da fonte CC é distribuído pela chamada linha do
positivo e o potencial de referência de tensão pela chamada linha de referência (Figura 7.11). Além disso, um circuito

106
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

eletrônico pode necessitar também de um nível de tensão negativo, linha do


distribuído pela chamada linha do negativo (Figura 7.11). Assim, positivo
para o fornecimento de potência para um TBJ executar sua função IB IC IE
C E
em um circuito, deve-se prover uma forma de polarizar o TBJ em B B
determinado ponto de operação com a mesma fonte de tensão CC,
E C
tal que esta consiga fornecer tanto a tensão e a corrente de entrada
0 V IE IB IC linha de
quanto a tensão e a corrente de saída do TBJ.
IB IC IE referência
Como exemplo, no caso do TBJ NPN em emissor-comum
ou em coletor-comum, para que os terminais do TBJ conduzam as B
C
B
E

correntes no sentido correto em funcionamento normal, tem-se que


os terminais da base e do coletor do TBJ devem ser conectados à E C
IE IB IC linha do
linha do positivo e o terminal do emissor deve ser ligado à linha de
referência (Figura 7.11). No caso do TBJ PNP, como os sentidos negativo
das correntes são contrárias aos do NPN, o terminal do emissor
Figura 7.11: Esquemas simplificados para a
deve ser então conectado à linha do positivo e os terminais da base
conexão de TBJ’s NPN e PNP entre linhas de
e do coletor levados à linha de referência, de modo a garantir que
alimentação de referência, positivo e negativo.
os sentidos das correntes nos terminais do TBJ também sejam o
correto (Figura 7.11). No caso da linha do negativo, as conexões dos TBJ’s seguem a mesma lógica (Figura 7.11).

7.4.2) RETA DE CARGA

Similar aos diodos, o ponto de operação de um TBJ pode ser identificado com o auxílio da reta de carga do TBJ
e de sua característica I-V de saída. Neste caso, como a característica de saída apresenta infinitas curvas, deve-se
também determinar a corrente de entrada do TBJ para se identificar em qual das curvas está seu ponto de operação.
Seja então o circuito de polarização simplificado de um TBJ NPN dado na Figura 7.12-a e a característica I-V
de saída em emissor-comum do TBJ dada na Figura 7.12-b. O circuito é redesenhado na Figura 7.12-b com a linha do
positivo refletida para os lados de modo visualizar melhor as malhas de entrada e saída do circuito. Logo, tem-se:
VC  VBE
 LKT na malha de entrada: VC  RB I B  VBE  0   IB  (1)
RB
onde normalmente adota-se um VBE típico para determinar IB e a curva da característica em que o TBJ se encontra.
VC  VCE
 LKT na malha de saída: VC  RC I C  VCE  0   IC  (2)
RC
que define a relação entre as variáveis de saída IC e VCE do TBJ e, portanto, a reta de carga do TBJ.
Supondo então que a solução da equação (1) resulte em um valor IB1, traçando-se a reta de carga (equação 2) na
característica I-V de saída obtém-se o ponto de operação Q e os valores ICQ e VCEQ do TBJ definido pela intersecção
da curva referente a IB1 com a reta de carga do TBJ (Figura 7.12-c). Neste caso, observa-se que o TBJ se encontra no
modo ativo direto, onde o ganho de corrente direta em emissor-comum será determinado por:  F = ICQ/IB1.
Similarmente, supondo-se um resultado IB3 para a equação (1), tem-se então o ponto de operação Q’ definido
pela reta de carga e observa-se que o TBJ se encontra no modo saturado, ou ainda, se o resultado da equação (1) for
desprezível (IB  0), tem-se o ponto Q’’ e o modo corte para o TBJ (Figura 7.12-c). Observa-se então que os modos
corte e saturado do TBJ não podem ser atingidos sem que o ponto de operação transite pela região ativa direta.
Assim, conclui-se que o ponto de funcionamento do TBJ “caminha” por meio de retas de carga, onde os modos
de operação podem ser atingidos através da mudança de algum parâmetro do circuito. Como exemplo, na equação (1)
observa-se que o resistor RB controla a corrente de base IB do TBJ e, da equação (2), observa-se que a reta de carga
não depende de RB . Logo, se RB  , então IB  0 e o TBJ se encontra no corte (ponto Q na Figura 7.12-d), e se RB
diminuir gradativamente, então IB aumenta proporcionalmente e o ponto de operação do TBJ passa a transitar pela
região ativa direta, com IB controlando IC , até o TBJ atingir a região de saturação (ponto Q’ na Figura 7.12-d).
linha do reta de carga I IC
+ VC VC IC B3
VC IB3
positivo IC
IB RC Q’ IB2 RC Q’ IB2
RC
RC VCE
Q IB1 IB1
RB RB VBE ICQ
VC malha de malha VC IB = 0 Q’’ IB = 0 Q
linha de entrada de saída 0 0
VCEQ VC VCE VC VCE
referência
(a) (b) (c) (d)

Figura 7.12: Emprego de reta de carga: (a) circuito com TBJ simplicado; (b) circuito redesenhado; (c) pontos de
operação estabelecidos pela reta de carga; (d) controle do ponto de operação do TBJ por meio de alterações em RB.

