UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica

MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista

Guía de Aprendizaje 7
“Polarización para Transistores Bipolares BJT”
V. 1.1

Curso en Modalidad
Semipresencial
VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semi presencial y
respeto al medio ambiente MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
para Resolver Problemas mediante Soluciones
1
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente
 Sección A
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE

Carrera: Ingeniería Eléctrica

Asignatura: ELECTRÓNICA I.
Área de Formación en la Carrera: Electrónica y Control.
Unidad Didáctica III: El Transitores BJT y sus Configuraciones.
Tema: Circuitos de Polarización para Transistores Bipolares BJT.

Objetivo
1) Explicar y Resolver problemas tipos de las diferentes configuraciones
de polarización para Emisor, Base y Colector común.
2) Demostrar, a través del programa Proteus de simulación, la
independencia del factor de ganancia β.

En Abono a las Siguientes Competencias

1) PENSAMIENTO LÓGICO Y ANALITICO relativo a circuitos

electrónicos con Transistores Bipolares.
2) UTILIZAR PROGRAMAS COMPUTACIONALES para la
simulación de circuitos electrónicos.

Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposición de los conceptos de esta guía, el estudiante logrará:
- Analizar circuitos de polarización con BJT en sus tres configuraciones.
- Observar las principales diferencias en la polarización de los BJT en sus
tres posibles configuraciones.

2
 Sección B
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

B1. Puntos de Operación Transistor Bipolar de Unión, BJT.

Como se ha visto en la Guía de Aprendizaje anterior, la corriente de colector depende de la

corriente presente en el terminal de base, que a su vez depende principalmente de la tensión
aplicada a la unión emisor-base. Con el fin de delimitar las distintas zonas de funcionamiento del
transistor, y en consecuencia conseguir la polarización adecuada según las distintas aplicaciones
que se quiera realizar del mismo, resulta útil representar la corriente IC frente a la tensión VBE; la
figura 1 muestra los valores más características para transistores de Silicio y de Germanio para las
distintas zonas de operación:

Fig. 1: “Puntos Importantes para las Regiones de Operación en los BJT”

De la figura anterior podemos observar lo siguiente: Para valores negativos de VBE el

transistor se encuentra en corte, por lo que la corriente IC toma un valor muy pequeño, próximo a ICO;
lo mismo sucede para tensiones positivas que se encuentran por debajo de la tensión de codo o
tensión umbral de la unión emisor-base ya que para esas tensiones la corriente de base es
prácticamente cero, y por lo tanto también lo será IC. Una vez superada la tensión umbral, la
corriente de base crece exponencialmente con la tensión VBE, obteniéndose valores muy altos de la
corriente de colector, hasta que se alcanza la saturación. La figura 1 también muestra valores
característicos que se obtienen a partir de esta gráfica y que servirán de referencia para desarrollar
los modelos equivalentes del transistor trabajando en pequeña y gran señal. Al punto de
operación del transistor, independientemente se requiera en Corte-Saturación (Switch Electrónico) o
en que opere en la zona activa para amplificación se denomina “Punto Q de Operación de
Transistor” en el cual tendremos que encontrar, independientemente de su polarización los
parámetros siguientes: IB, IC, VCE y VBE.

3
B1.1. Punto de Funcionamiento.

Nos concentraremos en el circuito de polarización de la Figura 2 para tomarla como base y

así establecer una base de cómo se analizan este tipo de circuito con transistores bipolares, aunque
la figura mostrará un BJT en Emisor Común, en estos momentos no será trascendente el saber en
qué configuración está operando en transistor:

Fig. 2: “Circuito de Polarización base para la Operación en los BJT”

Analizando la malla de entrada y aplicando la ley de Kirchhoff, tenemos:

VBB – IBRB – VBE = 0

VBB = IBRB + VBE Ec. 1

La ecuación 1 es una ecuación de una línea recta cuya intersección con la curva VCE nos
daría los valores de IB y VBE del punto de funcionamiento, estamos hablando de las curvas
características de entrada que se muestra en la Fig. 3:

Fig. 3: “Curvas Características de Entrada de Emisor Común”

La Ec.1 no la podemos resolver en vista que no conocemos VCE, para conocerlo tenemos que
analizar la malla de salida siempre con la ley de Kirchhoff así:

