Universidad de Costa Rica

Anteproyecto/Reporte

Experimento 3:
Amplicadores Lineales
Prof. Nombre

Estudiante, Carné

Estudiante, Carnet

Grupo

15 de marzo de 2016

1
IE0308 - Laboratorio Eléctrico I Experimento 3

Resumen:
Aquí va el resumen...

Palabras claves: ltro, pasa alto, pasa bajo, circuitos RC, laboratorio

Escuela de Ingeniería Eléctrica 2 de 21 Universidad de Costa Rica

IE0308 - Laboratorio Eléctrico I Experimento 3

Índice
1. Objetivos 5
1.1. Objetivo general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2. Objetivos esepecicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2. Marco teórico 6
2.1. Transistores BJT y JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.1. Transistores BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2. Operación del transistor de unión bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.3. Obtención experimental de la ganancia de corriente β de un BJT . . . . . . . 6
2.1.4. Conguraciones para un amplicador lineal de tensión con un BJT . . . . . . 7
2.1.5. Transistores JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1.6. Operación del transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1.7. Obtención de la corriente de saturación de un JFET . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.1.8. Obtención de la tensión compuerta-fuente de apagado de un JFET . . . . . . 8
2.1.9. Conguraciones para un amplicador lineal de tensión con un FET . . . . . . 8
2.2. La máxima excursión simétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.3. Comparación de características de algunos transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.4. Capacitores de acople y desacople . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.5. Par Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3. Diseño 10
3.1. Amplicador de Drenaje Común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.2. Amplicador de Emisor Común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.3. Circuitos en cascada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4. Lista de equipos 13
5. Lista de componentes 14
6. Procedimiento 15
Bibliografía 16
7. Anexos 17
7.1. Hoja Fabricante 2N3819 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
7.2. Hoja Fabricante 2N2222 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Índice de guras
1. Transistor de unión bipolar NPN y PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2. Curvas para el BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3. Confuguración interna del FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4. Curvas para el FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
5. Conguracion Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6. Amplicador de drenaje común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

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7. Modelo en pequeña señal drenaje común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

8. Salida del aplicador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
9. Respuesta en frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
10. Circuito en cascada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
11. Frecuencia de corte y ganancia del circuito en cascada. . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Índice de tablas
1. Conguraciones para un amplicador con un BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2. Conguraciones para amplicador con un FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3. Comparación de transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4. Lista de equipos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
5. Lista de componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

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1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Implementar amplicadores...

1.2. Objetivos esepecicos

Investigar el...
Estudiar las...
Conocer la...

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2. Marco teórico
2.1. Transistores BJT y JFET
2.1.1. Transistores BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor...

Figura 1: Transistor de unión bipolar NPN y PNP

2.1.2. Operación del transistor de unión bipolar

Las tres terminales y sus conexione..
La zona de operación correspondiente al BJT se puede observar en la Figura 2.

Figura 2: Curvas para el BJT

2.1.3. Obtención experimental de la ganancia de corriente β de un BJT

... y mediante la ecuación 1:
IC
β= (1)
IB

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Esta relación se da ..

2.1.4. Conguraciones para un amplicador lineal de tensión con un BJT

La tabla 1 presenta un resumen..

Tabla 1: Conguraciones para un amplicador con un BJT

Conguración Zi Zo Av Ai
Polarización ja Media Media Alta Alta
Polarización por medio de divisor de tensión Media Media Alta Alta
Polarización de emisor sin puentear Alta Media Baja Alta
Seguidor Emisor Alta Baja Baja Alta
Base común Baja Media Alta Baja
Realimentación del colector Media Media Alta Alta

2.1.5. Transistores JFET

El JFET (transistor de efecto de campo de unión) siempr..

Figura 3: Confuguración interna del FET

2.1.6. Operación del transistor JFET

Si existe una diferencia de..

IDSS es la corriente de drenaje máxima para un JFET y está denida por la condición VGS = 0
y VDS > |VP |.
El nivel de VGS que produce ID = 0mA está denido por VGS = VP , con VP convirtiéndose en
un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.

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En la gura 4 se muestra la familia de curvas para un transistro de efecto de campo.

Figura 4: Curvas para el FET

2.1.7. Obtención de la corriente de saturación de un JFET

La corriente de saturación..

2.1.8. Obtención de la tensión compuerta-fuente de apagado de un JFET

Esta tensión es ...

2.1.9. Conguraciones para un amplicador lineal de tensión con un FET

El transistor JFET, ...

Tabla 2: Conguraciones para amplicador con un FET

Conguración Zi Zo Av
Drenaje Común Alta(10 MΩ) Baja (100 Ω) Baja(<1)
Compuerta Común Baja(1 kΩ) Moderada(2 kΩ Moderada(10)
Fuente Común Alta(10 MΩ) Moderada(2 kΩ) Moderada(-10)
Polarización Fija Alta(10 MΩ) Moderada(2 kΩ) Moderada(-10)
Polarización por Divisor de Tensión Alta(10 MΩ) Moderada(2 k) Moderada(-10)

2.2. La máxima excursión simétrica

En Máxima Excursión Simétrica (MES)..