107
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 1: Para o circuito e característica I-V de saída em emissor-comum dados a seguir, determine o ponto de
operação do TBJ para os casos: a) RB = 3,3 M; b) RB = 5,5 k ; c) RB = 3,3 k. Caso o ponto se encontre na região
ativa direta, determine as demais variáveis do TBJ e os ganhos de corrente direta. Considere um VBE típico de 0,7 V.
IC (mA)
IB = 1 mA
210 3
200
+4V 180 IB = 0,8 mA

150 IB = 0,6 mA
2
RB 20  120
IB = 0,4 mA
90
60 IB = 0,2 mA
30
IB = 0 A 1

0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE (V)
Solução
Substituindo o potencial da linha do positivo por uma fonte de 4 V e
refletindo esta fonte para formar as malhas de entrada e de saída, obtem-se VCB
IC
o circuito da figura ao lado, onde VBE = 0,7 V (dado do problema). Assim: VCE
3,3 IB 20 
 LKT na malha de entrada: 4  RB I B  0,7  0  IB  (1) RB 0,7 V
RB IE
4  VCE 4V
 LKT na malha de saída: 4  20 I C  VCE  0   I C  4 V entrada
20 saída
que consiste então na equação da reta de carga do TBJ no circuito.
 Determinando dois pontos quaisquer para desenhar a reta de carga no gráfico caracterísitca I-V do TBJ, tem-se:
 Para: VCE = 0 V  IC = 200 mA ;  Para: IC = 0 A  VCE = 4 V
 Com base na equação da reta de carga, observa-se que a mesma não depende do valor do resistor RB. Desse modo,
a reta traçada no gráfico da caracterísitca se mantém a mesma para os 3 casos de valor para RB a serem analisados.
a) RB = 3,3 M: da equação (1), tem-se que: IB = 0,001 mA  0 A. Logo, com a intersecção da reta de carga com a
curva da característica I-V referente à corrente de base 0 A, obtém-se o ponto 1 mostrado no gráfico. Conclui-se
então que o TBJ encontra-se no modo corte ou bloqueio, tal que: ICQ  0 A e VCEQ = 4 V.
b) RB = 5,5 k: da equação (1) tem-se que IB = 0,6 mA e obtém-se o ponto 2 visto no gráfico da característica, onde
conclui-se que TBJ se encontra no modo ativo direto, tal que: VCEQ  1,6 V e ICQ  120 mA. Neste caso:
3 3
 Da equação (7.1), tem-se: I E  I C  I B  I CQ  I B  120  10  0,6  10   I E = 120,6 mA
 Aplicando LKT no TBJ, tem-se que: 0,7  VCB  VCE  0   VCB  VCEQ  0,7   VCB = 0,9 V
I CQ 0,120
 Da equação (7.2), tem-se que: F      F  0,995
IE 0,1206
120  103
I CQ
 Da equação (7.3), tem-se que:  F      F  200
IB 0,6  103
ou ainda, da equação (7.4), obtém-se igualmente que:  F   F (1   F )  0,995 (1  0,995)  200
c) RB = 3,3 k: da equação (1) tem-se que IB = 1 mA e obtém-se o ponto 3 mostrado no gráfico da característica.
Neste caso, conclui-se que o TBJ se encontra no modo saturado, tal que: VCEQ  0,2 V e ICQ  190 mA.

7.4.3) MODELOS ESQUEMÁTICOS DO TBJ

Semelhante ao estudo dos diodos, os modelos do TBJ e as regras de prova são baseados na linearização por
partes das características I-V do TBJ. Neste caso, como as características de entrada e saída são distintas, a construção
de modelos para cada modo de operação do TBJ deve compor-se de esquemas parciais obtidos de cada característica,
onde normalmente desconsidera-se o efeito Early para cálculos práticos de circuitos com TBJ. Além disso, como os
modos de operação de um TBJ independem de sua configuração, os modelos e provas podem ser obtidos para uma
determinada configuração e empregada também nas demais. Por fim, como o sentido das correntes e tensões do NPN
é oposto ao do PNP, pode-se construir modelos para o NPN e, com inversão de sentidos, obter-se os modelos do PNP.
Assim, adotando-se as características I-V de entrada e saída do TBJ NPN em emissor-comum como objetos de
análise para a construção de esquemas parciais e modelos gerais dos modos de operação do NPN, seja na Figura 7.13
o gráfico destas características e suas respectivas regiões de operação linearizadas por partes, onde estabelece-se que:
108
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

 Característica I-V de entrada: devido ao efeito Early, esta característica consiste, como visto, de infinitas curvas
da relação IB x VBE do diodo emissor do NPN em polarização direta (Figura 7.9-b). Neste caso, desprezando-se o
efeito Early, pode-se definir uma única curva típica para o diodo emissor em polarização direta e, adotando-se uma
tensão típica VBE = 0,7 V, tem-se a característica I-V de entrada linearizada dada na Figura 7.13, onde nota-se que:
 Região de condução: o esquema parcial para o diodo emissor em condução resulta em uma fonte CC de 0,7 V
entre os terminais base e emissor, conduzindo uma corrente IB qualquer no terminal da base (Figura 7.13);
 Região de corte: o esquema parcial do diodo emissor no corte resulta em uma chave aberta entre os terminais
base-emissor do diodo, que apresenta uma tensão VBE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
 Característica I-V de saída: como visto anteriormente, esta característica consiste de infinitas curvas da relação
IC x VCE , que mostram o comportamento das regiões saturação, ativo direto e corte do TBJ NPN (Figura 7.9-c).
Neste caso, como IC é desprezível na região de corte, pode-se adotar um valor nulo para IC no modo corte e, como
VCE é bem pequena na região de saturação (VCE < 0,3 V), pode-se adotar um valor nulo para VCE no modo saturado.
Além disso, deprezando-se o efeito Early, tem-se que as inclinações das curvas da região ativa direta são nulas, o
que implica em ganhos F e  F fixos e correntes IC constantes e independentes de VCE no modo ativo direto. Estas
considerações resultam na característica I-V de saída linearizada dada na Figura 7.13, onde observa-se que:
 Região de corte: o esquema parcial para o comportamento do NPN no corte constitui-se de uma chave aberta
entre os terminais coletor e emissor, com uma tensão VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13);
 Região ativa direta: sendo IC constante, controlada e independente de VCE , o esquema parcial do NPN na região
ativa direta consiste então de uma fonte de corrente controlada por corrente entre os terminais coletor e emissor,
de valor IC =  F IB (ou mesmo: IC = F IE ), com uma tensão VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13);
 Região de saturação: o esquema parcial para o NPN na região de saturação constitui-se de uma chave fechada
entre os terminais coletor e emissor, que conduz uma corrente IC qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
Característica I-V de entrada modelo do TBJ no Característica I-V de saída
(diodo emissor - JE) JE em modo saturado região de
condução IB B C IC IC
IB saturação
região
IB C
B ativa direta IC
0,7 V
IC E
0,7 V E
C
E IE  F IB
0 modelo do TBJ no (F IE) VCE
0 VCE
0,5 0,7 VBE (V)
modo ativo direto E modelo do TBJ
valor típico IB B C IC no modo corte região de corte
 F IB IB = 0 B C IC = 0 C E
JE no corte 0,7 V (F IE)
B VCE VCE
E VBE VCE
VBE IE E
E IE = 0