VCC – ICRC – VCE = 0

4
 VCC = ICRC + VCE Ec.2

La Ec. 2 es otra línea recta cuya intersección ahora es con la IB de la curva característica de
salida que se muestra a continuación:

Fig. 4: “Curvas Características de Salida para Emisor Común”

Tal como vemos, las Ecuaciones 1 y 2 tienen dependencia entre ellas por lo tanto los
valores necesarios para saber el punto Q de operación del transistor no es posible a menos que
tengamos las curvas características tanto de entrada como de salida del transistor lo cual , no
siempre es posible. Para fines prácticos y de cálculos tendremos que valernos de los datos que
nos proporciona la fig.1 y saber de antemano en que zona queremos que el transistor opere.

B1.2. Análisis de Recta de Carga.

+VCC

IC +
RC
-
RB

IB
Q1 VCE

Fig. 5: “Polarización de base para Emisor Común”

5
Para el circuito de la Fig.5 tenemos:

RC = 2.2 kΩ
RB = 240 kΩ
VCC = 12 Voltios.
En este análisis de lo que se trata es de encontrar gráficamente el punto Q de operación
por medio de las curvas características del BJT, para este ejemplo utilizaremos las curvas
características de salida de la Fig. 4 de esta guía. Todos sabemos que para dibujar una recta
necesitamos al menos dos puntos, estos los podemos encontrar de la siguiente manera:

Punto 1:
Utilizaremos la Ec. 2 de esta guía:
VCC = ICRC + VCE
Para VCE = 0 la ecuación nos queda:

VCC
IC =
RC
Sustituyendo valores:
IC = 5.45 mA
Punto 2:
Para IC = 0 la ecuación 2 nos dice que VCE = VCC = 12V; ahora ya tenemos los dos puntos y
ubicamos la recta en la fig.4 así:

Fig. 6: “Punto Q de Operación variando IB y manteniendo fijo VCC y RC”

Vemos de la fig. 6 que, la recta intercepta varias curvas de IB y para cada uno de estos
puntos Q corresponde un valor diferente de VCE, al ir disminuyendo RB el punto Q se mueve de 3 a 1
y por consiguiente VCE se acerca a su punto de saturación de 0.2 voltios como lo dice la fig. 1 de
esta guía manteniendo fijo VCC y RC.

6
 Si ahora variamos RC donde R1>R2>R3(los números representan los puntos rojos de la
siguiente gráfica y R la resistencia de colector), el punto Q se mueve así para la misma IB y VCC:

1 2

Fig. 7: “Punto Q de Operación variando RC y manteniendo fijo IB y VCC”

Si RC se mantiene fija y VCC varia el punto se mueve como en la siguiente gráfica:

1 2

Fig. 8: “Punto Q de Operación variando VCC y manteniendo fijo IB y RC”

7
 El punto Q de operación en un transistor es de vital importancia porque de acuerdo a su
ubicación se pueden producir distorsiones cuando estos son utilizados como amplificadores.

B2. Diferentes Tipo de Polarización para los BJT.

B2.1. Circuito de Polarización Fija. (Problema 1)

+VCC

IC +
RC
-
RB
Vo de AC
+
IB

Vi, de AC
Q1 VCE
+

VBE -
-

Fig. 9: “Circuito de Polarización Fija”

Donde:

VCC = 12 V, RC = 2.2 kΩ, RB = 240 kΩ, β=50; los condensadores a la entrada y salida no afectan a la
polarización, son para cuando el circuito también es excitado con señales de ac(Amplificador);
encontrar:
a) IBQ e ICQ
b) VCEQ
c) VB y VC
d) VBC

Solución:
Parte a:

Para malla de entrada:

VCC – IBRB – VBE = 0

Despejando IB:

VCC − VBE 12V−0.7V

IBQ = = = 47.08 µA
RB 240 kΩ
8
Para encontrar la corriente colector utilizamos la expresión de ganancia de corriente en función de β:
ICQ = βIBQ = (50)(47.08 µA) = 2.35 mA

Parte b:

Para malla de salida:

VCC – ICRC – VCE = 0

Despejando VCE:

VCEQ = VCC – ICRC = 12V – (2.35mA)(2.2 kΩ) = 6.83 Voltios.