2.3. Comparación de características de algunos transistores

En la Tabla 3 se muestra ..

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Tabla 3: Comparación de transistores

Características Transistor
NTE123A NTE159M 2N3819 2N3820
Tipo n p n p
VCEO 40 V 60 V - -
VCBO 75 V 60 V - -
VEBO 6V 5V - -
IC 8 mA 600 mA - -
PD 1,2 W 1,8 W - -
hf e 50 - 30 75 - 375 - -
VDG - - 25 V -20V
VGS - - -25 V 20V
ID - - 50 mA 10mA
IDSS - - 2 mA - 20 mA -0.3mA- -15mA

2.4. Capacitores de acople y desacople

En un amplicador, los capacitores...

2.5. Par Darlington

La conguración Darlington ... En la Figura 5 se muestra esta conguración.

Figura 5: Conguracion Darlington

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3. Diseño
3.1. Amplicador de Drenaje Común.
Con una señal de entrada Vip−p = 200 mV a un 1 kHz, y VDC = 15 V, se deben cumplir las
siguientes especicaciones.
• Ganancia AV > 0,8

• Impedancia de entrada ZI > 250 kΩ

• Impedancia de salida ZO 6 2 kΩ

• Frecuencia de corte en bajo fcl 6 20 kHz

Para el diseño de..

Figura 6: Amplicador de drenaje común.

Primeramente se ..

Figura 7: Modelo en pequeña señal drenaje común.

Seguidamente, se sabe que gm = yf s y este dato se obtiene de las hojas del fabricante donde para
el 2N3819 se tiene un yf s = 5,6mf. Luego la ganancia para la conguracion de la Figura 7 está dado
por la ecuación 2, suponiendo en valor de rd > 10Rs .
gm R s
Av = (2)
1 + gm Rs
Tomando en cuenta ..

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Rs
Zo = (3)
gm Rs + 1
...

Figura 8: Salida del aplicador.

Figura 9: Respuesta en frecuencia.

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3.2. Amplicador de Emisor Común.

El diseño de aplicador de emisor común se presenta en la Figura ??.
...

3.3. Circuitos en cascada.

Ahora se nos pide que conectar los 2 amplicadores en cascada y comprobar que:

Av = Av1 ∗ Av2 (4)

Por lo que se espera que Av = 0,8 ∗ 14,25 = 11,4, esta..

Figura 10: Circuito en cascada.

Figura 11: Frecuencia de corte y ganancia del circuito en cascada.

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4. Lista de equipos
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra en la Tabla4

Tabla 4: Lista de equipos

Equipo Marca Modelo (Placa)

Osciloscopio digital - - -
Generador de señales - - -
Fuente DC - - -
Multímetro - - -

Donde la marca y modelo de cada equipo se especicara una vez realizado el experimento, así
como también la placa del equipo respectivamente usado.

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5. Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla5:

Tabla 5: Lista de componentes

Cantidad Componente Sigla Valor nominal Valor Medido

Potencia
1 Transistor T1 2N3819
1 Transistor T2 2N2222
2 Capacitor C1 47 µF
1 Capacitor C2 7,9 n F
1 Capacitor C3 27o n F
2 Resistencia RL 1M W
1 Resistencia R1 270 k W
1 Resistencia R2 1,6 k W
1 Resistencia R3 1,9 k W
1 Resistencia R4 20 k W
2 Resistencia R5 3,5 k W
1 Resistencia R6 220 W
1 Resistencia R7 15 W
1 Potenciómetro R8 1kW

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6. Procedimiento
Proceso detallado de las labores a realizar durante la práctica

1. Encontrar ..
2. Arme ..
3. Determine ..
4. ..
5. ..

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Bibliografía
1. Boylestad R. & Nashelsky L. (2009). Electrónica: .
Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos

México: Pearson
2. Dorf, R & Svoboda, J (2000). Circuitos eléctricos: introducción, análisis y diseño . Barcelona:
Marcombo.
3. Floyd , Thomas L.(2008). Dispositivos Electrónicos. . México D.F: Pearson
4. Horowitz y Hill. (s/f). Conceptos de Electrónica. Extraído el 23 de enero del 2013 de
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/emitfol.html.
5. Schilling Belove (1987). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. México D.F.
6. ST Microelectronics. (2003). 2N2222A High speed switches. Extraído de http://
datasheetreference.com/datasheets/2n2222_datasheet.pdf
7. Apuntes del curso de Electrónica 1

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7. Anexos
7.1. Hoja Fabricante 2N3819

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7.2. Hoja Fabricante 2N2222

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