Figura 7.13: Linearização das características I-V de entrada e saída em EC e construção de modelos do TBJ NPN.
Com base nos modelos parciais e nas polarizações dos diodos emissor e coletor nos modos de operação do TBJ
(Tabela 7.1), pode-se agrupar adequadamente os modelos parciais e definir os modelos totais dos modos de operação
do NPN, mostrados no Figura 7.14, que apresenta também os modelos sobre o símbolo do NPN por finalidade prática.
MODO CORTE MODO ATIVO DIRETO MODO SATURADO
VCB VCB 0,7 V
IB = 0 B C IC = 0 IB B C IC =  F IB I BB C IC

 F IB IC = F IE
0,7 V (F IE) 0,7 V
VBE VCE VCE
E E E
IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB

IC = 0 IC = F IB = F IE IC
VCB VCB 0,7 V
C C C
IB = 0 B IB B IB B
VCE VCE 0V
VBE E 0,7 V E 0,7 V E
IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB

Figura 7.14: Modelos de polarização CC e equacionamento básico para os modos de operação do TBJ NPN.

109
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Como mencionado anteriormente, invertendo-se as correntes e tensões dos componentes dos modelos obtidos
para os modos de operação do NPN, pode-se então determinar os modelos para o TBJ PNP, mostrado na Figura 7.15.
MODO CORTE MODO ATIVO DIRETO MODO SATURADO
IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB
E E E
VEB VEC VEC
 F IB
IB = 0 IC = 0 IB
0,7 V (F IE) IC =  F IB IB 0,7 V IC
B C B C IC = F IE B C
VBC VBC 0,7 V

IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB
VEB 0,7 V 0,7 V
E E E
IB = 0 B IB B IB B
VEC VEC 0V

VBC C VBC C 0,7 V C


IC = 0 IC = F IB = F IE IC

Figura 7.15: Modelos de polarização CC e equacionamento básico para os modos de operação do TBJ PNP.
Com base no modelo esquemático do TBJ NPN no modo ativo direto visto na Figura 7.14, pode-se deduzir uma
equação geral para o cálculo aproximado da potência dissipada nos modos de operação do NPN, definida por:
PTBJ _ NPN  0,7 I B  VCE IC  VCE I C (7.6)
visto IB ser bem pequena. Similarmente, com base no modelo do TBJ PNP no ativo direto (Figura 7.15), tem-se:
PTBJ _ PNP  0,7 I B  VEC IC  VEC IC (7.7)

7.4.4) METODOLOGIA DA ANÁLISE CC

Como mencionado, a análise CC de circuitos com TBJ's consiste em admitir hipóteses sobre a operação de cada
TBJ, aplicar o modelo esquemático correspondente, processar os cálculos pela teoria de Circuitos Elétricos e provar
as suposições até a obtenção da hipótese verdadeira. Semelhante ao visto para os diodos, a definição dos critérios de
julgamento das hipóteses baseia-se nas linearizações das características I-V do TBJ e, assim, pode-se estabelecer que:
1) Modo corte: com base na linearização da característica I-V de entrada do NPN em emissor-comum (Figura 7.13),
observa-se que uma tensão de entrada VBE menor que o limiar adotado (0,7 V) leva o diodo emissor ao corte. Logo,
a hipótese do TBJ NPN operando no modo corte é verdadeira se VBE  0,7 V e falsa se VBE > 0,7 V. Por dedução, a
hipótese para o TBJ PNP operando no modo corte é verdadeira se VEB  0,7 V e falsa se VEB > 0,7 V.
2) Modo ativo direto: com base na linearização da característica I-V de saída em emissor-comum para o TBJ NPN
(Figura 7.13), pode-se observar que a tensão de saída VCE assume qualquer valor positivo. Desse modo, a hipótese
para o TBJ NPN operando no modo ativo direto é verdadeira se VCE > 0, e falsa se VCE  0. Por dedução, tem-se
que a hipótese para o TBJ PNP operando no modo ativo direto é verdadeira se VEC > 0, e falsa se VEC  0.
3) Modo saturado: para um melhor entendimento do critério de prova para o TBJ no modo saturado, será analisado a
característica I-V de saída do TBJ NPN em emissor-comum sem considerar o efeito Early, dada na figura abaixo.
Seja IBcalc e ICcalc as correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos IC I
Bcalc > IBmin (V)
cálculos do circuito com o TBJ na hipótese saturado. Analisando-se a característica
I-V de saída (figura), observa-se então que, para cada curva correspondente a uma IBmin
IC calc 1
corrente de base, há uma correspondente corrente de coletor na região ativa direta.
IBcalc < IBmin (F)
Logo, para o valor da corrente de coletor ICcalc deve existir uma curva na região
ativa direta da característica correspondente a uma corrente de base IBmin (figura).
Considerando um ganho de corrente direta  F para o TBJ no ativo direto então, de região de região ativa VCE
acordo com a equação (7.3), tem-se que o valor de IBmin pode ser determinado por: saturação direta
I C calc
I B min  (7.8)
F
Similarmente, na característica I-V de saída deve existir também uma curva correspondente à corrente de base
IBcalc. Observa-se então que o par ICcalc e IBcalc existe no funcionamento do TBJ apenas se o valor IBcalc for maior que
IBmin (figura) pois, neste caso, o ponto de operação dado pela intersecção entre a curva referente a IBcalc e o valor de
ICcalc (ponto 1) se encontra claramente na região de saturação. Desse modo, a hipótese para um TBJ (NPN ou PNP)
operando no modo saturado é verdadeira se IBcalc  IBmin e falsa se IBcalc < IBmin. Assim, IBmin pode ser entendida
como a corrente mínima para saturar um TBJ quando este conduz uma certa corrente ICcalc no modo ativo direto.