Parte c:

VB = VBE = 0.7 voltios por estar en la zona activa ya que VCEQ calculado lo confirma.

VC = VCEQ = 6.83 Voltios

Parte d:

VBC = VB – VC = 0.7V – 6.83V = - 6.13 voltios. El signo negativo es correcto porque esta unión
trabaja con polarización inversa.

B2.2. Circuito de Polarización Estabilizado en Emisor. (Problema 2)

+VCC

IC +
RC
-
RB
C2 Vo de AC
+
IB

Vi, de AC
Q1 VCE
C1 +

VBE -
-
IE RE C3

Fig. 10: “Circuito de Polarización Estabilizado en Emisor”

9
Base teórica conceptual:

Malla Emisor-Base:

+VCC - IBRB – VBE – IERE = 0 Ec.3

De la Ec.7 de la Guía de Aprendizaje 5 tenemos que:

IE = (β+1)IB, sustituyendo está en la Ec.3 tenemos:

+VCC - IBRB – VBE – (β+1))IBRE = 0

Agrupando términos:

-IB(RB + (β+1)RE) +VCC – VBE = 0

-IB(RB + (β+1)RE) = -VCC + VBE ; multiplicando por (-1) ambos lados tenemos:

IB(RB + (β+1)RE) = +VCC - VBE

Despejando IB tenemos:

VCC −VBE
IB = Ec. 4
RB +(β+1)RE

El termino (β+1)RE viene hacer la Resistencia de entrada que se observa desde la entrada del
circuito de la Fig.10 o sea desde la base.

Malla Colector-Emisor:

+VCC – ICRC – VCE - IERE = 0

Tomando en cuenta la aproximación de la Guía en la que nos dice que IC ≈ IE ,tenemos:

+VCC – ICRC – VCE – ICRE = 0

Agrupando:

+VCC –IC(RC+RE) – VCE = 0

Despejando VCE y hacienda cambio de signos tenemos:

VCE = VCC – IC(RC+RE) Ec.5

Voltaje en diferentes puntos del circuito:

VE = IERE

VCE = VC – VE o sea,

VC = VCE + VE o también:

10
VC = VCC - ICRC Ec.6

El voltaje de base se determina así:

VB = VCC – IBRB o también:

VB = VBE + VE Ec. 7

Ejemplo numérico para esta configuración:

Para el circuito de la Figura 10 tenemos:

VCC = 20 voltios; RB=430 kΩ; RC=2 kΩ; RE=1 kΩ; β=50; encontrar:

a) IB, b) IC, c) VCE, d) VC, e) VE, f) VB, g) VBC

Solución:

Parte a:

Utilizando la ecuación 4 de esta guía tenemos:

VCC −VBE 20V−0.7V

IB = = = 40.1 µA
RB +(β+1)RE 430kΩ+(50+1)1kΩ

Parte b:

IC = βIB = (50)(40.1µA) = 2.01 mA

Parte c:

Utilizando la Ec.5 tenemos:

VCE = VCC – IC(RC+RE) = 20V – 2.01mA(2kΩ+1kΩ) = 13.97 Voltios

Parte d:

Utilizando la Ec.6 tenemos:

VC = VCC - ICRC = 20V – 2.01mA(2kΩ) = 15.98 Voltios

Parte e:

VE = VC – VCE = 15.98V – 13.97V = 2.01 voltios.

Parte f:

Utilizando la Ec. 7, tenemos:

VB = VBE + VE = 0.7V + 2.01V = 2.71 voltios.

11
Parte g:

VBC = VB – VC = 2.71V – 15.98V = -13.27 voltios.

Como un corolario, las corrientes de saturación de colector de los circuitos de las figuras 9 y
10 se encuentran de la siguiente manera respectivamente:

VCC VCC
ICsat = y ICsat =
RC RC +RE

B2.3. Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje. (Problema 3)

+VCC

IC +
RC
-
RB1
C2 Vo de AC
+
IB

Vi, de AC
Q1 VCE
C1 +

VBE -
-
RB2 IE RE C3

Fig. 11: “Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje”

Entre las ventajas de esta configuración es que la hace menos dependiente de β, beta es
un factor muy dependiente de la temperatura y por lo tanto es algo inestable, tener una polarización
que nos independice de este factor hace al punto de Q de operación del transistor más estable.