110
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 2: Para o circuito fornecido a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor-comum do TBJ
empregado vale 100. Determine as variáveis de tensão e corrente do TBJ para: a) RB = 6,6 k ; b) RB = 3,3 k
+4V Solução
50  Redesenhando o circuito com a colocação do potencial da
50  linha do positivo (4 V ) refletido de modo a formar as malhas de
RB RB entrada e de saída, obtém-se o circuito dado na figura ao lado.
VBE 4V Realizando-se uma análise do circuito antes de proceder-se
4V com os calculos da análise CC, observa-se que o valor da fonte
entrada saída
de alimentação da malha de entrada (4 V) é maior que o VBE
típico (0,7 V) necessário para levar o diodo emissor do TBJ ao
modo condução. Assim, conclui-se que o TBJ poderá estar operando no modo ativo direto ou no modo saturado.
a) RB = 6,6 k: empregando-se o método da suposição e prova da análise CC de circuitos com TBJ, tem-se que:
 Suposição 1: TBJ no modo saturado
Empregando-se o modelo esquemático do NPN para o modo saturado, obtém-se o circuito da figura abaixo.
 LKT na malha de entrada: B C
4  6600 I B  0,7  0   I B  I B calc  0,5 mA IC
IB
 LKT na malha de saída: 6,6 k
0,7 V 50 
4 – 50 IC = 0   IC = ICcalc = 0,08 A
I C calc E
0,08 4 V 4V
 Da equação (7.8), tem-se: B min
I    0,8 mA entrada I E saída
F 100
Como IBcalc < IBmin , conclui-se que a hipótese do TBJ estar saturado é falsa, visto que o par IBcalc e ICcalc não
existe na operação do TBJ empregado no circuito. Assim, procede-se com o teste de outra hipótese possível.
 Suposição 2: TBJ no modo ativo direto VCB
IB B C IC = 100 IB
Empregando-se o modelo do NPN para o modo ativo direto,
obtém-se o esquema de circuito da figura ao lado. Logo: 100 IB 50 
0,7 V
 LKT na malha de entrada: 6,6 k
4  6600 I B  0, 7  0   I B  0,5 mA VCE
E 4V
 Corrente de coletor: IC  F I B  100  0,510  50 mA
3
4V entrada IE = 101 IB saída
 LKT na malha de saída:
4  50  IC  VCE  0  VCE  4  50  50  103   VCE  1,5 V
Como VCE > 0, conclui-se então que a suposição do TBJ estar no ativo direto é verdadeira.
 Cálculo das demais variáveis do TBJ:
I E  IC  I B  0,05  50  103  50,5 mA ou I E  ( F 1) I B  101 I B  101  50  103  50,5 mA
LKT no TBJ: VCE  0,7  VCB   VCB  VCE  0,7  1,5  0,7  0,8 V
b) RB = 3,3 k: empregando-se o método da suposição e prova da análise CC de circuitos com TBJ, tem-se:
 Suposição 1: TBJ no modo ativo direto
Empregando-se o modelo do TBJ NPN para o modo ativo IB B C IC = 100 IB
direto, obtém-se o circuito da figura ao lado. Logo:
100 IB 50 
 LKT na malha de entrada: 0,7 V
3,3 k
4  3300 I B  0,7  0   I B  103 A  1,0 mA VCE
E
 LKT na malha de saída: 4V
3 4V entrada saída
4  50  100  I B  VCE  0  VCE  4  50  100  10
 VCE = – 1,0 V < 0   suposição falsa
 Suposição 2: TBJ no modo saturado
Com o modelo do modo saturado (circuito ao lado), tem-se: 0,7 V
 LKT na malha de entrada: B C
4  3300 I B  0,7  0   I B  I B calc  1,0 mA IC
IB
 LKT na malha de saída: 3,3 k
0,7 V 50 
4  50 I C  0   IC  IC calc  0,08 A
E
I C calc
0,08 4 V entrada IE saída 4 V
 Da equação (7.8), tem-se: I B min    0,8 mA
F 100
Como IBcalc > IBmin , a suposição TBJ saturado é verdadeira (existe o par IBcalc e ICcalc na operação do TBJ).
 Cálculo das demais variáveis do TBJ:
Empregando-se a equação geral das correntes no TBJ, tem-se: I E  I C  I B  0,08  0,001  0,081 A
Como os valores de VBE (0,7 V) e VCE (0 V) são determinados no modelo do TBJ, tem-se que: VBC = 0,7 V

111
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 3: Para o circuito dado a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor-comum do TBJ é 199.
Determine a leitura do voltímetro ideal V para os casos: a) R = 1 k ; b) R = 6 k ; c) R = 36 k
+6V

70  circuito a ser equivalenciado 70  70 


9 k
A
I I RTH
B 6V
(n) V 9 k 6V
IR 6V R 10  VTH 10 
VBE I entrada saída
R
10  B

(a) (b)
Solução
O nó (n) do circuito (figura) consiste em um divisor de corrente que controla a corrente de base do TBJ pois, se
o resistor R for suficientemente pequeno, a corrente no resistor de 9 k (I) pode ser deviada IC IB3
em sua totalidade para a referência (IR = I) e levar o TBJ ao corte ao fazer IB = 0 ou, se R for
suficientemente elevado, a corrente I pode ser desviada para a base a ponto de IB saturar o IB2
TBJ. Assim, a medida que R aumenta, o ponto de operação do TBJ caminha do corte para a R IB1
saturação passando pela região ativa direta (figura ao lado). Este controle pode ser também
IB = 0
entendido com base no efeito divisor de tensão entre os resistores R e 9 k, pois a tensão
em R define o potencial na base e, portanto, determina a tensão aplicada ao diodo emissor 0 VCE
do TBJ, tal que, se R aumenta, a tensão no mesmo (e na base) aumenta a ponto de levar o TBJ do corte à saturação.
O rearranjo do circuito mostrado na figura (a) pode ser ainda reduzido com o equivalente de Thevenin entre os
pontos A e B, resultanto no esquema da figura (b), onde VTH e RTH (tensão e resistência de Thevenin) são dadas por:
6 6R
 VTH : ddp entre os pontos A e B do circuito isolado: VTH  R I  R    VTH  (1)
9000  R 9000  R
 RTH : resistência equivalente entre os pontos A e B do circuito isolado, com a fonte de 6 V nula (em curto):
9000 R
RTH  9 k  / / R   RTH  (2)
9000  R
a) R = 1 k : com base nas equações (1) e (2), obtém-se que:
VTH = 0,6 V ; RTH = 900 . IC = 0
Neste caso, observa-se que o valor da fonte equivalente de Thevenin
(0,6 V), que polariza a base do TBJ, não é suficiente para levar o diodo 70 
IB = 0
emissor do TBJ à condução, que necessita de pelo menos 0,7 V. Logo, VCE
conclui-se que o TBJ está no modo corte. A figura ao lado mostra então 900 
a situação do circuito, onde é empregado a representação mais prática 0,6 V IE = 0 6V
0,6 V
do modelo no corte sobre o símbolo do TBJ (Figura 7.14). Assim, como 10 
o voltímetro mede a ddp entre coletor e emissor do TBJ (VCE), tem-se: entrada saída
 LKT na saída: 6  VCE = 0  leitura do voltímetro = VCE = 6 V
b) R = 6 k: com base nas equações (1) e (2), tem-se: VTH = 2,4 V e RTH = 3,6 k.
Como VTH > 0,7 V então o diodo emissor do TBJ está em condução
e conclui-se que o TBJ está no modo ativo direto ou saturado. Assim: IC
 Suposição 1: TBJ no modo saturado (circuito ao lado)
IB 70 
 LKT na malha de entrada e considerando IE = IC + IB , obtém-se: 0V
2, 4  3600 I B  0,7 10( I C  I B )  0   3610 I B  10 I C  1,7 (3) 3,6 k
0,7 V IE = IC + IB
 LKT na malha de saida e considerando IE = IC + IB , obtém-se:
6  70 I C  0  10( I C  I B )  0   10 I B  80 I C  6 (4) 2,4 V 10  6 V
 Resolvendo o sistema de equações (3) e (4), obtém-se: entrada saída
IB = IBcalc  0,26 mA e IC = ICcalc  75 mA
 Prova: IBmin = 0,075/ 199  0,38 mA > IBcalc   suposição falsa
 Suposição 2: TBJ no modo ativo direto (circuito ao lado) IC = 199 IB
 LKT na entrada: 2, 4  3600 I B  0,7  10  200 I B  0  I B  0,3 mA IB 70 
VCE
 LKT na saida: 6  70  199 I B  VCE  10  200 I B  0
3,6 k
 VCE  6  70  199  0,3  103  10  200  0,3  103  1,2 V 0,7 V IE = 200 IB

Como VCE > 0 então a suposição TBJ no ativo direto é verdadeira 2,4 V 10  6 V
 Assim: leitura do voltímetro = VCE = 1,2 V entrada saída

112
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

c) R = 36 k: das equações (1) e (2) tem-se que: VTH = 4,8 V e RTH = 7,2 k.
Novamente, VTH > 0,7 V e conclui-se que o TBJ está no modo ativo IC
direto ou saturado. Porém, como discutido inicialmente, aumentos em R
IB 70 
levam o TBJ do corte (R = 1 k, item a) para a saturação passando pelo 0V
ativo direto (R = 6 k, item b). Desse modo, para R = 36 k, é razoável 7,2 k
0,7 V IE = IC + IB
supor que o TBJ possa já ter atingido o modo saturado. Teste:
 Suposição: TBJ no modo saturado (circuito ao lado) 4,8 V 10  6 V
 LKT na malha de entrada e sabendo que IE = IC + IB , obtem-se: entrada saída
4,8  7200 I B  0,7 10( I C  I B )  0  7210 I B  10 I C  4,1 (5)
 LKT na saida e sabendo que IE = IC + IB , tem-se: 6  70 I C  0 10( I C  I B )  0  10 I B  80 I C  6 (6)
 Resolvendo o sistema de equações (5) e (6), resulta: IB = IBcalc  0,47 mA e IC = ICcalc  75 mA
 Prova: IBmin = ICcalc /  F = 0,075/ 199  0,38 mA < IBcalc   suposição TBJ saturado é verdadeira
 Assim: leitura do voltímetro = VCE = 0 V

Exercício 4: Para o circuito fornecido abaixo, determine a relação entre os resistores RB e RC para que o voltímetro,
considerado ideal, apresente uma leitura de 2 V. Dado: ganho de corrente direta em emissor-comum do TBJ = 300.
+5V
malha de 0,7 V IE
entrada
V 2V
IB
IC = 300 IB 5V
RB 5V
RB
RC RC
malha de saída

Solução
O circuito fornecido trata-se da polarização de um TBJ PNP (como mencionado, é o terminal emissor do PNP que
deve ser levado à linha do positivo), sendo semelhante ao circuito de polarização do NPN visto no Exercício 2.
O voltímetro mede a tensão entre os terminais emissor e coletor do TBJ (VEC), tal que VEC = 2 V > 0, e conclui-se
que o TBJ está no modo ativo direto. Aplicando-se o modelo do PNP no ativo direto (figura dada), tem-se então:
 LKT na malha de entrada: 5  0,7  RB I B  0   I B  4,3 (1)
RB
 LKT na malha de saída: 5  2  RC IC  0 3
 3  RC  300 I B  0   IB  (2)
300 RC
4,3 3 RB
 Igualando-se os resultados (1) e (2), tem-se então que:     430
RB 300 RC RC
 Este resultado é coerente visto que a corrente de base, por ser numericamente bem inferior às correntes de coletor
e emissor, normalmente necessita de um resistor limitador de corrente comparativamente mais elevado.