Basicamente hay dos métodos para el análisis de esta configuración, el método exacto y el
aproximado en realidad, la diferencia estriba en el voltaje de base que se calcula, por otra parte esta
configuración en su circuito de salida es idéntica a la anterior analizada por lo tanto se pueden
utilizar las mismas ecuaciones de esta parte de salida; trataremos de explicar las premisas para los
dos métodos mencionados:

Método Exacto:

Este método está basado en calcular una resistencia y un voltaje thevenin a la entrada; para
encontrar la RTh tendremos que reemplazar VCC por un cortocircuito entonces:

12
RTH = RB1//RB2
Para calcular el VTh, utilizamos la regla del divisor de tensión así:

RB2 VCC
ETh =
RB1 +RB2

Teniendo los dos elementos thevenin calculados, el circuito de entrada se transforma de la

siguiente manera:

RTh B
Q1

VBE
E
ETh
IE RE

Fig. 12: “Circuito de Entrada transformado del Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje”

Donde:

ETh −VBE
IB =
RTh +(β+1)RE
Una vez esté calculada la corriente de base, se pueden utilizar las premisas y ecuaciones
de los cálculos de la configuración anterior.

Método Aproximado:

Para que es método se pueda utilizar se debe cumplir lo siguiente:

(β+1)RE ≥ 10 veces RB2

Lo anterior es indispensable en vista que este método asume que muy poca corriente se va
del lado de RE comparada con la que se va del lado de RB2 desde la fuente de alimentación VCC; con
esta premisa podemos decir lo siguiente:

RB2 VCC
VB =
RB1 +RB2

Con este valor podemos encontrar VE haciendo la suma de las caídas de tensión en la malla de
entrada:

13
 VB = VBE + VE

Ejemplo numérico para esta configuración:

Para el circuito de la Figura 11 tenemos:

VCC = 18 voltios; RB1=82 kΩ; RB2=22 KΩ; RC=5.6 kΩ; RE=1.2 kΩ; β=50; encontrar:

a) ICQ, b) VCQ, para los dos métodos de cálculo.

Método Exacto:

RTH = RB1//RB2 = 82KΩ//22kΩ = 17.35 kΩ

RB2 VCC 22kΩ(18v)

ETh = = = 3.81 Voltios
RB1 +RB2 82kΩ+22kΩ

Luego calculamos la corriente de base así:

ETh −VBE 3.81V−0.7V

IB = = = 39.6 µA
RTh +(β+1)RE 17.35 kΩ+(51)1.2KΩ

ICQ = βIB = (50)(39.6µA) = 1.98 mA

Luego:

VCQ = VCC – IC(RC + RE) = 18v – (1.98mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 4.53 Voltios.

Con Método Aproximado:

VB = ETh = 3.81 voltios,

Luego, VE = VB – VBE = 3.81v – 0.7v = 3.11 voltios.

VE 3.11v
ICQ ≈ IE = = 1.2kΩ = 2.59 mA a diferencia de los 1.98mA con el método exacto.
RE

Ahora:

VCQ = VCC – IC(RC + RE) = 18v – (2.59mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 3.88 Voltios. A diferencia de los 3.11
voltios en el método exacto.

Los resultados son bastante diferentes, aproximadamente el 30% de diferencia en vista que
la premisa βRE ≥ 10RB2 no se cumple en este caso.

B2.4. Circuito de Polarización Seguidor de Emisor o Colector Común. (Problema 4)

Muy a menudo en varios sistemas electrónicos nos encontramos con alimentaciones de

voltaje no muy convencionales tal es el caso del circuito de la figura siguiente el cual es un Seguidor
14
de Emisor:

Vi, de AC
Q1 VCE
C1 IB

VBE C2

Vo de AC
RB IE RE

-VEE

Fig. 13: “Circuito Seguidor de Emisor”

Para la Fig. 13, RB= 240 kΩ, RE= 2 kΩ, VEE= -20 voltios, β=90

Aplicando Kirchhoff al circuito de entrada:

-VEE + IERE + VBE + IBRB = 0 Ec.8

Pero:

IE = (β+1)IB

Luego sustituyendo la expresión anterior en la Ec.8 tenemos:

-VEE + (β+1)IBRE + VBE + IBRB = 0 Ec. 9

Despejando la corriente de base y sustituyendo valores:

VEE −VBE 20V−0.7V

IB = R = 240kΩ+(91)(2kΩ) = 45.73 µA
B +(β+1)RE

Luego,

IC = βIB, sustituyendo valores:

IC = (90)45.73 µA = 4.12 mA

Aplicando la Ley de Voltaje de Kirchhoff a la salida tenemos:

-VEE + IERE + VCE = 0

Pero, IE = (β+1)IB

15
Sustituyendo esta última expresión en la anterior:

-VEE + (β+1)IBRE + VCE = 0 y despejando el voltaje colector-emisor:

VCEQ = VEE – (β+1)IBRE y sustituyendo valores:

VCEQ = 20V – (91)(45.73µA)(2kΩ) = 11.68 Voltios

Calculando la corriente de emisor:

IE = (β+1)IB = (90+1)(45.73 µA) = 4.16 mA

B2.5. Circuito de Polarización de Base Común. (Problema 5)

C2

Vi, de AC
Q1 Vo de AC
C1

RE RC

VEE VCC

Fig. 14: “Circuito Base Común”

Para el circuito de la figura 14, tenemos:

RE = 1.2kΩ; VEE = 4 voltios; VCC = 10 voltios; RC =2.4kΩ; β=60; determinar VCB y IB.

Aplicando Kirchhoff a la entrada:

-VEE + IERE + VBE = 0

Despejando IE:

VEE − VBE 4V− 0.7V

IE = = = 2.75 mA
RE 1.2kΩ

Para la salida:

VCC – ICRC – VCB = 0 ; despejando VCB y considerando IC≈IE:

VCB = VCC – ICRC = 10V – (2.75mA)(2.4kΩ) = 3.4 voltios.

Para encontrar IB:

16
 IC 2.75 mA
IB = = = 45.8 µA
β 60

B2.5. Circuito de Polarización con Doble Fuente. (Problema 6)

+VCC

+
RC
-
RB1
C2 Vo de AC

Vi, de AC
Q1 β=120
C1

RB2
RE

-VEE

Fig. 15: “Circuito de Polarización con Doble Fuente”

Para el circuito anterior:

VCC = +20 voltios; VEE = -20 voltios; RB1=8.2 kΩ; RB2=2.2 KΩ; RC=2.7 kΩ; RE=1.8 kΩ; β=120;
encontrar:

a) VC b) VB:

La resistencia y voltaje Thevenin se calcula para la red de entrada:

RTh = RB1//RB2 = 8.2kΩ//2.2kΩ = 1.73kΩ

Para el ETh:
RB1

+
I1 +
VCC RB2
ETh
-
-
VEE
+
-

17
 Vcc−(−VEE ) Vcc+VEE 20v+20v
I1 = =R = = 3.85 mA
RB1 + RB2 B1 + RB2 8.2kΩ+2.2kΩ

Luego:

Luego la red de entrada puede ser redibujada así:

RTh B
Q1
IB

VBE
E
ETh
RE

VEE -20V

Aplicando Kirchhoff a esta red:

-ETh – IBRTh – VBE – IERE + VEE = 0 y sustituyendo IE = (β+1)IB y Despejando IB tenemos:

VEE −ETh −VBE
IB = RTh +(β+1)RE

Sustituyendo valores en la expresión anterior:

IB = 35.39µA

Con el valor anterior encontramos la corriente de colector con la expresión de ganancia de corriente
propia de esta configuración para luego calcular el voltaje de colector:

IC = βIB = 120(35.39µA) = 4.25 mA

Luego:

VC = VCC – ICRC, sustituyendo valores en esta última expresión:

VC = 8.52 voltios.

Para calcular el voltaje de base:

VB = ETh – IBRTh, y sustituyendo valores:

VB = -(11.53 V) – (35.39 µA)(1.73 kΩ)

18
VB = -11.46 voltios.

B3. Circuito de Polarización para los BJT Modelado con Proteus.