7.4.5) APLICAÇÕES BÁSICAS DO TBJ

Como mencionado, um TBJ apresenta essencialmente duas aplicações práticas: chaveamento e amplificação.
Estas funcionalidades são fundamentadas basicamente nas particularidades do comportamento das características I-V
de saída em cada configuração do TBJ, sendo uma breve discussão destas aplicações apresentada a seguir:
1) TBJ como chave: as condições de tensão e corrente de saída do TBJ nos modos saturado e corte propiciam um
efeito chave liga/desliga, amplamente empregado em circuitos comutadores, osciladores e digitais.
Analisando-se a região de corte das características I-V de saída do TBJ, observa-se que o modo corte se mostra
eficiente tanto na configuração emissor-comum (ponto Q1 na Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor-comum,
quanto em base-comum (ponto Q1 na Figura 7.16-b), pelo fato da corrente de saída (IC) ser praticamente nula, o
que resulta em um comportamento de chave aberta para o TBJ bem próximo do ideal. Contudo, o modo saturado
se mostra mais eficiente em emissor-comum (ponto Q2 da Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor-comum,
pois o TBJ comporta-se como uma chave fechada bem próximo do ideal por apresentar uma tensão de saída (VCE)
próxima de zero (< 0,3 V), o que não se verifica na configuração base-comum (ponto Q2 na Figura 7.16-b).
Além disso, as condições para os modos saturado e corte do TBJ em emissor-comum e coletor-comum são mais
facilmente atingidas por ser o controle da pequena corrente de entrada (IB) muito simples, bastando, por exemplo,
aplicar uma tensão nula no terminal da base do TBJ para levá-lo ao corte, ou elevada o suficiente para saturá-lo.
2) TBJ como amplificador: as condições de tensão e corrente de saída do TBJ polarizado na região ativa direta pode
propiciar um efeito ganho de potência, empregado principalmente na amplificação de sinais analógicos.

113
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

O efeito ganho de potência para o sinal de saída de um circuito necessita da obtenção de um ganho de corrente,
tensão ou ambos (P = V I). Neste caso, as três configurações do TBJ apresentam propriedades desejáveis em seu
funcionamento para aplicação em circuitos amplificadores, sendo algumas delas descritas a seguir:
 Configuração base-comum:
 Apesar do ganho de corrente baixo (F  1), pode-se obter um bom ganho de tensão, o que proporciona um
ganho de potência maior que a configuração coletor-comum e menor que a configuração emissor-comum.
 Apresenta baixa resistência de entrada e alta resistência de saída.
 Como F é praticamente contante, a corrente de saída é determinada praticamente pela corrente de entrada e,
desse modo, alterações na carga quase não se refletem na corrente de saída e, por conseguinte, não interferem
na corrente de entrada. Com isso, a malha de entrada praticamente independe da carga, como se estivesse
isoada da carga, permitindo a configuração base-comum ser empregada como um isolador chamado “buffer”.
 Configuração emissor-comum:
 Proporciona tanto ganho de corrente ( F) quanto de tensão elevado e, portanto, o maior ganho de potência.
 Apresenta média resistência de entrada e alta resistência de saída.
 Causa inversão de fase (defasagem de 180º) entre os sinais de entrada e saída (ilustração na Figura 7.16-c).
 Configuração coletor-comum:
 Apresenta baixo ganho de tensão (< 1) mas alto ganho de corrente ( F +1) e, assim, bom ganho de potência.
 Apresenta resistência de entrada muito alta e resistência de saída muito baixa.
A disposição dos resistores de polarização e a caracterização do tipo de fonte que alimenta o terminal da base
de um TBJ, podem identificar qual o verdadeiro emprego deste TBJ (chave ou amplificação) em um circuito:
 Uma fonte VB conectada diretamente ao terninal base e o terminal emissor aterrado por um resistor (Figura 7.16-d)
pode identificar o TBJ como amplificador pois, exceto pela pequena queda de tensão VBE no diodo emissor, a maior
parte da tensão VB incide no resistor RE , implicando que o emissor está amarrado (“bootstrap”) à tensão de entrada,
o que produz uma corrente de emissor bem estável e, portanto, um ponto de operação firme na região ativa direta.
 Um resistor em série com o terminal da base e o emissor aterrado (Figura 7.16-e) indica o TBJ como chave pelo fato
da fonte VB na base operar como fonte de corrente pois, como VBE é pequena, a maior parte de VB incide no resistor
RB e, com isso, pode-se facilmente levar o TBJ à saturação ou ao corte controlando a corrente de base por VB.

IC (mA) +VC +VC


IC (mA) + VC
IB3 IE3
RC
Q2 IB2 Q2 RC RC
IE2 +VB
RB
IB1 IE1
+VB RB
+VB
0,7 V
IB = 0 Q1 IE = 0 A Q1
RE 0,7 V
0 0,3 VCE (V) -0,5 0
VBC (V)
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 7.16: Efeito chave nas configurações do TBJ: (a) emissor-comum, (b) base-comum; (c) efeito inversão
de fase em emissor-comum; identificação da utilização de um TBJ: (d) como amplificador; (e) como chave.

Exercício 5: Para o circuito fornecido a seguir, determine a potência dissipada no TBJ e a fornecida pela fonte de
tensão do circuito. Dado: ganho de corrente direta em base-comum do TBJ empregado = 0,996.
IB +9V
IC = 249 IB
5 k VCB
VCB
5 k
N VCE
P IB 9V
5 k
N 0,7 V IE = 250 IB
20  9V
20 
20 
entrada saída
–9V
Solução
O circuito fornecido consiste na polarização de um TBJ NPN com seus teminais conectados entre as linhas de
referência e do negativo, o que equivale à conexão entre as linhas do positivo e referência (vide figura central).
Analisando-se o TBJ no circuito observa-se que o terminal do coletor está conectado diretamente ao terminal da
base por um resistor (5 k), o que faz o diodo coletor do TBJ e o resistor de 5 k ficarem em paralelo (figura). Com
isso, caso o diodo emissor do TBJ entre em modo condução, tem-se que a consequente corrente IB na base produz
uma tensão no resistor de 5 k correspondente a uma tensão VCB reversa no diodo coletor (figura central), o que faz o
114
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

diodo coletor do TBJ operar no corte e, portanto, faz o TBJ operar no modo ativo direto. Este esquema, chamado
polarização com realimentação do coletor ou realimentação negativa, é usado em circuitos amplificadores por fazer
o TBJ trabalhar firmemente no modo ativo direto ao impedir que o diodo coletor entre em condução e sature o TBJ.
Como a linha do positivo (9 V) é suficiente para conduzir o diodo emissor do TBJ NPN, conclui-se então que o
TBJ está operando no modo ativo direto (circuito redesenhado à direita) devido à realimentação negativa. Assim:
F 0,996
 Ganho de corrente direta em emissor-comum:  F    249
1  F 1  0,996
 LKT na malha de entrada: 9  5000 I B  0,7  20  250 I B  0   I B  0,83 mA
 LKT na malha de saída: 9  VCE  20  250 I B  0  VCE  9  20  250  0,83  103   VCE  4,85 V
 Como IC = 249 IB , tem-se então que: IC  249  0,83  103   IC  0,207 A
 Assim, da equação (7.6), tem-se que a potência dissipada no TBJ será: PTBJ  VCE I C  4,85  0, 207  1,0 W
 Com base no esquema do circuito, observa-se que a potência fornecida pela fonte de tensão será dada por:
Pfonte  9  I B  9  I C  9  I B  I C   9  (0,83  103  0,207)   Pfonte  1,87 W

Exercício 6: Para o circuito de polarização CC de um TBJ NPN mostrado ao lado, sabe-se que + 10 V
o ganho de corrente direta em emissor-comum do TBJ empregado é igual a 50. Pede-se:
a) Considere RC = 100  e determine o valor limite do resistor RB para o TBJ permanecer no RC
RB
modo saturado. Explique se este limite é mínimo ou máximo.
b) Considere RB = 9,3 k e determine o valor limite do resistor RC para que o TBJ permaneça
no modo ativo direto. Explique se este limite é mínimo ou máximo.
Solução
a) RB limite para o TBJ saturar: com RC = 100  e assumindo o TBJ no modo saturado (circuito abaixo), tem-se:
 LKT na malha de entrada:
9,3 IC
10  RB I B  0,7  0   I B  I B calc 
RB IB
0V 100 
 LKT na malha de saída: 10  100 IC  0   IC  IC calc  0,1 A RB
0,7 V
I C calc
0,1 10 V 10 V
 Da equação (7.8), tem-se: I B min   2  103 A

F 50 entrada saída
 Para satisfazer a condição IBcalc  IBmin do TBJ saturado, tem-se então:
9,3 9,3
I Bcalc  I B min   2  103  RB    RB  4650 
RB 2  103
 Assim, RB limite = 4650  e, com base na inequação obtida, conclui-se que este limite é IB2
IC
máximo. Desse modo, valores para RB menores que 4650  propiciam correntes IB na
base suficientes para saturar o TBJ. Como discutido na Figura 7.12-d, isto ocorre pelo IB1
fato do resistor RB poder controlar a corrente de base no TBJ, tal que uma diminuição IB = 0 R B
gradativa em RB faz IB aumentar até fazer o TBJ saturar (ilustração na figura ao lado). 0 VCE
 Observação: o valor de RB limite pode também ser obtido analisando-se o problema dual, isto é, admitindo-se o
TBJ operando no ativo direto, porém julgando-se a condição VCE  0 para que esta hipótese seja falsa.
b) RC limite para o TBJ no ativo direto: com RB = 9,3 k e assumindo o TBJ no ativo direto (circuito abaixo), tem-se:
 LKT na malha de entrada: 10  9300 I B  0,7  0   I B  1,0 mA
IC = 50 IB
 LKT na malha de saída: 10  RC  50 I B  VCE  0 IB
VCE RC
3
 VCE  10  RC  50  10   VCE  10  0,05 RC 9,3 k
 Para a condição VCE > 0 do TBJ no modo ativo direto, tem-se então: 0,7 V
10 V 10 V
VCE  0  10  0,05 RC  0   RC  200  entrada saída
 Assim, RC limite = 200  e, com base na inequação obtida, conclui-se que este 10 IC (mA)
limite é máximo. Desse modo, valores de RC menores que 200  propiciam RC reta de carga:
aumentos na tensão VCE do TBJ de modo a mantê-lo na região aiva direta. 10  VCE
IC 
 A figura ao lado mostra a curva da característica para IB = 1 mA como ilustração RC
RC
da influência da redução no valor de RC na reta de carga e no ponto de operação
IB = 1 mA
do TBJ (IB independe de RC), que faz o TBJ caminhar na região ativa direta.
 Observação: similarmente, RC limite pode ser também calculado analisando-se o
problema dual, isto é, admitindo-se o TBJ operando no modo saturado, porém
julgando-se a condição IBcalc < IBmin para que esta hipótese seja falsa. 0 10 VCE (V )

115
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

Exercício 7: Para o circuito dado a seguir, determine a faixa de valores em que deverá estar o resistor R para que o
TBJ permaneça no modo ativo direto. Dado: ganho de corrente direta em emissor-comum do TBJ = 150.
+5V
circuito a ser equivalenciado
200  200  200 
8,6 k

8,6 k RTH
R 5V VTH 5V
5V
R I entrada saída

Solução
5R 8600 R
 VTH  R I  (1) ; RTH  8,6 k  / / R  (2)
8600  R 8600  R
 R limite para o TBJ entrar no modo ativo direto vindo do corte: com base no circuito, observa-se que o resistor R
deve ser tal que VTH > 0,7 V para que o diodo emissor entre em condução e leve o TBJ ao modo ativo direto. Logo:
5R 0,7  8600
De (1): VTH  0,7 V    0,7  5 R  0,7  8600  R   R  1,4 k 
8600  R 5
 R limite para o TBJ permanecer no ativo direto: neste caso, tem-se que R
IC = 150 IB
deve ser tal que VCE > 0 para o TBJ não saturar. Aplicando-se o modelo
do TBJ no modo ativo direto, obtém-se o circuito dado ao lado. Logo: IB 200 
 LKT na malha de entrada: VCE
RTH
V  0,7 0,7 V
VTH  RTH I B  0,7  0  I B  TH (3) VTH 5V
RTH entrada saída
 LKT na malha de saída e com o resultado (3), tem-se:
VTH  0,7
5  200  150 I B  VCE  0  VCE  5  3  104   0  3  104 VTH  5 RTH  2,1  104 (4)
RTH
 Aplicando-se os resultados (1) e (2) na inequação obtida em (4), tem-se finalmente: R (kΩ)
5R 8600 R saturado
3  104   5  2,1  104   R  2,1 k  2,1
8600  R 8600  R ativo
 Conclui-se então que a faixa de valores do resistor R para o TBJ operar no modo ativo direto é: 1,4 direto
1,4 kΩ < R < 2,1 kΩ, pois se R ≤ 1,4 kΩ, o TBJ permanece no corte e, se R ≥ 2,1 kΩ, o TBJ se corte
satura. A figura ao lado ilustra as faixas de valores de R para os modos de operação do TBJ. 0