Se presenta en la siguiente figura, un circuito de polarización con resistencia de emisor que se

utilizará para ir variando, en primera instancia la RB y en segunda instancia RC y sacar algunas
conclusiones:

+Vcc=20V

+36.8
µA +3.44 +6.89
mA R1 Volts
2k

R3
430k

Q1
2N4123 +9.63
Volts

+0.70 R2
Volts 1k
+3.48
Volts

Fig. 16: “Circuito de Polarización Modelado con Proteus”

Se presenta la tabla 1, manteniendo fijo VCC=20v, RC=2kΩ y RE=1kΩ y variando RB en el cual

se toman los datos necesarios para calcular β y demostrar que Q1, todo el tiempo está operando en
la región activa:

RB en kΩ IB en µA IC en mA VCE en voltios β
580 28.6 2.68 11.0 93.7
530 30.9 2.9 11.3 93.85
430 36.8 3.44 9.63 93.47
330 45.5 4.22 7.28 92.74

19
 230 60 5.43 3.66 90.5
Promedio de β 92.8
Tabla 1: “Datos de Polarización Modelado con Proteus con RB Variando”

Ahora la tabla 2, manteniendo fijo VCC=20v, RB=430kΩ y RE=1kΩ y variando RC en el cual se toman
los datos necesarios para calcular β y demostrar que Q1, todo el tiempo está operando en la región
activa:

RC en kΩ IB en µA IC en mA VCE en voltios β
4.5 37.4 3.2 2.38 85.56
3.0 37.0 3.34 6.6 90.27
2.5 36.9 3.39 8.09 91.86
2.0 36.8 3.44 9.63 94.83
1.8 36.7 3.47 10.3 94.55
1.5 36.7 3.5 11.2 95.36
0.35 36.4 3.62 15.1 99.45
Promedio de β 93.12
Tabla 2: “Datos de Polarización Modelado con Proteus con RC Variando”

Se puede concluir lo siguiente:

1) La ganancia de corriente β prácticamente se mantiene cercano al valor 92.96 el cual es el
promedio del total de las tablas 1 y 2.
2) Lo anterior indica que β es un parámetro propio del transistor y no depende de las
resistencias de polarización.
3) Si se nota el transistor siempre estuvo operando en la región activa en vista que V CE nos
muestra valores característicos para esta región.
4) Podríamos decir que un valor de β para Q1 sería 92 y un valor dado por el fabricante anda
por 100.

Sección C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR

En esta sección se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar según las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir al estudiante a la
comprensión y para algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.

1) Para la Fig. 5, utiliza la RB que nos dan y dibuja el punto Q de operación en las gráficas de
salida utilizadas en esta guía.
2) Escribe las conclusiones que se obtienen de las figuras 6,7 y 8 de esta guía.
3) Para el problema 1 de esta guía en la parte “c” dice que el valor de 0.7 voltios en la base lo
confirma el valor de VCEQ, explique esta aseveración.
4) De que otra manera se podía calcular VE en el problema 2, demuéstrelo.

20
5) Investigue y explique porque la adición de RE en el circuito de polarización de la figura 10
proporciona estabilidad de la polarización.
6) En el ejemplo numérico 3, explica y profundiza más porque los valores para el método exacto
difieren que para el método aproximado.
7) ¿Qué concluye al observar los puntos Q en la figura 7 y la 8?
8) A parte de las conclusiones que se dan para el circuito modelado en Proteus de la figura 1,
que otras conclusiones darías.
9) Escriba las ventajas y desventajas de las diferentes polarizaciones a que hace alusión el
video asociado a la Ruta de Aprendizaje 6.
10) Para la figura 9, repite todos los cálculos pero para VCC 18 voltios y β=90.
11) Para la figura 10, repita todos los cálculos para VCC = +16V y β=90
12) Para la figura 11, repita todos los cálculos para VCC = +20V y β=90
13) Para la figura 13, repita todos los cálculos para VEE = -18V y β=50
14) Para la figura 14, repita todos los cálculos para VCC = +12V, VEE= -6V y β=90
15) Para la figura 15, repita todos los cálculos para VCC = +18V, VEE= -15V y β=90

Sección D
FUENTES DE CONSULTA

1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Sexta Edición;
Editorial Prentice-Hall; México, 1997.
2) Algunas fuentes de Internet.
3) Programa Proteus para la Simulación.
4) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.

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