7.5) TÓPICO COMPLEMENTAR: FOTOTRANSISTOR

O chamado fototransistor é um dispositivo optoeletrônico sensor de luminosidade formado por três substratos
(emissor, base e coletor), no qual a radiação incidente por uma janela, ao atingir a região da junção coletor-base, causa
uma combinação dos efeitos transistor e fotoelétrico (Figura 7.17-a). Assim, o fototransisor (símbolo esquemático na
Figura 7.17-b) é um cristal semicondutor (materiais: germânio, silício ou selênio) de constituição semelhante ao TBJ,
onde o substrato base é comumente desprovido de terminal por ter apenas a função de controle de corrente e, desse
modo, apenas os terminais coletor e emissor do fototransistor são acessíveis (aparências comerciais na Figura 7.17-c).
C L3 > L2 > L1 optoacoplador
IC
L3
luz N R1 R2
Q3 L2
P V1 V2
Q2 L1
N
L = 0 W/cm2 Q1 circuito
E C circuito de
E VCE controle controlado
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura 7.17: Fototransistor: (a) constituição física; (b) símbolos esquemáticos; (c) aparências; (d) característica
corrente-tensão, reta de carga e pontos de operação; (e) circuito exemplo de optoacoplador LED-fototransistor.

116
CAPÍTULO 7: Dispositivos a junção PN – II: TBJ

A Figura 7.17-d mostra a característica I-V de um fototransistor, onde as curvas são levantadas para diferentes
intensidades luminosas L (W/cm2). O traçado de uma reta de carga nesta característica I-V permite então observar um
princípio de funcionamento do fototransistor semelhante ao de um TBJ operando na configuração emissor-comum:
 A ausência de luz incidente (L = 0) estabelece um ponto de operação no fototransistor (Q1) no qual a corrente de
coletor IC se mostra bastante reduzida por ser formada apenas por portadores livres gerados por energia térmica.
Neste ponto, entende-se então que o fototransistor se encontra em seu modo corte ou bloqueio (Figura 7.17-d).
 Um aumento de radiação incidente na junção coletor-base (L > 0) resulta na fotogeração de portadores minoritários
adicionais na região da camada de depleção do diodo coletor, o que possibilita um aumento da corrente reversa no
diodo coletor (IC) e, por conseguinte, de igual modo na corrente direta do diodo emissor (IE = IC). Logo, quanto
maior a intensidade de luz incidente, maior a quantidade de portadores minoritários gerados e maior é a corrente
no fototransistor. Assim, a variação na incidência luminosa causa no fototransistor um efeito controle de corrente
por luz devido à alteração da corrente circulante coletor-emissor, quando observa-se que o mesmo opera na região
da característica correspondente ao seu modo ativo direto (por exemplo, ponto Q2 mostrado na Figura 7.17-d).
 Um aumento demasiado da radiação incidente na região da junção coletor-base pode alcançar o limite de criação
de portadores livres nos substratos coletor e base, quando observa-se que o fototransistor atinje seu modo saturado
(por exemplo, ponto Q3 na Figura 7.17-d) e acarreta na perda do efeito controle de corrente por luz incidente.
A injeção de minoritários na base pelo substrato emissor para constituir a corrente direta no diodo emissor pode
ser interpretada como uma corrente de entrada na base e, desse modo, entende-se que a corrente gerada pela radiação
incidente é multiplicada por um ganho de corrente F, o que confere elevada sensibilidade ao fototransistor, sendo
esta sua principal vantagem em relação ao fotodiodo. Contudo, por possuir duas junções PN e apresentar então efeitos
capacitivos mais pronunciados, a velocidade de comutação ON-OFF do fototransistor é menor que a do fotodiodo.
Os fotodiodos caracterizam-se por correntes típicas da ordem de mA e tempos de comutação da ordem de s e
aplicados onde se exija elevada sensibilidade devido, por exemplo, à posição distante do dispositivo emissor de luz
(controle remoto, sensor de presença, leitor de códigos de barra, sistemas de contagem em processos industriais, etc.
A Figura 7.17-e mostra um circuito optoacoplador que emprega um par LED-fototransistor, sendo seu princípio
de funcionamento similar ao dispositivo LED-fotodiodo visto anteriormente, com semelhaentes vantagens na isolação
elétrica e diferenças de potência entre circuitos de entrada (circuito de controle) e saída (circuito controlado).

7.6) EXERCÍCIOS PROPOSTOS


Problema 1: Para os circuitos e características I-V de saída em emissor-comum dos TBJ's empregado, fornecidos a
seguir, determine o ponto de operação (VCEQ e ICQ) e as demais variáveis do TBJ. Caso o ponto se encontrar na região
ativa direta, determine também os ganhos de corrente direta. Adotar o valor típico VBE = 0,7 V para a solução.
IC (mA) IB = 1,1 mA
+7 V 180 IB = 0,9 mA
150
IB = 0,7 mA
50  120
IB = 0,5 mA
9 k 90
IB = 0,3 mA
60
IB = 0,1 mA
30
IB = 0 mA
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VCE (V)
(a)
+7 V IC (mA) IB = 1,1 mA
180 IB = 0,9 mA

19 k 50  150
IB = 0,7 mA